隔著該形成的第二掩膜依次對(duì)所述遮光圖案和所述蝕刻終止圖案進(jìn)行蝕刻的工序；以及去除所述第二掩膜后，進(jìn)一步對(duì)所述蝕刻終止圖案進(jìn)行蝕刻的工序，從而在邊緣增強(qiáng)型相移掩膜中，在遮光區(qū)域內(nèi)，使相移圖案、蝕刻終止圖案以及遮光圖案的開口寬度相等，以維持對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的準(zhǔn)確性，并且能夠以高量產(chǎn)性來制造出能夠應(yīng)對(duì)高精細(xì)化的邊緣增強(qiáng)型相移掩膜。
[0017]在上述(3)的情況下，可以在所述蝕刻終止層(蝕刻終止圖案)的蝕刻中使用含有硝酸的蝕刻液。
[0018]在相移區(qū)域中，在相移掩膜坯件的遮光層上形成抗蝕劑圖案(第一掩膜)以作為具有規(guī)定的開口圖案的單一掩膜，通過隔著該抗蝕劑圖案對(duì)遮光層進(jìn)行蝕刻，從而形成規(guī)定寬度的遮光圖案。
[0019]進(jìn)而，通過隔著上述抗蝕劑圖案對(duì)蝕刻終止層進(jìn)行蝕刻，從而形成蝕刻終止圖案。此時(shí)，遮光圖案的側(cè)面露出，但由于遮光圖案由與蝕刻終止圖案不同的材料構(gòu)成因而不被蝕刻，遮光圖案和蝕刻終止圖案成為相同寬度。
[0020]接著，通過隔著上述抗蝕劑圖案對(duì)相移層進(jìn)行蝕刻，從而形成與蝕刻終止圖案相同寬度的相移圖案。此時(shí)，由于由與相移圖案相同的Cr系材料構(gòu)成的遮光圖案也被蝕刻，因此遮光圖案的開口寬度變得比相移圖案的寬度寬。經(jīng)過上述工序，遮光圖案的開口寬度變得比相移圖案及蝕刻終止圖案的開口寬度寬。
[0021]在遮光區(qū)域中，同樣地使用第一掩膜，使得遮光圖案的開口寬度變得比相移圖案的開口寬度寬。接著，形成具有規(guī)定的開口圖案的第二掩膜，以使遮光層表面及露出于圖案開口的遮光層(側(cè)面)被覆蓋，并且使露出于圖案開口的蝕刻終止層及相移層(相移圖案)不被覆蓋。
[0022]此時(shí)，在相移區(qū)域內(nèi)，與遮光區(qū)域不同地，遮光圖案表面與露出于圖案開口的遮光圖案、蝕刻終止圖案以及相移圖案的側(cè)面全都被第二掩膜覆蓋。也就是，形成具有比遮光圖案、蝕刻終止圖案以及相移圖案的開口寬度更窄的規(guī)定寬度的第二掩膜。
[0023]接著，通過隔著該抗蝕劑圖案對(duì)露出于圖案開口的相移圖案的側(cè)面進(jìn)行蝕刻，從而形成具有與遮光圖案的開口寬度相同的開口寬度的相移圖案。此時(shí)，露出于圖案開口的遮光圖案被第二掩膜保護(hù)而不被蝕刻。之后，在去除第二掩膜后，最后對(duì)蝕刻終止圖案進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻。此時(shí)，通過僅對(duì)蝕刻終止圖案的側(cè)面進(jìn)行蝕刻，從而設(shè)定成具有遮光圖案與蝕刻終止圖案齊平的側(cè)面。此時(shí)，相移圖案和遮光圖案的側(cè)面露出，但由于相移圖案和遮光圖案以與蝕刻終止圖案不同的材料構(gòu)成因而不被蝕刻，相移圖案、遮光圖案以及蝕刻終止圖案變得齊平。
[0024]同時(shí)，在相移區(qū)域中，蝕刻終止圖案也被蝕刻。經(jīng)過上述工序，能過獲得遮光圖案和蝕刻終止圖案的開口寬度比相移圖案的開口寬度寬的邊緣增強(qiáng)型相移掩膜。
[0025]如此，僅通過對(duì)預(yù)先形成的相移掩膜坯件進(jìn)行圖案化就能夠在遮光區(qū)域中制造出相移掩膜。因此，與如現(xiàn)有例那樣交替進(jìn)行成膜和圖案化的情況相比能夠更有效地進(jìn)行制造，而且，相比于現(xiàn)有例能夠?qū)⒅圃旃ば驍?shù)減少，因而能夠以高量產(chǎn)性來制造相移掩膜。
[0026]在本發(fā)明中，以Cr為主要成分的相移層由從上述Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、碳化氮化物以及氧化碳化氮化物中選擇出的任意一種來構(gòu)成，被設(shè)定為充分發(fā)揮相移效果的膜厚。為了具有這種充分發(fā)揮相移效果的膜厚，蝕刻時(shí)間相對(duì)于遮光層的蝕刻時(shí)間延長(zhǎng)了超過I倍，但由于各層間的粘著強(qiáng)度足夠高，因此能夠進(jìn)行線粗糙度為大致直線狀且圖案截面大致垂直的作為光掩膜而言良好的圖案形成。
[0027]此外，通過使用含有Ni的膜來作為蝕刻終止層，從而能夠充分提高與含有Cr的遮光膜及含有Cr的相移層的粘著強(qiáng)度。因而，在用濕式蝕刻液來對(duì)遮光層、蝕刻終止層以及相移層進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻液不會(huì)從遮光層與蝕刻終止層的界面以及蝕刻終止層與相移層的界面滲入，因此能夠提高所形成的遮光圖案、相移圖案的CD精度，并且能夠使膜的截面形狀成為對(duì)于光掩膜而言良好的接近垂直的形狀。
[0028]根據(jù)本發(fā)明所涉及的方式，在適合以高量產(chǎn)性來制造邊緣增強(qiáng)型相移掩膜的相移掩膜中，形成圖案區(qū)域中的相移圖案從遮光圖案中露出的寬幅形狀以及遮光區(qū)域中的相移圖案、蝕刻終止圖案及遮光圖案的俯視形狀相等的結(jié)構(gòu)，從而能夠制造出高精細(xì)的掩膜。
【附圖說明】
[0029]圖1是對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的相移掩膜的制造方法進(jìn)行說明的工序圖。
[0030]圖2是對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的相移掩膜的制造方法進(jìn)行說明的工序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]〈第一實(shí)施方式〉
[0032]下面，基于附圖對(duì)本發(fā)明所涉及的相移掩膜的制造方法的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0033]圖1和圖2是示意性地示出本實(shí)施方式所涉及的相移掩膜的制造方法的工序圖，在圖中，MB是相移掩膜坯件。
[0034]如圖1的(a)所示，本發(fā)明的相移掩膜坯件MB由透明基板S、在該透明基板S上形成的相移層11、在相移層11上形成的蝕刻終止層12、以及在該蝕刻終止層12上形成的遮光層13構(gòu)成。
[0035]作為透明基板S，使用在透明性及光學(xué)各向同性方面優(yōu)異的材料，例如，可以使用石英玻璃基板或玻璃基板。透明基板S的大小并未特別限制，根據(jù)使用該掩膜來進(jìn)行曝光的基板(例如Fro用基板、半導(dǎo)體基板)而適當(dāng)選定。在本實(shí)施方式中，可以應(yīng)用于直徑尺寸10mm左右的基板或者從一邊為50?10mm左右到一邊為300mm以上的矩形基板，進(jìn)而，還可以使用縱向450mm、橫向550mm、厚度8mm的石英基板或者最大邊尺寸100mm以上且厚度1mm以上的基板。
[0036]此外，可以通過對(duì)透明基板S的表面進(jìn)行研磨，從而降低透明基板S的平面度。透明基板S的平面度例如可以設(shè)為20 μπι以下。據(jù)此，掩膜的焦點(diǎn)深度會(huì)加深，從而能夠?qū)ξ⒓?xì)且高精度的圖案形成做出較大貢獻(xiàn)。進(jìn)而，平面度優(yōu)選小至1ym以下。
[0037]相移層11以及遮光層13以Cr為主要成分，具體而言，可以由從Cr單質(zhì)以及Cr的氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、碳化氮化物和氧化碳化氮化物中選擇出的一種來構(gòu)成，此外，還可以通過層壓從這些之中選擇出的兩種以上來構(gòu)成。
[0038]相移層11以針對(duì)300nm以上且500nm以下的波長(zhǎng)區(qū)域中的任意一種光(例如，波長(zhǎng)365nm的i線)能夠具有大致180°的相位差的厚度(例如，90?170nm)來形成。遮光層13以能夠獲得規(guī)定的光學(xué)特性的厚度(例如，SOnm?200nm)來形成。作為蝕刻終止層12，可以使用以從N1、Co、Fe、T1、S1、Al、Nb、Mo、W以及Hf中選擇出的至少一種金屬為主要成分的材料，例如，可以使用N1-T1-Nb-Mo膜。上述相移層11、蝕刻終止層12以及遮光層13可以通過例如濺射法、電子束蒸鍍法、激光蒸鍍法、ALD法等來進(jìn)行成膜。
[0039]本實(shí)施方式的相移掩膜M具有能夠具有180°的相位差的相移層(相移圖案)11，并具有在遮光層13上形成的遮光圖案13b的開口寬度d2被設(shè)定為比在該相移層11上形成的相移圖案Ila的開口寬度dl寬的相移區(qū)域PSA、以及在相移層11上形成的相移圖案IIb的開口寬度d5與在遮光層13上形成的遮光圖案13b的開口寬度d5被設(shè)定為相等的遮光區(qū)域MSA。
[0040]在遮光區(qū)域MSA中例如可以設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM，遮光區(qū)域MSA可以以俯視觀察時(shí)包圍相移區(qū)域PSA周圍的方式圍繞著透明基板S的周緣部設(shè)置。
[0041]根據(jù)該相移掩膜M，通過將上述波長(zhǎng)區(qū)域的光特別是包含g線(436nm)、h線(405nm)及i線(365nm)在內(nèi)的復(fù)合波長(zhǎng)用作曝光光，從而能夠因相位反轉(zhuǎn)作用而形成光強(qiáng)度最小的區(qū)域，以使曝光圖案更為鮮明。根據(jù)這種相移效