本發(fā)明涉及激光加工方法及激光加工裝置，所述激光加工方法及激光加工裝置用于在將第一部件和第二部件連接而成的被加工物形成從第一部件至第二部件的激光加工孔，所述第一部件由第一材料形成，所述第二部件由第二材料形成。

背景技術(shù)：
在半導體器件制造工序中，在大致圓板形狀的半導體晶片的表面由呈格子狀地排列的被稱為間隔道的分割預定線劃分出多個區(qū)域，在所述劃分出的區(qū)域形成IC（IntegratedCircuit：集成電路）、LSI（LargeScaleIntegration：大規(guī)模集成電路）等器件。而且，通過將半導體晶片沿間隔道切斷來將形成有器件的區(qū)域分割開從而制造出一個個半導體芯片。為了實現(xiàn)裝置的小型化、高性能化，層疊多個器件并將在層疊的器件設(shè)置的焊盤連接起來的模塊結(jié)構(gòu)已被實用化。該模塊結(jié)構(gòu)構(gòu)成為：在半導體晶片的設(shè)有焊盤的部位形成貫通孔（通孔），并將用于與焊盤連接的鋁等導電性材料埋入所述貫通孔（通孔）（例如，參照專利文獻1）。利用鉆形成上述設(shè)于半導體晶片的貫通孔（通孔）。然而，設(shè)于半導體晶片的貫通孔（通孔）的直徑較小，為90～300μm，利用鉆實現(xiàn)的穿孔存在生產(chǎn)率差的問題。為消除上述問題，提出下述的晶片穿孔方法：對于在基板的表面形成有多個器件并在所述器件形成有焊盤的晶片，從基板的背面?zhèn)日丈涿}沖激光光線來高效地形成到達焊盤的通孔（例如，參照專利文獻2）。另外，提出了下述激光加工裝置：在從基板的背面?zhèn)日丈涿}沖激光光線以形成到達焊盤的通孔時，利用激光光線的照射使物質(zhì)等離子化，通過檢測該等離子發(fā)出的物質(zhì)固有的光譜來判定激光光線到達了由金屬構(gòu)成的焊盤（例如，參照專利文獻3）。專利文獻1：日本特開2003-163323號公報專利文獻2：日本特開2007-67082號公報專利文獻3：日本特開2009-125756號公報然而，在對硅或鉭酸鋰等基板從背面照射脈沖激光光線以形成到達由金屬構(gòu)成的焊盤的通孔時，存在下述問題：若脈沖激光光線靠近基板的形成有焊盤的表面，則在基板的表面附近從通孔起呈放射狀地產(chǎn)生裂紋，使器件的品質(zhì)降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明正是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供一種激光加工方法及激光加工裝置，在將由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件連接而成的被加工物形成從第一部件至第二部件的激光加工孔時，即使脈沖激光光線靠近第一部件的與第二部件連接的面也不會產(chǎn)生裂紋，并能夠在第一部件形成到達第二部件的加工孔。為解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種激光加工方法，其在將由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件連接而成的被加工物形成從第一部件至第二部件的激光加工孔，其特征在于，所述激光加工方法包含下述各個步驟：分別檢測由于向第一部件和第二部件照射激光光線而產(chǎn)生的等離子光的波長；僅檢測到具有第一部件的波長的等離子光并直到所述等離子光的光強度降低達到預定值為止，持續(xù)具有第一輸出的脈沖激光光線的照射；當所述等離子光的光強度達到所述預定值后照射具有比所述第一輸出低且不使第一部件產(chǎn)生裂紋的第二輸出的脈沖激光光線；在檢測到具有第二部件的波長的等離子光時停止脈沖激光光線的照射。形成第一部件的第一材料由鉭酸鋰構(gòu)成，上述脈沖激光光線的第一輸出被設(shè)定成重復頻率為60～100kHz且每一個脈沖的能量為40μJ，脈沖激光光線的第二輸出被設(shè)定成重復頻率為10～50kHz且每一個脈沖的能量為40μJ。另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種激光加工裝置，其用于在將由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件連接而成的被加工物形成從第一部件至第二部件的激光加工孔，其特征在于，所述激光加工裝置具備：被加工物保持構(gòu)件，所述被加工物保持構(gòu)件用于保持被加工物；激光光線照射構(gòu)件，所述激光光線照射構(gòu)件用于對保持于所述被加工物保持構(gòu)件的被加工物照射脈沖激光光線，所述激光光線照射構(gòu)件包括脈沖激光光線振蕩構(gòu)件、輸出調(diào)整構(gòu)件和聚光器，所述脈沖激光光線振蕩構(gòu)件用于振蕩發(fā)出脈沖激光光線，所述輸出調(diào)整構(gòu)件用于調(diào)整由所述脈沖激光光線振蕩構(gòu)件振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的輸出，所述聚光器用于使由所述輸出調(diào)整構(gòu)件調(diào)整過輸出的脈沖激光光線聚光并照射到保持于所述被加工物保持構(gòu)件的被加工物；等離子光檢測構(gòu)件，所述等離子光檢測構(gòu)件用于檢測通過從所述激光光線照射構(gòu)件向被加工物照射脈沖激光光線而產(chǎn)生的等離子光的波長；以及控制構(gòu)件，所述控制構(gòu)件基于來自所述等離子光檢測構(gòu)件的檢測信號對所述激光光線照射構(gòu)件進行控制，所述等離子光檢測構(gòu)件包括：分光器，所述分光器用于將等離子光分支成第一路徑和第二路徑；第一帶通濾波器，所述第一帶通濾波器配設(shè)于所述第一路徑，并僅使第一材料發(fā)出的等離子光的波長通過；第一光檢測器，所述第一光檢測器用于接收通過了所述第一帶通濾波器的光，并向所述控制構(gòu)件輸出光強度信號；第二帶通濾波器，所述第二帶通濾波器配設(shè)于所述第二路徑，并僅使第二材料發(fā)出的等離子光的波長通過；以及第二光檢測器，所述第二光檢測器用于接收通過了所述第二帶通濾波器的光，并向所述控制構(gòu)件輸出光強度信號，所述控制構(gòu)件在使所述激光光線照射構(gòu)件工作而對被加工物照射脈沖激光光線以形成從被加工物的第一部件到達第二部件的激光加工孔時，基于從所述第一光檢測器及所述第二光檢測器輸出的光強度信號以下述方式控制所述激光光線照射構(gòu)件：在僅輸出來自所述第一光檢測器的光強度信號并直到光強度降低且達到預定值為止，控制所述輸出調(diào)整構(gòu)件達到第一輸出并持續(xù)脈沖激光光線的照射；當來自所述第一光檢測器的光強度信號達到所述預定值后，控制所述輸出調(diào)整構(gòu)件達到比所述第一輸出低且不使第一部件產(chǎn)生裂紋的第二輸出來照射脈沖激光光線；當從所述第二光檢測器輸出了光強度信號時，停止脈沖激光光線的照射。在本發(fā)明的、在將由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件連接而成的被加工物形成從第一部件至第二部件的激光加工孔的激光加工方法中，檢測由于向第一部件和第二部件照射激光光線而產(chǎn)生的等離子光的波長，僅檢測到具有第一部件的波長的等離子光并直到所述等離子光的光強度降低達到預定值為止，持續(xù)具有第一輸出的脈沖激光光線的照射，當?shù)入x子光的光強度達到預定值時，照射具有比第一輸出低且不使第一部件產(chǎn)生裂紋的第二輸出的脈沖激光光線，在檢測到具有第二部件的波長的等離子光時，停止脈沖激光光線的照射，因此，即使脈沖激光光線靠近第一部件的與第二部件連接的面，也能夠形成到達第二部件的激光加工孔而不會在第一部件的與第二部件連接的面附近產(chǎn)生裂紋。另外，在本發(fā)明的激光加工裝置中，所述激光加工裝置具備：等離子光檢測構(gòu)件，所述等離子光檢測構(gòu)件用于檢測通過從激光光線照射構(gòu)件向被加工物照射脈沖激光光線而產(chǎn)生的等離子光的波長；以及控制構(gòu)件，所述控制構(gòu)件基于來自等離子光檢測構(gòu)件的檢測信號對所述激光光線照射構(gòu)件進行控制，等離子光檢測構(gòu)件具備：分光器，所述分光器用于將等離子光分支成第一路徑和第二路徑；第一帶通濾波器，所述第一帶通濾波器配設(shè)于第一路徑，并僅使第一材料發(fā)出的等離子光的波長通過；第一光檢測器，所述第一光檢測器接收通過第一帶通濾波器的光，并向控制構(gòu)件輸出光強度信號；第二帶通濾波器，所述第二帶通濾波器配設(shè)于第二路徑，并僅使第二材料發(fā)出的等離子光的波長通過；以及第二光檢測器，所述第二光檢測器接收通過第二帶通濾波器的光，并向所述控制構(gòu)件輸出光強度信號，控制構(gòu)件在使激光光線照射構(gòu)件工作而對被加工物照射脈沖激光光線以形成從被加工物的第一部件到達第二部件的激光加工孔時，基于來自第一光檢測器及第二光檢測器的光強度信號來控制激光光線照射構(gòu)件：在僅輸出來自第一光檢測器的光強度并直到光強度降低達到預定值為止，控制輸出調(diào)整構(gòu)件為第一輸出并持續(xù)脈沖激光光線的照射；當來自第一光檢測器的光強度信號達到預定值時，控制輸出調(diào)整構(gòu)件為比第一輸出低且不使第一部件產(chǎn)生裂紋的第二輸出來照射脈沖激光光線；當從第二光檢測器輸出了光強度信號時，停止脈沖激光光線的照射，因此，即使脈沖激光光線靠近第一部件的與第二部件連接的面，也能夠形成到達第二部件的激光加工孔而不會在第一部件的與第二部件連接的面附近產(chǎn)生裂紋。附圖說明圖1是按照本發(fā)明構(gòu)成的激光加工裝置的立體圖。圖2是在圖1所示的激光加工裝置裝備的激光光線照射構(gòu)件的結(jié)構(gòu)模塊圖。圖3是在圖1所示的激光加工裝置裝備的等離子檢測構(gòu)件的結(jié)構(gòu)模塊圖。圖4是在圖1所示的激光加工裝置裝備的控制構(gòu)件的結(jié)構(gòu)模塊圖。圖5是作為被加工物的半導體晶片的俯視圖。圖6是將圖5所示的半導體晶片的一部分放大示出的俯視圖。圖7是示出將圖5所示的半導體晶片粘貼到保護帶的表面的狀態(tài)的立體圖，所述保護帶安裝于環(huán)狀框架。圖8是示出將圖5所示的半導體晶片保持于圖1所示的激光加工裝置的卡盤工作臺的預定位置的狀態(tài)下的坐標的關(guān)系的說明圖。圖9的（a）和（b）是通過圖1所示的激光加工裝置實施的穿孔工序的說明圖。圖10的（a）和（b）是通過圖1所示的激光加工裝置實施的穿孔工序的說明圖。圖11的（a）和（b）是示出檢測對鉭酸鋰基板照射脈沖激光光線時產(chǎn)生的等離子的光強度的第一光檢測器的輸出電壓的圖以及檢測對由銅形成的焊盤照射脈沖激光光線時產(chǎn)生的等離子的光強度的第二光檢測器的輸出電壓的圖。標號說明2：靜止基座；3：卡盤工作臺機構(gòu)；36：卡盤工作臺；37：加工進給構(gòu)件；374：X軸方向位置檢測構(gòu)件；38：第一分度進給構(gòu)件；384：Y軸方向位置檢測構(gòu)件；4：激光光線照射單元支承機構(gòu)；42：可動支承基座；43：第二分度進給構(gòu)件；5：激光光線照射單元；52：激光光線照射構(gòu)件；6：脈沖激光光線振蕩構(gòu)件；61：脈沖激光光線振蕩器；62：重復頻率設(shè)定構(gòu)件；7：聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件；71：聲光元件；72：RF振蕩器；73：RF放大器；74：偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件；75：輸出調(diào)整構(gòu)件；76：激光光線吸收構(gòu)件；8：聚光器；9：等離子檢測構(gòu)件；91：等離子接收構(gòu)件；92：分光器；93：第一帶通濾波器；94：第一光檢測器；95：方向變換鏡；96：第二帶通濾波器；97：第二光檢測器；11：攝像構(gòu)件；20：控制構(gòu)件；30：晶片；301：分割預定線；302：器件；303：焊盤；304：激光加工孔。具體實施方式下面，對本發(fā)明的激光加工方法及激光加工裝置的優(yōu)選的實施方式參照附圖進一步詳細地說明。在圖1中，示出了按照本發(fā)明構(gòu)成的激光加工裝置1的立體圖。圖1所示的激光加工裝置1具備：靜止基座2；卡盤工作臺機構(gòu)3，其以能夠沿箭頭X所示的加工進給方向（X軸方向）移動的方式配設(shè)于所述靜止基座2，該卡盤工作臺機構(gòu)3用于保持被加工物；激光光線照射單元支承機構(gòu)4，其以能夠沿與X軸方向垂直的箭頭Y所示的分度進給方向（Y軸方向）移動的方式配設(shè)于靜止基座2；以及激光光線照射單元5，其以能夠沿箭頭Z所示的聚光點位置調(diào)整方向（Z軸方向）移動的方式配設(shè)于所述激光光線照射單元支承機構(gòu)4。上述卡盤工作臺機構(gòu)3具備：一對導軌31、31，它們沿X軸方向平行地配設(shè)在靜止基座2上；第一滑動塊32，其以能夠沿X軸方向移動的方式配設(shè)在所述導軌31、31上；第二滑動塊33，其以能夠沿Y軸方向移動的方式配設(shè)在所述第一滑動塊32上；罩狀工作臺35，其由圓筒部件34支承在所述第二滑動塊33上；以及卡盤工作臺36，其作為被加工物保持構(gòu)件。該卡盤工作臺36具備由多孔質(zhì)材料形成的吸附卡盤361，并通過未圖示的抽吸構(gòu)件將作為被加工物的例如圓盤狀的半導體晶片保持在吸附卡盤361上。這樣構(gòu)成的卡盤工作臺36借助配設(shè)于圓筒部件34內(nèi)的未圖示的脈沖馬達而旋轉(zhuǎn)。另外，在卡盤工作臺36配設(shè)有用于固定后述的環(huán)狀框架的夾緊器362。在上述第一滑動塊32的下表面設(shè)有與上述一對導軌31、31嵌合的一對被引導槽321、321，并且在上述第一滑動塊32的上表面設(shè)有沿Y軸方向平行地形成的一對導軌322、322。這樣構(gòu)成的第一滑動塊32通過使被引導槽321、321嵌合于一對導軌31、31從而構(gòu)成為能夠沿一對導軌31、31在X軸方向移動。圖示的實施方式中的卡盤工作臺機構(gòu)3具備X軸方向移動構(gòu)件（加工進給構(gòu)件37），所述X軸方向移動構(gòu)件（加工進給構(gòu)件37）用于使第一滑動塊32沿一對導軌31、31在X軸方向移動。該加工進給構(gòu)件37包括在上述一對導軌31和31之間平行地配設(shè)的外螺紋桿371和用于驅(qū)動所述外螺紋桿371旋轉(zhuǎn)的脈沖馬達372等驅(qū)動源。外螺紋桿371的一端被旋轉(zhuǎn)自如地支承于軸承塊373，所述軸承塊373固定于所述靜止基座2，所述外螺紋桿371的另一端與上述脈沖馬達372的輸出軸傳動連接。另外，外螺紋桿371與在未圖示的內(nèi)螺紋塊形成的貫通內(nèi)螺紋孔螺紋連接，所述內(nèi)螺紋塊突出設(shè)置于第一滑動塊32的中央部下表面。因而，通過借助脈沖馬達驅(qū)動外螺紋桿371正轉(zhuǎn)及反轉(zhuǎn)，從而第一滑動塊32沿導軌31、31在X軸方向移動。激光加工裝置1具備用于檢測上述卡盤工作臺36的加工進給量即X軸方向位置的X軸方向位置檢測構(gòu)件374。X軸方向位置檢測構(gòu)件374由沿導軌31配設(shè)的直線尺374a和配設(shè)于第一滑動塊32且與第一滑動塊32一起沿直線尺374a移動的讀取頭374b構(gòu)成。該X軸方向位置檢測構(gòu)件374的讀取頭374b在圖示的實施方式中每隔1μm將一個脈沖的脈沖信號傳送至后述的控制構(gòu)件。然后，后述的控制構(gòu)件通過對輸入的脈沖信號進行計數(shù)來檢測卡盤工作臺36的加工進給量即X軸方向的位置。另外，在使用脈沖馬達372作為上述加工進給構(gòu)件37的驅(qū)動源的情況下，通過對用于向脈沖馬達372輸出驅(qū)動信號的后述的控制構(gòu)件的驅(qū)動脈沖進行計數(shù)，也能夠檢測卡盤工作臺36的加工進給量即X軸方向的位置。此外，在采用伺服馬達作為上述加工進給構(gòu)件37的驅(qū)動源的情況下，將用于檢測伺服馬達的轉(zhuǎn)速的回轉(zhuǎn)式編碼器輸出的脈沖信號傳送至后述控制構(gòu)件，控制構(gòu)件通過對輸入的脈沖信號進行計數(shù)，也能夠檢測卡盤工作臺36的加工進給量即X軸方向的位置。上述第二滑動塊33的下表面設(shè)有與在上述第一滑動塊32的上表面設(shè)置的一對導軌322、322嵌合的一對被引導槽331、331，第二滑動塊33構(gòu)成為通過將所述被引導槽331、331與一對導軌322、322嵌合而能夠沿Y軸方向移動。圖示的實施方式中的卡盤工作臺機構(gòu)3具備第一Y軸方向移動構(gòu)件（第一分度進給構(gòu)件38），所述第一Y軸方向移動構(gòu)件（第一分度進給構(gòu)件38）用于使第二滑動塊33沿設(shè)于第一滑動塊32的一對導軌322、322在Y軸方向移動。該第一分度進給構(gòu)件38包括在上述一對導軌322和322之間平行地配設(shè)的外螺紋桿381和用于驅(qū)動該外螺紋桿381旋轉(zhuǎn)的脈沖馬達382等驅(qū)動源。外螺紋桿381的一端被旋轉(zhuǎn)自如地支承于在上述第一滑動塊32的上表面固定的軸承塊383，并且，外螺紋桿381的另一端與上述脈沖馬達382的輸出軸傳動連接。另外，外螺紋桿381與在未圖示的內(nèi)螺紋塊形成的貫通內(nèi)螺紋孔螺紋連接，所述內(nèi)螺紋塊突出設(shè)置于第二滑動塊33的中央部下表面。因而，通過借助脈沖馬達382驅(qū)動外螺紋桿381正轉(zhuǎn)及反轉(zhuǎn)，能夠使第二滑動塊33沿導軌322、322在Y軸方向移動。激光加工裝置1具備Y軸方向位置檢測構(gòu)件384，所述Y軸方向位置檢測構(gòu)件384用于檢測上述卡盤工作臺36的分度加工進給量即Y軸方向位置。該Y軸方向位置檢測構(gòu)件384由沿導軌322配設(shè)的直線尺384a和配設(shè)于第二滑動塊33且與第二滑動塊33一起沿直線尺384a移動的讀取頭384b構(gòu)成。該Y軸方向位置檢測構(gòu)件384的讀取頭384b在圖示的實施方式中每隔1μm將一個脈沖的脈沖信號傳送至控制構(gòu)件。而且，控制構(gòu)件通過對從讀取頭384b輸入的脈沖信號進行計數(shù)來檢測卡盤工作臺36的分度進給量即Y軸方向的位置。另外，在使用脈沖馬達382作為上述第一分度進給構(gòu)件38的驅(qū)動源的情況下，通過對用于向脈沖馬達382輸出驅(qū)動信號的控制構(gòu)件的驅(qū)動脈沖進行計數(shù)，也能夠檢測卡盤工作臺36的分度進給量即Y軸方向的位置。此外，在使用伺服馬達作為上述第一分度進給構(gòu)件38的驅(qū)動源的情況下，將用于檢測伺服馬達的轉(zhuǎn)速的回轉(zhuǎn)式編碼器輸出的脈沖信號傳送至控制構(gòu)件，控制構(gòu)件通過對輸入的脈沖信號進行計數(shù)，也能夠檢測卡盤工作臺36的分度進給量即Y軸方向的位置。上述激光光線照射單元支承機構(gòu)4具備沿Y軸方向平行地配設(shè)于靜止基座2上的一對導軌41、41和以能夠沿箭頭Y所示的方向移動的方式配設(shè)于所述導軌41、41上的可動支承基座42。該可動支承基座42由以能夠移動的方式配設(shè)于導軌41、41上的移動支承部421和安裝于該移動支承部421的安裝部422構(gòu)成。安裝部422在一側(cè)面平行地設(shè)有沿Z軸方向延伸的一對導軌423、423。圖示的實施方式中的激光光線照射單元支承機構(gòu)4具備第二Y軸方向移動構(gòu)件（第二分度進給構(gòu)件43），所述第二Y軸方向移動構(gòu)件（第二分度進給構(gòu)件43）用于使可動支承基座42沿一對導軌41、41在Y軸方向移動。該第二分度進給構(gòu)件43包括在上述一對導軌41、41之間平行地配設(shè)的外螺紋桿431和用于驅(qū)動該外螺紋桿431旋轉(zhuǎn)的脈沖馬達432等驅(qū)動源。外螺紋桿431的一端被旋轉(zhuǎn)自如地支承于在上述靜止基座2固定的未圖示的軸承塊，外螺紋桿431的另一端與上述脈沖馬達432的輸出軸傳動連接。另外，外螺紋桿431與在未圖示的內(nèi)螺紋塊形成的內(nèi)螺紋孔螺紋連接，所述內(nèi)螺紋塊在構(gòu)成可動支承基座42的移動支承部421的中央部下表面突出設(shè)置。因此，通過借助脈沖馬達432驅(qū)動外螺紋桿431正轉(zhuǎn)及反轉(zhuǎn)，能夠使可動支承基座42沿導軌41、41在Y軸方向移動。激光光線照射單元5具備單元保持器51和安裝于該單元保持器51的激光光線照射構(gòu)件52。單元保持器51設(shè)有一對被引導槽511、511，所述被引導槽511、511以能夠滑動的方式與在上述安裝部422設(shè)置的一對導軌423、423嵌合，通過將所述被引導槽511、511與上述導軌423、423嵌合，單元保持器51以能夠沿Z軸方向移動的方式支承于可動支承基座42。激光光線照射單元5具備Z軸方向移動構(gòu)件（聚光點位置調(diào)整構(gòu)件53），所述Z軸方向移動構(gòu)件（聚光點位置調(diào)整構(gòu)件53）用于使單元保持器51沿一對導軌423、423在Z軸方向移動。聚光點位置調(diào)成構(gòu)件53包括在一對導軌423、423之間配設(shè)的外螺紋桿（未圖示）和用于驅(qū)動該外螺紋桿旋轉(zhuǎn)的脈沖馬達532等驅(qū)動源，通過借助脈沖馬達532驅(qū)動外螺紋桿正轉(zhuǎn)及反轉(zhuǎn)，使單元保持器51及激光光線照射構(gòu)件52沿導軌423、423在Z軸方向移動。另外，在圖示的實施方式中，通過驅(qū)動脈沖馬達532正轉(zhuǎn)而向上方移動激光光線照射構(gòu)件52，通過驅(qū)動脈沖馬達532反轉(zhuǎn)而向下方移動激光光線照射構(gòu)件52。上述激光光線照射構(gòu)件52具備：圓筒形狀的外殼521，其實質(zhì)上水平配置；脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6，其如圖2所示地配設(shè)于外殼521內(nèi)；作為光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件的聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7，其用于使脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6振蕩發(fā)出的激光光線的光軸在加工進給方向（X軸方向）偏轉(zhuǎn)；以及聚光器8，其用于將通過該聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7的脈沖激光光線照射到保持于上述卡盤工作臺36的被加工物W。上述脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6由脈沖激光光線振蕩器61和附設(shè)于該脈沖激光光線振蕩器61的重復頻率設(shè)定構(gòu)件62構(gòu)成，所述脈沖激光光線振蕩器61由YAG激光振蕩器或YVO4激光振蕩器構(gòu)成。脈沖激光光線振蕩器61振蕩發(fā)出由重復頻率設(shè)定構(gòu)件62設(shè)定的預定頻率的脈沖激光光線（LB）。重復頻率設(shè)定構(gòu)件62設(shè)定脈沖激光光線振蕩器61振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的重復頻率。所述脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6的脈沖激光光線振蕩器61及重復頻率設(shè)定構(gòu)件62由后述的控制構(gòu)件控制。上述聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7具備：聲光元件71，其用于使脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線（LB）的光軸在加工進給方向（X軸方向）偏轉(zhuǎn)；RF振蕩器72，其生成用于施加到該聲光元件71的RF（radiofrequency射頻）；RF放大器73，其對由該RF振蕩器72生成的RF的功率進行增幅并將所述RF施加到聲光元件71；偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74，其對由RF振蕩器72產(chǎn)生的RF的頻率進行調(diào)整；以及輸出調(diào)整構(gòu)件75，其對由RF振蕩器72產(chǎn)生的RF的振幅進行調(diào)整。上述聲光元件71能夠與被施加的RF的頻率對應地調(diào)整脈沖激光光線的光路偏轉(zhuǎn)的角度，并且能夠與被施加的RF的振幅對應地調(diào)整脈沖激光光線的輸出。另外，作為光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件，也可以使用電光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件代替上述聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7，所述電光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件采用電光元件。上述偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74及輸出調(diào)整構(gòu)件75由后述的控制構(gòu)件控制。激光光線照射構(gòu)件52具備激光光線吸收構(gòu)件76，在對上述聲光元件71施加預定頻率的RF的情況下，所述激光光線吸收構(gòu)件76吸收如圖2中虛線所示地由聲光元件71偏轉(zhuǎn)的脈沖激光光線。上述聚光器8安裝于外殼521的末端，并具備：方向變換鏡81，其用于將由上述聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7偏轉(zhuǎn)的脈沖激光光線的方向變換成朝向下方；和由遠心透鏡構(gòu)成的聚光透鏡82，其用于使由該方向變換鏡81變換了方向的脈沖激光光線聚光。激光光線照射構(gòu)件52如上所述地構(gòu)成，下面參照圖2對其作用進行說明。在通過控制構(gòu)件對聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7的偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74施加例如5V的電壓，對聲光元件71施加與5V對應的頻率的RF的情況下，從脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的光路在圖2中如單點劃線所示地偏轉(zhuǎn)并在聚光點Pa聚光。此外，在通過控制構(gòu)件對偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74施加例如10V的電壓，對聲光元件71施加與10V對應的頻率的RF的情況下，從脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的光路在圖2中如實線所示地偏轉(zhuǎn)，并在從上述聚光點Pa沿X軸方向向圖2中左方移動了預定量的聚光點Pb聚光。另一方面，在通過控制構(gòu)件對偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74施加例如15V的電壓，對聲光元件71施加與15V對應的頻率的RF的情況下，從脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的光路在圖2中如雙點劃線所示地偏轉(zhuǎn)，并在從上述聚光點Pb沿X軸方向向圖2中左方移動了預定量的聚光點Pc聚光。此外，在通過控制構(gòu)件對聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7的偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74施加例如0V的電壓，對聲光元件71施加與0V對應的頻率的RF的情況下，從脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線如圖2中虛線所示地被引導至激光光線吸收構(gòu)件76。這樣，由聲光元件71偏轉(zhuǎn)過的激光光線與施加于偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74的電壓對應地在X軸方向偏轉(zhuǎn)。返回圖1繼續(xù)說明，激光加工裝置1具備等離子光檢測構(gòu)件9，所述等離子光檢測構(gòu)件9安裝于構(gòu)成激光光線照射單元5的激光光線照射構(gòu)件52的外殼521，用于檢測通過從激光光線照射構(gòu)件52向被加工物照射激光光線而產(chǎn)生的等離子光。該等離子光檢測構(gòu)件9具備：等離子光接收構(gòu)件91，其用于接收因如圖3所示地從激光光線照射構(gòu)件52的聚光器8照射的激光光線照射到保持于卡盤工作臺36的被加工物W而產(chǎn)生的等離子光；分光器92，其用于將由該等離子光接收構(gòu)件91接收的等離子光分支成第一光路92a和第二光路92b；第一帶通濾波器93，其配設(shè)于第一光路92a并僅使波長為第一設(shè)定波長（形成后述的被加工物的第一部件的第一材料產(chǎn)生的波長）的光通過；第一光檢測器94，其用于接收通過該第一帶通濾波器93的光并輸出光強度信號；方向變換鏡95，其配設(shè)于第二光路92b；第二帶通濾波器96，其僅使由該方向變換鏡95變換了方向的等離子光的波長為第二設(shè)定波長（形成后述的被加工物的第二部件的第二材料產(chǎn)生的波長）的光通過；以及第二光檢測器97，其用于接收通過該第二帶通濾波器96的光并輸出光強度信號。上述等離子光接收構(gòu)件91由聚光透鏡911和收納該聚光透鏡911的透鏡殼912構(gòu)成，透鏡殼912如圖1所示地安裝于激光光線照射構(gòu)件52的外殼521。而且，如圖1所示地在透鏡殼912配設(shè)有角度調(diào)整用旋鈕913，從而能夠調(diào)整聚光透鏡911的設(shè)置角度。另外，為了僅使鉭酸鋰的等離子光的波長（670nm）的光通過，上述第一帶通濾波器93形成為使波長為660nm～680nm的范圍的光通過。而且，為了僅使銅的等離子光的波長（515nm）的光通過，上述第二帶通濾波器96形成為使波長為500nm～540nm的范圍的光通過。等離子光檢測構(gòu)件9如上所述地構(gòu)成，并且接收通過第一帶通濾波器93的光的第一光檢測器94以及接收通過第二帶通濾波器96的光的第二光檢測器97將與各自接收的光的強度對應的電壓信號輸出到控制構(gòu)件。返回圖1繼續(xù)說明，激光加工裝置1具備攝像構(gòu)件11，所述攝像構(gòu)件11配設(shè)于外殼521的前端部并用于對應該利用上述激光光線照射構(gòu)件52進行激光加工的加工區(qū)域攝像。該攝像構(gòu)件11除利用可見光攝像的通常的攝像元件（CCD）之外，還由向被加工物照射紅外線的紅外線照明構(gòu)件、用于捕捉由該紅外線照明構(gòu)件照射的紅外線的光學系統(tǒng)以及輸出與由該光學系統(tǒng)捕捉到的紅外線對應的電信號的攝像元件（紅外線CCD）等構(gòu)成，從攝像構(gòu)件11輸出的圖像信號被傳送至后述的控制構(gòu)件（參照圖4）。激光加工裝1置具備圖4所示的控制構(gòu)件20?？刂茦?gòu)件20由計算機構(gòu)成，其具備：中央處理器（CPU）201，其用于按照控制程序進行運算處理；只讀存儲器（ROM）202，其用于存儲控制程序等；可讀寫的隨機存儲器（RAM）203，其用于存儲控制關(guān)系圖及被加工物的設(shè)計值的數(shù)據(jù)和運算結(jié)果等；計數(shù)器204；輸入接口205；以及輸出接口206。來自上述X軸方向位置檢測構(gòu)件374、Y軸方向位置檢測構(gòu)件384、等離子光檢測構(gòu)件9的第一光檢測器94和第二光檢測器97、攝像構(gòu)件11等的檢測信號輸入到控制構(gòu)件20的輸入接口205。而且，從控制構(gòu)件20的輸出接口206向上述脈沖馬達372、脈沖馬達382、脈沖馬達432、脈沖馬達532、構(gòu)成激光光線照射構(gòu)件52的脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6的脈沖激光光線振蕩器61、重復頻率設(shè)定構(gòu)件62和聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7的偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74、輸出調(diào)整構(gòu)件75等輸出控制信號。另外，上述隨機存儲器（RAM）203具備用于存儲形成被加工物的物質(zhì)與等離子的波長的關(guān)系的第一存儲區(qū)域203a、用于存儲后述的晶片的設(shè)計值的數(shù)據(jù)的第二存儲區(qū)域203b以及其他存儲區(qū)域。激光加工裝置1如上所述地構(gòu)成，下面對其作用進行說明。在圖5示出了作為被激光加工的被加工物的晶片30的俯視圖。圖5所示的晶片30在厚度為70μm的鉭酸鋰基板300（第一部件）的表面300a由呈格子狀地排列的多條分割預定線301劃分出多個區(qū)域，并在所述劃分出的區(qū)域分別形成器件302。所述各個器件302全部為同一結(jié)構(gòu)。在器件302的表面各自如圖6所示地形成有多個焊盤303（303a～303j）（第二部件）。作為該第二部件的焊盤303（303a～303j）在本實施方式中由銅形成。另外，在本實施方式中，303a和303f、303b和303g、303c和303h、303d和303i、303e和303j的X方向位置相同。所述多個焊盤303（303a～303j）分別形成有從背面300b到達焊盤303的加工孔（通孔）。各器件302的焊盤303（303a～303j）的X方向（圖6中左右方向）的間隔A在本實施方式中被設(shè)定為相同的間隔，并且，形成于各個器件302的焊盤303中的夾著分割預定線301在X方向（圖6中左右方向）相鄰的焊盤即焊盤303e和焊盤303a的間隔B在本實施方式中被設(shè)定為相同的間隔。而且，各器件302的焊盤303（303a～303j）的Y方向（圖6中上下方向）的間隔C在本實施方式中被設(shè)定為相同的間隔，并且，形成于各個器件302的焊盤303中的夾著分割預定線301在Y方向（圖6中上下方向）相鄰的焊盤即焊盤303f和焊盤303a以及焊盤303j和焊盤303e的間隔D在本實施方式中被設(shè)定為相同的間隔。對于這樣構(gòu)成的晶片30，將配設(shè)于圖5所示的各行E1…En以及各列F1…Fn的器件302的個數(shù)和上述各間隔A、B、C、D以及X、Y坐標值的設(shè)計值的數(shù)據(jù)存儲于上述隨機存儲器（RAM）203的第二存儲區(qū)域203b。對利用上述的激光加工裝置1在形成于晶片30的各器件302的焊盤303（303a～303j）部形成激光加工孔（通孔）的激光加工的實施方式進行說明。如圖7所示，晶片30的表面300a粘貼于保護帶50，所述保護帶50由聚烯烴等合成樹脂薄膜形成且安裝于環(huán)狀框架40。因此，晶片30的背面300b成為上側(cè)。這樣隔著保護帶50支承于環(huán)狀框架40的晶片30的靠保護帶50的一側(cè)載置于圖1所示的激光加工裝置1的卡盤工作臺36上。接著，通過使未圖示的抽吸構(gòu)件工作，將晶片30隔著保護帶50抽吸保持于卡盤工作臺36上。從而，晶片30以背面300b在上側(cè)的方式被保持。此外，環(huán)狀框架40由夾緊器362固定。如上述那樣抽吸保持晶片30的卡盤工作臺36借助加工進給構(gòu)件37定位于攝像構(gòu)件11的正下方。當卡盤工作臺36定位于攝像構(gòu)件11的正下方時，卡盤工作臺36上的晶片30成為定位于圖8所示的坐標位置的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，實施校準作業(yè)，在所述校準作業(yè)中，判斷在保持于卡盤工作臺36的晶片30形成的格子狀的分割預定線301是否與X軸方向和Y軸方向平行地配設(shè)。即，借助攝像構(gòu)件11對保持于卡盤工作臺36的晶片30進行攝像，并實行圖案匹配等圖像處理來進行校準作業(yè)。此時，晶片30的形成有分割預定線301的表面300a位于下側(cè)，但由于形成晶片30的鉭酸鋰基板300為透明體，所以能夠從晶片30的背面300b透過而拍攝到分割預定線301。接著，移動卡盤工作臺36，將形成于晶片30的器件302中最上方的行E1的在圖8中最左端的器件302定位于攝像構(gòu)件11的正下方。接著，進一步將形成于器件302的電極303（303a～303j）中在圖8左上方的焊盤303a定位于攝像構(gòu)件11的正下方。在該狀態(tài)下，當攝像構(gòu)件11檢測出焊盤303a時，將其坐標值（a1）作為第一加工進給開始位置坐標值傳送至控制構(gòu)件20。然后，控制構(gòu)件20將該坐標值（a1）作為第一加工進給開始位置坐標值存儲于隨機存儲器（RAM）203（加工進給開始位置檢測工序）。此時，由于攝像構(gòu)件11與激光光線照射構(gòu)件52的聚光器8沿X軸方向隔開預定間隔地配設(shè)，所以存儲的X坐標值是加上上述攝像構(gòu)件11與聚光器8的間隔后得到的值。在如上所述地檢測出圖8中最上方的行E1的器件302的第一加工進給開始位置坐標值（a1）后，使卡盤工作臺36在Y軸方向分度進給，分度進給的量為分割預定線301的間隔，并且使卡盤工作臺36沿X軸方向移動，將圖8中從最上方起第二行E2中最左端的器件302定位于攝像構(gòu)件11的正下方。接著，進一步將形成于器件302的焊盤303（303a～303j）中的圖8中左上方的焊盤303a定位于攝像構(gòu)件11的正下方。當在該狀態(tài)下攝像構(gòu)件11檢測到焊盤303a時，將其坐標值（a2）作為第二加工進給開始位置坐標值傳送至控制構(gòu)件20。接著，控制構(gòu)件20將該坐標值（a2）作為第二加工進給開始位置坐標值存儲于隨機存儲器（RAM）203。此時，由于攝像構(gòu)件11與聚光器8如上所述地沿X軸方向隔開預定間隔地配設(shè)，所以存儲的X坐標值是加上上述攝像構(gòu)件11與聚光器8的間隔后得到的值。此后，控制構(gòu)件20重復實行上述分度進給（Y軸方向的階梯性移動）和加工進給開始位置檢測工序直至圖8中最下方的行En，檢測出在各行形成的器件302的加工進給開始位置坐標值（a3～an），并將其存儲于隨機存儲器（RAM）203。另外，將形成于晶片30的多個器件302中在圖8中最下方的行En的最左端的器件302設(shè)定為計量器件，將該計量器件302的加工進給開始位置坐標值（an）作為計量位置坐標值（an）存儲于隨機存儲器（RAM）203。在實施了上述加工進給開始位置檢測工序后，實施穿孔工序，在所述穿孔工序中，在形成于晶片30的各個器件302的各個焊盤303（303a～303j）的背面穿孔形成激光加工孔（通孔）。在穿孔工序中，首先使加工進給構(gòu)件37工作以移動卡盤工作臺36，將與在上述隨機存儲器（RAM）203存儲的第一加工進給開始位置坐標值（a1）對應的焊盤303a定位于激光光線照射構(gòu)件52的聚光器8的正下方。這樣與第一加工進給開始位置坐標值（a1）對應的焊盤303a定位于聚光器8的正下方的狀態(tài)是圖9的（a）所示的狀態(tài)。從圖9的（a）所示的狀態(tài)起，控制構(gòu)件20控制上述加工進給構(gòu)件37以使卡盤工作臺36沿圖9的（a）中箭頭X1所示的方向以預定的移動速度加工進給，同時使激光光線照射構(gòu)件52工作以從聚光器8照射脈沖激光光線。另外，從聚光器8照射的脈沖激光光線的聚光點P會聚在晶片30的上表面附近。此時，控制構(gòu)件20根據(jù)來自X軸方向位置檢測構(gòu)件374的讀取頭374b的檢測信號輸出用于對聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7的偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74以及輸出調(diào)整構(gòu)件75進行控制的控制信號。另一方面，RF振蕩器72輸出與來自偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74及輸出調(diào)整構(gòu)件75的控制信號對應的RF。從RF振蕩器72輸出的RF的功率被RF放大器73增幅并施加到聲光元件71。其結(jié)果為，聲光元件71使從脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的光路在從圖2中單點劃線所示的位置至雙點劃線所示的位置為止的范圍內(nèi)偏轉(zhuǎn)并且與卡盤工作臺36的移動速度同步。其結(jié)果為，能夠?qū)εc第一加工進給開始位置坐標值（a1）對應的焊盤303a照射預定功率的脈沖激光光線。在實施上述穿孔工序時，控制構(gòu)件20利用計數(shù)器204對激光光線振蕩構(gòu)件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線的脈沖數(shù)進行計數(shù)，并輸入來自等離子光檢測構(gòu)件9的第一光檢測器94的光強度信號。這里，對從第一光檢測器94輸出的光強度信號進行說明。對構(gòu)成晶片30的鉭酸鋰基板300照射脈沖激光光線時，產(chǎn)生波長為670nm的等離子光。該波長為670nm的等離子光如圖3所示地借助構(gòu)成等離子光檢測構(gòu)件9的等離子接收構(gòu)件91的聚光透鏡911而聚光，通過第一帶通濾波器93并到達第一光檢測器94。圖11的（a）示出了對向鉭酸鋰基板300照射上述脈沖激光光線時產(chǎn)生的等離子的光強度進行檢測的第一光檢測器94的輸出電壓。在圖11的（a）中橫軸表示脈沖激光光線的脈沖數(shù)，縱軸表示電壓值（V）。在圖11的（a）所示的實施方式中，在脈沖激光光線的脈沖數(shù)到大約為80～85個脈沖為止，電壓值大約為2.5V，當脈沖激光光線的脈沖數(shù)超過85個脈沖時，電壓值急劇降低，在150個脈沖附近時，電壓值變?yōu)榇蠹s1.5V。而且，在圖11的（b）中示出了對向由銅形成的焊盤303a照射脈沖激光光線時產(chǎn)生的等離子光的光強度進行檢測的第二光檢測器97的輸出電壓。在圖11的（b）中，橫軸表示脈沖激光光線的脈沖數(shù)，縱軸表示電壓值（V）。在圖11的（b）所示的實施方式中，電壓值從脈沖激光光線的脈沖數(shù)為170～175個脈沖起開始上升。然后，在脈沖激光光線的脈沖數(shù)為200個脈沖前后，電壓值變成大約0.2V。該第二光檢測器97的輸出電壓開始上升意味著在鉭酸鋰基板300形成了貫通孔，脈沖激光光線開始照射焊盤303a。基于如上所述地來自第一光檢測器94和第二光檢測器97的輸出電壓，控制裝置20如下所述地控制脈沖激光光線的輸出。即，控制構(gòu)件20在僅輸入來自從第一光檢測器94的輸出電壓（光強度信號）并直到輸入的輸出電壓降低且達到預定值（例如1.5V）為止，控制上述輸出調(diào)整構(gòu)件75為第一輸出（例如，平均輸出為4W，重復頻率為100kHz，每一個脈沖的能量為40μJ）并持續(xù)脈沖激光光線的照射，當來自第一光檢測器94的光輸出電壓（光強度信號）達到預定值時，控制輸出調(diào)整構(gòu)件75為比第一輸出低且不會在鉭酸鋰基板300產(chǎn)生裂紋的第二輸出（例如，平均輸出為2W，重復頻率為50kHz，每一個脈沖的能量為40μJ）并照射脈沖激光光線。然后，在輸出來自第二光檢測器97的輸出電壓（光強度信號）的情況（例如0.2V）下，控制激光光線照射構(gòu)件52以停止脈沖激光光線的照射。這樣，僅輸入來自第一光檢測器94的輸出電壓（光強度信號）并直到輸入的輸出電壓降低且達到預定值（例如1.5V）為止，控制上述輸出調(diào)整構(gòu)件75為第一輸出（例如，平均輸出為4W，重復頻率為100kHz，每一個脈沖的能量為40μJ）并持續(xù)脈沖激光光線的照射，當來自第一光檢測器94的光輸出電壓（光強度信號）達到接近鉭酸鋰基板300的預定值（1.5V）時，控制輸出調(diào)整構(gòu)件75為比第一輸出（例如，平均輸出為4W，重復頻率為100kHz，每一個脈沖的能量為40μJ）低且不會在鉭酸鋰基板300產(chǎn)生裂紋的第二輸出（例如，平均輸出為2W，重復頻率為50kHz，每一個脈沖的能量為40μJ）并照射脈沖激光光線，因此即使脈沖激光光線靠近鉭酸鋰基板300的形成有焊盤的表面也能夠形成到達焊盤303的激光加工孔而不會在鉭酸鋰基板300的形成有焊盤303的表面附近產(chǎn)生裂紋。另外，如下所述地設(shè)定上述穿孔工序中加工條件。<加工條件：第一輸出>光源：LD激發(fā)Q開關(guān)Nd：YVO4脈沖激光器波長：532nm平均輸出：2.4～4W重復頻率：60～100kHz脈沖能量：第一脈沖能量40μJ脈沖寬度：10ps聚光點直徑：脈沖數(shù)：150個脈沖（加工深度：55μm）<加工條件：第二輸出>光源：LD激發(fā)Q開關(guān)Nd：YVO4脈沖激光器波長：532nm平均輸出：0.4～2W重復頻率：10～50kHz脈沖能量：第一脈沖能量40μJ脈沖寬度：10ps聚光點直徑：脈沖數(shù)：50個脈沖（加工深度：15μm）在上述<加工條件：第一輸出>中平均輸出為4W、重復頻率為100kHz的情況下，照射150個脈沖的脈沖激光光線，由此在鉭酸鋰基板300形成加工深度為55μm的激光加工孔。并且，在上述<加工條件：第二輸出>中平均輸出為2W、重復頻率為50kHz的情況下，照射50個脈沖的脈沖激光光線，由此在鉭酸鋰基板300形成加工深度為15μm的激光加工孔并到達焊盤303。另外，對于上述第一輸出的重復頻率，根據(jù)本發(fā)明者的實驗判斷出：若重復頻率大于60kHz，則產(chǎn)生裂紋但能夠高效地加工，但若重復頻率超過100kHz則過度加工而不能形成適當?shù)募す饧庸た?。因此，期望第一輸出設(shè)定為重復頻率為60～100kHz且每一個脈沖的能量為40μJ。并且，對于上述第二輸出的重復頻率，根據(jù)本發(fā)明者的實驗判斷出：重復頻率在50kHz以下時，不會產(chǎn)生裂紋，但重復頻率在不足10kHz時不能形成適當?shù)募す饧庸た住Ｒ虼?，期望第二輸出設(shè)定為重復頻率為10～50kHz且每一個脈沖的能量為40μJ。此外，確認了若每一個脈沖的能量在40μJ以下，則不能適當?shù)剡M行鉭酸鋰基板的加工。另一方面，控制構(gòu)件20輸入來自X軸方向位置檢測構(gòu)件374的讀取頭374b的檢測信號，并利用計數(shù)器204對該檢測信號進行計數(shù)。而且，當計數(shù)器204的計數(shù)值達到下一個焊盤303b的坐標值時，控制構(gòu)件20控制激光光線照射構(gòu)件52實施上述穿孔工序。此后，控制構(gòu)件20每當計數(shù)器204的計數(shù)值達到焊盤303（303c～303e）的坐標值時，都使激光光線照射構(gòu)件52工作來實施上述穿孔工序。接著，當如圖9的（b）所示地在晶片30的E1行的最右端的器件302形成的焊盤303（303c～303e）的在圖9的（b）中最右端的電極303e的位置實施了上述穿孔工序后，停止上述加工進給構(gòu)件37的工作，停止卡盤工作臺36的移動。其結(jié)果為，在晶片30的鉭酸鋰基板300如圖9的（b）所示地形成到達焊盤303a～303e的加工孔304。接著，控制構(gòu)件20控制上述第一分度進給構(gòu)件38以使激光光線照射構(gòu)件52的聚光器8沿圖9的（b）中垂直于紙面的方向分度進給。另一方面，控制構(gòu)件20輸入來自Y軸方向位置檢測構(gòu)件384的讀取頭384b的檢測信號，并利用計數(shù)器204對該檢測信號進行計數(shù)。而且，當計數(shù)器204的計數(shù)值達到與焊盤303在圖6中Y軸方向的間隔C相當?shù)闹禃r，停止第一分度進給構(gòu)件38的工作，停止聚光器8的分度進給。其結(jié)果為，聚光器8定位于與上述焊盤303e相對的焊盤303j（參照圖6）的正上方。該狀態(tài)為圖10的（a）所示的狀態(tài)。在圖10的（a）所示的狀態(tài)下，控制構(gòu)件20控制上述加工進給構(gòu)件37以使卡盤工作臺36沿圖10的（a）中箭頭X2所示的方向以預定的移動速度加工進給，同時使激光光線照射構(gòu)件52工作來實施上述穿孔工序。而且，控制構(gòu)件20如上所述地利用計數(shù)器204對來自X軸方向位置檢測構(gòu)件374的讀取頭374b的檢測信號進行計數(shù)，每當該計數(shù)值達到焊盤303（303j～303f）時，控制構(gòu)件20都使激光光線照射構(gòu)件52工作來實施上述穿孔工序。接著，當如圖10的（b）所示地對在晶片30的E1行的最左端的器件302形成的焊盤303f的位置實施了上述穿孔工序時，停止上述加工進給構(gòu)件37的工作，停止卡盤工作臺36的移動。其結(jié)果為，在晶片30的鉭酸鋰基板300，如圖10的（b）所示地在焊盤303j～303f的背面?zhèn)刃纬杉す饧庸た?04。如上所述，當在與在晶片30的E1行的器件302形成的焊盤303對應的位置，在晶片30的基板300的背面?zhèn)刃纬闪思す饧庸た?04時，控制構(gòu)件20使加工進給構(gòu)件37及第一分度進給構(gòu)件38工作，將在晶片30的E2行的器件302形成的焊盤303中的與存儲于隨機存儲器（RAM）203的第二加工進給開始位置坐標值（a2）對應的焊盤303a定位于激光光線照射構(gòu)件52的聚光器8的正下方。接著，控制構(gòu)件20控制激光光線照射構(gòu)件52和加工進給構(gòu)件37以及第一分度進給構(gòu)件38，對在晶片30的E2行的器件302形成的焊盤303的背面?zhèn)葘嵤┥鲜龃┛坠ば?。然后，對在晶?0的E3～En行的器件302形成的焊盤303的背面?zhèn)纫矊嵤┥鲜龃┛坠ば?。其結(jié)果為，在晶片30的鉭酸鋰基板300，在E3～En行的各個器件302形成的焊盤303的背面?zhèn)刃纬杉す饧庸た?04。另外，在上述穿孔工序中，在圖6中X軸方向的間隔A區(qū)域和間隔B區(qū)域以及圖6中Y軸方向的間隔C區(qū)域和間隔D區(qū)域，不對晶片30照射脈沖激光光線。這樣，為了不對晶片30照射脈沖激光光線，上述控制構(gòu)件20對聲光偏轉(zhuǎn)構(gòu)件7的偏轉(zhuǎn)角度調(diào)整構(gòu)件74施加0V的電壓。其結(jié)果為，對聲光元件71施加與0V對應的頻率的RF，從脈沖激光光線振蕩構(gòu)件6振蕩發(fā)出的脈沖激光光線（LB）在圖2中如虛線所示地被引導至激光光線吸收構(gòu)件76，因此不會照射到晶片30。以上，基于圖示的實施方式對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明并不僅限于實施方式，能夠在本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進行各種變形。例如，在上述實施方式中，對下述例子進行了說明，對于在形成于基板（第一部件）的表面的多個器件分別配設(shè)有焊盤（第二部件）的晶片，形成從基板（第一部件）的背面?zhèn)鹊竭_多個焊盤（第二部件）的多個激光加工孔，不過，也能夠廣泛的應用于在將由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件接合而成的被加工物形成從第一部件到達第二部件的激光加工孔的情況。