在此實施例的基礎(chǔ)上，為了使噴嘴更便捷的對準一組相互平行的切割道，顯影噴嘴檢驗?zāi)０逯邪雽w基底上可形成一組相互平行的第一切割道，以及與第一切割道延伸方向正交的一組第二切割道，且第一、第二切割道的寬度均大于等于顯影噴嘴寬度，且兩相鄰第一切割道相鄰邊的距離、兩相鄰第二切割道相鄰邊的距離等于兩相鄰顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；如此設(shè)置兩組切割道，可使得后續(xù)通過旋轉(zhuǎn)使多個噴嘴與多個切割道一一對應(yīng)時可選擇旋轉(zhuǎn)角度最小的一組切割道進行對準，便于簡化操作。進一步的，基于兩組相交的切割道，圖案化光刻膠包括形成于半導體基底表面與第一切割道交界處的第一條形光刻膠，以及形成于半導體基底表面與第二切割道交界處的第二條形光刻膠，以在由第一切割道和第二切割道劃分的每個半導體基底表面形成由第一條形光刻膠與第二條形光刻膠組成的堰。
[0033]進一步的，為了方便將顯影噴嘴檢驗?zāi)０宸湃霗C臺中進行定位，可對顯影噴嘴檢驗?zāi)０暹M行標記，如在半導體基底形成零層對準標記等。
[0034]在本發(fā)明提供的顯影噴嘴檢驗?zāi)０宓幕A(chǔ)上，本申請進一步提供了一種顯影噴嘴檢驗方法，用于對顯影噴嘴進行檢測，多個所述顯影噴嘴設(shè)置于水平延伸的噴淋管，且在噴淋管延伸方向上等間隔排列；如圖3所示，包括:
[0035]提供如上所述的顯影噴嘴檢驗?zāi)０澹?br>[0036]將多個顯影噴嘴與一組切割道中的多個切割道一一對準；此步驟中，進一步包括:半導體基底定位步驟，可通過預(yù)先設(shè)置于半導體基底上的對準標記，如零層對準標記對半導體基底進行定位；以及旋轉(zhuǎn)步驟，通過旋轉(zhuǎn)半導體基底將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道一一對準，當半導體基底上形成有多組切割道時，如包括兩組相互正交的切割道時，優(yōu)選對準時旋轉(zhuǎn)角度小的一組切割道進行對準；
[0037]通過已對準的顯影噴嘴噴灑顯影劑并進行顯影，在進行顯影液噴灑時，為了使相鄰兩噴頭噴灑的顯影液盡量不流入對方所對應(yīng)的切割道，使后續(xù)噴嘴是否損壞的判斷更為準確，優(yōu)選顯影噴嘴沿與其對應(yīng)的切割道延伸方向移動噴灑顯影劑；
[0038]待顯影完成后觀察所述條形光刻膠是否存在過顯影缺陷，若存在，則判斷存在過顯影缺陷的條形光刻膠臨近的切割道所對應(yīng)的顯影噴嘴發(fā)生損傷；需要說明的是，由于條形光刻膠的過顯影缺陷主要表現(xiàn)為光刻膠的剝離(peeling)，因此，針對此缺陷的觀察可通過SEM(掃描電子顯微鏡)直接觀測得到。
[0039]綜上所述，采用本發(fā)明提供的顯影液噴嘴檢驗?zāi)０澹瑱z驗?zāi)０灞辉O(shè)計為包括至少一組形成在半導體基底上相互平行的切割道，以及在半導體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠；其中，每條切割道的寬度大于等于顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；因此，在進行顯影噴嘴檢測時，將多個顯影噴嘴與一組切割道中的多個切割道一一對準后，噴灑顯影劑，由于顯影噴嘴發(fā)生損壞后會導致顯影液噴灑過量，而過量的顯影液在切割道的導流作用下產(chǎn)生匯聚，進而匯聚的過量顯影液將對對應(yīng)于損壞顯影噴嘴的切割道邊緣的條形光刻膠產(chǎn)生過顯影，進而導致條形光刻膠發(fā)生剝落缺陷，通過觀察噴灑顯影液后的條形光刻膠是否存在缺陷即可判斷出其臨近的切割道所對應(yīng)的顯影噴嘴發(fā)生損傷，進而實現(xiàn)了對顯影噴嘴是否發(fā)生損壞進行檢驗的同時，對損壞的顯影噴嘴進行準確定位的目的。
[0040]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種顯影噴嘴檢驗?zāi)０?，用于對顯影噴嘴進行檢測，多個所述顯影噴嘴設(shè)置于水平延伸的噴淋管，且在噴淋管延伸方向上等間隔排列；其特征在于，所述顯影噴嘴檢驗?zāi)０灏ò雽w基底以及圖案化光刻膠； 其中，所述半導體基底上形成有至少一組相互平行的切割道，每條所述切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離； 所述圖案化光刻膠形成于所述切割道之間的半導體基底表面，所述圖案化光刻膠包括形成于半導體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模板，其特征在于，所述半導體基底上形成有一組相互平行的第一切割道，以及與所述第一切割道延伸方向正交的一組第二切割道，且所述第一、第二切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且兩相鄰所述第一切割道相鄰邊的距離、兩相鄰所述第二切割道相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模板，其特征在于，所述圖案化光刻膠包括形成于半導體基底表面與第一切割道交界處的第一條形光刻膠，以及形成于半導體基底表面與第二切割道交界處的第二條形光刻膠。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模板，其特征在于，所述半導體基底形成有零層對準標記。5.一種顯影噴嘴檢驗方法，用于對顯影噴嘴進行檢測，多個所述顯影噴嘴設(shè)置于水平延伸的噴淋管，且在噴淋管延伸方向上等間隔排列；其特征在于，包括: 提供顯影噴嘴檢驗?zāi)０?，包括半導體基底以及圖案化光刻膠；所述半導體基底上形成有至少一組相互平行的切割道，每條所述切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；所述圖案化光刻膠形成于所述切割道之間的半導體基底表面，所述圖案化光刻膠包括形成于半導體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠； 將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道一一對準； 通過已對準的顯影噴嘴噴灑顯影劑； 待顯影完成后觀察所述條形光刻膠是否存在過顯影缺陷，若存在，則判斷存在過顯影缺陷的條形光刻膠臨近的切割道所對應(yīng)的顯影噴嘴發(fā)生損傷。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述半導體基底形成有零層對準標記，所述將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道一一對準包括: 通過所述零層對準標記對半導體基底進行定位放置； 通過旋轉(zhuǎn)半導體基底將多個顯影噴嘴與所述一組切割道中的多個切割道一一對準。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述半導體基底上形成有一組相互平行的第一切割道，以及與所述第一切割道延伸方向正交的一組第二切割道，且所述第一、第二切割道的寬度大于等于所述顯影噴嘴寬度，且兩相鄰所述第一切割道相鄰邊的距離、兩相鄰所述第二切割道相鄰邊的距離等于兩相鄰所述顯影噴嘴邊緣之間的最短距離； 所述圖案化光刻膠包括形成于半導體基底表面與第一切割道交界處的第一條形光刻膠，以及形成于半導體基底表面與第二切割道交界處的第二條形光刻膠。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，通過已對準的顯影噴嘴噴灑顯影劑時，所述顯影噴嘴沿與其對應(yīng)的切割道延伸方向移動噴灑顯影劑。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種顯影液噴嘴檢驗?zāi)０寮胺椒ǎ瑱z驗?zāi)０灏ㄖ辽僖唤M形成在半導體基底上相互平行的切割道，以及在半導體基底表面與切割道交界處的條形光刻膠；每條切割道的寬度大于等于顯影噴嘴寬度，且同組切割道中兩相鄰切割道的相鄰邊的距離等于兩相鄰顯影噴嘴邊緣之間的最短距離；在進行顯影噴嘴檢測時，將多個顯影噴嘴與一組切割道中的多個切割道一一對準后，噴灑顯影劑，通過觀察噴灑顯影液后的條形光刻膠是否存在過顯影缺陷即可判斷出其臨近的切割道所對應(yīng)的顯影噴嘴發(fā)生損傷，進而實現(xiàn)了對顯影噴嘴是否發(fā)生損壞進行檢驗的同時，對損壞的顯影噴嘴進行準確定位的目的。
【IPC分類】G03F7/30
【公開號】CN105404101
【申請?zhí)枴緾N201410429457
【發(fā)明人】易旭東, 王躍剛
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2014年8月28日