專利名稱：：晶片研磨機(jī)臺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種晶片研磨機(jī)臺，特別是涉及一種可避免晶片產(chǎn)生十字裂痕的晶背研磨機(jī)臺(waferbacksidegrindingapparatus)。
背景技術(shù)：
：晶背研磨機(jī)臺主要是用來研磨半導(dǎo)體晶片的背面，以有效控制半導(dǎo)體晶片的厚度，進(jìn)而方便后續(xù)封裝制作工藝的進(jìn)行。一般而言，晶背研磨機(jī)臺內(nèi)包括有定位平臺、研磨平臺以及旋轉(zhuǎn)平臺等基座，而半導(dǎo)體晶片依序在各種基座上進(jìn)行定位、研磨與清洗等程序。此外，晶背研磨機(jī)臺還包括有一晶片傳送裝置，以使半導(dǎo)體晶片可移動在各種基座之間。其中由于半導(dǎo)體晶片與晶片傳送裝置的接觸頻繁，因此為了避免半導(dǎo)體晶片在傳送過程中受到損傷，晶片傳送裝置的設(shè)計便為一相當(dāng)重要的課題。請參考圖1與圖2，圖1為現(xiàn)有晶背研磨機(jī)臺的晶片傳送裝置的示意圖，圖2為現(xiàn)有具有十字裂痕的晶片示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有的晶片傳送裝置10包括有一晶片吸墊12，用來利用真空吸力(vacuumsuction)以吸附晶片16，以及一傳送臂14，連接于晶片吸墊12上，并用來傳送吸附于晶片吸墊12上的晶片16。其中，晶片吸墊12是由陶瓷材料所構(gòu)成，因此晶片吸墊12的上表面12a與下表面12b均為硬度極高的表面。此外，晶背研磨機(jī)臺用來在晶片16上進(jìn)行一晶背研磨制作工藝，以使晶片16的厚度減少至小于30微米，進(jìn)而方便后段封裝制作工藝的進(jìn)行。不過，晶背研磨制作工藝通常會產(chǎn)生大量的污染顆粒18(例如硅粉)，附著于晶片16、以及晶片吸墊12的上表面12a與下表面12b。如圖1與圖2所示，由于研磨后的晶片16表面附有污染顆粒18并具有較薄的厚度，而且又因為晶片吸墊12具有一高硬度且大面積的下表面12b，所以當(dāng)晶片吸墊12利用真空吸力吸起晶片16時，便容易在晶片16上產(chǎn)生十字裂痕20，因而導(dǎo)致晶片16的報廢。然而，在進(jìn)行晶背研磨制作工藝之前，各種集成電路以及金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)等均已制作在晶片16之上，因此報廢晶片16不僅降低制作工藝合格率，更會大幅度提高制作工藝成本。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種晶片研磨機(jī)臺，以解決前述問題。依據(jù)本發(fā)明的目的，本發(fā)明的較佳實施例提供一種晶片研磨機(jī)臺，其包括有一用來傳送一晶片的晶片傳送裝置、一第一噴嘴以及一第二噴嘴。其中，晶片傳送裝置包括有至少一晶片吸墊(suctionpad)與一傳送機(jī)構(gòu)，并且晶片吸墊具有一第一表面，連接于傳送機(jī)構(gòu)，以及一軟性的第二表面，用以吸附晶片。此外，第一噴嘴用來噴灑一第一液體于第一表面上，以清洗第一表面，而第二噴嘴用來在第二表面與晶片上噴灑一第二液體，以清洗第二表面與晶片。由于本發(fā)明提供一軟性的第二表面來吸附晶片，因而可減輕晶片被吸附于晶片吸墊時所承受的沖擊力，并且本發(fā)明另在晶片吸墊的上下兩側(cè)提供第一、與第二噴嘴，以徹底地清除附著于晶片吸墊的污染顆粒，因此，本發(fā)明可避免晶片產(chǎn)生十字裂痕。圖1為現(xiàn)有晶背研磨機(jī)臺的晶片傳送裝置的示意圖；圖2為現(xiàn)有具有十字裂痕的晶片示意圖；圖3至圖6為本發(fā)明較佳實施例的晶片研磨機(jī)臺示意圖；圖7為本發(fā)明第二實施例的晶片吸墊示意圖；圖8為本發(fā)明第三實施例的晶片吸墊示意圖；圖9為本發(fā)明第四實施例的晶片吸墊示意圖；圖10為本發(fā)明第五實施例的晶片吸墊示意圖。具體實施例方式請參考圖3至圖6，圖3至圖6為本發(fā)明較佳實施例的晶片研磨機(jī)臺示意圖。如圖3所示，本發(fā)明的晶片研磨機(jī)臺30包括有一殼體32，二個晶舟置放座34a與34b，用來放置多個晶片36，一定位平臺40，用來調(diào)整各晶片36的方位，一旋轉(zhuǎn)平臺42，用來清洗研磨后的晶片36，以及一機(jī)械手臂38，用來將晶片36自晶舟置放座34a傳送至定位平臺40或是將晶片36從旋轉(zhuǎn)平臺42傳送至晶舟置放座34b。此外，晶片研磨機(jī)臺30另包括有二個厚度量測單元46a與46b，用來測量晶片36的厚度，以及二個研磨裝置48與58，用來研磨晶片36的背面以減少晶片36的厚度，其中研磨裝置48與58分別為一粗磨裝置(coarse-grindingdevice)與一細(xì)磨裝置(fine-grindingdevice)，而晶片研磨機(jī)臺30為一晶背研磨機(jī)臺。請同時參照圖3與圖4，粗磨裝置48包括有一研磨平臺50，一研磨砂輪(grindingwheel)56(僅于圖4標(biāo)出)，一連接至研磨砂輪56的轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元(rotarydrivingunit)52，以及一連接至轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元52的滑動驅(qū)動單元(slidingdrivingunit)54。其中，研磨平臺50用來承放并固定晶片36，并且由于晶片36的正面面對研磨平臺50，所以研磨平臺50的表面另設(shè)有一研磨保護(hù)膠帶50a，用以保護(hù)晶片36表面的集成電路。此外，轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元52用來驅(qū)動研磨砂輪56沿圖3所示的雙箭頭AA’轉(zhuǎn)動，滑動驅(qū)動單元54用來使轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元52與研磨砂輪56沿圖4所示的雙箭頭BB’移動。另一方面，研磨砂輪56的表面包括有多個齒狀物(wheeltooth)(未顯示)，各齒狀物是由鉆石顆粒與結(jié)合劑所構(gòu)成，當(dāng)轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元52驅(qū)使研磨砂輪56轉(zhuǎn)動時，研磨砂輪56便可利用這些齒狀物來研磨晶片36的背面。除此之外，如圖3所示，細(xì)磨裝置58包括有一研磨平臺60，一研磨砂輪(未顯示)，一轉(zhuǎn)動驅(qū)動單元62，以及一滑動驅(qū)動單元64，由于細(xì)磨裝置58的構(gòu)造與作用方式與粗磨裝置48相似，因此不再贅述。如圖3所示，晶片研磨機(jī)臺30另包括有一晶片傳送裝置44，其用來將晶片36傳送于定位平臺40、研磨平臺50與研磨平臺60、以及旋轉(zhuǎn)平臺42之間，并且晶片傳送裝置44包括有一傳送機(jī)構(gòu)72，以及三個晶片吸墊74、晶片吸墊76與晶片吸墊78。其中，傳送機(jī)構(gòu)72為一T型傳送臂(T-shapedarm)，其可沿雙箭頭CC’轉(zhuǎn)動并包括有三個傳送臂66、傳送臂68與傳送臂70，并且各晶片吸墊74、晶片吸墊76與晶片吸墊78分別連接于傳送臂66、傳送臂68與傳送臂70之上。一般而言，傳送臂66與晶片吸墊74用來將晶片36自定位平臺40傳送至研磨平臺50，傳送臂68與晶片吸墊76用來將晶片36從研磨平臺50移送至研磨平臺60，而傳送臂70與晶片吸墊78用來將晶片36自研磨平臺60傳送至旋轉(zhuǎn)平臺42，此外，當(dāng)晶片傳送裝置44處于閑置(idle)狀態(tài)時，各晶片吸墊74、晶片吸墊76與晶片吸墊78則會分別停放于停泊區(qū)80a、停泊區(qū)80b與停泊區(qū)80c內(nèi)。另外，晶片傳送裝置44還包括多條氣體抽取管線(airintakeline)(未顯示)，以及一氣體抽取裝置(airsuctiondevice)(未顯示)，各氣體抽取管線分別連接至各晶片吸墊74、晶片吸墊76與晶片吸墊80，而氣體抽取裝置連接至各氣體抽取管線，并且氣體抽取裝置用來抽取氣體，以使各晶片吸墊74、晶片吸墊76與晶片吸墊78得以利用真空吸力來吸附晶片36。此外，如圖5所示，晶片吸墊78包括有一上表面78a連接至傳送臂70，以及一軟性的下表面78b，用來吸附晶片36以使傳送臂70可將晶片36傳送至上述各特定位置。并且，如圖6所示，晶片吸墊78包括有一基座82，以及六個軟性吸盤84，等間距地設(shè)于基座82的周邊區(qū)域，而各軟性吸盤84均包括有至少一開口84a，連接至各氣體抽取管線，因此當(dāng)氣體抽取裝置進(jìn)行氣體的抽取時，晶片吸墊78便可利用真空吸力來吸附晶片36。除此之外，如圖5所示，晶片研磨機(jī)臺30另包括有一噴嘴86以及一散射式噴嘴(spraynozzle)88，設(shè)置于停泊區(qū)80a內(nèi)并分別位于晶片吸墊78的上下兩側(cè)，而噴嘴86與散射式噴嘴88均是用來噴灑清水于晶片吸墊78上，以清洗晶片吸墊78。必須注意的是，本發(fā)明的晶片吸墊78的面積大小約為圖1所示的晶片吸墊12的三分之一，并且本發(fā)明的軟性吸盤84的數(shù)量、大小與形狀并不限于圖6所示，其可依據(jù)制作工藝需要而調(diào)整。另一方面，傳送臂66與傳送臂68的結(jié)構(gòu)均與傳送臂70相同，并且晶片吸墊74與晶片吸墊76的結(jié)構(gòu)也與晶片吸墊78相同，因此不再贅述。不過，由于晶片吸墊74用以吸附研磨前的晶片36，而研磨前的晶片36具有較大的厚度與強(qiáng)度，因此晶片吸墊74的結(jié)構(gòu)除了可與晶片吸墊78相同之外，晶片吸墊74的結(jié)構(gòu)也可與圖1所示的晶片吸墊12相同。此外，停泊區(qū)80b與停泊區(qū)80c內(nèi)也分別設(shè)有噴嘴(未顯示)與散射式噴嘴(未顯示)，用來清洗晶片吸墊76與晶片吸墊74，并且各噴嘴以及各散射式噴嘴的構(gòu)造與位置均與噴嘴86及散射式噴嘴88相同，因此不再贅述。請再參考圖3，接下來將解釋本發(fā)明的晶片研磨機(jī)臺30的動作方式。首先，機(jī)械手臂38將一晶片36自晶舟置放座34a或34b取出，并將晶片36傳送至定位平臺40，然后定位平臺40會將晶片36調(diào)整到適當(dāng)?shù)姆轿?。接著，晶片傳送裝置44便利用晶片吸墊74吸起定位平臺40上的晶片36，并利用傳送臂66將晶片36傳送至研磨平臺50，以進(jìn)行一粗磨制作工藝。待完成粗磨制作工藝后，傳送臂68便會轉(zhuǎn)動至研磨平臺50之上，以使晶片吸墊76吸起晶片36，隨后傳送臂68再將晶片36傳送至研磨平臺60，以進(jìn)行一細(xì)磨制作工藝。當(dāng)完成細(xì)磨制作工藝后，晶片傳送裝置44便利用晶片吸墊78吸起研磨平臺60上的晶片36，并利用傳送臂70將晶片36移送至旋轉(zhuǎn)平臺42，以進(jìn)行一清洗制作工藝。最后，機(jī)械手臂38再將晶片36自旋轉(zhuǎn)平臺42送回晶舟置放座34a或34b，而傳送臂66、傳送臂68與傳送臂70則會分別回到停泊區(qū)80a、停泊區(qū)80b與停泊區(qū)80c。值得注意的是，本發(fā)明的晶片吸墊78的大小僅約為現(xiàn)有晶片吸墊12的三分之一，因此晶片吸墊78與晶片36之間的接觸面積小，故可有效避免十字裂痕的產(chǎn)生。此外，由于晶片吸墊78包括有六個軟性吸盤84，因此晶片吸墊78以六個軟性接觸面與晶片36接觸，因而更可大幅度減輕晶片36被吸附于晶片吸墊78時所承受的沖擊力(impactforce)，以更有效地避免十字裂痕的產(chǎn)生。并且，由于軟性的下表面78b可隨著接觸面產(chǎn)生適當(dāng)?shù)男巫?，所以即使晶?6表面附著有污染顆粒，也不會產(chǎn)生十字裂痕。更值得一提的是，如圖5所示，由于晶片吸墊78的上下兩側(cè)分別設(shè)有提供噴嘴86與散射式噴嘴88，因此當(dāng)晶片吸墊78回到圖3所示的停泊區(qū)80a時，圖5所示的噴嘴86可噴灑清水87在晶片吸墊78的上表面78a，以清除附著于上表面78a的不潔物，同時散射式噴嘴88也會將清水89噴灑在晶片吸墊78的下表面78b，以清除附著于下表面78b的污染物。并且，由于散射式噴嘴88可將清水噴灑于下表面78b的所有區(qū)域，因此可徹底地清除附著于下表面78b的污染物，以降低晶片36產(chǎn)生十字裂痕的機(jī)率。除此之外，當(dāng)晶片吸墊78吸附晶片36并經(jīng)過圖3所示的停泊區(qū)80a時，圖5所示的散射式噴嘴88也會噴灑清水以清洗晶片36的表面。此外，圖6所示的晶片吸墊78并非本發(fā)明唯一的實施方式，以下為本發(fā)明的其它實施例，并且為了方便說明，以下的說明是以相同的標(biāo)號來表示相同的組件。請參考圖7，圖7為本發(fā)明第二實施例的晶片吸墊示意圖。如圖7所示，晶片吸墊78包括有一基座82、一彈性襯墊90、以及多個開口90a，各個開口90a設(shè)于基座82與彈性襯墊90內(nèi)，并連接至各氣體抽取管線。請參考圖8，圖8為本發(fā)明第三實施例的晶片吸墊示意圖。如圖8所示，晶片吸墊78包括有一基座82，多個彈性襯墊環(huán)92，以及多個開口92a，其中各彈性襯墊環(huán)92以同心圓的排列方式設(shè)置于基座82的表面，而各個開口82a設(shè)于基座82之內(nèi)，并連接至各氣體抽取管線。請參考圖9，圖9為本發(fā)明第四實施例的晶片吸墊示意圖。如圖9所示，晶片吸墊78包括有一基座82，一彈性襯墊環(huán)92，多個彈性襯墊94，以及多個開口82a，其中彈性襯墊環(huán)92與各彈性襯墊94均置于基座82的表面，并且彈性襯墊環(huán)92環(huán)繞于各彈性襯墊94之外，此外，各個開口82a設(shè)于基座82之內(nèi)，并連接至各氣體抽取管線。請參考圖10，圖10為本發(fā)明第五實施例的晶片吸墊示意圖。如圖10所示，晶片吸墊78包括有一基座82，一彈性襯墊環(huán)92，一放射狀彈性襯墊96，以及多個開口82a，其中彈性襯墊環(huán)92與放射狀彈性襯墊96均置于基座82的表面，并且彈性襯墊環(huán)92環(huán)繞于放射狀彈性襯墊96之外，此外，各個開口82a設(shè)于基座82之內(nèi)，并連接至各氣體抽取管線。在本發(fā)明的各個實施例中，軟性吸盤、彈性襯墊、彈性襯墊環(huán)以及放射狀彈性襯墊均包括有橡膠材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的晶片吸墊78利用一接觸面積較小的軟性接觸面來吸附晶片36，并且本發(fā)明還利用噴嘴86與散射式噴嘴88來清洗晶片吸墊78的上下兩側(cè)，以徹底地清除附著于晶片吸墊78的污染物，因此本發(fā)明可有效避免晶片36產(chǎn)生十字裂痕。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，都應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。權(quán)利要求1.一種晶片研磨機(jī)臺，包括有一晶片傳送裝置，用來傳送一晶片，其包括有至少一晶片吸墊(suctionpad)，其中該晶片吸墊具有一第一表面與一第二表面，且該第二表面為軟性并用以吸附該晶片；以及一傳送機(jī)構(gòu)，連接于該第一表面并系用來傳送該晶片；一第一噴嘴，用來將一第一液體噴灑在該晶片吸墊的該第一表面上，以清洗該第一表面；以及一第二噴嘴，用來將一第二液體噴灑于該晶片吸墊的該第二表面與該晶片上，以清洗該第二表面與該晶片。2.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨機(jī)臺，另包括有至少一氣體抽取管線(airintakeline)以及一氣體抽取裝置(airsuctiondevice)，而該氣體抽取裝置連接至該氣體抽取管線的一端，并用來抽取氣體。3.如權(quán)利要求2所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該晶片吸墊包括有一基座設(shè)置在該傳送機(jī)構(gòu)上，并且該基座包括有至少一第一開口，其連接至該氣體抽取管線的另一端。4.如權(quán)利要求3所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該晶片吸墊另包括有至少一軟性吸盤設(shè)置于該基座表面，而該軟性吸盤包括有與該第一開口相通連的至少一第二開口，并且當(dāng)該氣體抽取裝置抽取氣體時，該晶片吸墊便利用真空吸力以吸附該晶片。5.如權(quán)利要求3所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該晶片吸墊包括有多個軟性吸盤設(shè)置于該基座表面，并且該各軟性吸盤是等間距地設(shè)于該基板的外圍區(qū)域，而各該軟性吸盤包括有與該第一開口相通連的至少一第二開口，并且當(dāng)該氣體抽取裝置抽取氣體時，該晶片吸墊便利用真空吸力以吸附該晶片。6.如權(quán)利要求3所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該晶片吸墊另包括有至少一彈性襯墊(elasticpad)設(shè)置于該基座表面，而該彈性襯墊包括有與該第一開口相連通的至少一第二開口，并且當(dāng)該氣體抽取裝置抽取氣體時，該晶片吸墊便利用真空吸力以吸附該晶片。7.如權(quán)利要求3所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該晶片吸墊另包括有至少一彈性襯墊環(huán)設(shè)于該基座的表面。8.如權(quán)利要求7所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該晶片吸墊另包括有至少一彈性襯墊設(shè)于該彈性襯墊環(huán)所環(huán)繞的基座表面。9.如權(quán)利要求7所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該晶片吸墊另包括有一放射狀彈性襯墊設(shè)于該彈性襯墊環(huán)所環(huán)繞的基座表面。10.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨機(jī)臺，另包括有至少一第一平臺與一第二平臺，分別用來承放該晶片。11.如權(quán)利要求10所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該晶片傳送裝置是用來將該晶片從該第一平臺移動至該第二平臺。12.如權(quán)利要求11所述的晶片研磨機(jī)臺，另包括有一停泊區(qū)，用以停放該晶片吸墊。13.如權(quán)利要求12所述的晶片研磨機(jī)臺，其中當(dāng)該晶片吸墊停置于該停泊區(qū)時，該第一噴嘴與該第二噴嘴會分別清洗該晶片吸墊的該第一表面與該第二表面。14.如權(quán)利要求12所述的晶片研磨機(jī)臺，其中當(dāng)該晶片吸墊吸附該晶片并經(jīng)過該停泊區(qū)時，該第一噴嘴與該第二噴嘴會分別清洗該晶片吸墊的該第一表面與該晶片。15.如權(quán)利要求11所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該第一平臺選自于由一定位平臺、一研磨平臺、一旋轉(zhuǎn)平臺(spinnertable)、與一晶舟置放座所組成的一族群。16.如權(quán)利要求11所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該第二平臺選自于由一定位平臺、一研磨平臺、一旋轉(zhuǎn)平臺、與一晶舟置放座所組成的一族群。17.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該晶片研磨機(jī)臺用來研磨該晶片的背面，并用以避免該晶片產(chǎn)生十字裂痕。18.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該第二噴嘴為一散射式噴嘴(spraynozzle)。19.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該第一液體與該第二液體均為清水(water)。20.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨機(jī)臺，其中該傳送機(jī)構(gòu)為一T型傳送臂(T-shapedarm)。全文摘要本發(fā)明提供一種晶片研磨機(jī)臺，其包括有一用來傳送晶片的晶片傳送裝置以及用來清洗晶片傳送裝置的一第一與一第二噴嘴，且晶片傳送裝置具有至少一晶片吸墊以及一傳送機(jī)構(gòu)連接于晶片吸墊。其中，晶片吸墊另包括有一軟性的表面，用來吸附晶片，以避免晶片產(chǎn)生十字裂痕。文檔編號B24B37/04GK1672874SQ200410031580公開日2005年9月28日申請日期2004年3月25日優(yōu)先權(quán)日2004年3月25日發(fā)明者吳牧融,鐘明晏申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司