配向膜厚度均一性的優(yōu)化方法及液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種配向膜厚度均一性的優(yōu)化方法以及利 用該優(yōu)化方法得到的液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著觸控技術(shù)和顯示技術(shù)的發(fā)展，觸控顯示面板已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平 板電腦等智能電子產(chǎn)品中，為人機(jī)交互帶來更便捷地體驗(yàn)。
[0003] 通常地，液晶顯示面板的主要結(jié)構(gòu)包括彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶體管 陣列基板（TFT Array Substrate，Thin Film Transistor Array Substrate)、設(shè)置在彩膜 基板和薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層(Liquid Crysta 1 Layer)和間隔物(PS，Photo Spacer)、以及密封膠框(Sealant)。其中，在彩膜基板的下表面、薄膜晶體管陣列基板的上 表面均涂布了一層配向膜(PI)，作用是使液晶分子按照一定的方向和角度排列，因此配向 膜對(duì)于液晶顯示面板而言是必不可少的，而且配向膜的厚度是否均一會(huì)對(duì)液晶顯示面板的 光學(xué)品質(zhì)產(chǎn)生一定影響。
[0004] 如圖1所示，在薄膜晶體管陣列基板2-側(cè)的鈍化層100(PV，Passivation)上設(shè)有 用于控制液晶盒內(nèi)液晶產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)的透明ΙΤ0膜層500,結(jié)合圖2可知，該ΙΤ0膜層并不是沉積 在鈍化層上的一整面圖層，而是通過刻蝕工藝得到的圖案化圖形，因此才會(huì)有如圖1所示的 同一 ΙΤ0膜層500并不是連續(xù)設(shè)置，而是之間有一定間隔。故在薄膜晶體管陣列基板2上表面 涂布整面配向膜600時(shí)，部分配向膜是覆蓋在ΙΤ0膜層上的，同時(shí)也有部分配向膜是覆蓋在 處于ΙΤ0膜層間隔處的鈍化層100上的，這就導(dǎo)致了配向膜的厚度不一致的問題。
[0005] 如圖3所示，涂布于非ΙΤ0層區(qū)域（即涂布于鈍化層100)上的配向膜600厚度為H1， 涂布于ΙΤ0膜層500上的配向膜600厚度為H2，二者之間的差值ΛΗ=Η1-Η2，該差值可稱為配 向膜厚度的斷差（即涂布于ΙΤ0層上的配向膜厚度與涂布于非ΙΤ0層區(qū)域上的配向膜厚度之 差）。配向膜的斷差主要是受到ΙΤ0層厚度的影響，ΙΤ0層厚度導(dǎo)致了配向膜在不同區(qū)域有不 同的厚度。圖4(a)-l至(a)-3中，ΙΤ0膜層的厚度依次為500人、丨000Α和2000Α，圖4(b)-l 至(b)_3是在圖4(a)-l至(a)-3中ΙΤ0膜層上涂布配向膜后，產(chǎn)生斷差的示意圖。從這些圖的 對(duì)比可以看出，ΙΤ0膜層的厚度越大，配向膜的斷差ΛΗ越大?？紤]到配向膜在液晶顯示面板 中所起到的作用可知，配向膜的厚度一致性對(duì)于液晶顯示面板的顯示效果有著重要影響， 因此實(shí)有必要對(duì)現(xiàn)有相關(guān)技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)和優(yōu)化以解決上述結(jié)構(gòu)中存在的配向膜厚度不一 致、出現(xiàn)斷差的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種。
[0007] 本發(fā)明提供一種配向膜厚度均一性的優(yōu)化方法，所述配向膜用于液晶顯示面板， 所述優(yōu)化方法包括以下步驟：
[0008] 提供沉積有鈍化層的薄膜晶體管陣列基板;在所述鈍化層上涂布光阻；將所述薄 膜晶體管陣列基板劃分為不同區(qū)域，對(duì)處于不同區(qū)域的光阻分別進(jìn)行半色調(diào)掩膜曝光和普 通掩膜曝光;對(duì)進(jìn)行半色調(diào)掩膜曝光和普通掩膜曝光后的所述光阻進(jìn)行顯影;對(duì)顯影后的 所述光阻和鈍化層進(jìn)行刻蝕;刻蝕后，去除所述光阻；去除所述光阻后，沉積ITO膜層;對(duì)所 述ITO膜層進(jìn)行刻蝕，得到ITO膜層上表面與鈍化層上表面處于同一平面的薄膜晶體管陣列 基板;在所述ITO膜層上表面和所述鈍化層上表面涂布配向膜。
[0009] 作為一種實(shí)施方式，在本發(fā)明所述優(yōu)化方法中，將所述薄膜晶體管陣列基板劃分 為不同區(qū)域，對(duì)處于不同區(qū)域的光阻分別進(jìn)行半色調(diào)掩膜曝光和普通掩膜曝光是將所述薄 膜晶體管陣列基板劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，對(duì)處于第一區(qū)域的所述光阻進(jìn)行半色調(diào)掩 膜曝光，對(duì)處于第二區(qū)域的所述光阻進(jìn)行普通掩膜曝光。進(jìn)一步地，對(duì)處于第一區(qū)域的所述 光阻進(jìn)行半色調(diào)掩膜曝光是采用半色調(diào)掩膜對(duì)第一區(qū)域的所述光阻進(jìn)行不完全曝光，第一 區(qū)域?qū)?duì)應(yīng)形成ΙΤ0膜層，對(duì)處于第二區(qū)域的所述光阻進(jìn)行普通掩膜曝光是采用普通掩膜 對(duì)第二區(qū)域的所述光阻進(jìn)行完全曝光，第二區(qū)域?qū)?duì)應(yīng)形成接觸孔。作為一種實(shí)施方式，在 本發(fā)明所述優(yōu)化方法中，對(duì)進(jìn)行半色調(diào)掩膜曝光和普通掩膜曝光后的所述光阻進(jìn)行顯影 后，使處于所述第一區(qū)域的光阻形成若干間隔設(shè)置的凹槽，所述第二區(qū)域內(nèi)形成貫穿于所 述光阻的開孔。
[0010] 進(jìn)一步地，對(duì)顯影后的所述光阻和鈍化層進(jìn)行刻蝕是對(duì)處于第一區(qū)域的光阻及其 下方的鈍化層進(jìn)行刻蝕，使處于第一區(qū)域的所述鈍化層形成若干間隔設(shè)置的凹槽，同時(shí)對(duì) 所述第二區(qū)域的所述鈍化層進(jìn)行刻蝕，形成貫穿于所述第二區(qū)域的鈍化層的接觸孔。
[0011] 進(jìn)一步地，刻蝕后去除所述光阻是采用有機(jī)溶液除去所述鈍化層上的全部所述光 阻。
[0012] 進(jìn)一步地，去除所述光阻后沉積ΙΤ0膜層是在鈍化層的上表面沉積形成ΙΤ0膜層。
[0013] 作為一種實(shí)施方式，在本發(fā)明所述優(yōu)化方法中，對(duì)所述ΙΤ0膜層進(jìn)行刻蝕，得到處 于所述第一區(qū)域中的所述ΙΤ0膜層上表面與處于所述第一區(qū)域中的所述鈍化層上表面處于 同一平面的薄膜晶體管陣列基板。
[0014] 進(jìn)一步地，所述配向膜整面涂布在所述ΙΤ0膜層上表面和所述鈍化層上表面，使所 述配向膜上表面為平面。
[0015] 進(jìn)一步地，處于所述第一區(qū)域內(nèi)的所述配向膜下表面為平面。
[00?6]優(yōu)選地，所述鈍化層的材料為SiNx。
[0017] 一種采用上述優(yōu)化工藝方法得到的液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的彩膜基板和薄 膜晶體管陣列基板、以及設(shè)置于所述彩膜基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層； 其中，在所述薄膜晶體管陣列基板上表面依次設(shè)有鈍化層和ΙΤ0膜層，且所述鈍化層的上表 面與所述ΙΤ0膜層的上表面處于同一平面，在所述鈍化層上表面和所述ΙΤ0膜層上表面涂布 有配向膜。
[0018] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果如下：
[0019] 在本發(fā)明中，通過利用半色調(diào)掩膜工藝實(shí)現(xiàn)ΙΤ0膜層與鈍化層的上表面處于同一 平面的效果，從而使配向膜整面涂布在相應(yīng)位置ΙΤ0膜層與鈍化層呢個(gè)上表面時(shí)，其厚度一 致、均一性良好，不會(huì)出現(xiàn)因 ΙΤ0膜層與鈍化層之間有斷差而導(dǎo)致配向膜厚度出現(xiàn)斷差的問 題。此外，本發(fā)明的優(yōu)化方法并未增加其它的制程過程，從而在保證工藝步驟不繁瑣復(fù)雜的 同時(shí)，使配向膜厚度均一性得到優(yōu)化，進(jìn)而有助于提高液晶顯示面板的顯示品質(zhì)。
【附圖說明】
[0020 ]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管陣列基板一側(cè)設(shè)置ΙΤ0膜層的分布示意圖。
[0022]圖3是圖1中A處的局部放大示意圖。
[0023]圖4(a)_l至(a)_3是現(xiàn)有技術(shù)中在鈍化層上設(shè)置不同厚度ΙΤ0膜層的示意圖。
[0024] 圖4(b)_l至(b)_3是在圖4(a)_l至(a)_3中不同厚度ΙΤ0膜層上涂布配向膜后產(chǎn)生 斷差的示意圖。
[0025] 圖5至圖13是本發(fā)明實(shí)施例一配向膜厚度均一性優(yōu)化方法的工藝流程。
[0026 ]圖14是本發(fā)明實(shí)施例二液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】 [0027] 實(shí)施例一
[0028] 本實(shí)施例提供一種配向膜厚度均一性的優(yōu)化方法，所述配向膜用于薄膜晶體管陣 列基板，所述優(yōu)化方法包括以下步驟：
[0029] 如圖5所示，提供一沉積有鈍化層100的薄膜晶體管陣列基板（圖未示），該鈍化層 的材料為SiNx。
[0030] 如圖6所示，在該鈍化層100上涂布光阻200。
[0031] 對(duì)光阻的不同區(qū)域分別進(jìn)行半色調(diào)掩膜曝光和普通掩膜曝光，具體為：如圖7所 示，將薄膜晶體管陣列基板劃分為第一區(qū)域91和第二區(qū)域92,使用半色調(diào)掩膜對(duì)處于第一 區(qū)域91的光阻200進(jìn)行不完全曝光，該第一區(qū)域?qū)?duì)應(yīng)形成ΙΤ0膜層;使用普通光罩對(duì)處于 第二區(qū)域92的光阻200進(jìn)行完全曝光，該第二區(qū)域?qū)?duì)應(yīng)形成接觸孔以及形成于接觸孔中 的ΙΤ0膜層。
[0032] 如圖8所示，對(duì)進(jìn)行半色調(diào)掩膜曝光和普通掩膜曝光后的光阻進(jìn)行顯影，具體為： 對(duì)第一區(qū)域91進(jìn)行顯影，由于該第一區(qū)域91為不完全曝光，因此顯影后使該第一區(qū)域僅除 去部分光阻，從而使處于第一區(qū)域的光阻朝向自身內(nèi)部凹陷形成若干間隔設(shè)置的凹槽;對(duì) 第二區(qū)域92進(jìn)行顯影，由于對(duì)第二區(qū)域92為完全曝光，因此顯影后該第二區(qū)域的光阻全部 被除去，從而使第二區(qū)域形成貫穿光阻的開孔。
[0033]接著，對(duì)顯影后