光學(xué)部件的制備方法、光學(xué)部件和光學(xué)器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供光學(xué)部件的制備方法、光學(xué)部件和光學(xué)器件。光學(xué)部件的制備方法包括提供層疊體和將第二層從基材分離。提供該層疊體的步驟中，該層疊體包括基材、設(shè)置在該基材上的第一層、設(shè)置在該第一層上的第二層、和設(shè)置在該第二層上的第三層。該第一層包括不與該第二層和該第三層重疊的部分。將該第二層從該基材分離的步驟中，通過用液體將該第一層從該基材溶解來將該第二層從該基材分離。該第一層和該第三層各自含有化合物。
【專利說明】
光學(xué)部件的制備方法、光學(xué)部件和光學(xué)器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本技術(shù)設(shè)及光學(xué)部件中在基材上設(shè)置的層。
【背景技術(shù)】
[0002] 已知的光學(xué)部件包括基材和在該基材上設(shè)置的多個(gè)層。日本專利公開No. 2008- 34502公開了一種蓋，其中在石英晶體板上設(shè)置具有四層結(jié)構(gòu)的減反射膜。例如，在將減反 射膜再沉積W再生的情況下，希望從基材的表面將構(gòu)成減反射膜的多個(gè)層除去。
[0003] 在將基材上設(shè)置并且由不同材料形成的多個(gè)層除去的情況下，可使用如下方法， 其中將上層除去，然后將下層除去。但是，可能存在的問題在于:將上層和下層分別除去時(shí) 生產(chǎn)工藝復(fù)雜。隨著待除去的層數(shù)增加，該問題變得更為嚴(yán)重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本技術(shù)提供將多個(gè)層容易地從基材的表面除去的技術(shù)。
[0005] 根據(jù)本技術(shù)的方面，光學(xué)部件的制備方法包括:提供層疊體，該層疊體包括基材、 在該基材上設(shè)置的第一層、在該第一層上設(shè)置的第二層、和在該第二層上設(shè)置的第=層，其 中該第一層包括不與該第二層和該第=層重疊的部分，和通過用液體從該部分將該第一層 溶解而將該第二層從該基材分離，其中該第一層和該第=層各自含有化合物。
[0006] 由W下參照附圖對(duì)例示實(shí)施方案的說明，本發(fā)明進(jìn)一步的特征將變得清楚。
【附圖說明】
[0007] 圖1A-1C為表示光學(xué)部件的實(shí)施方案的視圖。
[000引圖2A-2D為表示光學(xué)部件的制備方法的視圖。
[0009] 圖3A-3H為表示光學(xué)部件的變形的視圖。
[0010] 圖4A-4C為表示光學(xué)設(shè)備的視圖。
[0011] 圖5A和5B為表示光學(xué)部件的制備方法的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012] 實(shí)施方案中，在其上沉積有層W形成第一光學(xué)部件的由價(jià)格高的材料制成的基材 可回收W再用于光學(xué)部件再生。第一光學(xué)部件可W是有缺陷的產(chǎn)品、使用過的產(chǎn)品或剩余 庫存產(chǎn)品。
[0013] 光學(xué)部件的再生中，將基材上設(shè)置的第一層和在第一層上設(shè)置的第二層分別除去 的工序復(fù)雜。本技術(shù)的發(fā)明人想出通過用液體溶解第一層而將第二層從基材分離時(shí)，能夠 比在不同的液體中將第一層和第二層分別溶解的情形更容易地將第一層和第二層除去。但 是，在考察過程中，發(fā)現(xiàn)用第二層將第一層的整個(gè)表面覆蓋時(shí)，第一層的溶解并不進(jìn)行，并 且可能無法適當(dāng)?shù)貙⒌谝粚雍偷诙映ァｈb于此，假設(shè)通過形成第一層W具有不與第二 層重疊的部分并且用液體從該非重疊部分將第一層溶解從而能夠適當(dāng)?shù)貙⒌诙臃蛛x。該 假設(shè)導(dǎo)致了本技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。
[0014] 現(xiàn)在參照附圖對(duì)用于進(jìn)行本技術(shù)的實(shí)施方案進(jìn)行說明。W下說明和附圖中，在多 個(gè)圖中共同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。因此，相互地參照多個(gè)圖對(duì)共同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明， 并且可省略對(duì)用共同的附圖標(biāo)記標(biāo)注的結(jié)構(gòu)的說明。
[0015] 參照?qǐng)D1A-1C對(duì)根據(jù)實(shí)施方案的光學(xué)部件進(jìn)行說明。圖IA為光學(xué)部件130的透視 圖。圖IB為沿圖IA中的線IB-IB所取的截面圖并且表示X-Z方向上的光學(xué)部件130。圖IC為X- Y方向上的光學(xué)部件130的平面圖。
[0016] 如圖IA中所示，光學(xué)部件130為層疊體，其包括基材100、在該基材100上設(shè)置的第 一膜10、和在該第一膜10上設(shè)置的第二膜20。將光學(xué)部件130用作透鏡、反射鏡、濾波器、窗 等。關(guān)于圖中光學(xué)部件130的尺寸，為方便起見，第一膜10和第二膜20在Z方向上的尺寸并沒 有顯著地不同于基材100在X、Y和Z方向上的尺寸。但是，第一膜10和第二膜20在Z方向上的 實(shí)際尺寸(厚度)常常小于(例如，1/10或更小)基材100在Z方向上的尺寸(厚度）。第一膜10 和第二膜20在Z方向上的實(shí)際尺寸(厚度)常常顯著地小于（例如，1/1，000或更?。┑谝荒?10、第二膜20和基材100在X方向和Y方向上的尺寸(長度和寬度）。
[0017] 在基材100的表面中，將其上設(shè)置第一膜10和第二膜20的表面稱為"主表面"。在平 面視圖中觀看光學(xué)部件意味著從基材100的主表面的法線方向觀察光學(xué)部件。第一膜10與 主表面接觸。根據(jù)光學(xué)部件130的功能，基材100的主表面具有形狀例如平面狀、凹面狀或凸 面狀。本實(shí)施方案的基材100為基本上長方體板?；?00的表面由上表面、下表面和四個(gè)側(cè) 表面構(gòu)成。運(yùn)些表面中，上表面作為主表面發(fā)揮功能?；?00由無定形材料、多晶材料或單 晶材料形成。無定形材料的實(shí)例包括玻璃例如石英玻璃、棚娃酸鹽玻璃和鋼-巧玻璃;和樹 月旨。多晶材料的實(shí)例包括金屬和陶瓷。單晶材料的實(shí)例包括石英晶體(Si〇2)、蛋石(化F2)、藍(lán) 寶石(Ab化）、金剛石(C)和娃(Si)。在上述材料中本實(shí)施方案更適合于使用較貴的材料。特 別貴的棚娃酸鹽玻璃的實(shí)例包括下述=種玻璃。第一實(shí)例為通過使用其中軸元素和社元素 的含量最小化的高純度原料而得到的低a射線發(fā)射玻璃。第二實(shí)例為通過使用其中鐘元素 的含量最小化的高純度原料而得到的低e射線發(fā)射玻璃。第=實(shí)例為其中堿金屬元素的含 量最小化的無堿玻璃。通常，許多單晶材料價(jià)格高。玻璃材料中，石英玻璃和棚娃酸鹽玻璃 的價(jià)格高。
[0018] 第一膜10具有有助于第二膜20的除去的功能并且特征在于其材料和形狀。第一膜 10為單層膜或者包括第一層1的多層膜。本實(shí)施方案中的第一膜10為只包括第一層1的單層 膜。第一層1與基材100和第二膜20接觸。第一膜10為多層膜時(shí)，其最底層與基材100接觸，并 且其最上層與第二膜20接觸。第一膜10具有例如IOnm-I，000皿的厚度?？紤]第二膜20和基 材100的材料和形狀來確定第一膜10的材料和形狀。
[0019] 第二膜20為用于顯示光學(xué)部件的光學(xué)功能的光學(xué)功能膜。第二膜20為例如反射 膜、減反射膜或波長選擇膜。第二膜20可具有如分色鏡中那樣的多種功能(反射鏡功能和濾 波器功能）。光學(xué)部件130為光透射部件時(shí)，基材100、構(gòu)成第一膜10的層和構(gòu)成第二膜20的 層各自具有光學(xué)透明性(光透射性）。
[0020] 第二膜20為單層膜或包括第二層2的多層膜。本實(shí)施方案中的第二膜20為包括第 二層2、第=層3、第四層4和第五層5的多層膜。第二層2為與第一膜10接觸的最底層，并且第 五層5為最上層。典型的第二膜20由S層或更多層構(gòu)成。第二膜20具有例如100皿-10,000皿 的厚度。第二膜20的層各自具有例如lOnm-1 ,OOOnm的厚度。第二膜20的厚度可W大于第一 膜10的厚度。
[0021] 典型地，構(gòu)成第二膜20的層為介電層或金屬層。例如，構(gòu)成第二膜20的層各自為娃 化合物層例如氧化娃層、氮化娃層、或碳化娃層，或者金屬化合物層例如金屬氧化物層、金 屬氮化物層、或金屬碳化物層。構(gòu)成第二膜20的層的材料并不限于無機(jī)材料，但可W是有機(jī) 材料。各個(gè)層可由單一材料制成的純物質(zhì)或者多種材料的混合物形成。各個(gè)層可含有適量 的雜質(zhì)。
[0022] 構(gòu)成第二膜20和第一膜10的每一層具有設(shè)置在基材100側(cè)且面對(duì)基材100的主表 面的下表面和設(shè)置在下表面的相對(duì)側(cè)的上表面。該層的邊緣為光學(xué)部件130的平面圖中形 成該層的輪廓的部分。每個(gè)層中，距離該層的邊緣500WI1內(nèi)的范圍被稱為"該層的端部"。具 體地，該層的端部W500WI1的寬度從該層的邊緣向該層的內(nèi)部擴(kuò)展并且沿該層的邊緣延伸。 將沿該層的邊緣的方向稱為該層的"周向"。端部可具有其相對(duì)于基材100的主表面的角度 明顯不同于由主表面和上表面形成的角度的側(cè)表面。端部中，上表面可緩緩地向邊緣傾斜。 每個(gè)層的上表面和下表面的至少一個(gè)從該層的邊緣延伸。
[0023] 通常，層的端部具有極小的厚度或不均勻的厚度，并且在許多情況下可能無法獲 得所需的光學(xué)特性。如圖IB中所示，第一層1具有下表面11、上表面12、邊緣13和端部14。第 二層2具有下表面21、上表面22、邊緣23和端部24。同樣地，第=層3具有下表面31、上表面 32、邊緣33和端部34。第四層4具有下表面41、上表面42、邊緣43和端部44。第五層5具有下表 面51、上表面52、邊緣53和端部54。第二層2的下表面21與第一層1的上表面12接觸。第=層3 的下表面31與第二層2的上表面22接觸。第四層4的下表面41與第=層3的上表面32接觸。第 五層5的下表面51與第四層4的上表面42接觸。本實(shí)施方案中，第五層5為最上層，使第五層5 的上表面52露出。
[0024] 第一層1的一部分與第二層2重疊，但第一層1的一部分不與第二層2重疊。換言之， 第一層1的一部分可W覆蓋或在第二層2上延伸，而第一層1的一部分超越第二層2而延伸W 例如從第二層2分離、除去、未連接或分開。本文中，術(shù)語"第一層1與第二層2重疊"意味著基 材100的主表面的法線穿過第一層1和第二層2彼此重疊的部分。第一層1的一部分，即沒有 與第二層2重疊的部分可W稱為非重疊部15、未粘附部15、未連接部15等。穿過非重疊部15 的基材100的主表面的法線沒有穿過第二層2。本實(shí)施方案中，在一定范圍內(nèi)從第一層1的邊 緣13向第一層1的內(nèi)部延伸的部分為沒有與第二層2重疊的非重疊部15。運(yùn)意味著非重疊部 15包括第一層1的邊緣13,也意味著第一層1的邊緣13沒有與第二層2重疊。非重疊部15優(yōu)選 包括端部14和端部14 W外的部分。具體地，非重疊部15優(yōu)選位于從邊緣13到小于500WI1的范 圍內(nèi)和從邊緣13到SOOwiiW上的范圍內(nèi)運(yùn)兩者。從邊緣13到至少1，OOOwii的范圍更優(yōu)選為邊 緣13的整個(gè)周邊上的非重疊部15,如圖IC中所示。W運(yùn)種方式，第一層1的端部14W外的部 分也可包括在非重疊部15中。該結(jié)構(gòu)在合適地溶解第一層1方面有利。從合適地溶解第一層 1的觀點(diǎn)出發(fā)，非重疊部15優(yōu)選具有足夠大的厚度。如上所述，在層的端部中，該層可具有極 小的厚度。因此，非重疊部15只包括在端部14內(nèi)時(shí)，非重疊部15可能具有極小的厚度。通過 在第一層1的非重疊部15中設(shè)置第一層1的端部14W外的部分，能夠抑制非重疊部15的極小 的厚度。
[0025] 而且，第一層1的至少一部分不與第=層3、第四層4和第五層5重疊。第二膜20還包 括其他層的情況下，第一層I的至少一部分優(yōu)選包括不與構(gòu)成第二膜20的所有層重疊的部 分。本實(shí)施方案中，第一層1的邊緣13的整個(gè)周邊不與第二層2、第=層3、第四層4和第五層5 重疊。第二膜20還包括其他層的情況下，優(yōu)選地，第一層1的邊緣13的整個(gè)周邊不與構(gòu)成第 二膜20的所有層重疊。該結(jié)構(gòu)在合適地溶解第一層1方面有利。
[0026] 本實(shí)施方案中，如圖IB中所示，第=層3、第四層4和第五層5與第二層2的端部24重 疊。更具體地，第=層3的端部34、第四層4的端部44和第五層5的端部54與第二層2的端部24 重疊。而且，第=層3的端部34、第四層4的端部44和第五層5的端部54可與第二層2的邊緣23 重疊。運(yùn)些結(jié)構(gòu)也適用于第=層3、第四層4和第五層5。具體地，上層與運(yùn)些層的端部重疊， 并且上層的端部可W與運(yùn)些層的邊緣重疊。第二膜20具有運(yùn)樣的結(jié)構(gòu)時(shí)，可能難W除去第 二膜20的每一個(gè)層，因此通過配置第一膜10而獲得顯著的效果。上層與下層的端部重疊的 重疊部分能夠存在于周向上的下層的邊緣的部分。本實(shí)施方案中，運(yùn)樣的重疊部分存在于 邊緣的整個(gè)周邊。
[0027] 第一層1含有不同于第二層2的材料。本實(shí)施方案中，第四層4含有與第二層2相同 的材料，并且第五層5含有與第=層3相同的材料。即，第二膜20包括交替地堆疊的由第一材 料形成的層和由第二材料形成的層。本實(shí)施方案中，第=層3含有與第一層1相同的材料。但 是，第=層3可含有不同于第一層1的材料。
[00%]基材100的部分110不與第一層1重疊。本文中，將基材100的部分，即沒有與第一層 1重疊的部分，稱為非重疊部110。本實(shí)施方案中，在光學(xué)部件130的平面視圖中，從第一層1 的邊緣13向基材100的外部延伸的部分為不與第一層1重疊的非重疊部110。運(yùn)也意味著邊 緣13與主表面的邊緣分開。非重疊部110能夠?yàn)椴慌c包括第一層1的第一膜10的任何層重疊 的部分并且能夠?yàn)椴慌c包括第二層2的第二膜20的任何層重疊的部分。非重疊部110為基材 100中的露出部，該露出部沒有被層覆蓋而是暴露于光學(xué)部件130的外部。基材100具有非重 疊部110的情況下，與基材100不具有非重疊部110的情形相比，第一層1的端部14(參照?qǐng)D 1B)傾向于具有比第一層1的其他部分的厚度小的厚度。因此，設(shè)置第一層IW致基材100具 有非重疊部110時(shí)，第二層2的邊緣23和端部24優(yōu)選經(jīng)設(shè)置W與第一層1的邊緣13和端部14 分開。W運(yùn)種結(jié)構(gòu)，能夠確保第一層1的非重疊部15的充分的厚度。
[0029] 參照?qǐng)D2A-2D對(duì)光學(xué)部件的制備方法進(jìn)行說明。圖2A-2D各自表示對(duì)應(yīng)于圖IB的橫 截面。
[0030] 首先，在圖2A中所示的制備步驟中，如參照?qǐng)DIA-I抗兌明的光學(xué)部件130中那樣，審U 備第一光學(xué)部件131，其為基材100、第一層Ia和第二層2a的層疊體。本實(shí)施方案中，第一光 學(xué)部件131還包括其他層例如第=層3a、第四層4a和第五層5a。第一光學(xué)部件131可W是缺 陷產(chǎn)品、使用過的產(chǎn)品或剩余的庫存產(chǎn)品。
[0031] 接下來，在圖2B中所示的除去步驟的第一階段中，將第一光學(xué)部件131浸入液體30 中。該液體30具有第一層Ia的溶解性(選擇性)高于第二層2a的溶解性的性質(zhì)。具體地，滿足 關(guān)系E1〉E2,其中El表示由液體30產(chǎn)生的第一層Ia的蝕刻速率，和E2表示由液體30產(chǎn)生的第 二層2a的蝕刻速率。即，第一層Ia與第二層2a的蝕刻選擇比E1/E2大于1。該蝕刻選擇比El/ E2優(yōu)選為10或更大。此外，液體30可具有第一層Ia的溶解性(選擇性)高于基材100的溶解性 的性質(zhì)。具體地，滿足關(guān)系EDE0,其中El表示由液體30產(chǎn)生的第一層Ia的蝕刻速率，并且EO 表示由液體30產(chǎn)生的基材100的蝕刻速率。即，第一層Ia與基材100的蝕刻選擇比E1/E0大于 1。該蝕刻選擇比El/EO優(yōu)選為10或更大。
[0032] 第一層Ia上存在第二層2a的狀態(tài)下，使用液體30將第一層Ia溶解。第一層Ia中，溶 解從沒有與第二層2a重疊的部分向與第二層2a重疊的部分前進(jìn)。術(shù)語"存在第二層2a的狀 態(tài)下"意味著將第一層Ia溶解前沒有將第二層2a除去。能夠在不僅第二層2a而且第=層3曰、 第四層4a和第五層5a也存在的狀態(tài)下將第一層Ia溶解。液體30可W是酸性、中性或堿性。從 環(huán)境負(fù)荷和處理效率的觀點(diǎn)出發(fā)，可使用堿性液體30。代替將第一光學(xué)部件131浸入液體30 中，可將適量的液體30滴到第一光學(xué)部件131的主表面上。
[0033] 而且，在圖2C中所示的除去步驟的第二階段中，使第一層Ia的部分(重疊部分），即 與第二層2a重疊的部分的溶解繼續(xù)W將第一層Ia除去。從第一層Ia的非重疊部15通過側(cè)蝕 刻引起第一層Ia的重疊部分的溶解。運(yùn)種情況下，為了通過在第二層2a與基材100之間供給 液體30來迅速地使第一層Ia的側(cè)蝕刻進(jìn)行，在第一層Ia中，沒有與第二層2a重疊的部分和 與第二層2a重疊的部分兩者優(yōu)選具有足夠大的厚度。將整個(gè)第一層Ia溶解，于是將第二層 2a固定于基材100的第一層Ia除去，由此使第二層2a與基材100分離。W運(yùn)種方式將第一層 Ia和第二層2a從基材100的主表面除去。能夠?qū)⒉粌H第二層2a而且第S層3a和第四層4a與 第二層2a-起從基材100分離。如本實(shí)施方案中那樣，第五層5a由與第一層Ia相同的材料形 成時(shí)，與第一層Ia的溶解并行地，第五層5a也溶解于液體30中。因此，不是通過分離而是通 過溶解將第五層5a除去。與此相對(duì)，即使第=層3a由與第一層Ia相同的材料形成時(shí)，與第五 層5a相比，第=層3a也幾乎不溶解于液體30中或者不溶解于液體30中。運(yùn)是因?yàn)?，液體30 中，包括其端部在內(nèi)的基本上整個(gè)第S層3a與具有低選擇比的第四層4a重疊，因此第S層 3a的溶解也不進(jìn)行。同樣地，液體30中，包括其端部在內(nèi)的基本上整個(gè)第二層2a與具有低選 擇比的第四層4a重疊，因此第二層2a的溶解也不進(jìn)行。
[0034] 隨后，如果必要，進(jìn)行清潔基材100的清潔步驟和加工基材100的加工步驟。在基材 100上進(jìn)行的加工的實(shí)例包括切割、機(jī)加工和磨光。但是，本實(shí)施方案中，由于能夠使第二層 2a的除去過程中對(duì)基材100的損傷減少，因此可不進(jìn)行基材100的磨光。
[0035] 接下來，在圖2D中所示的成膜步驟中，在已將多個(gè)層從其除去的第一光學(xué)部件131 的基材100上形成具有光學(xué)功能的膜。例如，如參照?qǐng)D1A-1C說明的光學(xué)部件130中那樣，審U 備包括基材100、第一層化和第二層2b的第二光學(xué)部件132。本實(shí)施方案中，第二光學(xué)部件 132還包括其他層例如束二層3b、束四層4b和束五層化。
[0036] W運(yùn)種方式，通過再使用基材100,能夠由第一光學(xué)部件131制備第二光學(xué)部件 132。第二光學(xué)部件132也視為再循環(huán)產(chǎn)品。由于通過再使用基材100能夠使廢品減少，因此 能夠減輕環(huán)境負(fù)荷。而且，使用價(jià)格高的基材100的情況下，與準(zhǔn)備新基材的情形相比，通過 再使用基材100,能夠使成本減少。
[0037] 通過用液體30溶解第一層Ia并且將第二層2a分離，與使用用于將基材100上的層 除去的其他方法的情形相比，能夠更容易地將第二層2a除去。其他方法的實(shí)例中，用液體將 第二層2a溶解，然后用另一液體將第一層Ia溶解。運(yùn)種情況下，至少兩種液體和兩種溶解處 理是必要的。實(shí)際地，如上述的第S層3a與第四層4a之間的關(guān)系中那樣，基本上整個(gè)下層與 上層重疊時(shí)，除非將上層除去，否則下層的溶解并不進(jìn)行。因此，將由不同材料形成的層交 替地堆疊的情況下，有必要將溶解反復(fù)進(jìn)行與層數(shù)相同的次數(shù)。與此相對(duì)，本實(shí)施方案中， 通過將第一層Ia溶解的單一步驟就能夠?qū)⑦\(yùn)樣的層除去。當(dāng)將多層膜用作第二膜20a時(shí)運(yùn) 是顯著地有利的。而且，如圖IB和IC中所示那樣，基材100具有不與第一層la和第二層2a重 疊的非重疊部110時(shí)，使基材100的非重疊部110暴露于溶解液。根據(jù)本實(shí)施方案，由于通過 少數(shù)的步驟就能夠?qū)⒒?00上的多個(gè)層除去，因此能夠減少對(duì)基材100的露出部(非重疊 部110)的損傷。
[0038] 或者，使用能夠?qū)⒌谝粚覫a和第二層2a兩者溶解的液體的方法可W是另一除去方 法。但是，該方法在現(xiàn)實(shí)中可能具有各種問題。例如，運(yùn)樣的液體可能顯著地?fù)p傷基材100并 且可能具有大的環(huán)境負(fù)荷。第一層Ia和第二層2a的可利用的材料選擇可能是有限的。本實(shí) 施方案中，無論第二膜20的層結(jié)構(gòu)如何，都能夠容易地將第二膜20除去。
[0039] 關(guān)于采用根據(jù)本實(shí)施方案的方法制備的第二光學(xué)部件132,已對(duì)在除去步驟后在 基材100上形成膜的情形進(jìn)行了說明。但是，第二光學(xué)部件132并不限于此。例如，在除去步 驟后通過加工基材100,可W獲得新的第二光學(xué)部件132?；蛘?，單獨(dú)的基材100可作為新的 第二光學(xué)部件132獲得。能夠作為第二光學(xué)部件132制備通過除去步驟而得到的單獨(dú)的基材 100并且出售。而且，通過在該第二光學(xué)部件132上形成膜或進(jìn)行加工，生成的部件能夠作為 第=光學(xué)部件制備并出售。
[0040] 參照?qǐng)D3A-3H對(duì)光學(xué)部件的變形進(jìn)行說明。如圖3A和3B中所示，基材100可由多種 不同材料形成。圖3A中所示的基材100包括基底101和在該基底101的上表面和下表面的至 少一者上形成的涂層102。該基材100能夠通過將其上具有涂層的晶片分為多片而得到?；?者，該基材100能夠通過在構(gòu)成基底101的每片上形成涂膜而得到。圖3B中所示的基材100包 括板狀基底101和不僅在基底101的上下表面上而且在基底101的側(cè)表面上形成的涂層102。 該基材100能夠通過將基底101浸入涂布材料中而得到。
[0041] 如圖3C中所示，第一膜10(圖3D)可W是下層111和上層112的層疊膜。運(yùn)種情況下， 下層111和上層112兩者具有高于待分離的第二層(未示出）的在液體30中的溶解性。例如， 下層111和上層112兩者由相同的材料形成，但下層111的密度和上層112的密度可彼此不 同?；蛘?，下層111可W是上層112的粘合層。
[0042] 如圖3D中所示，第一膜10可覆蓋基材100的整個(gè)主表面。如圖3E中所示，可在周向 上第一層1的邊緣13的部分中用第二層2覆蓋第一層1的端部14。如圖3F中所示，可在周向上 第一層1的邊緣13的部分中用第二層2覆蓋第一層1的邊緣13。如圖3G中所示，可在第一層1 的端部14W外的部分上設(shè)置第一層1的非重疊部15。運(yùn)種情況下，可用第二層2將第一層1的 整個(gè)端部14覆蓋。如圖3H中所示，可用由與第一層1相同的材料或者比第一層1更容易地溶 解于液體30中的材料形成的保護(hù)層9覆蓋整個(gè)第一層1。運(yùn)是因?yàn)?，將包括運(yùn)樣的保護(hù)層9的 光學(xué)部件浸入液體30中，并且一旦將保護(hù)層9除去時(shí)，可能形成與原本不存在保護(hù)層9的狀 態(tài)基本上相同的狀態(tài)。即使保護(hù)層9是比第一層1更難溶解于液體30中的層，一旦通過將光 學(xué)部件浸入液體30W外的液體而將保護(hù)層9除去時(shí)，也能夠如原本不存在保護(hù)層9的情形中 那樣，隨后使用液體30將第一層1至第五層5除去。如果設(shè)置多個(gè)保護(hù)層，則必須將保護(hù)層一 個(gè)一個(gè)地除去。因此，優(yōu)選只設(shè)置單一保護(hù)層。
[0043] 光學(xué)裝置
[0044] 使用包括電子器件的光學(xué)設(shè)備中使用的光學(xué)部件作為實(shí)例，對(duì)本技術(shù)更詳細(xì)地說 明。圖4A和4B為光學(xué)設(shè)備上安裝的光學(xué)裝置500(例如成像單元或顯示單元)的截面示意圖。 光學(xué)裝置500包括光學(xué)部件130和經(jīng)設(shè)置W面對(duì)光學(xué)部件130且進(jìn)行顯示或成像的電子器件 200。光學(xué)部件130作為進(jìn)行顯示或成像的電子器件200的光學(xué)窗發(fā)揮功能。運(yùn)樣的光學(xué)部件 130中，在基材100上設(shè)置用于增大電子器件中處理的光(例如，可見光）的透射率的減反射 膜或者用于截止具有不必要波長的光（例如，紫外光或紅外光）的波長選擇膜作為第二膜 20。設(shè)置有運(yùn)樣的成像單元的光學(xué)設(shè)備的典型實(shí)例為照相機(jī)。設(shè)置有運(yùn)樣的顯示單元的光 學(xué)設(shè)備的典型實(shí)例為投影儀。將第一膜10設(shè)置在第二膜20與基材100之間。如參照?qǐng)D1A-1C 所述那樣，第一膜10包括第一層1，并且第二膜20包括第二層2。第一膜10和第二膜20的厚度 各自為基材100的厚度的約1/1，〇〇〇至1/100。根據(jù)電子器件200的尺寸，能夠在5-lOOmm的范 圍內(nèi)確定基材100的主表面的長度和寬度。
[0045] 光學(xué)裝置500包括保持電子器件200和光學(xué)部件130的保持部件300。保持部件300 包括內(nèi)端子310和外端子320。用其間的粘合元件410將電子器件200與保持部件300接合。用 其間的導(dǎo)電元件420使電子器件200的顯示部或成像部210的周邊中的電極部220與保持部 件300的內(nèi)端子310連接。用其間的粘合元件430將光學(xué)部件130與保持部件300接合，粘合元 件430與基材100重疊。光學(xué)部件130在光學(xué)裝置500中也作為用于保護(hù)電子器件200的蓋子 發(fā)揮功能。為此，可在0.2-2.Omm的范圍內(nèi)確定光學(xué)部件130的基材100的厚度W獲得機(jī)械強(qiáng) 度。圖4A表示其中將第一膜10和第二膜20配置在相對(duì)于基材100的電子器件200的相反側(cè)的 實(shí)例。圖4B表示其中將第一膜10和第二膜20配置在相對(duì)于基材100的電子器件200側(cè)的實(shí) 例。圖4A和4B中，配置粘合元件430W不與第二膜20重疊。運(yùn)是為了在使作為粘合元件430的 前體的光固化性樹脂固化時(shí)防止第二膜20阻擋紫外線的透射。圖4B中，配置第一膜IOW不 與粘合元件430重疊。即，粘合元件430與基材100的部分(非重疊部），即沒有與第一膜10重 疊的部分重疊。如果在基材100和粘合元件430上存在第一膜10,則粘合性降低。與此相對(duì)， 由于在其間不存在第一膜10的情況下粘合元件430與基材100接觸，因此粘合性改善。本實(shí) 施方案中，已對(duì)其中在基材100的上表面和下表面中的一者上形成減反射膜的實(shí)例進(jìn)行了 說明?；蛘撸稍趦蓚€(gè)表面上形成減反射膜。或者，可在一個(gè)表面上形成波長選擇膜并且可 在另一表面上形成減反射膜。
[0046] 圖4C表示通過使用成像單元IS而形成的成像系統(tǒng)SYS的結(jié)構(gòu)的實(shí)例。成像系統(tǒng)SYS 為具有照相機(jī)或拍照功能的信息終端。成像單元IS可還包括容納成像器件IC的封裝PKG。封 裝PKG由圖4A和4B中所示的光學(xué)部件130和保持部件300構(gòu)成。成像器件IC由電子器件200構(gòu) 成。
[0047] 成像系統(tǒng)圳S可包括在成像單元IS中形成圖像的光學(xué)系統(tǒng)0U。成像系統(tǒng)SYS可包括 控制成像單元IS的控制單元CU、處理從成像單元IS輸出的信號(hào)的處理單元PU、顯示成像單 元IS中得到的圖像的顯示單元DU和存儲(chǔ)成像單元IS中得到的圖像的記憶單元MU的至少任 一個(gè)。
[0048] 運(yùn)樣的光學(xué)設(shè)備中使用的光學(xué)部件130的基材100的材料優(yōu)選為玻璃或石英晶體。
[0049] 再生
[0050] 在將石英晶體用作光學(xué)部件130的基材100的情況下，基材100的制備方法主要包 括使人造石英晶體生長、加工外部形狀、形成多層膜和進(jìn)行檢查的四個(gè)步驟。運(yùn)些步驟中， 石英晶體的生長和外部形狀的加工需要大量的工作和許多工時(shí)。因此，形成多層膜的步驟 中的收率顯著地影響得到的石英晶體光學(xué)部件的價(jià)格。同時(shí)，由于成像器件的像素?cái)?shù)的增 加，為了使像素尺寸縮小，多層膜的標(biāo)準(zhǔn)隨著成像器件技術(shù)的發(fā)展已變得更為嚴(yán)格。因此， 起因于膜損失缺陷等的收率的降低已成為顯著的問題。因此，成像器件的像素?cái)?shù)的增加是 光學(xué)部件的價(jià)格進(jìn)一步增長的因素。
[0051] 在將玻璃用作光學(xué)部件130的基材100的情況下，成像器件的像素?cái)?shù)的增加也使光 學(xué)部件130的價(jià)格增加，原因在于隨著像素?cái)?shù)的增加變得必須采取措施應(yīng)對(duì)a射線和0射線 的發(fā)射。因此，在包括由玻璃形成的基材100的光學(xué)部件130中，形成多層膜的步驟中的低收 率也是成本增加的因素。因此，從價(jià)格和資源的有效利用的觀點(diǎn)出發(fā)，希望從基材100將形 成多層膜的步驟中偏離標(biāo)準(zhǔn)的多層膜分離且再使用基材100。
[0052] 從光學(xué)部件130的基材100分離多層膜的最簡單的方法是通過將基材100的主表面 磨光來物理地除去多層膜。但是，難W無不均勻地通過磨光只將多層膜除去?？赡艽嬖诟鞣N 問題，其在于例如不能反復(fù)地獲得基材的均一尺寸例如厚度和平面度。因此，已希望實(shí)現(xiàn)用 于通過化學(xué)方法來從基材100選擇性地分離多層膜的技術(shù)和工藝的實(shí)際應(yīng)用。用于運(yùn)樣的 多層膜中的許多介電材料為金屬氧化物。
[0053] 將氨氣酸或氨氣酸化合物的水溶液用作除去劑的情況下，有利之處在于能夠在較 短的時(shí)間內(nèi)將多層膜除去，但可能存在各種問題。首先，難W控制除去劑的組成。因此，難W 穩(wěn)定地保持和控制將多層膜從石英晶體或玻璃分離的條件，石英晶體或玻璃在氨氣酸或氨 氣酸化合物的水溶液中具有高溶解性。第二，氨氣酸和氨氣酸化合物容易汽化，應(yīng)小屯、處理 運(yùn)些化合物。第=，為了建立使用氨氣酸或氨氣酸化合物的水溶液的穩(wěn)定的工藝和穩(wěn)定的 技術(shù)，制造設(shè)施等也需要高成本。因此，難W通過使用氨氣酸或氨氣酸化合物的水溶液使基 材再生的方法來降低成本。
[0054] 本實(shí)施方案中，能夠提供多層膜的結(jié)構(gòu)和用于再生價(jià)格高的基材100的技術(shù)，其能 夠解決基材100的損失的問題、在由石英晶體或玻璃形成的基材100上的多層膜存在問題時(shí) 出現(xiàn)的問題。
[0化5] 基材
[0056] 基材100具有不容易溶解于堿性溶液中并且對(duì)于用于形成提供波長選擇功能或減 反射功能的第二膜20的條件具有耐受性的性質(zhì)?；?00的具體實(shí)例包括石英晶體、棚娃酸 鹽玻璃、石英玻璃和藍(lán)寶石玻璃。特別地，棚娃酸鹽玻璃的實(shí)例包括低a射線發(fā)射玻璃、低0 射線發(fā)射玻璃和無堿玻璃。術(shù)語"基材100"包括通過用不溶于堿性溶液或者在堿性溶液中 具有低溶解性的材料涂布任何上述材料而制備的基材。
[0057] 第一膜
[005引與基材100的主表面接觸而形成的第一膜10具有可溶于液體30中的性質(zhì)。而且，第 一膜10不抑制在第一膜10上形成的第二膜20的光學(xué)功能。對(duì)于將運(yùn)兩種性質(zhì)結(jié)合的材料， 氧化娃是合適的。
[0059] 首先，對(duì)在堿性溶液中的溶解性進(jìn)行說明。如圖1A-1C中所示，光學(xué)部件具有如下 結(jié)構(gòu)，其中在基材100與具有波長選擇功能或減反射功能的第二膜20之間設(shè)置在堿性溶液 中可溶的第一膜10。采用該結(jié)構(gòu)，即使設(shè)置在堿性溶液中不可溶的層作為構(gòu)成第二膜20的 第二層2、第四層4等，也能夠通過溶解第一膜10而通過分離將第二膜20除去。
[0060] 接下來，對(duì)于不光學(xué)地抑制波長選擇功能或減反射功能的性質(zhì)進(jìn)行說明。從不光 學(xué)地抑制波長選擇功能或減反射功能的性質(zhì)的觀點(diǎn)出發(fā)，第一膜10的折射率可接近基材 100的折射率。鑒于由基材100的折射率和第一膜10的厚度產(chǎn)生的光學(xué)效果，具有約1.40- 1.55的折射率的材料適于第一膜10的材料?？紤]運(yùn)些狀況，氧化娃適于第一膜10的材料。
[0061] 第一膜10可通過物理氣相沉積(PVD)形成，運(yùn)樣不容易產(chǎn)生膜沉積后的折射率和 厚度的不均勻。物理氣相沉積的具體實(shí)例包括真空蒸鍛法例如電子束加熱蒸鍛、電阻加熱 蒸鍛、和離子鍛，W及瓣射法例如磁控管瓣射、離子束瓣射、電子回旋加速器共振化CR)瓣 射、和反應(yīng)性瓣射。真空蒸鍛法中，通過采用離子輔助或等離子體輔助沉積，可W使膜密度 增大。此外，通過化學(xué)氣相沉積(CVD)等形成的第一膜10也適合。
[0062] 與此相對(duì)，包括通過浸潰用有機(jī)娃材料溶液進(jìn)行涂布并且將該有機(jī)娃材料溶液轉(zhuǎn) 化為氧化娃的方法并不優(yōu)選。與通過物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積形成的膜相比，通過將 有機(jī)娃材料溶液轉(zhuǎn)化為氧化娃而形成的涂膜傾向于具有折射率和膜厚度的分布。運(yùn)是因 為，由于浸潰法中適合的膜厚度為幾微米級(jí)，即使產(chǎn)生輕微的折射率或膜厚度的不均勻，可 能也會(huì)十分顯著地產(chǎn)生起因于干設(shè)色的不均勻。成像單元中，由于光學(xué)部件130與成像器件 (電子器件200圖4A)之間的距離為約0.1-lmm，起因于該干設(shè)色的不均勻的效果不可忽略。 因此，對(duì)于通過浸潰用有機(jī)娃材料溶液進(jìn)行涂布并且將該有機(jī)娃材料溶液轉(zhuǎn)化為氧化娃而 形成的氧化娃層可能難W滿足質(zhì)量水平。為此，具有折射率和膜厚度的不均勻的高可控性 的氣相生長法例如物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積是適合的。
[0063] 但是，在通過物理氣相沉積進(jìn)行氧化娃層的沉積中，由于考慮沉積速率而需要長 沉積時(shí)間，因此鑒于生產(chǎn)率，設(shè)定過大的膜厚度是不優(yōu)選的。因此，用作第一膜10的氧化娃 層優(yōu)選具有1皿或更小的厚度。
[0064] 玻璃和石英晶體也含有氧化娃作為主要成分。但是，形成為具有10皿W下、特別地 1皿W下的厚度的氧化娃層具有比玻璃和石英晶體高的孔隙率并且具有稀疏結(jié)構(gòu)。因此，運(yùn) 樣的氧化娃層具有比玻璃和石英晶體更容易溶解于液體30中的性質(zhì)。運(yùn)可理解為與下述現(xiàn) 象類似的現(xiàn)象，其中盡管方糖和冰糖都為糖，但方糖比冰糖更容易溶解于水中。
[0065] 第二膜
[0066] 根據(jù)本實(shí)施方案的提供波長選擇功能或減反射功能的多層膜為通過將多個(gè)無機(jī) 介電層堆疊而形成的第二膜20。第二膜20為包括=個(gè)W上的層的多層膜時(shí)，能夠獲得顯著 的效果。用于可見光的減反射膜可由包括2-10層的多層介電膜形成。UV截止濾光片或IR截 止濾光片可由包括10-30層的多層介電膜形成。
[0067] 第二膜20中使用的無機(jī)介電材料優(yōu)選為具有耐受作為保護(hù)電子器件200的光學(xué)部 件130使用的性質(zhì)的材料。將至少一種不溶于或幾乎不溶于堿性溶液的材料用于第二層2至 最上層(例如，第五層5)時(shí)本實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)有效地發(fā)揮功能。
[0068] 不溶于或幾乎不溶于堿性溶液的材料的具體實(shí)例包括氣化巧、氣化裡、氣化儀、氧 化嫁、氣化錠、氣化姉、氣化銅、氧化侶、氧化錠、氧化銅、氧化給、氧化錯(cuò)、氧化姉、氧化鐵、氧 化鐵和氧化錯(cuò)的復(fù)合氧化物、氧化鐵和氧化銅的復(fù)合氧化物、和氧化錯(cuò)和氧化錠的復(fù)合氧 化物。
[0069] 關(guān)于無機(jī)介電材料的折射率，將無機(jī)介電材料大致分為形成無機(jī)介電膜后具有低 于1.6的折射率的低折射率材料和具有高于1.7的折射率的高折射率材料。取決于形成多層 膜的+材料的組合，邊界可變化。
[0070] 不溶于或幾乎不溶于堿性溶液并且用于第二層2和第四層4中的高折射率材料的 實(shí)例包括氧化錠、氧化銅、氧化給、氧化錯(cuò)、氧化姉、氧化鐵、氧化鐵和氧化錯(cuò)的復(fù)合氧化物、 氧化鐵和氧化銅的復(fù)合氧化物、W及氧化錯(cuò)和氧化錠的復(fù)合氧化物。
[0071] 氧化鐵可通過使用二氧化鐵(Ti〇2)材料作為蒸鍛源而形成。或者，氧化鐵可通過 使用一氧化鐵(T iO)或五氧化鐵(T i 3化)作為起始材料而形成。
[0072] 容易溶于堿性溶液并且用于第二層2和第四層4中的高折射率材料的實(shí)例包括氧 化侶、氧化儀、氧化鋒、氧化粗、氧化鶴和氧化妮。
[0073] 用于第=層3和第五層5中的低折射率材料的實(shí)例包括氣化巧、氣化裡、氣化鋼、氣 化儀、氧化娃、氧化嫁、氣化錠、氣化姉、氣化銅和氧化侶。
[0074] 如用于形成第一膜10的方法中那樣，不容易產(chǎn)生膜沉積后的折射率和厚度的不均 勻的物理氣相沉積(PVD)最優(yōu)選用作用于形成第二膜20的方法。物理氣相沉積的具體實(shí)例 包括真空蒸鍛法例如電子束加熱蒸鍛、電阻加熱蒸鍛、和離子鍛，W及瓣射法例如磁控管瓣 射、離子束瓣射、電子回旋加速器共振化CR)瓣射、和反應(yīng)性瓣射。真空蒸鍛法中，通過采用 離子輔助或等離子體輔助沉積，可W使膜密度增大。此外，通過化學(xué)氣相沉積(CVD)等形成 的第二膜20也適合。
[0075] 電子束加熱蒸鍛適合用于形成第一膜10和第二膜20的方法。在實(shí)際蒸鍛系統(tǒng)中在 小片的基材100上形成第一膜10和第二膜20時(shí)，將基材100固定在支架60的開口部中，如圖 5A和5B中所示。運(yùn)種情況下，將具有限定在基材100的主表面上的沉積區(qū)域的開口的夾具配 置在基材100與支架60之間。沉積第一膜10時(shí)，設(shè)置第一夾具61，如圖5A中所示。第一夾具61 包括支承基材100的支承部62和限定第一膜10的沉積區(qū)域的開口 63。作為第一夾具61的支 承部62與基材100的重疊的結(jié)果，在作為基材100的沉積表面的主表面上形成沒有沉積第一 膜10的區(qū)域。沉積第二膜20時(shí)，將第一夾具61變?yōu)榈诙A具64,如圖5B中所示。第二夾具64 包括支承基材100的支承部65和限定第二膜20的沉積區(qū)域的開口 66。作為第二夾具64的支 承部65與基材100的重疊的結(jié)果，在作為基材100的沉積表面的主表面上形成沒有沉積第二 膜20的區(qū)域。而且，由于形成開口66W小于開口63,因此在第一膜10上形成沒有沉積第二膜 20的區(qū)域。因此，能夠在第一膜10上形成沒有與第二膜20重疊的部分。更優(yōu)選地，第一膜10 的邊緣的整個(gè)周邊沒有與第二膜20重疊。
[0076] 如圖1A-1C中所示，W運(yùn)種方式通過電子束加熱蒸鍛在小片的基材上連續(xù)地沉積 作為由無機(jī)介電材料形成的多層膜的第二膜20時(shí)，能夠在下層的端部上沉積上層的材料， 能夠在下層的邊緣的外側(cè)沉積上層的材料，并且能夠用上層覆蓋下層的端部和邊緣。
[0077] 通常，波長選擇膜和減反射膜常常具有如下結(jié)構(gòu)，其中將兩種材料形成的層反復(fù) 地堆疊。氧化鐵W及氧化鐵和氧化銅的復(fù)合氧化物最為通常地用作第二層2、第四層4等中 使用的高折射率材料。氧化娃最為通常地用作第=層3、第五層5等中使用的低折射率材料。 氧化娃層容易溶解于堿性溶液中。氧化鐵層W及由氧化鐵和氧化銅的復(fù)合氧化物形成的層 幾乎不溶于堿性溶液中。因此，即使用堿性溶液將運(yùn)樣的波長選擇膜或減反射膜除去時(shí)，也 能夠?qū)⒂米髯鳛樽钌蠈拥牡谖鍖?的氧化娃層溶解，但是在更接近基材100的一側(cè)設(shè)置并且 幾乎不溶于堿性溶液的下層不容易被溶解。特別地，在連續(xù)沉積的情況下，用氧化鐵或者氧 化鐵和氧化銅的復(fù)合氧化物覆蓋整個(gè)下層時(shí)，下層幾乎不溶于堿性溶液中。鑒于此，使用在 堿性溶液中具有溶解性的氧化娃形成第一膜10,并且使用第一膜10作為犧牲膜來將第二膜 20分離。W運(yùn)種方式，能夠由包括其上具有缺陷波長選擇膜或缺陷減反射膜的基材100的光 學(xué)部件使基材100再生。
[007引除去步驟
[0079] 本實(shí)施方案中基材100的再生中，準(zhǔn)備包括其上具有由氧化娃層形成的第一膜10 和作為多層膜的第二膜20的基材100的光學(xué)部件。將該光學(xué)部件浸入液體30中W將第一膜 10和第二膜20從基材100除去。隨后，用水洗涂得到的產(chǎn)物W除去堿并干燥。于是，使基材 100處于可再用的狀態(tài)。
[0080] 盡管堿性溶液可使蛋白質(zhì)變性，但通過使用適合的保護(hù)設(shè)備能夠比氨氣酸和氨氣 酸化合物更容易地處理堿性溶液。此外，使用堿性溶液在生產(chǎn)率方面優(yōu)異，例如，現(xiàn)有的洗 涂設(shè)備等能夠用作基材100的再生設(shè)備。
[0081] 堿性液體30的堿源的實(shí)例包括無機(jī)堿性化合物和有機(jī)堿性化合物。無機(jī)堿性化合 物的具體實(shí)例包括氨氧化鋼、氨氧化鐘、氨氧化裡、碳酸鋼、碳酸鐘、碳酸氨鋼、碳酸氨鐘、娃 酸鋼、娃酸鐘、偏娃酸鋼、偏娃酸鐘、憐酸鋼、憐酸鐘、憐酸氨二鋼、憐酸氨二鐘、憐酸二氨鋼 和憐酸二氨鐘。有機(jī)堿性化合物的具體實(shí)例包括，但并不限于，氨氧化錠、一甲胺、一乙胺、 正丙胺、一異丙胺、正下胺、二甲胺、二乙胺、二異丙胺、二正下胺、S乙胺、S甲胺、甲基二乙 基胺、一乙醇胺、二乙醇胺、=乙醇胺、二甲基乙醇胺、一異丙醇胺、二異丙醇胺、=異丙醇 胺、四甲基氨氧化錠和四乙基氨氧化錠。
[0082] 能夠通過改變堿性溶液的濃度和溫度來調(diào)節(jié)待除去的第一膜10和第二膜20的選 擇比。該濃度和溫度并不限于具體條件。處理時(shí)間因第二膜20的材料的種類和組合、第二膜 20的沉積面積、膜厚度等而變化。因此，在實(shí)驗(yàn)上確定堿性溶液的濃度和溫度。而且，將第二 膜20除去時(shí)，可進(jìn)行堿性溶液的攬拌和循環(huán)、超聲波的施加、或電壓的施加（電解）W使處理 時(shí)間減少。
[0083] 在浸入堿性溶液中后用足量的自來水等對(duì)在具體條件下浸入堿性溶液中的光學(xué) 部件進(jìn)行洗涂W除去堿。最后，通過用純水處理能夠?qū)㈦x子殘余物等除去。隨后，通過吹送 空氣等將水滴除去，然后在清潔環(huán)境例如清潔烘箱中進(jìn)行干燥。于是，進(jìn)行基材100的再生 處理。
[0084] 通過使用可見分光光度計(jì)的光譜透射率的評(píng)價(jià)，能夠考察是否通過該再生處理從 得到的基材100適當(dāng)?shù)貙⒌诙?0除去。適當(dāng)?shù)貙⒌诙?0除去時(shí)，得到與基材100的光譜 透射率基本上相同的光譜特性。
[0085] 由于為第一膜10選擇在光學(xué)上不影響基材100的材料，因此只通過光譜透射率的 評(píng)價(jià)可能無法確認(rèn)是否將第一膜10充分地除去。因此，在用于確定堿源、堿性溶液的濃度、 溫度等W及堿性溶液中的浸入時(shí)間的條件的實(shí)驗(yàn)中，例如，用掃描電子顯微鏡(SEM)等觀察 成膜表面的橫截面。有必要確認(rèn)在運(yùn)些條件下是否將第一膜10充分地除去。而且，對(duì)已適當(dāng) 地除去第一膜10的基材100在其表面上進(jìn)行劃痕、失去光澤等的認(rèn)真檢查并且供給到成膜 步驟W再生。
[0086] 如上所述確認(rèn)從其將第一膜10和第二膜20適當(dāng)?shù)爻サ幕哪軌蛲ㄟ^再次形成 第一膜10和第二膜20而再用作光學(xué)部件。因此，能夠使環(huán)境負(fù)荷和生產(chǎn)成本減少。
[0087] 具體實(shí)施例
[0088] 關(guān)于在基材100上堆疊用作第一膜10的第一層1、和用作第二膜20的第二層2、第= 層3、第四層4和第五層5的光學(xué)部件，通過改變條件并且浸入液體30中而制備樣品Ol至12。 對(duì)該處理中的評(píng)價(jià)結(jié)果進(jìn)行說明。
[0089] 將具有邊為4cm的正方形和0.5mm的厚度的石英晶體板Q或棚娃酸鹽玻璃板B用作 基材100。通過電子束加熱蒸鍛在基材100上形成具有30-300nm的厚度的第一層IW具有邊 為3cm的正方形Y或邊為2cm的正方形N。而且，通過電子束加熱蒸鍛在第一層1上依次地連續(xù) 形成各自具有10-200nm的厚度的第二層2、第=層3、第四層4和第五層5W具有邊為2cm的正 方形。形成運(yùn)些層W致第二層2、第=層3、第四層4和第五層5的中屯、與第一層1的中屯、一致， 并且第二層2、第=層3、第四層4和第五層5的每個(gè)邊與第一層1的對(duì)應(yīng)邊平行。
[0090] 第一層1、第二層2、第=層3、第四層4和第五層5各自為氧化娃層S、氧化鐵層T、氧 化錯(cuò)層Z、氧化鐵和氧化銅的復(fù)合氧化物層化、氣化儀層M和氧化嫁層G中的任一個(gè)。將液體 溫度為25°C-60°C的IN(當(dāng)量濃度)氨氧化鐘水溶液（1N-K0H aq)用作液體30。將光學(xué)部件 130的樣品浸入液體30中3-6小時(shí)。氧化娃層S容易溶解于液體30中。氧化鐵層T、氧化錯(cuò)層Z 和復(fù)合氧化物層化幾乎不溶于液體30中。氧化嫁層G不溶于液體30中。氣化儀層M可與液體 30反應(yīng)W生成氣化鐘（其可溶于水中）和氨氧化儀(其幾乎不溶于水中）。石英晶體板Q和棚 娃酸鹽玻璃板B幾乎不溶于液體30中。
[0091] 使用將運(yùn)些層除去后的基材100,通過進(jìn)行光譜透射率的測定和使用SEM的橫截面 觀察來對(duì)多個(gè)層的分離狀態(tài)進(jìn)行評(píng)價(jià)。表1示出評(píng)價(jià)結(jié)果。
[0092] 關(guān)于樣品01-06,發(fā)現(xiàn)除去處理后的基材100顯示與形成5個(gè)層之前的基材100基本 上相同的光譜透射率，在表面上沒有產(chǎn)生劃痕、失去光澤等，因此將5個(gè)層適當(dāng)?shù)爻ィㄔu(píng) 價(jià):〇K)。關(guān)于樣品07-12,發(fā)現(xiàn)除去處理后的基材100顯示比形成5個(gè)層之前的基材100低的 光譜透射率，因此沒有將5個(gè)層適當(dāng)?shù)爻?評(píng)價(jià):NG)。
[0093] 將樣品07-09評(píng)價(jià)為NG的原因在于第一層的形狀與第二至第四層的形狀相同，并 且整個(gè)第一層與第二至第四層重疊。將樣品10-12評(píng)價(jià)為NG的原因在于第一層的溶解性低 于第二層的溶解性。
[0094] 表 1
[0095]
[0096] 根據(jù)上述技術(shù)，能夠容易地從基材的表面將多個(gè)層除去。應(yīng)理解本技術(shù)并不限于 上述的實(shí)施方案，并且可根據(jù)需要進(jìn)行目的、狀態(tài)、用途、功能和其他規(guī)格的各種變形。本技 術(shù)能夠通過其他實(shí)施方案來進(jìn)行。
[0097] 盡管已參照例示實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但應(yīng)理解本發(fā)明并不限于所公開 的例示實(shí)施方案。下述權(quán)利要求的范圍應(yīng)給予最寬泛的解釋W(xué)包括所有運(yùn)樣的變形W及等 同的結(jié)構(gòu)和功能。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 光學(xué)部件的制備方法，該方法包括： 提供層疊體，該層疊體包括基材、在該基材上設(shè)置的第一層、在該第一層上設(shè)置的第二 層、和在該第二層上設(shè)置的第三層，其中該第一層包括不與該第二層和該第三層重疊的部 分;和 通過用液體從該部分將該第一層溶解而將該第二層從該基材分離， 其中該第一層和該第三層各自含有化合物。2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該部分包括該第一層的邊緣。3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該基材具有不與該第一層重疊的部分。4. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該基材和該第一層含有氧化硅。5. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第二層與該第一層接觸。6. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第三層中含有的化合物是與該第一層中含有的化合 物相同的化合物。7. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第二層含有金屬化合物。8. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該液體為堿性。9. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該第一層具有10nm(納米)-1，000nm的厚度。10. 根據(jù)權(quán)利要求1-9的任一項(xiàng)的方法，還包括在將該第二層分離后在該基材上形成減 反射膜。11. 光學(xué)部件，包括： 含有氧化娃的基材； 在該基材上設(shè)置并且含有氧化硅的第一層;和 在該第一層上設(shè)置并且含有金屬化合物的第二層， 其中該第一層具有不與該第二層重疊的部分，并且 其中該第一層具有比該基材的孔隙率高的孔隙率。12. 根據(jù)權(quán)利要求11的光學(xué)部件，其中該部分包括該第一層的邊緣。13. 根據(jù)權(quán)利要求11的光學(xué)部件，其中該基材具有不與該第一層重疊的部分。14. 根據(jù)權(quán)利要求11的光學(xué)部件， 其中在該第一層上設(shè)置多層膜，該多層膜包括該第二層、在該第二層上設(shè)置的第三層、 和在該第三層上設(shè)置的第四層， 其中該第一層的該部分不與該第三層和該第四層重疊， 其中該第三層含有氧化硅，并且 其中該第四層含有金屬化合物。15. 根據(jù)權(quán)利要求14的光學(xué)部件，其中該多層膜為減反射膜。16. 根據(jù)權(quán)利要求11的光學(xué)部件，其中該基材為石英晶體板。17. 根據(jù)權(quán)利要求11的光學(xué)部件，其中該金屬化合物為氧化鈦。18. 根據(jù)權(quán)利要求11的光學(xué)部件，其中該第一層具有10nm(納米)-l，000nm的厚度。19. 光學(xué)裝置，包括： 根據(jù)權(quán)利要求1-18的任一項(xiàng)的光學(xué)部件;和 經(jīng)設(shè)置以面對(duì)該光學(xué)部件并且經(jīng)構(gòu)成以進(jìn)行顯示或成像的電子器件。20. 光學(xué)裝置，包括： 根據(jù)權(quán)利要求1-18的任一項(xiàng)的光學(xué)部件； 保持該光學(xué)部件的保持部件;和 將該光學(xué)部件與該保持部件粘結(jié)的粘合元件， 其中該粘合元件與該基材重疊并且不與該第二層重疊。
【文檔編號(hào)】G02B1/115GK106019425SQ201610195665
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年3月31日
【發(fā)明人】水野祐
【申請(qǐng)人】佳能株式會(huì)社