陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示器制造技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器技術(shù)發(fā)展迅速，已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)的顯像管顯示器而成為未來平板顯示器的主流。在液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域中，TFT-1XD(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)以其大尺寸、高度集成、功能強大、工藝靈活、低成本等優(yōu)勢而廣泛應(yīng)用于電視機、電腦、手機等領(lǐng)域。
[0003]顯示面板通常是由陣列基板(即TFT基板)和彩膜基板(即CF基板)對盒組裝并灌注液晶制成。一般的，所述陣列基板上形成有柵線(即掃描線)圖形、數(shù)據(jù)線(即信號線)圖形、TFT圖形、過孔圖形以及像素電極(即顯示電極)圖形和公共電極線圖形，其中，多根柵線及多根數(shù)據(jù)線交叉定義若干個像素單元。
[0004]現(xiàn)有的陣列基板中的數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號與像素電極之間所產(chǎn)生的電場，會對位于數(shù)據(jù)線和像素電極之間區(qū)域的液晶分子的取向產(chǎn)生干擾，從而導(dǎo)致顯示面板發(fā)生漏光的現(xiàn)象。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的陣列基板存在的上述技術(shù)問題，提供一種可以有效避免陣列基板漏光的陣列基板和顯示裝置。
[0006]解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括多條柵線、與所述多條柵線交叉設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線，以及由相鄰的柵線和相鄰的數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個所述像素單元包括像素電極；
[0007]所述陣列基板還包括多條沿柵線方向延伸的公共電極線，每條所述公共電極線具有多個沿數(shù)據(jù)線方向延伸的分支；
[0008]每個所述分支對應(yīng)一條數(shù)據(jù)線和至少一個像素電極，每個所述分支和與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線在基底上的投影至少部分重疊，以及和與其對應(yīng)的像素電極在基底上的投影部分重置。
[0009]優(yōu)選的是，至少一個所述分支分別和位于同一行的兩相鄰的像素電極在基底上的投影部分重疊，以及和位于該兩相鄰的像素電極之間的數(shù)據(jù)線在基底上的投影完全重疊。
[0010]優(yōu)選的是，每個所述分支和與其對應(yīng)的像素電極在基底上的投影部分重疊，以及和與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線在基底上投影部分重疊。
[0011]優(yōu)選的是，所述像素電極所在層位于所述數(shù)據(jù)線所在層的上方；所述公共電極線所在層位于所述數(shù)據(jù)線所在層的下方。
[0012]進一步優(yōu)選的是，所述公共電極線與所述柵線同層設(shè)置，且材料相同。
[0013]優(yōu)選的是，所述數(shù)據(jù)線所在層設(shè)于柵線所在層的上方；所述公共電極線所在層位于所述數(shù)據(jù)線所在層的上方。
[0014]進一步優(yōu)選的是，所述像素電極所在層位于所述數(shù)據(jù)線所在層的上方，所述公共電極線所在層位于所述像素電極所在層和所述數(shù)據(jù)線所在層之間。
[0015]進一步優(yōu)選的是，所述像素電極所在層位于所述數(shù)據(jù)線所在層的上方，所述公共電極線所在層位于所述像素電極所在層上方。
[0016]進一步優(yōu)選的是，相鄰的兩條所述公共電極線由所述兩條公共電極線中的一條的沿數(shù)據(jù)線方向延伸的各個分支連接成一體結(jié)構(gòu)。
[0017]優(yōu)選的是，所述像素電極所在層位于所述數(shù)據(jù)線所在層的上方；所述柵線所在層位于所述數(shù)據(jù)線所在層的下方；所述公共電極線所在層位于所述柵線所在層的下方。
[0018]進一步優(yōu)選的是，相鄰的兩條所述公共電極線由所述兩條公共電極線中的一條的沿數(shù)據(jù)線方向延伸的各個分支連接成一體結(jié)構(gòu)。
[0019]解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。
[0020]本發(fā)明具有如下有有益效果:
[0021]本實用新型的陣列基板中包括多條公共電極線，每條所述公共電極線具有多個沿數(shù)據(jù)線方向延伸的分支，每個所述分支對應(yīng)一條數(shù)據(jù)線和至少一個像素電極，每個所述分支和與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線在基底上的投影至少部分重疊，以及和與其對應(yīng)的像素電極在基底上的投影部分重疊。該陣列基板可以屏蔽數(shù)據(jù)線與像素電極之間形成的電場，避免了數(shù)據(jù)線與像素電極之間形成的電場對位于數(shù)據(jù)線和像素電極之間區(qū)域的液晶分子的取向產(chǎn)生干擾，同時可以遮擋數(shù)據(jù)線和像素電極之間區(qū)域的漏光。
[0022]本實用新型的顯示裝置包括上述的陣列基板，故該顯示裝置具有較優(yōu)的顯示效果O
【附圖說明】
[0023]圖1為本實用新型的實施例1-3的陣列基板的平面示意圖；
[0024]圖2為實施例1-3的陣列基板中的一個像素單元的示意圖；
[0025]圖3為對應(yīng)實施例1的圖2的一種A1-A2的剖面圖；
[0026]圖4為對應(yīng)實施例1的圖2的一種B1-B2的剖面圖；
[0027]圖5為對應(yīng)實施例1的圖2的另一種A1-A2的剖面圖；
[0028]圖6為對應(yīng)實施例1的圖2的另一種B1-B2的剖面圖；
[0029]圖7為對應(yīng)實施例2的圖2的另一種A1-A2的剖面圖；
[0030]圖8為對應(yīng)實施例2的圖2的另一種B1-B2的剖面圖；
[0031]圖9為對應(yīng)實施例3的圖2的另一種A1-A2的剖面圖；
[0032]圖10為對應(yīng)實施例3的圖2的另一種B1-B2的剖面圖；
[0033]圖11為本實用新型實施例4的陣列基板的平面示意圖；
[0034]圖12為本實用新型實施例5的陣列基板的平面示意圖；
[0035]圖13為圖12的陣列基板中的一個像素單元的示意圖；
[0036]圖14為圖12的一種A1-A2的剖面圖；
[0037]圖15為圖12的一種B1-B2的剖面圖。
[0038]其中附圖標(biāo)記為:
[0039]G1、第i行柵線；Gi+l、第i+1行柵線；Gi+2、第i+2行柵線；
[0040]Dj^ j列數(shù)據(jù)線；Dj+l、第j+1列數(shù)據(jù)線；Dj+2、第j+2列數(shù)據(jù)線；
[0041]150、公共電極線；150b/150c、分支；
[0042]1、基底；
[0043]5、柵極絕緣層；15、鈍化層；25、第一絕緣層；35、第二絕緣層；45、第三絕緣層；
[0044]10、柵極；20、有源層；31、源極；32、漏極；50、像素電極；
[0045]40、過孔。
【具體實施方式】
[0046]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0047]本發(fā)明提供一種陣列基板，其包括多條柵線、與所述多條柵線交叉設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線、多條公共電極線，以及由相鄰的柵線和相鄰的數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個所述像素單元包括像素電極，所述陣列基板還包括多條沿柵線方向延伸的公共電極線，每條所述公共電極線具有多個沿數(shù)據(jù)線方向延伸的分支；每個所述分支對應(yīng)一條數(shù)據(jù)線和至少一個像素電極，每個所述分支和與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線在基底上的投影至少部分重疊，以及和與其對應(yīng)的像素電極在基底上的投影部分重疊。
[0048]具體的，結(jié)合下述實施例進行說明。
[0049]實施例1:
[0050]如圖1所示，本實施提供了一種陣列基板，該陣列基板上的每一條公共電極線150的至少一個分支對應(yīng)兩個位于同一行的相鄰的像素電極50，以及位于這兩個像素電極50之間的一條數(shù)據(jù)線，此時，該分支分別與這兩個像素電極50在基底I上的投影部分重疊，并與位于這兩個像素電極50之間的數(shù)據(jù)線在基底I上的投影完全重疊。
[0051]本實用新型實施例中，公共電極線的分支與數(shù)據(jù)線在基底I上的投影完全重疊是表示公共電極線的分支在基底I上的投影在沿柵線方向上完全覆蓋數(shù)據(jù)線在基底I上的投影。
[0052]具體的，如圖2所示，由相鄰的第j列數(shù)據(jù)線Dj、第j+Ι列數(shù)據(jù)線Dj+1和相鄰的第i行柵線G1、第i+Ι行柵線Gi+Ι，限定的像素單元，與該像素單元對應(yīng)的公共電極線150，其中，公共電極線150的分支150b、150c分別與數(shù)據(jù)線Dj和Dj+Ι在基底I上的投影是完全重疊的，且分別與像素電極50在基底I上的投影部分重疊，而且分支150b和與像素電極50位于同一行的左側(cè)相鄰的像素電極在基底上的投影部分重疊(圖2中未示出)，分支150c和與像素電極50位于同一行的右側(cè)相鄰的像素電極在基底上的投影部分重疊(圖2中未示出)。
[0053]本實施例中的每個像素單元包括一個薄膜晶體管，其中，薄膜晶體管的源極31與數(shù)據(jù)線連接，漏極32與像素電極50連接，柵極10與柵線連接。通過圖3和圖4所示，該陣列基板的各膜層分別為:公共電極線150與柵線和柵極10同層設(shè)置在基底I上，柵極絕緣層5覆蓋在柵線、柵極10和公共電極線150上，有源層20位于柵極絕緣層5上，源極31、漏極32設(shè)置于有源層20上，鈍化層15設(shè)置于源極31、漏極32上，像素電極50設(shè)置于鈍化層15上。像素電極50通過過孔40連接薄膜晶體管的漏極32。本實施例中，過孔40設(shè)置在鈍化層15上，并暴露出薄膜晶體管的漏極32。由此結(jié)構(gòu)可知，公共電極線150的分支150b和分支150c是設(shè)置在數(shù)據(jù)線Dj和數(shù)據(jù)線Dj+Ι所在層的下方的。
[0054]本實施例的陣列基板中包括多條公共電極線150，每條所述公共電極線150具有多個沿數(shù)據(jù)線方向延伸的分支150b、150c，分支150b、分支150c分別對應(yīng)一條數(shù)據(jù)線Dj和數(shù)據(jù)線Dj+Ι，分支150b和分支150c對應(yīng)至少一個像素電極50，分支150b、分支150c分別和與其對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Dj和數(shù)據(jù)線Dj+Ι在基底I上的投影完全重疊，以及和與其對應(yīng)的像素電極50在基底I上的投影部分重疊。該陣列基板可以屏蔽數(shù)據(jù)線與像素電極50之間形成的電場，避免了數(shù)據(jù)線與像素電極50之間形成的電場對位于數(shù)據(jù)線和像素電極50之間區(qū)域的液晶分子的取向產(chǎn)生干擾，同時可以遮擋數(shù)據(jù)線和像素電極50之間區(qū)域的漏光。
[0055]需要說明的是，本實施例中的公共電極線150和柵線也可以不同層設(shè)置，只要公共電極線150所在層位于數(shù)據(jù)線所在層下方即可。而當(dāng)公共電極線150和