紅外線IR做烘烤，間隔物13下方則以一加熱器均勻加熱。 其中，光掩模30上具有特殊圖案設計，具有穿透區(qū)30T與遮蔽區(qū)30B (其遮光部分的寬度為 WB)，即光掩模30對應間隔物13周邊區(qū)域AH和外側區(qū)域AIR+H的部分分別是遮蔽區(qū)30B和穿 透區(qū)30T，此可造成間隔物13周邊區(qū)域A H的烘烤溫度較低。由于較低的烘烤溫度會使光配 向層中的溶劑揮發(fā)速率較慢，因此單體可在溶劑中以較快速度移動，使單體在間隔物13周 邊區(qū)域A H可達到較高程度的相分離，進而產生比區(qū)域AIR+H更強的配向力。而烘烤制作工藝 中受到紅外線IR和加熱器同時烘烤的區(qū)域A IR+H，由于烘烤溫度較區(qū)域AH高，溶劑揮發(fā)速率 較快（整體黏度增加），單體移動較為不易，因此相分離程度較低。待烘烤制作工藝完成后， 移走光掩模30,并以UV光照射以確定光配向層的配向方向，之后再對組上下基板和灌注液 晶于基板之間。
[0082] 實際應用時，除了上述方式，其他可造成間隔物13周邊區(qū)域AH和區(qū)域AIR+H烘烤溫 度的差異的技術手段也可應用，只要可使區(qū)域A H的烘烤溫度?\低于區(qū)域4_的烘烤溫度 Τ2，造成相分離程度上的差異，達到提升間隔物13周邊區(qū)域ΑΗ的配向力的效果，即可為本發(fā) 明可應用的技術手段。
[0083] 另外，實際應用時，并非全面性的提高光配向層配向力，其原因在于開口區(qū)的配向 力會與光學相關，因此只提高間隔物13周邊（如區(qū)域ΑΗ)的配向力，而非全面地或任意地 調整。
[0084] 圖6為應用本發(fā)明一實施例的烘烤制作工藝所制得的光配向層，以原子顯微鏡在 不同區(qū)域的其中三組采樣位置Sample 1、Sample 2和Sample 3所得到的相位值與粗糙 度的比值（Phase/Roughness)。其中，間隔物13周邊區(qū)域AH的三組采樣位置（Sample 1、 Sample 2和Sample 3)所測得的相位值與粗糙度的比值高于區(qū)域AIR+H的三組采樣位置 (Sample 1、Sample 2和Sample 3)所測得的相位值與粗糙度的比值。
[0085] 請再參看圖1和圖5。一實施例的顯示面板中，使第二基板12與第一基板11呈實 質等距間隔的間隔物13,其于第二基板12上垂直投影的一最大寬度為W PS，而位于液晶層15 與第二基板12之間的遮光層122對應間隔物13。位于第一基板11與第二基板12之間的 配向層（例如是第二配向層127)包括鄰近間隔物13的一第一區(qū)域A1和鄰接第一區(qū)域A1 的第二區(qū)域A2,第二區(qū)域A2對應于遮光層122且位于第一區(qū)域A1的外側；在一實施例中， 第二區(qū)域A2環(huán)繞第一區(qū)域A1。如圖5所示。以上述實施方式（涂布與加光掩模30作烘 烤）造成配向層材料的相分離的差異后，第一區(qū)域A1具有一第一相位值S1與一第一粗糙 度R1，第二區(qū)域具有一第二相位值S2與一第二粗糙度R2。實施例中，第一相位值S1與第 一粗糙度R1的比值P1 (即S1/R1)大于第二相位值S2與第二粗糙度R2的比值P2 (即S2/ R2)。
[0086] 一實施例中，第一相位值S1與第一粗糙度R1的比值PI ( = S1/R1)與第二相位值 S2與第二粗糙度R2的比值P2 ( = S2/R2)的差值至少大于0. 5且小于5 (5> (P1-P2) >0. 5)。 另一實施例中，第一相位值S1與第一粗糙度R1的比值Pl( = S1/R1)與第二相位值S2與 第二粗糙度R2的比值P2 ( = S2/R2)的差值至少大于0. 5且小于2 (2> (P1-P2) >0. 5)。（最 大范圍是介于0. 5~5之間，優(yōu)選范圍介于0. 5~2之間）
[0087] 如圖5所示，間隔物13對應配向層的第一區(qū)域A1內，第一區(qū)域A1具有一第一寬 度W1，第二區(qū)域A2具有一第二寬度W2,間隔物13在第二基板12上垂直投影的最大寬度為 WPS，遮光層122對應間隔物13的寬度為WBM'。一實施例中，第一區(qū)域A1的第一寬度W1大 于間隔物13在第二基板12上垂直投影的最大寬度W PS，且第一寬度W1小于遮光層122對 應間隔物13的寬度WBM'（即WPS〈W1〈W BM'）。其中，該間隔物13的垂直投影以10%的間隔物 高度Η(即0. 1H)的范圍作為投影最大寬度WPS的基準。
[0088] 再者，如圖5所示，距離D是指自遮光層122邊緣至間隔物13邊緣的距離，距離d 是自光掩模30的遮光區(qū)邊緣至間隔物13邊緣的距離，而自遮光層122邊緣回推至光掩模 30的遮光區(qū)邊緣的距離（=D-d)即是第二區(qū)域A2的第二寬度W2。一實施例中，距離D是 指自遮光層122邊緣至10%的間隔物13高度Η(即0. 1H)處邊緣的距離，距離d是自光掩 模30的遮光區(qū)邊緣至10%的間隔物高度Η(即0. 1H)處邊緣的距離。一實施例中，第二寬 度W2范圍例如是0. 3D至0. 7D，即：
[0089] [ 0V -WPS) /2] X 0· 3 彡 W2 彡[(WBM，-WPS) /2] X 0· 7。
[0090] 一實施例中，第二寬度W2例如是0. 即：
[0091] W2 = [ (V _WPS) /2] X 0· 5
[0092] 如前述圖3A和圖3B的說明，實施例的顯示面板通過提高間隔物13周邊的配向 力，可改變鄰近間隔物13周圍的液晶分子的預傾角，使實施例的間隔物13旁所形成的漏光 區(qū)域IV相較于傳統(tǒng)的漏光區(qū)域私更為縮減，而對應遮蔽實施例的漏光區(qū)域IV的遮光層 (例如黑色矩陣），其寬度W BM'（圖3B)可較傳統(tǒng)遮光層的寬度WBM(圖3A)更窄。一實施例 中，遮光層122對應間隔物13的寬度W BM'大于等于40 μ m和小于等于150 μ m的范圍之間。
[0093] 另外，對于具有彩色濾光層的顯示面板，以RGB三色次像素為例，由于人眼對于綠 色最敏銳，綠色次像素影響像素穿透率最大，因此在應用設計上希望可以提高綠色次像素 的穿透率。圖7A為一實施例中預傾角0. 5、1、1.5和2時所對應的暗紋圖形。圖7B為一實 施例中預傾角〇. 5、1、1. 5和2時所對應的正視穿透率。從圖7A和圖7B可知，預傾角越大， 暗紋寬度越窄且正視穿透率越高。由于配向力會影響預傾角，預傾角影響了暗紋寬度，暗紋 寬度進而影響穿透率。通過應用本發(fā)明的實施方式可提高綠色次像素上的配向力（即提升 其相位值與粗糙度的比值），進而提高其穿透率。
[0094] 請參照圖5和圖8。圖8為應用本發(fā)明的實施方式的提高配向力，其RGB三色次 像素在Sample 4和Sample 5的相位值與粗糙度的比值。實施例中，不論是在Sample 4或 Sample 5,均以綠色次像素的配向膜的相位值與粗糙度的比值較其他色次像素的更高，代 表綠色次像素區(qū)域內的配向膜的配向力更高于其他色次像素，而提高其穿透率。
[0095] 請再參照圖1、圖2和圖5。圖2中例如包括了 RGB三色次像素，可針對綠色次像 素利用如圖5所示的烘烤制作工藝（紅外線搭配特殊圖案的光掩模進行烘烤），以光掩模 遮蔽綠色次像素區(qū)域，令綠色次像素區(qū)域內的溫度較低，進而綠色次像素區(qū)域內的配向層 相分離程度較高，而具有較高的配向力。實施例中，第二基板12例如包括多個紅色濾光 區(qū)（red CF regions)、多個綠色濾光區(qū)（green CF regions)和多個藍色濾光區(qū)（blue CF regions)，配向層對應紅色濾光區(qū)之一具有一紅色相位值Sr與一紅色粗糙度Rr，配向層對 應綠色濾光區(qū)之一具有一綠色相位值Sg與一綠色粗糙度Rg，配向層對應藍色濾光區(qū)之一 具有一藍色相位值Sb與一藍色粗糙度Rb。一實施例中，綠色相位值Sg與綠色粗糙度Rg的 比值Pg (即Sg/Rg)大于該紅色相位值Sr與該紅色粗糙度Rr的比值Pr (即Sr/Rr)。一實 施例中，綠色相位值Sg