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      陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法_2

      文檔序號(hào):8921723閱讀:來源:國知局
      ] 其中,A Vp為第一像素電極的跳變電壓;
      [0043] Vgh為耦合第一像素電極上的高電平電壓;
      [0044] Vgl為耦合第一像素電極上的低電平電壓;
      [0045] CgSl為第一薄膜晶體管T1的柵極和源極產(chǎn)生的電容;
      [0046] Cst$第一像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的存儲(chǔ)電容;
      [0047] Crepaih為第一修復(fù)部與相應(yīng)的柵線產(chǎn)生的電容
      [0048] ClClS第一像素電極的液晶電容。
      [0049] 可以按照以下公式計(jì)算第二像素電極的跳變電壓:
      [0050]
      [0051] 其中,AVp'為第二像素電極的跳變電壓;
      [0052] Vgh為耦合第二像素電極上的高電平電壓;
      [0053] Vgl為耦合第二像素電極上的低電平電壓;
      [0054] Cgs2為第二薄膜晶體管T2的柵極和源極產(chǎn)生的電容;
      [0055] Cst2S第二像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的存儲(chǔ)電容;
      [0056] Crepair2為第二修復(fù)部與相應(yīng)的柵線產(chǎn)生的電容;
      [0057] Clc2S第二像素電極的液晶電容。
      [0058] 在雙柵線的陣列基板中,第一像素電極和第二像素電極的形狀是相同的,并且,第 一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2的結(jié)構(gòu)也是相同的。因此,Cg Sl= CgSyCstii Cst2、 Crepairf CrepairpClcf Clc2。由此可知,AVp辛AVp',也就是說,在極性反轉(zhuǎn)時(shí),第 一像素電極的跳變電壓不同于第二像素電極的跳變電壓,從而導(dǎo)致了包括圖1中所示的陣 列基板的顯示裝置在進(jìn)行顯示時(shí)會(huì)出現(xiàn)色偏和閃爍的現(xiàn)象。
      [0059] 有鑒于此,作為本發(fā)明的一個(gè)方面,如圖3所示,提供一種陣列基板,所述陣列基 板包括多條數(shù)據(jù)線300和多組柵線,多條數(shù)據(jù)線300和多組柵線互相交錯(cuò)將所述陣列基板 劃分為多個(gè)像素單元,每組柵線都包括第一柵線110和第二柵線120,每組柵線限定一行所 述像素單元,每個(gè)所述像素單元包括多個(gè)像素電極,所述像素電極包括并排設(shè)置的第一像 素電極210和第二像素電極220,第一像素電極210與第二柵線120相對(duì)應(yīng),第二像素電極 220與第一柵線110相對(duì)應(yīng),所述像素單元內(nèi)還設(shè)置有第一修復(fù)部230和第二修復(fù)部280, 第一修復(fù)部230與第一像素電極210電連接,且從第一像素電極210上朝向第一柵線110凸 出,以與第一柵線110的一部分重疊,第二修復(fù)部280與第二像素電極220電連接,且從第 二像素電極220上朝向第二柵線120凸出,以與第二柵線120的一部分重疊,其中,所述像 素單元內(nèi)還設(shè)置有主補(bǔ)償部270,主補(bǔ)償部270與第一像素電極210電連接,主補(bǔ)償部270 從所述第一像素電極上朝向所述第二柵線凸出,以與第二柵線120的一部分重疊形成補(bǔ)償 電容Cito。
      [0060] 圖4中所示的是圖3中所示的陣列基板的一個(gè)像素單元中的等效電路圖。從圖中 可以看出,主補(bǔ)償部形成的電容與第一修復(fù)部形成的電容相串聯(lián)。
      [0061] 設(shè)置了主補(bǔ)償部之后,在極性反轉(zhuǎn)時(shí),第二像素電極220的跳變電壓仍然沒有改 變,而第一像素電極210的跳變電壓發(fā)生了改變??梢园凑找韵鹿接?jì)算設(shè)置了主補(bǔ)償部 270后第一像素電極210的跳變電壓:
      [0063] 其中,AVp"為設(shè)置了主補(bǔ)償部后第一像素電極的跳變電壓
      [0064] Vgh為第一像素電極上的高電平電壓;
      [0065] Vgl為第一像素電極上的低電平電壓;
      [0066] CgSl為與第一像素電極相對(duì)應(yīng)的柵線產(chǎn)生的電容;
      [0067] CstiS第一像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的存儲(chǔ)電容;
      [0068] Cr印airi是第一修復(fù)部與相應(yīng)的柵線產(chǎn)生的電容;
      [0069] Cito為主補(bǔ)償部產(chǎn)生的電容;
      [0070] ClClS第一像素電極的液晶電容。
      [0071] 相對(duì)于液晶電容ClCl和存儲(chǔ)電容Csti,第一修復(fù)部產(chǎn)生的電容Cr印airi與主補(bǔ) 償部產(chǎn)生的電容Cito都較小。因此,在上式中,分母中的第一修復(fù)部產(chǎn)生的電容Crepaih 與主補(bǔ)償部產(chǎn)生的電容Cito可以忽略不計(jì)。因此,可以按照以下公式計(jì)算設(shè)置了主補(bǔ)償部 270后第一像素電極210的跳變電壓:
      [0073] 由此可知,與現(xiàn)有技術(shù)相比,由于主補(bǔ)償部產(chǎn)生的補(bǔ)償電容的存在,使得第一像素 電極和第二像素電極的跳變電壓更加接近,從而減弱甚至消除了在包括所述陣列基板的顯 示面板進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的閃爍以及色偏。
      [0074] 如圖中所示,每個(gè)像素單元內(nèi)還設(shè)置有兩個(gè)薄膜晶體管,即,第一薄膜晶體管T1 和第二薄膜晶體管T2。如圖中所示,第一薄膜晶體管T1的漏極與第一像素電極210相連, 第二薄膜晶體管T2的漏極與第二像素電極220相連。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是,此處 的"第一像素電極210與第二柵線120相對(duì)應(yīng),第二像素電極220與第一柵線110相對(duì)應(yīng)" 是指,第二柵線120與第一薄膜晶體管T1的柵極相連,而第一柵線與第二薄膜晶體管T2的 柵線相連。
      [0075] 為了確保第一像素電極和第二像素電極的跳變電壓相等,優(yōu)選地,第一修復(fù)部產(chǎn) 生的電容Crepair與主補(bǔ)償部產(chǎn)生的電容Cito相等。
      [0076] 在這種情況中,計(jì)算設(shè)置了主補(bǔ)償部270后第一像素電極210的跳變電壓變形為 如下公式:
      [0078] 由此可以得出,AVp = AVp",也就是說,在極性反轉(zhuǎn)時(shí),第一像素電極的跳變電 壓等于第二像素電極的跳變電壓,從而消除了跳變電壓不同而造成的色偏和閃爍現(xiàn)象。
      [0079] 為了便于制作并且確保補(bǔ)償電容Cito與第一修復(fù)部產(chǎn)生的電容Crepair相等,優(yōu) 選地,主補(bǔ)償部270與第一像素電極210形成為一體,且主補(bǔ)償部270與第二柵線120的重 疊部分的面積與第一修復(fù)部230與第一柵線110的重疊部分的面積相等。
      [0080] 圖5中所示的是形成了主補(bǔ)償部270和第一修復(fù)部230的第一像素電極210的示 意圖,如圖中所示,主補(bǔ)償部270和第一修復(fù)部230均一體形成在第一像素電極210上,并 且分別位于第一像素電極210的兩端。
      [0081] 增加主補(bǔ)償部270會(huì)增加第二柵線120的容阻負(fù)載(RCloading),作為本發(fā)明的 一種優(yōu)選實(shí)施方式,所述像素單元內(nèi)還可以設(shè)置有輔助補(bǔ)償部260,該輔助補(bǔ)償部260與所 述第一柵線的一部分交疊,以與所述第一柵線形成電容。設(shè)置了輔助補(bǔ)償部260之后,可以 增加第一柵線110的容阻負(fù)載,使得第一柵線110的容阻負(fù)載與第二柵線120的容阻負(fù)載 更加接近甚至相同。
      [0082] 本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是,陣列基板中通常還設(shè)置有公共電極,以與第一像 素電極和第二像素電極形成存儲(chǔ)電容和液晶電容。在本發(fā)明中,對(duì)公共電極的具體結(jié)構(gòu)并 沒有特殊的要求,只要能夠與第一像素電極和第二像素電極形成電容即可。例如,可以利用 透明電極材料制作正面的公共電極。
      [0083] 為了降低成本并簡化制造工藝,優(yōu)選地,如圖3和圖7中所示,所述陣列基板包括 與所述柵線同層設(shè)置的公共電極150和公共電極線組,每行所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有一行 公共電極150,所述公共電極線組包括第一公共電極線130和第二公共電極線140,第一公 共電極線130與第一柵線110相鄰,第二公共電極線140與第二柵線120相鄰,所述陣列基 板還包括第一公共電極連接部240和第二公共電極連接部250,第一公共電極線130通過第 一公共電極連接部240與公共電極相連150,第二公共電極線140通過第二公共電極連接部 250與公共電極150相連。由于公共電極與柵線同層設(shè)置,因此,公共電極的材料與柵線的 材料相同,都為電阻較小的金屬材料,因此,本發(fā)明所提供的陣列基板中,公共電極也具有 較小的電阻。
      [0084] 第一公共電極線130和第二公共電極線140與公共信號(hào)電壓源相連,以將公共電 壓傳導(dǎo)至所述公共電極。所述公共電極與所述柵線同層設(shè)置可以簡化制造工藝。容易理解 的是,為了保證陣列基板的開口率,公共電極150應(yīng)當(dāng)為所述像素電極的邊緣(包括環(huán)繞第 一像素電極210的邊緣和環(huán)繞第二像素電極220的邊緣)的條形電極。且公共電極圍成的 區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于第一像素電極210和第二像素電極220。
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