專利名稱：合金低溫直接氧化制備單相氧化物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種合金低溫直接氧化制備單相氧化物的方法。
背景技術(shù)：
多元氧化物單相通常采用固相反應(yīng)法制備，即以兩種或多種氧化物為原料，使其在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成氧化物單相。這種方法的缺點(diǎn)是形成單相所需溫度特別高(1400攝氏度以上)。為了降低合成溫度，很多研究者采用濕法制備氧化物單相陶瓷，如共沉淀法、熔膠-凝膠法，但是濕法制備過程中帶來的雜質(zhì)不易除去，而且該方法耗時(shí)。近幾年，有報(bào)道采用機(jī)械合金法，先合成氧化物的非晶相，再對非晶相熱處理使其析出多元氧化物單相，但是機(jī)械合金法合成氧化物的非晶相所需時(shí)間長達(dá)20小時(shí)，而且非晶相的熱處理工藝很難控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種簡單易行、省時(shí)省力，并且在低溫下可直接得到高純度產(chǎn)物的合金低溫直接氧化制備單相氧化物的方法。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案是合金低溫直接氧化制備單相氧化物的方法，其特征在于包括下列步驟(1)將金屬Zr和Ti按摩爾比4∶6～7∶3稱量，熔煉制成母合金；(2)將母合金剪切成小塊(0.3～0.7克)，置于控溫設(shè)備中，升溫至500℃以上，保溫3小時(shí)以上，使其自然降至室溫，取出樣品。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)所需設(shè)備簡單，只需制備合金和控制溫度的設(shè)備。
(2)制備工藝簡單，將合金置于控溫設(shè)備，設(shè)定溫度和時(shí)間即可。
(3)無污染，利用的是金屬與空氣中氧氣的反應(yīng)，不引入其它任何雜質(zhì)，工藝簡單、省時(shí)省力。
具體實(shí)施例實(shí)施例1，按4∶6摩爾比稱量金屬Zr和Ti，用電弧熔煉成母合金，剪切成0.5克左右的小塊，置于電阻爐中，升溫至600℃，保溫5小時(shí)后，使其自然降至室溫，取出樣品。
實(shí)施例2，按1∶1摩爾比稱量金屬Zr和Ti，用電弧熔煉成母合金，剪切成0.5克左右的小塊，置于電阻爐中，升溫至500℃以上，保溫3小時(shí)后，使其自然降至室溫，取出樣品。
實(shí)施例3，按7∶3摩爾比稱量金屬Zr和Ti，用電弧熔煉成母合金，剪切成0.5克左右的小塊，置于電阻爐中，升溫至600℃，保溫5小時(shí)后，使其自然降至室溫，取出樣品。
權(quán)利要求
1.一種合金低溫直接氧化制備單相氧化物的方法，其特征在于包括下列步驟(1)將金屬Zr和Ti按摩爾比4∶6～7∶3稱量，熔煉制成母合金；(2)將母合金剪切成0.3～0.7克的小塊，置于控溫設(shè)備中，升溫至500℃以上，保溫3小時(shí)以上，使其自然降至室溫，取出樣品。
全文摘要
一種合金低溫直接氧化制備單相氧化物的方法，其特征在于包括下列步驟(1)將金屬Zr和Ti按摩爾比4∶6～7∶3稱量，熔煉制成母合金；(2)將母合金剪切成小塊，置于控溫設(shè)備中，升溫至500℃以上，保溫3小時(shí)以上后，使其自然降至室溫，取出樣品。本發(fā)明只需簡單的設(shè)備，在較低的溫度下，從Zr－Ti合金直接制備相應(yīng)的ZrTiO
文檔編號C22C14/00GK1766142SQ200510086409
公開日2006年5月3日 申請日期2005年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月13日
發(fā)明者張濤, 章安玉, 紀(jì)云飛, 馬朝利 申請人:北京航空航天大學(xué)