一種GaAs基微波器件、單片集成電路背孔的激光打孔加工方法
【專利摘要】一種GaAs基微波器件、單片集成電路背孔的激光打孔加工方法，屬于電子元器件加工【技術(shù)領(lǐng)域】。其使用激光束照射在襯底背面形成背孔；在背面生長(zhǎng)一層SiO2保護(hù)層，防止折射等雜散激光對(duì)襯底表面的影響，并方便去除打孔蒸發(fā)的GaAs殘留在襯底背面表面；使用抽真空裝置防止加工殘留物在背孔表面影響平整度及后序鍍金工藝；通過(guò)指示光結(jié)合顯微鏡和版圖主動(dòng)標(biāo)定后，根據(jù)版圖主動(dòng)控制自動(dòng)完成4至6英寸晶圓打孔，背孔會(huì)通過(guò)襯底、緩沖層等外延層使正面電路與背面接地面形成電氣連接，并提供必要的散熱條件。本發(fā)明加工速度快，可以加工出更小錐度、背面孔徑更小的背孔，這樣增強(qiáng)了晶圓強(qiáng)度可以允許更薄的襯底節(jié)省材料，也有助于更進(jìn)一步的芯片集成。
【專利說(shuō)明】—種GaAs基微波器件、單片集成電路背孔的激光打孔加工方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及GaAs器件及微波單片電路MMIC制造領(lǐng)域，具體涉及到使用激光加工方式實(shí)現(xiàn)晶圓背孔加工制備。

【背景技術(shù)】
[0002]GaAs器件具有高電子遷移率，因此器件具有高頻、低噪聲、高增益特性。砷化鎵基微波單片集成電路(MMIC)，是在半絕緣的砷化鎵襯底上通過(guò)一系列諸如外延生長(zhǎng)、蒸發(fā)、腐蝕等半導(dǎo)體工藝制備出無(wú)源元件和有源器件，并連接起來(lái)構(gòu)成應(yīng)用于微波、毫米波頻段的功能電路。GaAs麗IC能實(shí)現(xiàn)幾乎所有IGHz至10GHz的微電子功能，如功率放大器、低噪聲放大器、衰減器、移相器、微波開(kāi)關(guān)、混頻器等，目前已經(jīng)成為軍用、民用通信領(lǐng)域的關(guān)鍵部件之一。
[0003]但是GaAs的導(dǎo)熱性較差，功率性器件產(chǎn)生的熱效應(yīng)是影響其可靠性最大的問(wèn)題之一。一種普遍的增加器件散熱的方法是，在GaAs器件的背面，做出一些通孔，稱為背孔(Back-via)。在這些孔上覆金或銅等導(dǎo)電金屬后，除了充當(dāng)熱沉的作用，也可以完成對(duì)器件射頻(RF)信號(hào)的接地處理，且相對(duì)于引線鍵合接地方式具有較低的寄生電感。
[0004]傳統(tǒng)的背孔工藝是在正面電路制備完成后，將晶圓從背面減薄至30?100 μ m左右。晶圓背面涂上光致抗腐蝕膠做成的圖案，用干法刻蝕形成通孔至接觸正面表面金屬。之后通過(guò)濺射或蒸發(fā)金屬在背孔表面形成導(dǎo)電層并鍍金。目前干法刻蝕主要是使用高密度等離子體系統(tǒng)(HDP)，如電感耦合等離子體(ICP)，電子回旋振蕩等離子體(ECR)等。
[0005]干法刻蝕的效果與ICP功率、RF Bias、保護(hù)氣cl2、等離子體氣體壓力等有關(guān)，需要復(fù)雜的調(diào)試過(guò)程；且成型效果與襯底材料性能(各向異性、各向同性)及材料的組分(GaAs、InGaP、GaInAs、GaAlAs)密切相關(guān)，刻蝕速度較慢，100 μ m厚的GaAs襯底大概需要4個(gè)小時(shí)左右；刻蝕后孔的表面特性與材料性能、等離子體等相關(guān)，受殘留物影響較大；背面孔徑較大，一般在100 μ m量級(jí)，若背孔數(shù)量太多就需要更厚的襯底加強(qiáng)晶圓強(qiáng)度，并且影響芯片的進(jìn)一步集成。
[0006]激光打孔具有效率高、成本低、孔內(nèi)錐度更小、孔內(nèi)表面損傷小、電鍍金屬后應(yīng)力小、加工殘留物方便處理及綜合技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益顯著等優(yōu)點(diǎn)，因此可廣泛應(yīng)用于民用、國(guó)防等工業(yè)領(lǐng)域上，目前已經(jīng)有專利使用激光打孔的方式作為硅基集成電路的通孔工藝。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供了一種GaAs基微波器件、微波單片集成電路(MMIC)的背孔加工工藝，具體是使用激光技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)背孔制備。
[0008]一種GaAs基微波器件、單片集成電路背孔激光打孔加工方法，包括如下步驟:
[0009]S1:制備含標(biāo)定圖案的版圖，晶圓背面生長(zhǎng)S12層，標(biāo)定初始加工位置；
[0010]S2:使用抽真空裝置，抽取激光加工過(guò)程產(chǎn)生的廢氣；
[0011]S3:調(diào)整激光各參數(shù)完成整個(gè)晶圓上的背孔加工，在加工過(guò)程中使用抽真空裝置抽取廢氣。
[0012]本發(fā)明提供了一種使用激光打孔加工方法，實(shí)現(xiàn)GaAs基晶圓即GaAs基微波器件、微波單片集成電路(MMIC)背孔工藝；
[0013]其可用于GaAs基微波器件，包括:HEMT器件、HBT件、肖特基二極管、激光二極管；以及GaAs基微波單片集成電路MMIC的制備工藝；
[0014]所述工藝用于完成4英寸、6英寸的GaAs基晶圓的背孔工藝，背面孔徑在30?100 μ m之間；
[0015]所述GaAs基晶圓是指以GaAs襯底，其它外延層為InGaP外延層，或InGaAs外延層，或AlGaAs外延層。
[0016]工藝所需的激光加工系統(tǒng)，其包含所用激光器為CO2激光器，或半導(dǎo)體激光器，或光纖激光器；產(chǎn)生的激光為脈寬可調(diào)制的超短脈沖激光；光束束腰直徑為μ m級(jí)，光束類型為高斯光束；所產(chǎn)生的激光功率在1W?500W之間，完成厚度為30?100 μ m的打孔。
[0017]工藝所需的激光加工系統(tǒng)中載物臺(tái)材料為鋼化石英玻璃，下面設(shè)有激光功率探測(cè)器；載物臺(tái)尺寸上分為4英寸和6英寸兩類，可自由更換，且邊緣切痕與所在工藝線用于晶圓標(biāo)記的邊緣切痕一致，即載物臺(tái)尺寸、形狀與晶圓尺寸、定位邊切痕吻合。
[0018]所述的背孔激光打孔加工方法，是在完成器件的正面制備、及背面晶圓減薄工藝后進(jìn)行的，其中背面減薄工藝將晶圓減薄至30?ΙΟΟμπι ;
[0019]減薄工藝完成之后，在晶圓背面表面生長(zhǎng)一層S12保護(hù)層，厚度為0.2μπι。
[0020]在運(yùn)用激光加工前，做好晶圓版圖，且版圖中要提前做好標(biāo)定圖案；
[0021]所述版圖標(biāo)定圖案分為五組，分別分布于晶圓表面邊緣位置，呈五邊形分布；標(biāo)定點(diǎn)圖案為在晶圓正面表面覆上的圓形即標(biāo)定圖案I和相鄰的環(huán)形即標(biāo)定圖案2的金屬層，此金屬層與電路包括金屬材料、厚度在內(nèi)的性質(zhì)相同。
[0022]所述工藝過(guò)程為，將器件、電路版圖輸入激光加工計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中；放置晶圓，注意使用相應(yīng)尺寸的載物臺(tái)，使載物臺(tái)切痕與晶圓定位邊吻合；運(yùn)用激光進(jìn)行打孔加工前首先開(kāi)啟抽真空系統(tǒng)功能，并在加工過(guò)程中始終維持真空系統(tǒng)的運(yùn)行；結(jié)合指示光、顯微鏡監(jiān)視圖像、晶圓和版圖上事先確定的標(biāo)定圖案、雙面曝光形成背面的標(biāo)定圖案標(biāo)定初始加工占.
[0023]進(jìn)行激光加工系統(tǒng)復(fù)位操作，使加工系統(tǒng)指示光移動(dòng)至加工初始點(diǎn)，即晶圓右下角、切痕右上方環(huán)形標(biāo)定圖案；結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及經(jīng)驗(yàn)調(diào)整激光功率、離焦量、光斑大小、脈沖寬度、脈沖數(shù)量等參數(shù)控制打孔速率、深度、尺寸，進(jìn)行標(biāo)定操作；
[0024]標(biāo)定完成后，調(diào)整穩(wěn)定的激光參數(shù)，使用激光束照射在襯底背面形成背孔，并完成整個(gè)晶圓的所有背孔加工；去除掉背面表面的S12保護(hù)層，保證背面無(wú)加工殘留物；通過(guò)背面蒸發(fā)或?yàn)R射金屬工藝進(jìn)行鍍金。
[0025]標(biāo)定方法中對(duì)環(huán)形標(biāo)定圖案進(jìn)行激光打孔，使穿透GaAs襯底以及其他外延層；對(duì)圓形標(biāo)定圖案進(jìn)行激光打孔，使在穿透GaAs襯底以及其他外延層的同時(shí)，不損傷正面表面金屬；加工系統(tǒng)固定晶圓的載物臺(tái)上預(yù)設(shè)的光探測(cè)器，通過(guò)探測(cè)透過(guò)的光功率監(jiān)察打孔狀態(tài)；
[0026]標(biāo)定后激光各加工參數(shù)保存在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)王控程序中
[0027]本發(fā)明使用激光打孔具有的優(yōu)勢(shì)是，加工速度快，激光打孔，每個(gè)背孔只需要幾秒甚至更少的時(shí)間(和激光功率、脈寬相關(guān))，而傳統(tǒng)干法刻蝕對(duì)于100 μ m厚的GaAs晶圓，需要4個(gè)小時(shí)左右，時(shí)間可以節(jié)省一半以上；背孔孔內(nèi)表面平整度高；加工殘留物對(duì)背孔孔內(nèi)表面影響??；應(yīng)用過(guò)程中，若晶圓背面表面殘留物對(duì)電氣性能影響不大，則可以省去背面生長(zhǎng)S12保護(hù)層的工藝過(guò)程；激光準(zhǔn)直性好，調(diào)節(jié)離焦量和光斑等參數(shù)可以加工出更小錐度、背面孔徑更小的背孔，這樣增強(qiáng)了晶圓強(qiáng)度可以允許更薄的襯底節(jié)省材料，也有助于更進(jìn)一步的芯片集成。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1為激光打孔形成背孔工藝原理框圖；
[0029]圖2為載物臺(tái)上晶圓標(biāo)定位置206以及標(biāo)定圖案202、203 ；
[0030]圖3至圖5束腰位置302位于加工件305不同位置，背孔不同的截面形狀；
[0031]其中:
[0032]圖3為束腰位置302位于加工件305的正面303邊緣位置時(shí)背孔的截面形狀；
[0033]圖4為束腰位置302位于加工件305的中間303位置時(shí)背孔的截面形狀；
[0034]圖5為束腰位置302位于加工件305的正面303下方位置時(shí)背孔的截面形狀；
[0035]圖6為所加工的GaAs基晶圓外延層與S12保護(hù)層103示意圖；
[0036]圖7為激光打孔加工后的背孔示意圖。
[0037]實(shí)施方案
[0038]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)于本發(fā)明做進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0039]本發(fā)明的這種背孔工藝可用于，GaAs基微波器件，如:HEMT器件、HBT器件、肖特基二極管、激光二極管等；以及GaAs基微波單片集成電路(MMIC)的制備。
[0040]所述背孔通過(guò)襯底及外延層，使正面電路與背面接地面形成電氣連接，并提供必要的散熱條件。
[0041]所述工藝是在完成正面器件及電路制備，以及背面晶圓減薄工藝后，背面蒸發(fā)或?yàn)R射及鍍金工藝之前。
[0042]所述工藝可以完成4英寸、6英寸的GaAs基晶圓的背孔工藝，背面孔徑約為30?100 μ m之間，由于激光打孔的優(yōu)勢(shì)其背孔孔徑可以做到小于傳統(tǒng)干法刻蝕工藝尺度。
[0043]所述GaAs基晶圓，如圖1所示,不僅是指GaAs襯底102,也包含GaAs緩沖層，以及包含InGaP或InGaAs或AlGaAs外延層104的晶圓結(jié)構(gòu)。
[0044]所用激光器106為CO2激光器，或半導(dǎo)體激光器，或光纖激光器；產(chǎn)生的激光為脈寬可調(diào)制的超短脈沖激光；光束束腰直徑為μ m級(jí)，光束類型為高斯光束；所產(chǎn)生的激光功率在1W?500W之間，完成晶圓厚度為30?ΙΟΟμπι的打孔。
[0045]所述工藝使用的激光加工系統(tǒng)，如圖1所示。所述載物臺(tái)105為自主設(shè)計(jì)，其材料為鋼化石英玻璃，尺寸上分為4英寸、6英寸，可自由更換，且邊緣切痕與所在工藝線用于晶圓標(biāo)記的邊緣切痕一致，即載物臺(tái)尺寸、形狀與晶圓尺寸、定位邊切痕吻合。
[0046]所述工藝可以通過(guò)激光功率、離焦量、光斑大小、脈沖寬度、加工方式等，方便加工所需求的錐度不同的錐形孔；由于激光準(zhǔn)直性好的優(yōu)勢(shì)，此錐度將小于傳統(tǒng)干法刻蝕工藝的錐度，使背孔孔徑更小。其加工錐度范圍為75°?85°之間。
[0047]激光的離焦量、束腰光斑大小對(duì)背孔的形狀、與正面電路金屬層接觸點(diǎn)的孔徑大小影響較大，如圖2所示，即激光束301的束腰302位置位于加工件305不同位置所加工的背孔不同的截面形狀:其中:
[0048]圖3為束腰位置302位于加工件305的正面303邊緣位置時(shí)背孔的截面形狀；
[0049]圖4為束腰位置302位于加工件305的中間303位置時(shí)背孔的截面形狀；
[0050]圖5為束腰位置302位于加工件305的正面303下方位置時(shí)背孔的截面形狀；
[0051]根據(jù)需要，本發(fā)明應(yīng)該選擇調(diào)整離焦量使束腰位置302位于正面電路金屬層接觸處，如圖3所示，因此束腰位置的光斑大小，將是影響與正面電路金屬層接觸點(diǎn)的孔徑大小的主要原因；
[0052]針對(duì)不同厚度的晶圓調(diào)整脈沖寬度和脈沖序列，使激光作用功率滿足加工要求。
[0053]所述工藝過(guò)程包括:
[0054]晶圓版圖中，除目標(biāo)器件、電路版圖外，也要提前做好背面工藝所用的標(biāo)定位置201 ;如圖2所示，其中標(biāo)定點(diǎn)201分為五組，分別分布于晶圓表面邊緣位置，呈五邊形分布；標(biāo)定點(diǎn)圖案為在晶圓正面表面覆上的圓形(標(biāo)定圖案202)和環(huán)形(標(biāo)定圖案203)金屬層，此金屬層與電路金屬材料、厚度等性質(zhì)相同；
[0055]完成正面的器件及電路制備；完成背面減薄工藝，晶圓減薄至30?100 μ m ;。
[0056]在晶圓背面表面生長(zhǎng)一層S12保護(hù)層103，厚度約為0.2μπι左右；這是為了防止打孔后殘余材料濺射到背面襯底表面，或方便去除濺射出的加工殘留物，也方便防止折射等雜散激光對(duì)襯底背面表面的影響；
[0057]將器件、電路、標(biāo)定位置的晶圓上版圖輸入激光加工計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中；
[0058]放置晶圓，注意使用相應(yīng)尺寸的載物臺(tái)105，使載物臺(tái)切痕與晶圓定位邊204吻合；這是為了標(biāo)定初始加工位置必須的步驟；
[0059]加工時(shí)首先打開(kāi)真空系統(tǒng)；加工過(guò)程中始終保持系統(tǒng)處于真空狀態(tài)，以防止加工中產(chǎn)生的GaAs生成物殘留在背孔孔內(nèi)表面影響平整度、后序鍍金工藝以及電氣性能；
[0060]結(jié)合指示光107、顯微鏡108監(jiān)視圖像、晶圓和版圖上事先確定的標(biāo)定位置進(jìn)行加工前位置和參數(shù)的標(biāo)定；標(biāo)定的具體過(guò)程為:
[0061]I)激光系統(tǒng)106復(fù)位:使加工頭指示光107位于晶圓(載物臺(tái)105)中心；根據(jù)晶圓尺寸，結(jié)合雙面曝光形成背面的標(biāo)定圖案，控制加工頭和控制系統(tǒng)內(nèi)指示標(biāo)志由中心點(diǎn)205移動(dòng)至加工初始點(diǎn)206，即圖2中晶圓右下角環(huán)形圖案203 ；
[0062]2)結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及經(jīng)驗(yàn)調(diào)整激光功率、離焦量、光斑大小、脈沖寬度、脈沖數(shù)量等參數(shù)控制打孔速率、深度、尺寸；其中，調(diào)整光斑保證晶圓背面孔徑大小在30?10um之間，激光功率可打孔厚度在30?10um之間；
[0063]3)對(duì)標(biāo)定圖案203進(jìn)行激光打孔，使穿透GaAs襯底102以及其他外延層104 ;對(duì)標(biāo)定圖案202進(jìn)行激光打孔，使在穿透GaAs襯底102以及其他外延層104的同時(shí)，不損傷正面表面金屬101 ；
[0064]4)打孔標(biāo)定時(shí)候，觀察孔的表面形態(tài)，確?？椎男螤顬殄F形，如圖3所示；
[0065]五組標(biāo)定全部完成并滿足要求之后，進(jìn)行整個(gè)晶圓上的自動(dòng)打孔；
[0066]標(biāo)定后激光各加工參數(shù)應(yīng)自動(dòng)保存在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)王控程序中；
[0067]調(diào)整好激光各個(gè)參數(shù)、標(biāo)定好加工位置信息后，使用激光束照射在襯底背面形成背孔，計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制完成整個(gè)晶圓的所有背孔加工；
[0068]去除掉背面表面的S12保護(hù)層103，保證背面無(wú)加工殘留物；
[0069]通過(guò)背面蒸發(fā)或?yàn)R射金屬并隨后鍍金。
【權(quán)利要求】
1.一種GaAs基微波器件、單片集成電路背孔激光打孔加工方法，其特征在于，包括如下步驟: 51:制備含標(biāo)定圖案的版圖，晶圓背面生長(zhǎng)S12層,標(biāo)定初始加工位置； 52:使用抽真空裝置，抽取激光加工過(guò)程產(chǎn)生的廢氣； 53:調(diào)整激光各參數(shù)完成整個(gè)晶圓上的背孔加工，在加工過(guò)程中使用抽真空裝置抽取廢氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背孔激光打孔加工方法，其特征在于，其提供了一種使用激光打孔加工方法，實(shí)現(xiàn)GaAs基晶圓即GaAs基微波器件、微波單片集成電路(MMIC)背孔工藝； 其可用于GaAs基微波器件，包括:HEMT器件、HBT器件、肖特基二極管；以及GaAs基微波單片集成電路MMIC的制備工藝； 所述工藝用于完成4英寸、6英寸的GaAs基晶圓的背孔工藝，背面孔徑在30?100 μ m之間； 所述GaAs基晶圓是指以GaAs襯底，其它外延層為InGaP外延層，或InGaAs外延層，或AlGaAs外延層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背孔激光打孔加工方法，其特征在于，工藝所需的激光加工系統(tǒng)，其包含所用激光器為CO2激光器，或半導(dǎo)體激光器，或光纖激光器；產(chǎn)生的激光為脈寬可調(diào)制的超短脈沖激光；光束束腰直徑為μ m級(jí)，光束類型為高斯光束；所產(chǎn)生的激光功率在1W?500W之間，完成厚度為30?100 μ m的打孔； 工藝所需的激光加工系統(tǒng)中載物臺(tái)材料為鋼化石英玻璃，下面設(shè)有激光功率探測(cè)器；載物臺(tái)尺寸上分為4英寸和6英寸兩類，可自由更換，且邊緣切痕與所在工藝線用于晶圓標(biāo)記的邊緣切痕一致，即載物臺(tái)尺寸、形狀與晶圓尺寸、定位邊切痕吻合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背孔激光打孔加工方法，其特征在于，其是在完成器件的正面器件和電路制備、及背面晶圓減薄工藝后進(jìn)行的，其中背面減薄工藝將晶圓減薄至30?100 μ m ； 減薄工藝完成之后，在晶圓背面表面生長(zhǎng)一層S12保護(hù)層，厚度為0.2 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背孔激光打孔加工方法，其特征在于，其在運(yùn)用激光加工前，做好晶圓版圖，且版圖中要提前做好標(biāo)定圖案； 所述版圖標(biāo)定圖案分為五組，分別分布于晶圓表面邊緣位置，呈五邊形分布；標(biāo)定點(diǎn)圖案為在晶圓正面表面覆上的圓形和相鄰的環(huán)形金屬層，此金屬層與電路金屬材料、厚度的性質(zhì)相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背孔激光打孔加工方法，其特征在于，所述工藝過(guò)程為，將器件、電路版圖輸入激光加工計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中；放置晶圓，注意使用相應(yīng)尺寸的載物臺(tái)，使載物臺(tái)切痕與晶圓定位邊吻合；運(yùn)用激光進(jìn)行打孔加工前首先開(kāi)啟抽真空系統(tǒng)功能，并在加工過(guò)程中始終維持真空系統(tǒng)的運(yùn)行；結(jié)合指示光、顯微鏡監(jiān)視圖像、晶圓和版圖上事先確定的標(biāo)定圖案、雙面曝光形成背面的標(biāo)定圖案標(biāo)定初始加工點(diǎn)； 進(jìn)行激光加工系統(tǒng)復(fù)位操作，使加工系統(tǒng)指示光移動(dòng)至加工初始點(diǎn)，即晶圓右下角、切痕右上方環(huán)形標(biāo)定圖案；結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及經(jīng)驗(yàn)調(diào)整激光功率、離焦量、光斑大小、脈沖寬度、脈沖數(shù)量等參數(shù)控制打孔速率、深度、尺寸，進(jìn)行標(biāo)定操作； 標(biāo)定完成后，調(diào)整穩(wěn)定的激光參數(shù)，使用激光束照射在襯底背面形成背孔，并完成整個(gè)晶圓的所有背孔加工；去除掉背面表面的S12保護(hù)層，保證背面無(wú)加工殘留物；通過(guò)背面蒸發(fā)或?yàn)R射金屬工藝進(jìn)行鍍金。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背背孔激光打孔加工方法，其特征在于:標(biāo)定方法中對(duì)環(huán)形標(biāo)定圖案進(jìn)行激光打孔，使穿透GaAs襯底以及其他外延層；對(duì)圓形標(biāo)定圖案進(jìn)行激光打孔，使在穿透GaAs襯底以及其他外延層的同時(shí)，不損傷正面表面金屬；加工系統(tǒng)固定晶圓的載物臺(tái)上預(yù)設(shè)的光探測(cè)器，通過(guò)探測(cè)透過(guò)的光功率監(jiān)察打孔狀態(tài)； 標(biāo)定后激光各加工參數(shù)保存在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)王控程序中。
【文檔編號(hào)】B23K26/382GK104162745SQ201410331642
【公開(kāi)日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月11日
【發(fā)明者】王智勇, 高鵬坤, 鄭建華, 王青 申請(qǐng)人:北京工業(yè)大學(xué)