本實(shí)用新型涉及電磁屏蔽技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種屏蔽罩框架。

背景技術(shù)：

現(xiàn)代電子產(chǎn)品日趨向于薄輕化，并對電子產(chǎn)品要求越來越高，尤其是對電子設(shè)備硬件及性能的穩(wěn)定性要求。目前諸多零器件采用的是表面焊接工藝(SMT)來進(jìn)行安裝Shield Frame(屏蔽罩框架)，該工藝對Shield Frame(屏蔽罩框架)平面度要求較高。

而目前，Shield Frame產(chǎn)品在制作中，因Shield Frame產(chǎn)品比較大，模具工藝是下料折彎結(jié)構(gòu)，再經(jīng)過螺絲來調(diào)整平面度，其主要缺點(diǎn)在于，沖壓模具只考慮螺絲結(jié)構(gòu)來調(diào)整平面度，但此種方案在調(diào)整時(shí)，需要對多個螺絲進(jìn)行調(diào)整，且調(diào)模時(shí)間長，以及零件備件使用頻率高，從而增加模具維修成本費(fèi)用及影響生產(chǎn)效率降低；此外，平面度受材料殘余應(yīng)力的影響，尺寸穩(wěn)定性差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種平面度穩(wěn)定、維修成本低的屏蔽罩框架。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：提供一種屏蔽罩框架，包括本體，所述本體的表面設(shè)有若干印記點(diǎn)，所述印記點(diǎn)為凹陷或凸起，所述表面的拉伸及折彎邊緣開設(shè)有沖孔。

進(jìn)一步地，若干所述印記點(diǎn)為陣列排布在本體的表面上。

進(jìn)一步地，所述印記點(diǎn)的形狀為方形、圓形或橢圓形。

進(jìn)一步地，所述印記點(diǎn)的大小為0.1-0.6毫米。

進(jìn)一步地，所述印記點(diǎn)的間距為0.3-0.6毫米。

進(jìn)一步地，所述印記點(diǎn)的深度為0.03-0.1毫米。

本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型的屏蔽罩框架，在原材料料帶表面上增加印記點(diǎn)，使材料強(qiáng)度加強(qiáng)，同時(shí)，在產(chǎn)品拉伸及折彎邊緣增加沖孔結(jié)構(gòu)，消除材料殘余應(yīng)力，使產(chǎn)品平面度能更穩(wěn)定。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的屏蔽罩框架的制作工藝的工藝流程框圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的屏蔽罩框架的原材料料帶的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的屏蔽罩框架的沖壓沖孔后的正面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的屏蔽罩框架的沖壓沖孔后的背面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例的屏蔽罩框架的正面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例的屏蔽罩框架的背面結(jié)構(gòu)示意圖。

標(biāo)號說明：

1、本體；11、表面；2、印記點(diǎn)；3、沖孔。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說明。

本實(shí)用新型最關(guān)鍵的構(gòu)思在于:本實(shí)用新型的屏蔽罩框架，本體1的表面11設(shè)有若干印記點(diǎn)2，印記點(diǎn)2為凹陷或凸起，表面11的拉伸及折彎邊緣開設(shè)有沖孔3，具有該凹陷或凸起的屏蔽罩框架可有效保證平面度。

請參閱圖1，本實(shí)用新型屏蔽罩框架的制作工藝，包括如下步驟：

S1、在原材料料帶上打印記點(diǎn)，該印記點(diǎn)為間隔設(shè)置的凹陷或凸起，制得坯件；

S2、在坯件上需要拉伸及折彎的邊緣處開孔。

從上述描述可知，本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型的制作工藝，在制作時(shí)不會增加模具加工難度，而且本實(shí)用新型相對于現(xiàn)有技術(shù)的方案，可有效降低成本，現(xiàn)有技術(shù)的模具中零件備件因使用頻率高，模具維修頻率高(預(yù)估1天/次)，且良品率大約在80.2％，而本實(shí)用新型采用上述的工藝，可有效提高生產(chǎn)效率且良率大約可提升90％以上，而模具維修/保養(yǎng)時(shí)間可變更2-3天/次，相對之前修模費(fèi)用大大降低。

進(jìn)一步的，所述原材料包括SUS不銹鋼、洋白銅、鋁材、馬口鐵、預(yù)鍍Ni鋁材或預(yù)鍍鎳SUS。

由上述描述可知，原材料可以為SUS不銹鋼、洋白銅、鋁材、馬口鐵、預(yù)鍍Ni鋁材或預(yù)鍍鎳SUS，原材料的優(yōu)選的厚度范圍為0.1-0.35毫米。

進(jìn)一步的，所述印記點(diǎn)2為陣列排布，所述印記點(diǎn)2的深度為0.03-0.1毫米。

如圖2至圖6所示的屏蔽罩框架，包括本體1，所述本體1的表面11設(shè)有若干印記點(diǎn)2，所述印記點(diǎn)2為凹陷或凸起，所述表面11的拉伸及折彎邊緣開設(shè)有沖孔3。

從上述描述可知，本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型的屏蔽罩框架，在原材料料帶表面上增加印記點(diǎn)2，使材料強(qiáng)度加強(qiáng)，同時(shí)，在產(chǎn)品拉伸及折彎邊緣增加沖孔3結(jié)構(gòu)，消除材料殘余應(yīng)力，使產(chǎn)品平面度能更穩(wěn)定。

進(jìn)一步的，若干所述印記點(diǎn)2為陣列排布在本體1的表面11上。

印記點(diǎn)2采用陣列排布，可均勻增強(qiáng)本體1的整體的強(qiáng)度，同時(shí)，陣列排布外形更加美觀。

進(jìn)一步的，所述印記點(diǎn)2的形狀為方形、圓形或橢圓形。

進(jìn)一步地，所述印記點(diǎn)2的大小為0.1-0.6毫米。

進(jìn)一步地，所述印記點(diǎn)2的間距為0.3-0.6毫米。

進(jìn)一步地，所述印記點(diǎn)2的深度為0.03-0.1毫米。

請參照圖2至圖6，本實(shí)用新型的實(shí)施例一為：本實(shí)施例屏蔽罩框架，包括本體1，該本體1的表面11設(shè)有若干印記點(diǎn)2，印記點(diǎn)2為凹陷或凸起并陣列排布在本體1的表面11，在表面11的拉伸及折彎邊緣還開設(shè)有沖孔3。

該凹陷或凸起的形狀為方形、圓形或橢圓形，或其形狀的組合。印記點(diǎn)2優(yōu)選的大小為0.3或0.4毫米，間距優(yōu)選為0.4或0.5毫米，深度為0.03-0.1毫米0.06或0.07毫米。

如圖1所示為該屏蔽罩框架的制作工藝流程框圖，包括如下步驟：

S1、在進(jìn)入模具的原材料料帶上打印記點(diǎn)2，該印記點(diǎn)2為間隔設(shè)置的凹陷或凸起，制得坯件，該原材料包括SUS不銹鋼、洋白銅、鋁材、馬口鐵、預(yù)鍍Ni鋁材或預(yù)鍍鎳SUS，印記點(diǎn)2為陣列排布，印記點(diǎn)2的深度為0.03-0.1毫米；

S2、在坯件上需要拉伸及折彎的邊緣處開孔。

綜上所述，本實(shí)用新型提供的屏蔽罩框架及其制作工藝，使產(chǎn)品平面度能更穩(wěn)定，并且可有效降低模具的維修費(fèi)用。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。