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      光學(xué)鄰近校正方法及雙重圖形曝光方法_4

      文檔序號:9234550閱讀:來源:國知局
      所述最大值和最小值之間的差值為第一差值;
      [0088]獲取目標(biāo)圖形的子目標(biāo)圖形各片段的第一最小光強(qiáng)集合中的最大值,獲取目標(biāo)圖形中的子目標(biāo)圖形各片段的第一最小光強(qiáng)集合中的最小值,獲取所述最大值和最小值之間的差值為第二差值;
      [0089]獲取目標(biāo)圖形的子目標(biāo)圖形各片段的第一斜率集合中的最大值,獲取目標(biāo)圖形中子目標(biāo)圖形各片段的第一斜率中的最小值,獲取所述最大值和最小值之間的差值為第三差值;
      [0090]將所述第一差值、第二差值和第三差值N等分,獲取N等分的第一差值、第二差值以及第三差值;依據(jù)所述第一最大光強(qiáng)的最大值和最小值、第一最小光強(qiáng)的最大值和最小值、第一斜率的最大值和最小值、N等分的第一差值、N等分的第二差值和N等分的第三差值,在所述坐標(biāo)系內(nèi)建立NXNXN的立方體,所述立方體具有NXNXN各單元格。
      [0091]能夠以第一光強(qiáng)參數(shù)和第二光強(qiáng)參數(shù)在坐標(biāo)系內(nèi)的位置,獲取子目標(biāo)圖形各片段中的標(biāo)記片段的原因在于:第一光強(qiáng)參數(shù)和第二光強(qiáng)參數(shù)之間絕對匹配(即第一光強(qiáng)參數(shù)和第二光強(qiáng)參數(shù)在坐標(biāo)系中處于同一位置)的情況較少,若第一光強(qiáng)參數(shù)與第二光強(qiáng)參數(shù)之間的區(qū)別值在預(yù)定值內(nèi),可說明所述第一光強(qiáng)參數(shù)對應(yīng)的子目標(biāo)圖形片段的曝光能力較優(yōu),所述子目標(biāo)圖形片段在標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型作用范圍內(nèi);當(dāng)采用第一光強(qiáng)參數(shù)中的參數(shù)建立坐標(biāo)系時,若坐標(biāo)系建立合理,則可認(rèn)為在同一單兀格內(nèi)的第一光強(qiáng)參數(shù)和與之對應(yīng)的第二光強(qiáng)參數(shù)的區(qū)別值在預(yù)定值內(nèi),因此,所述第一光強(qiáng)參數(shù)對應(yīng)的子目標(biāo)圖形片段位于標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型的作用范圍內(nèi);而第一光強(qiáng)參數(shù)和與之對應(yīng)的第二光強(qiáng)參數(shù)在不同單元格內(nèi)時,所述第一光強(qiáng)參數(shù)對應(yīng)的片段為標(biāo)記片段。
      [0092]若建立的單元格的數(shù)量過少,每個單元格包含的光強(qiáng)參數(shù)的范圍值過大,則會造成獲取標(biāo)記片段結(jié)果的誤差大,本來未在標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型作用范圍內(nèi)的第一光強(qiáng)參數(shù)被誤認(rèn)為處于標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型作用范圍內(nèi),導(dǎo)致所述第一光強(qiáng)參數(shù)對應(yīng)的片段未被標(biāo)記為標(biāo)記片段,最終在晶圓上形成的片段與所述片段之間的差異性大,造成最終形成的圖形的精確性差;若建立的單元格的數(shù)量過多,每個單元格包含的光強(qiáng)參數(shù)的范圍值很小,則會造成分配第一光強(qiáng)參數(shù)和第二光強(qiáng)參數(shù)以置于單元格內(nèi)所需的時間過長,不利于提高效率。
      [0093]綜合以上考慮,本發(fā)明實(shí)施例在坐標(biāo)系內(nèi)建立1000至27000個單元格,具體的,在坐標(biāo)系內(nèi)建立10X10X10至30X30X30個單元格。
      [0094]作為一個實(shí)施例,在坐標(biāo)系內(nèi)建立20X20X20個單元格時,建立單元格的方法為:獲取第一最大光強(qiáng)的最大值和最小值之間的差值為第一差值,獲取第一最小光強(qiáng)的最大值和最小值之間的差值為第二差值,獲取第一斜率的最大值和最小值之間的差值為第三差值;將所述第一差值、第二差值和第三差值20等分,獲取20等分的第一差值、第二差值以及第三差值;依據(jù)所述第一最大光強(qiáng)的最大值和最小值、第一最小光強(qiáng)的最大值和最小值、第一斜率的最大值和最小值、20等分的第一差值、20等分的第二差值和20等分的第三差值,在所述坐標(biāo)系內(nèi)建立20 X 20 X 20的立方體,所述立方體具有20 X 20 X 20個單元格。
      [0095]請參考圖7,圖7為選取部分單元格以及位于單元格內(nèi)的第一光強(qiáng)參數(shù)和第二光強(qiáng)參數(shù)的位置關(guān)系示意圖。
      [0096]基于第一光強(qiáng)參數(shù)中的三個參數(shù)建立坐標(biāo)系,在所述坐標(biāo)系內(nèi)建立多個單元格
      300,第二光強(qiáng)參數(shù)310位于單兀格300內(nèi),第一光強(qiáng)參數(shù)包括標(biāo)記片段的第一光強(qiáng)參數(shù)320、以及未被標(biāo)記的片段的第一光強(qiáng)參數(shù)330。
      [0097]請結(jié)合參考圖5至圖7,子目標(biāo)圖形200的A點(diǎn)所在片段與子掩模圖形210的Al點(diǎn)所在片段相對應(yīng),當(dāng)A點(diǎn)所在片段的第一光強(qiáng)參數(shù)和Al點(diǎn)所在片段的第二光強(qiáng)參數(shù)310位于同一單兀格300內(nèi)時,所述第一光強(qiáng)參數(shù)為未標(biāo)記的第一光強(qiáng)參數(shù)330,所述未標(biāo)記的第一光強(qiáng)參數(shù)330對應(yīng)的A點(diǎn)所在片段在標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型的作用范圍內(nèi);子目標(biāo)圖形200的B點(diǎn)所在片段與子掩膜圖形210的BI點(diǎn)所在片段相對應(yīng),當(dāng)B點(diǎn)所在片段的第一光強(qiáng)參數(shù)與BI點(diǎn)所在片段的第二光強(qiáng)參數(shù)不在同一單元格300內(nèi)時,所述第一光強(qiáng)參數(shù)為標(biāo)記的第一光強(qiáng)參數(shù)320,所述標(biāo)記的第一光強(qiáng)參數(shù)320對應(yīng)的BI點(diǎn)所在片段為標(biāo)記片段,所述標(biāo)記片段在標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型的作用范圍外,由前述分析可知,具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形200為需要移除的圖形。
      [0098]依據(jù)上述對A點(diǎn)、Al點(diǎn)、B點(diǎn)以及BI點(diǎn)所在片段的光強(qiáng)參數(shù)在單元格內(nèi)位置的分析方法,對目標(biāo)圖形的子目標(biāo)圖形各片段均進(jìn)行上述分析,獲取子目標(biāo)圖形各片段中的標(biāo)記片段。
      [0099]步驟S104、移除目標(biāo)圖形中具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形,將目標(biāo)圖形分解為第一子圖形和第二子圖形,其中,第一子圖形為具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形的組合。
      [0100]由于標(biāo)記片段在光學(xué)鄰近校正模型的作用范圍外,即使經(jīng)過光學(xué)鄰近校正,所述具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形寫入掩膜版中,經(jīng)過光學(xué)曝光系統(tǒng)進(jìn)行曝光處理,最終形成的圖形與具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形之間的差異性大。因此,需要對所述具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形進(jìn)行分解,將目標(biāo)圖形分解為第一子圖形和第二子圖形,其中,第一子圖形為具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形的組合,使得對第一子圖形進(jìn)行模擬曝光后,獲得所述具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形的光強(qiáng)參數(shù),將獲取的光強(qiáng)參數(shù)與光學(xué)鄰近校正模型的光強(qiáng)參數(shù)進(jìn)行對比分析,所述對比分析可參數(shù)步驟S102至步驟S103提供的步驟,在此不再贅述。
      [0101]需要說明的是,由于所述具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形的周圍圖形密度或形狀發(fā)生了改變,使得獲取的光強(qiáng)參數(shù)與步驟S102中獲取的第一光強(qiáng)參數(shù)不同,使得具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形的光強(qiáng)參數(shù)得到優(yōu)化,從而使獲取的光強(qiáng)參數(shù)與光學(xué)鄰近校正模型的第二光強(qiáng)參數(shù)之間的區(qū)別值小于預(yù)定值,使具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形處于標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型作用范圍內(nèi)。
      [0102]在將目標(biāo)圖形分解為第一子圖形和第二子圖形后,第二子圖形為不具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形的組合,由前述分析可知,所述第二子圖形的曝光能力(光強(qiáng)參數(shù))在標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型的作用范圍內(nèi),采用第二子圖形為掩膜進(jìn)行曝光后形成的圖形質(zhì)量好且具有較高的準(zhǔn)確性;而將具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形組合形成第一子圖形后,改變具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形的光強(qiáng)參數(shù),使得所述具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形各片段均在標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型的作用范圍內(nèi),采用第一子圖形為掩膜進(jìn)行曝光、顯影后最終形成的圖形精確度高,進(jìn)而使得在待形成目標(biāo)圖形的晶圓上形成的圖形符合目標(biāo)圖形,在待形成目標(biāo)圖形的晶圓最終形成的圖形具有高精確性,最終形成的圖形質(zhì)量高
      [0103]而采用節(jié)距的方法進(jìn)行圖形分解后,進(jìn)行圖形分解后的子目標(biāo)圖形被寫入不同的掩膜版中;當(dāng)目標(biāo)圖形的子目標(biāo)圖形的節(jié)距分布并不理想時,導(dǎo)致不同的掩膜版中子目標(biāo)圖形的圖形密度區(qū)別較大;圖形密度的不同會導(dǎo)致各子目標(biāo)圖形在曝光時的曝光量區(qū)別較大,曝光量與曝光能力有關(guān),進(jìn)而造成子目標(biāo)圖形的曝光能力區(qū)別較大,當(dāng)部分子目標(biāo)圖形在經(jīng)過光學(xué)曝光系統(tǒng)進(jìn)行曝光,以及顯影處理后形成的圖形與子目標(biāo)圖形一致,而其他子目標(biāo)圖形在經(jīng)過曝光顯影處理后形成的圖形與子目標(biāo)圖形差別較大,導(dǎo)致最后在晶圓上形成的圖形質(zhì)量低。
      [0104]綜上,本發(fā)明提供的光學(xué)鄰近校正方法的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
      [0105]首先,提供目標(biāo)圖形和標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型,目標(biāo)圖形包括分為若干片段的多個子目標(biāo)圖形,標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型包括掩膜圖形,其中,掩模圖形包括與子目標(biāo)圖形相對應(yīng)的子掩膜圖形,且與子目標(biāo)圖形相對應(yīng)的子掩膜圖形相應(yīng)的分為若干片段;獲取子目標(biāo)圖形各片段的第一光強(qiáng)參數(shù);獲取子掩膜圖形各片段的第二光強(qiáng)參數(shù);基于所述第一光強(qiáng)參數(shù)和第二光強(qiáng)參數(shù)之間的區(qū)別,獲取子目標(biāo)圖形各片段中的標(biāo)記片段,所述具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形在標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)鄰近校正模型作用范圍外,所述具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形在經(jīng)過光學(xué)鄰近校正后,其曝光能力仍然可能存在不足;移除具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形后形成第一子圖形,使得具有標(biāo)記片段的子目標(biāo)圖形的曝光能力得到改善,從而使以第一子圖形和第二子圖形為掩膜進(jìn)行曝光顯影處理后,在晶圓上形成的圖形與目標(biāo)圖形之間的差別減小,使得在晶圓上形成的圖形準(zhǔn)確性高且質(zhì)量良好。
      [0106]其次,選取第一光強(qiáng)參數(shù)中的至少兩個參數(shù)建立坐標(biāo)系,將與所述參數(shù)相對應(yīng)的第二光強(qiáng)參數(shù)置于坐標(biāo)系中;基于第一光強(qiáng)參數(shù)在坐標(biāo)系內(nèi)建立多個單兀格,若子目標(biāo)圖形一片段的第一光強(qiáng)參數(shù)以及與之對應(yīng)的第二光強(qiáng)參數(shù)處于不同單元格中,則所述片段為標(biāo)記片段。本發(fā)明實(shí)施例通過建立坐標(biāo)系以及單元格的方式,減小了獲取標(biāo)記片段所耗費(fèi)的時間,提聞了獲取標(biāo)記片段的效率,有利于提聞半導(dǎo)體生廣效率。
      [0107]相應(yīng)的,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種雙重圖形曝光的方法,請參考圖8,圖8本發(fā)明實(shí)施例提供的雙重圖形曝光方法的流程示意圖:
      [0108]步驟S201、提供目標(biāo)圖形以及待形成目標(biāo)圖形的晶圓,所
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