專利名稱：研磨墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種用于化學(xué)機(jī)械研磨的研磨墊。
背景技術(shù)：
制造現(xiàn)代半導(dǎo)體集成電路(IC)的制程中，經(jīng)常需要將基材外表面平坦化。例如可能需要平坦化步驟來研磨一導(dǎo)電填充層直到暴露出下方膜層的頂面為止。保留下來的導(dǎo)電材料會位于該絕緣層的突起圖案之間，作為中介窗、插塞與導(dǎo)線線路，以提供基材上各薄層電路之間的電性連通路徑。此外，可能需要平坦化步驟以簡便地提供一個(gè)適合進(jìn)行微影程序的平坦表面。
一種可達(dá)成半導(dǎo)體基材平坦化或進(jìn)行地勢移除(topography removal)的方法為化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)。傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械研磨制程包括按壓一基材，使其在提供研磨漿料的情況下與一旋轉(zhuǎn)研磨墊接觸。
總體上，需要檢測何時(shí)會達(dá)到想要的表面平坦度或膜層厚度，以決定是否停止研磨。目前已發(fā)展出數(shù)種用于在化學(xué)機(jī)械研磨程序的原位終點(diǎn)檢測技術(shù)(in-situ detection of endpoint)。例如，目前已使用一種用來在研磨一基材的一膜層時(shí)原位測量該膜層的均一性(uniformity)的光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)。該光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)可包括一光源，其在研磨期間投射一光束至該基材；一檢測裝置，其測量自該基材反射出的光線；以及一計(jì)算機(jī)，其分析來自該檢測裝置的信號，并計(jì)算是否已檢測到研磨終點(diǎn)。某些化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)中，這些光束會透過該研磨墊中的一窗，而被投射至該基材。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一方向是有關(guān)于一種研磨墊，其具有一不透明研磨層及一個(gè)形成于該研磨層中且穿透的的透明窗。該研磨層具有一直徑介于約30至31英寸的圓形研磨表面，以及一個(gè)覆蓋至少0.50英寸寬、0.75英寸長的區(qū)域的窗，該窗定心在距離該研磨表面的中心點(diǎn)7.5英寸處的位置。
本發(fā)明的實(shí)施例可包含一種或多種下述特征。該窗可為長方形，例如長約2.05英寸且寬約0.55英寸，以及該窗的較長邊可實(shí)質(zhì)平行于通過該窗的中心點(diǎn)的研磨墊半徑。該窗的中心可位于距離該研磨表面中心約7.5英寸處。該窗可包括一個(gè)鑄造在該研磨層中的透明部位。研磨墊可能包括一個(gè)具有一開孔貫穿其中的背襯層，且所述的開孔可能對準(zhǔn)該透明部位。所述的窗可能包括一個(gè)栓塞，是位于該研磨墊內(nèi)的一開孔中。該開孔可能包括一第一部份及一第二部份，該第一部份是鄰接該研磨表面且具有第一邊長，以及該第二部份是鄰接位于該研磨表面的相反側(cè)的研磨墊的一表面，且具有一個(gè)第二邊長，它是與第一邊長不同。第一邊長可能大于或小于該第二邊長。該栓塞可能包括一第一部位，位于該開孔的第一部份中，以及一第二部位，位于該開孔的第二部份中。一凹陷處可能形成于該栓塞的底面的暴露區(qū)域內(nèi)，且會延伸穿過該栓塞的第二部位而進(jìn)入該栓塞的第一部位中。該栓塞的第一部位具有約2.05英寸的長度及約0.55英寸的寬度，且該第栓塞的第二部位具有約2.25英寸的長度及約0.75英寸的寬度。該開孔的第一部份可能形成于該研磨層中，以及該開孔的第二部份可能形成于該背襯層中。該栓塞的第一部位的厚度可能與該開孔的第一部份的厚度相同，且該栓塞的第二部位的厚度可能薄于該背襯層的厚度。該研磨層可能具有一個(gè)約30.0至30.5英寸的直徑。
在另一實(shí)施例中，本發(fā)明著重于一研磨墊，其具有一個(gè)包含一研磨表面的研磨層、一背襯層、一開孔以及一個(gè)位于該開孔內(nèi)的透明栓塞以提供一窗。該開孔包括一第一部份與一第二部份，該第一部份是貫穿該研磨層且具有一第一邊長，以及該第二部份是貫穿該背襯層且具有一個(gè)與該第一邊長不相同的第二邊長。該栓塞具有一第一部位與一第二部位，該第一部位是位于所述開孔的第一部份中，以及該第二部位是位于所述開孔的第二部份中。一凹陷處是形成于該栓塞的底面的暴露區(qū)域內(nèi)。
本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例可包括一種或多種下列特征。該研磨表面可能為圓形且具有一個(gè)約介于30至31英寸之間的直徑。該窗可能是長方形，且可能覆蓋至少一個(gè)寬約0.5英寸、長約0.75英寸的區(qū)域，且該區(qū)域定心于距離該研磨表面中心約7.5英寸處，即該窗的中心可能置于距離該研磨表面的中心約7.5英寸處。第一邊長可能小于第二邊長。該栓塞的第一部位可能具有一個(gè)約2.05英寸的長及一個(gè)約0.55英寸的寬，且該栓塞的第二部位可能具有一個(gè)約2.25英寸的長與一個(gè)約0.75英寸的寬。該栓塞的第一部位的厚度可能與研磨層的厚度相同，該栓塞的第二部位的厚度可能薄于背襯層的厚度，以及該凹陷處可能延伸穿過該栓塞的第一部位并進(jìn)入該栓塞的第二部位。
本發(fā)明可能包括一個(gè)或多個(gè)下列優(yōu)點(diǎn)。如該窗精確地對準(zhǔn)該轉(zhuǎn)盤中的開孔，以與該光學(xué)終點(diǎn)檢測系統(tǒng)的其它組件相接。
本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)較佳實(shí)施例的細(xì)節(jié)顯示于下述內(nèi)容及附圖中?？捎上率鰞?nèi)容、附圖及權(quán)利要求書來了解本發(fā)明的其它特征、目的與優(yōu)點(diǎn)。


圖1系為具有一個(gè)用于終點(diǎn)檢測之光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)之化學(xué)機(jī)械研磨裝置的剖面圖；圖2為一個(gè)具有一窗口的研磨墊的示意俯視圖；圖3為圖2的研磨墊沿線段3-3所繪制的剖面圖；圖4為圖2的研磨墊沿線段4-4所繪制的剖面圖；圖5與圖6為另一個(gè)研磨墊實(shí)施例的剖面圖；圖7與圖8為又一個(gè)研磨墊實(shí)施例的剖面圖；圖9為一個(gè)在其底面中具有一凹陷處的栓塞的剖面圖；圖10為圖9中的栓塞的俯視圖。
各圖中的符號是標(biāo)示其相對應(yīng)的組件。
附圖標(biāo)記說明10 化學(xué)機(jī)械研磨裝置 12 研磨頭14 基材 16 轉(zhuǎn)盤18 研磨墊 20 背襯層22 覆蓋層 24 漿料30 腔室 32 開孔34 模塊 36 窗
36’ 窗(未于文中敘述)36” 窗(未于文中敘述)40 光源 42 檢測裝置44 光束 46 反射光束50 栓塞 50’ 栓塞50” 栓塞52 開孔54 唇部 60 上方部位60” 上方部位62 下方部位62” 下方部位64 凹陷處66 薄部位68 頂面具體實(shí)施方式
如圖1所示，化學(xué)機(jī)械研磨裝置10包括一個(gè)研磨頭12，用來持有一半導(dǎo)體基材14，以使其靠向轉(zhuǎn)盤16的研磨墊18?？扇缤绹鴮＠?,738,574號中所述的方式來配置該化學(xué)機(jī)械研磨裝置，并在此處將該文獻(xiàn)全體納入?yún)⒖肌?br> 此研磨墊18可為一個(gè)雙層式研磨墊，其具有一背襯層20與該轉(zhuǎn)盤16的表面相接，以及一個(gè)具有一研磨表面的覆蓋層22，用來接觸該基材。覆蓋層22可能是一個(gè)耐用的粗糙層，例如微孔型聚胺酯(microporouspolyurethane)(如型號為Rodel IC-1000的商品)，而該背襯層可以是一壓縮層，例如聚酯纖維氈(polyester fiber felt)(如型號為Rodel Suba-IV的商品)，且該背襯層比覆蓋層柔軟。然而，部分研磨墊可能只具有覆蓋層而不具背襯層?；蛘?，該研磨墊可能為一種在一固定介質(zhì)(containment media)中固定有研磨顆粒的固定研磨劑式研磨墊(fixed-abrasive pad)。
通?？梢砸环N具有一化學(xué)活性藥劑的化學(xué)研磨溶液或漿料24來濕潤該研磨墊材料，并假設(shè)所使用的是標(biāo)準(zhǔn)(standard)的研磨墊與研磨顆粒。例如該漿料可能包括氫氧化鉀(potassium hydroxide)與熏硅顆粒(fumed-silicaparticles)。然而，某些研磨制程中可能不使用研磨劑(abrasive-free)。
當(dāng)轉(zhuǎn)盤依自身的中心軸作旋轉(zhuǎn)時(shí)，研磨頭12會對該基材14施加壓力，使該基材靠向該研磨墊18。此外，該研磨頭12通常根據(jù)其自身的中心軸作旋轉(zhuǎn)，且通過一驅(qū)動(dòng)軸或傳送臂28而在整個(gè)轉(zhuǎn)盤16上移動(dòng)。該基材與該研磨表面之間的壓力與相對運(yùn)動(dòng)與該研磨溶液有關(guān)，且其結(jié)果反映在對該基材的研磨上。
光學(xué)開孔32是形成于該轉(zhuǎn)盤16的頂面中。包含如激光等光源40與如光檢測器等檢測裝置42的光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)則可能位于該轉(zhuǎn)盤16的底面的下方。例如，該光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)可能位于該轉(zhuǎn)盤16內(nèi)部的一腔室30中，而與該光學(xué)開孔作光學(xué)性連通，并可隨著該轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)?？赡芤砸粋€(gè)如石英等透明固體對象來填充該光學(xué)開孔32，或是使該開孔保持空孔狀態(tài)。在一較佳實(shí)施例中，該光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)與該光學(xué)開孔可以作為一模塊34的一部份，該模塊34是安裝在該轉(zhuǎn)盤中相對應(yīng)的凹陷位置內(nèi)?；蛘撸摴鈱W(xué)監(jiān)控系統(tǒng)可能是一個(gè)位于該轉(zhuǎn)盤下方的平臺系統(tǒng)(stationary system)，且該光學(xué)開孔能延伸以貫穿該轉(zhuǎn)盤。該光源可以提供一個(gè)范圍從遠(yuǎn)紅外線至紫外光的波長，例如一紅光。也可使用一廣帶光譜(broadband spectrum)，如白光。
一窗36是形成于該上層研磨墊18內(nèi)，且對準(zhǔn)該轉(zhuǎn)盤中的光學(xué)開孔32。可配置該窗36與該開孔32的位置，使其兩者在該轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)的部分過程中，不論該研磨頭12的移動(dòng)位置為何，均能對被該研磨頭所固定的基材具有一視野。
至少在當(dāng)該窗36鄰接該基材14的期間，光源40會投射一光束44穿過該開孔32與該窗36而碰觸到該基材14的表面。被該基材表面所反射的光線會形成一產(chǎn)生光束46，并被檢測裝置42所檢測。該光源與與該檢測裝置會與一個(gè)未顯示的計(jì)算機(jī)連接，以接收來自該檢測裝置42的已檢測光線強(qiáng)度，并利用該光線強(qiáng)度來判斷研磨終點(diǎn)，例如借著檢測指示出暴露一新表面的該基材反射率的突然變化、借著干擾原理(interferometricprinciple)來計(jì)算該外層(如一透明氧化層)的已移除厚度、或借著監(jiān)控該預(yù)定的終點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)的信號來判斷出研磨終點(diǎn)。
參考圖2，在一較佳實(shí)施例中，該研磨墊18具有一個(gè)約15.0英寸(381.00毫米(mm))或約15.5英寸(393.70毫米)的半徑R，即直徑為30.5或31英寸。
該窗36需覆蓋一個(gè)區(qū)域，它是用來使該光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)引導(dǎo)一光束44至該基材且接收所述的反射光束46至檢測裝置42?？墒乖摯暗拇笮】纱笥谠搮^(qū)域，但該窗的大小過大時(shí)可能會影響該研磨墊18的研磨效率。在一較佳實(shí)施例中，該光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)使用寬約0.5英寸(12.70毫米)、寬約0.75英寸(19.05毫米)，且定心于距離該研磨墊18中心約7.5英寸(190.50毫米)處的一區(qū)域。因此，該窗必須至少覆蓋此區(qū)域。該窗的中心可能置于與被該光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)所利用的區(qū)域的中心相同的位置，例如從該研磨墊18的中心算起約7.5英寸的距離D1。該窗可能具有一長方形的形狀，其較長邊實(shí)質(zhì)上平行于通過該窗中心的研磨墊半徑。然而，該窗可能具有其它形狀，例如圓形或橢圓形，且該窗的中心不一定需置于該光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)所利用的區(qū)域的中心處。
參考第2圖至第4圖，該窗可以是一個(gè)形成于該覆蓋層22內(nèi)的栓塞50，且該開孔52可能形成于該背襯層20之中。例如，可以在該研磨墊中切出一個(gè)兩部分式開孔(two-part aperture)，位于該背襯層20中的開孔尺寸小于位于該覆蓋層22中的開孔尺寸，以在該背襯層20的頂面上提供一個(gè)唇部(lip)54?？砂仓迷撍ㄈ?0使其座落在該唇部54上，并以如黏著劑等方式來加以固定，如此可使該栓塞的這些側(cè)面緊靠著覆蓋層22中的開孔的側(cè)面?；蛘?，該窗可能整體鑄造于該覆蓋層22中。該栓塞50的厚度可能與該覆蓋層22的厚度相同，且該栓塞的頂面可能與該研磨墊的研磨表面共平面。該栓塞50可能是一種能被該光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)所使用的光線所穿透的材料，例如不含填充物的聚胺酯。
在一較佳實(shí)施例中，該栓塞50具有0.75英寸(19.05毫米)的寬度D2及2.25英寸(57.15毫米)的長度D3，以及該開孔52具有約0.50英寸(12.70毫米)的寬度及2.00英寸(50.80毫米)的長度且在該窗36的每個(gè)側(cè)面上留下一個(gè)約0.125英寸(3.175毫米)寬的唇部54。該栓塞50與該覆蓋層22可能具有一個(gè)約0.08英寸(2.032毫米)的厚度，且該背襯層20可能具有約0.05英寸(1.27毫米)的厚度。
參考第5圖至第6圖，在另一較佳實(shí)施例中，位于該背襯層20內(nèi)的開孔52’的尺寸大于位于該覆蓋層22中的開孔的尺寸，以在該覆蓋層22的底面上提供一唇部54’。在此實(shí)施例中，栓塞50’具有一個(gè)上方部位60與一下方部位62，且該下方部位62的邊長大于該上方部位60的邊長。該上方部位60可能具有與覆蓋層22相同的厚度，但下方部位62的厚度可能薄于背襯層20的厚度。栓塞的頂面可能與該研磨表面共平面，但該栓塞的底面則會借著一間隙而與該轉(zhuǎn)盤分離。
在一較佳實(shí)施例中，該栓塞50’的上方部位60可能具有約2.05英寸(52.07毫米)的長度L1與約0.55英寸(13.97毫米)的寬度W1，且該下方部位62可能具有約2.25英寸(57.15毫米)的長度L2與約0.75英寸(19.05毫米)的寬度W2。因此，該栓塞的下方部位62會延伸向至該栓塞的上方部位60的后方，而形成一個(gè)寬約0.1英寸(2.54毫米)的邊緣(rim)。該栓塞的上方部位60與該覆蓋層22可能都具有約0.08英寸(2.032毫米)的厚度，該栓塞的下方部位62可能具有約0.03英寸(0.762毫米)的厚度，以及該背襯層20可能具有約0.05英寸(1.27毫米)的厚度。
可將位于該研磨墊中的開孔制成稍大于該栓塞的大小，以允許輕松地將該栓塞安置其中。例如，該覆蓋層22中的開孔可能長約2.06英寸(52.324毫米)、寬約0.56英寸(14.224毫米)，而在其每個(gè)側(cè)面上能留下約0.005英寸(0.127毫米)的間隙。使用時(shí)，由于該膜層的壓縮作用或黏著劑的使用，該栓塞的上方部位的側(cè)面可能緊靠著該覆蓋層22內(nèi)的開孔的側(cè)面。位于該背襯層20中的開孔的長可能長約2.30英寸(58.42毫米)、寬約0.80英寸(20.32毫米)，而在該開孔的下方部位的每個(gè)側(cè)面上留下約0.025英寸(0.635毫米)的間隙。
參考第7圖至第10圖，在又一較佳實(shí)施例中，該窗包括一個(gè)在其底面65中形成一凹陷處64的栓塞50”。該凹陷處64并不會完全延伸至頂面68，而留下一個(gè)薄部位66。
在一較佳實(shí)施例中，該研磨墊及該窗的尺寸L1、W1、L2與W2與參考第5圖至第6圖的上述較佳實(shí)施例的尺寸相同。該栓塞的上方部位60”可能具有一個(gè)約0.08英寸(2.032毫米)的厚度T1，以及該栓塞的下方部位62”可能具有一個(gè)約0.03英寸(0.762毫米)的厚度T2。同樣地，該覆蓋層22可能具有一個(gè)約0.08英寸(2.032毫米)的厚度，以及該背襯層20可能具有一個(gè)約0.05英寸(1.27毫米)的厚度。該凹陷處64可能延伸至該栓塞中約達(dá)0.09英寸(2.286毫米)的深度T3，而留下一個(gè)厚度T4約為0.02英寸(0.508毫米)的薄部位66。
該凹陷處可能具有一寬度W3約0.35英寸(6.35毫米)與一長度L3約1.10英寸(27.94毫米)。較接近該研磨墊中心的該凹陷處64的邊緣，是與該栓塞50”的下方部位62”的外緣相距約0.30英寸(7.62毫米)的距離S1。較遠(yuǎn)離該研磨墊中心的該凹陷處64的邊緣，是與該栓塞50”的下方部位62”的外緣相距約0.85英寸(21.59毫米)的距離S2。以及，該凹陷處的側(cè)面是與栓塞50”的下方部位62”的側(cè)面相距約0.20英寸(0.5089毫米)的距離S3。
本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例已敘述如上。然而可以在不背離本發(fā)明的精神與范圍下，對其做出各種修飾變化。因此，其它實(shí)施例也同樣被權(quán)利要求書所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種研磨墊，其特征在于，包含一不透明研磨層，其具有直徑介于約30至31英寸的一圓形研磨表面；以及一透明窗，貫穿該研磨層，該窗覆蓋至少約0.5英寸長及約0.75英寸寬的一區(qū)域，且其中心位于距離該研磨表面中心約7.5英寸處。
2.如權(quán)利要求1所述的研磨墊，其特征在于，所述的窗為長方形。
3.如權(quán)利要求2所述的研磨墊，其特征在于，所述的窗的較長邊實(shí)質(zhì)上平行于通過該窗的中心的研磨墊半徑。
4.如權(quán)利要求2所述的研磨墊，其特征在于，所述的窗的長約2.05英寸以及寬約0.55英寸。
5.如權(quán)利要求1所述的研磨墊，其特征在于，所述的窗的中心是位于距離該研磨表面的中心約7.5英寸處。
6.如權(quán)利要求1所述的研磨墊，其特征在于，所述的窗包括一透明部位，它是鑄造在該研磨層中。
7.如權(quán)利要求6所述的研磨墊，其特征在于，還包括一背襯層，其具有一開孔貫穿該背襯層，所述的開孔對準(zhǔn)該透明部位。
8.如權(quán)利要求1所述的研磨墊，其特征在于，所述的窗包括一栓塞，位于該研磨墊中的一開孔內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的研磨墊，其特征在于，所述的開孔包括一第一部份，是鄰接該研磨表面且具有一第一邊長；以及一第二部份，是與該研磨表面相反側(cè)的研磨墊的一表面相鄰接且具有一第二邊長，所述的第二邊長不同于該第一邊長。
10.如權(quán)利要求8所述的研磨墊，其特征在于，所述的第一邊長大于該第二邊長。
11.如權(quán)利要求8所述的研磨墊，其特征在于，所述的第一邊長小于該第二邊長。
12.如權(quán)利要求11所述的研磨墊，其特征在于，所述的栓塞包括一第一部位，是位于該開孔的第一部份中；以及一第二部位，是位于該開孔的第二部份中。
13.如權(quán)利要求8所述的研磨墊，其特征在于，還包括一凹陷處，是形成于該栓塞的底面的暴露區(qū)域中。
14.如權(quán)利要求13所述的研磨墊，其特征在于，所述的凹陷處是延伸且穿過該栓塞的暴露區(qū)域而進(jìn)入該栓塞的第一部位。
15.如權(quán)利要求11所述的研磨墊，其特征在于，所述的栓塞的第一部位的長約2.05英寸且寬約0.55英寸，以及該栓塞的第二部位的長約2.25英寸且寬約0.75英寸。
16.如權(quán)利要求11所述的研磨墊，其特征在于，所述的開孔的第一部份是形成于所述的研磨層中，以及該開孔的第二部份是形成于所述的背襯層中。
17.如權(quán)利要求11所述的研磨墊，其特征在于，所述的栓塞的第一部位的厚度與該研磨層的厚度相同，以及所述的栓塞的第二部位的厚度較該背襯層的厚度為薄。
18.如權(quán)利要求1所述的研磨墊，其特征在于，所述的研磨表面直徑約30.0英寸。
19.如權(quán)利要求8所述的研磨墊，其特征在于，所述的研磨表面直徑約30.5英寸。
20.一種研磨墊，其特征在于，包括一研磨層，其具有一研磨表面；一背襯層；一開孔，其包括一第一部份，它是貫穿該研磨表面且具有一第一邊長；以及一第二部份，它是貫穿該背襯層且具有一第二邊長，且所述的第二邊長不同于該第一邊長；一透明栓塞，是位于該開孔中以提供一窗，該栓塞具有一第一部位，是位于該開孔的第一部份中，以及一第二部位，是位于該開孔的第二部份中；以及一凹陷處，是形成于該栓塞的底面的暴露區(qū)域內(nèi)。
21.如權(quán)利要求20所述的研磨墊，其特征在于，所述的該研磨表面為圓形且直徑介于約30至31英寸間。
22.如權(quán)利要求21所述的研磨墊，其特征在于，所述的窗覆蓋至少約0.5英寸長及約0.75英寸寬的一區(qū)域，且其中心位于距離該研磨表面中心約7.5英寸處。
23.如權(quán)利要求21所述的研磨墊，其特征在于，所述的窗的中心是位于距離該研磨表面的中心約7.5英寸處。
24.如權(quán)利要求20所述的研磨墊，其特征在于，所述的窗為長方形。
25.如權(quán)利要求20所述的研磨墊，其特征在于，所述的第一邊長小于該第二邊長。
26.如權(quán)利要求25所述的研磨墊，其特征在于，所述的栓塞的第一部位的長約2.05英寸且寬約0.55英寸，以及該栓塞的第二部位的長約2.25英寸且寬約0.75英寸。
27.如權(quán)利要求20所述的研磨墊，其特征在于，所述的栓塞的第一部位的厚度與該研磨層的厚度相同，所述的栓塞的第二部位的厚度比該背襯層的厚度薄，以及該凹陷處是延伸且穿過所述的栓塞的暴露區(qū)域而進(jìn)入該栓塞的第一部位。
專利摘要一種具有一不透明研磨層及一個(gè)形成于該研磨層上方的透明窗的研磨墊。該研磨層具有一個(gè)直徑介于約30至31英寸的圓形研磨表面以及一個(gè)能覆蓋至少0.50英寸寬、0.75英寸長的區(qū)域的窗，該窗定心(centered)在距離該研磨表面中心點(diǎn)7.5英寸處。一凹陷處形成于該窗的底面的暴露區(qū)域中。
文檔編號B24B37/20GK2841246SQ200520012440
公開日2006年11月29日 申請日期2005年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月21日
發(fā)明者曼伍卻爾·拜藍(lán), 柏格斯勞·A·史威克 申請人:應(yīng)用材料股份有限公司