專利名稱：2層撓性基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及2層撓性基板及其制造方法，更具體地講，涉及在絕緣體薄膜上由干鍍法形成鎳-鉻-鉬基底金屬層(種子層)，接著在該基底金屬層上形成銅覆膜層，從而形成粘合性高、有耐腐蝕性且絕緣可靠性高的銅覆膜層的2層撓性基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般說來，用于制作撓性配線板的基板，大致分為在絕緣體薄膜上使用粘接劑來貼合成為導(dǎo)體層的銅箔的3層撓性基板(例如，參照專利文獻(xiàn)1)和在該絕緣體薄膜上不使用粘接劑由干鍍法或者濕式電鍍法直接形成成為導(dǎo)體層的銅覆膜層的2層撓性基板。
在此，在使用3層撓性基板時(shí)，通過由減去法在基板上形成所希望的配線圖案，可以制造3層撓性配線板，而在使用2層撓性基板時(shí)，通過由減去法或者添加法在基板上形成所希望的配線圖案，可以制造2層撓性配線板，但在以前，使用可以用簡(jiǎn)單的制造方法用低成本制造的3層撓性基板占主流。
可是，伴隨近年來的電子設(shè)備的高密度化，更加需求配線寬度窄間距化的配線板。
但是，在制造3層撓性基板時(shí)，根據(jù)所希望的配線圖案，對(duì)在形成于作為基板的絕緣體薄膜上的銅覆膜層上進(jìn)行蝕刻形成配線部來制造配線板時(shí)，由于配線部的側(cè)面被腐蝕產(chǎn)生所謂的側(cè)腐蝕，因此配線部的截面形狀容易成為下部寬的梯形。
因此，由于當(dāng)蝕刻到確保配線部間的電氣的絕緣性時(shí)，配線間距寬度過寬，因此以前只能使用把一般使用的35μm厚度的銅箔用粘接劑與絕緣體薄膜貼合的3層撓性基板，在配線板上進(jìn)行配線部的窄間距化存在局限。
為此，使用18μm厚度以下的薄銅箔疊合基板，代替原有的35μm厚度的銅箔疊合基板。減小由側(cè)腐蝕引起的下部寬的幅度來謀求配線板上的配線部的窄間距化。
但是，由于這種薄壁的銅箔的剛性小、操作性差，曾采用在銅箔上貼合鋁載體等增強(qiáng)材料來提高剛性之后，進(jìn)行該銅箔和絕緣體薄膜的貼合，然后再去除鋁載體等方法，但該方法過于費(fèi)事和費(fèi)時(shí)間，存在作業(yè)性、生產(chǎn)性差的問題。
另外，用這種薄的銅箔，也存在由膜厚的偏差、氣孔或龜裂的產(chǎn)生等引起的覆膜缺陷增加等制造技術(shù)上的問題，如果銅箔再薄，的確是銅箔自身的制造變得困難，制造價(jià)格變高，結(jié)果失去了3層撓性配線板的成本優(yōu)勢(shì)。
特別是最近，強(qiáng)烈需求不使用厚度數(shù)十μm以下或者數(shù)μm左右的銅箔就不能制造的具有窄寬度、窄間距的配線部的配線板，使用3層撓性基板的配線板，即存在上述的技術(shù)問題，也存在制造成本上的問題。
因此，使用不用粘接劑可以直接在絕緣體薄膜上形成銅覆膜層的2層撓性基板的2層撓性配線板受到人們的關(guān)注。
這種2層撓性基板是不用粘接劑直接在絕緣體薄膜上形成銅導(dǎo)體層的基板，因此，除了可以減薄基板自身的厚度以外，還具有可以把覆蓋的銅導(dǎo)體覆膜的厚度調(diào)整到任意的厚度的優(yōu)點(diǎn)。
而且，在制造這種2層撓性基板時(shí)，作為在絕緣體薄膜上形成均勻厚度的銅導(dǎo)體層的方法，通常采用電鍍銅法，為此，一般是在實(shí)施電鍍銅鍍覆膜的絕緣體薄膜上形成薄膜的基底金屬層并對(duì)全部表面賦予導(dǎo)電性，再在其上進(jìn)行電鍍銅處理(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。
可是，為了在絕緣體薄膜上得到薄膜的基底金屬層，一般是使用真空蒸鍍法、離子電鍍法等干鍍法，由于在由這種干鍍法得到的覆膜層上，通常產(chǎn)生大量的數(shù)十μm～數(shù)百μm大小的氣孔，因此往往在基底金屬層上產(chǎn)生氣孔引起的絕緣體薄膜露出部分。
以往，一般在這種撓性配線板上，配線需要的銅的導(dǎo)電性覆膜的厚度，從超過35μm到50μm是適當(dāng)?shù)?，但由于形成的配線的寬度是數(shù)百μm左右，因此由于數(shù)十μm的氣孔的存在產(chǎn)生的配線部的缺陷很少。
但是，在想得到具有本發(fā)明中所面向的窄寬度、窄間距的配線部的撓性配線板時(shí)，如上所述，用于形成配線部的銅覆膜的厚度一般18μm以下，優(yōu)選是8μm以下，理想的是5μm左右的非常薄的厚度，在配線部上產(chǎn)生缺陷的危險(xiǎn)性增多。
如以使用在形成了基底金屬層的絕緣體薄膜上形成了所希望厚度的銅覆膜層的2層撓性基板，用例如減去法進(jìn)行撓性配線板的制造的情況為例說明該狀況時(shí)，配線部圖案的形成通過下述的工序進(jìn)行。
(1)在該銅導(dǎo)體層上，設(shè)置具有所希望的配線圖案的抗蝕劑層，該抗蝕劑層只掩蓋配線部而露出非配線部的銅導(dǎo)體層，(2)由化學(xué)蝕刻處理去除露出的銅導(dǎo)體層，(3)最后剝離去除抗蝕劑層。
因此，在使用把銅覆膜層的厚度做成例如5μm那樣非常薄的基板來制造例如配線寬度15μm、配線間距30μm那樣的窄配線寬度、窄配線間距的配線板時(shí)，在由干鍍處理在基板的基底金屬層上生成的氣孔之中，粗大的氣孔達(dá)到數(shù)十μm及至數(shù)百μm的數(shù)量級(jí)的大小，故形成5μm左右厚度的電鍍銅覆膜不可能大體上覆蓋由氣孔產(chǎn)生的絕緣體薄膜露出部分，因此該露出部分即導(dǎo)體層的剝落部分達(dá)到配線部，配線部在該氣孔的位置上剝落并成為配線缺陷，即使不是這樣，也會(huì)成為導(dǎo)致配線部附著不良的原因。
作為解決上述問題的方法，提出了除了在絕緣體薄膜上由干鍍法形成基底金屬層而外，再施加作為中間金屬層的由無電解電鍍形成的銅覆膜層來覆蓋由氣孔引起的絕緣體薄膜的露出部分的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。
但是，采用該方法時(shí)，確實(shí)可在某種程度上消除了由氣孔引起的絕緣體的露出部分，但另一方面，已經(jīng)知道，在無電解鍍銅處理中使用的電鍍液或其前處理液等，從已經(jīng)形成的大小不等的氣孔部分浸透到絕緣體薄膜和基底金屬層之間，這有可能成為阻礙基底金屬層的附著性、由在其后形成的電鍍銅產(chǎn)生的導(dǎo)體層的附著性的原因，沒有成為徹底的解決方案。
另外，例如，在專利文獻(xiàn)4中，提出了包含具有等離子體處理的表面的聚合物薄膜和附著在該等離子體處理的表面上的，含有鎳或者鎳合金的鎳過渡涂層、附著在該鎳層上的銅鍍層、以及附著在該銅鍍層上的另一個(gè)銅層的無粘接劑的撓性層合材料，記載了鎳合金用的金屬從由Cu、Cr、Fe、V、Ti、Al、Si、Pd、Ta、W、Zn、In、Sn、Mn、Co和它們之中2種以上的混合物構(gòu)成的群中選擇的鎳粘結(jié)層。具體地講，作為有用的Ni合金，可以舉出Monel(約67％Ni、30％Cu)、Inconel(約76％Ni、16％Cr、8％Fe)等。得到的層合薄膜在初期剝離強(qiáng)度、焊接浮動(dòng)后的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)后的剝離強(qiáng)度上表現(xiàn)出優(yōu)良性能，但沒有對(duì)于復(fù)合金屬膜的特性的良好度的記載。
再有，例如，在專利文獻(xiàn)5中記載了為了提高在銅箔上涂布了聚酰亞胺漆并使其硬化的覆銅的聚酰亞胺薄膜的聚酰亞胺側(cè)的聚酰亞胺與金屬界面的耐熱附著性，提高該復(fù)合基材的生產(chǎn)性、最終電氣產(chǎn)品的耐久性及可靠性，在聚酰亞胺側(cè)由真空成膜法形成由從鎳、鉻、鉬、鎢、釩、鈦、及錳構(gòu)成的群中選出的至少一種金屬構(gòu)成的第一薄層，在其上面由真空成膜法形成由銅構(gòu)成的規(guī)定厚度的第二薄層，在第二薄層上以規(guī)定的電流密度進(jìn)行電鍍形成由規(guī)定厚度的銅構(gòu)成的第三薄層，但在實(shí)施例中，作為第一薄層，只表示了鉻，對(duì)于復(fù)合金屬的特性的良好性沒有記載。
同樣地，例如在專利文獻(xiàn)6中記載了以得到層間的附著力、耐熱性、耐藥品性、耐彎曲性和電氣特性優(yōu)良的、高可靠性且價(jià)廉的撓性印刷電路配線板為目的，在塑料薄膜的一面或雙面上層疊形成了所希望的電路的疊層體和由不形成電路的絕緣性的有機(jī)物構(gòu)成的屏蔽層來做成撓性印刷電路配線板，上述疊層體是由鎳、鈷、鉻、鈀、鈦、鋯、鉬或鎢的蒸鍍層和由疊層在該蒸鍍層上的蒸鍍的粒徑在0.007～0.850μm的范圍內(nèi)的集合體構(gòu)成的電子束加熱蒸鍍銅層所構(gòu)成，但在實(shí)施例中只記載了鉻蒸鍍層，對(duì)于復(fù)合金屬膜的特性的良好性沒有記載。
專利文獻(xiàn)1特開平6-132628號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開平8-139448號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3特開平10-195668號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4特表2000-508265號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5特開平7-197239號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6特開平5-283848號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，解決使用干鍍法和電鍍法的撓性配線板的制造中的上述問題，提供在絕緣體薄膜上沒有起因于由干式電鍍處理形成基底金屬層時(shí)生成的氣泡的銅覆膜部的剝落，而且形成絕緣體薄膜和基底金屬層的粘合性、耐腐蝕性優(yōu)良的絕緣可靠性高的銅覆膜層的2層撓性基板及其制造方法。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用2層撓性基板，解決了上述問題，所述2層撓性基板的特征在于，在絕緣體薄膜的至少單面上不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，在該基底金屬層上形成所希望的銅導(dǎo)體層的2層撓性基板中，在上述絕緣體薄膜上，由干鍍法形成膜厚3～50nm，主要含有鉻的比例是4～22重量％、鉬的比例是5～40重量％、剩余部分為鎳的鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層、在該基底金屬層上形成銅覆膜層，可以得到粘合性高、具有耐腐蝕性、形成了絕緣可靠性高的銅覆膜層的2層撓性基板，也可以用于具有窄寬度、窄間距的配線部的2層撓性配線板，從而完成本發(fā)明。
即，本發(fā)明的第1發(fā)明，是提供2層撓性基板的發(fā)明，其特征在于，在絕緣體薄膜的至少單面上不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，接著在該基底金屬層上形成銅覆膜層，上述基底金屬層由干鍍法形成，由主要含鉻的比例是4～22重量％、鉬的比例是5～40重量％、剩余部為鎳的鎳-鉻-鉬合金的膜厚3～50nm的基底金屬層構(gòu)成。
另外，本發(fā)明的第2發(fā)明，是提供第1發(fā)明所述的2層撓性基板的發(fā)明，其特征在于，在上述基底金屬層上形成的上述銅覆膜層的膜厚是10nm～35μm。
再有，本發(fā)明的第3發(fā)明，是提供第1發(fā)明所述的2層撓性基板的發(fā)明，其特征在于，上述絕緣體薄膜是從聚酰亞胺系薄膜、聚酰胺系薄膜、聚酯系薄膜、聚四氟乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯系薄膜、液晶聚合物系薄膜中選出的樹脂薄膜。
本發(fā)明的第4發(fā)明，是提供一種2層撓性基板的制造方法的發(fā)明，其特征在于，在絕緣體薄膜的至少單面上不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，接著在該基底金屬層上形成銅覆膜層的2層撓性基板的制造方法中，在上述絕緣體薄膜上，由干鍍法形成鉻的比例是4～22重量％、鉬的比例是5～40重量％，剩余部分是鎳的鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層，膜厚3～50nm，接著在該基底金屬層上形成銅覆膜層。
另外，本發(fā)明的第5發(fā)明，是提供第4發(fā)明所述的2層撓性基板的制造方法的發(fā)明，其特征在于，在由干鍍法形成上述銅覆膜層后，再在該銅覆膜層之上由濕式電鍍法形成銅覆膜層。
再有，本發(fā)明的第6發(fā)明，是提供第4、5發(fā)明所述的2層撓性基板的制造方法的發(fā)明，其特征在于，上述干鍍法是真空蒸鍍法、濺射法或離子電鍍法的任何一種。
根據(jù)本發(fā)明的2層撓性基板的制造方法，可以得到2層撓性基板，其特征在于，在至少在絕緣體薄膜的單面上不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，在該基底金屬層上形成所希望厚度的銅導(dǎo)體層的2層撓性基板中，在上述絕緣體薄膜上，由干鍍法形成厚膜3～50nm，主要含有鉻的比例為4～22重量％、鉬的比例為5～40重量％、剩余部分為鎳的鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層，在該基底金屬層上形成膜厚10nm～35μm的銅覆膜層。
而且，根據(jù)本發(fā)明的2層撓性基板，由于在該基底金屬層上含有鉻，因此可以防止耐熱抗剝強(qiáng)度的降低，由于同時(shí)含有鉬，因此可以提高耐熱腐蝕性、絕緣可靠性，通過使用該2層撓性基板，可以高效率地得到具有粘合性、耐腐蝕性高的沒有缺陷的配線部，具有可靠性高的窄寬度、窄間距的配線部的撓性配線板，其效果非常大。
具體實(shí)施例方式
1)2層撓性基板本發(fā)明的2層撓性基板，是在絕緣體薄膜的至少單面上不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，在該基底金屬層上形成所希望的厚度的銅導(dǎo)體的2層撓性基板，其特征在于，在上述絕緣體薄膜上，由干鍍法形成膜厚3～50nm的主要含有鉻的比例為4～22重量％、鉬的比例為5～40重量％、剩余部分為鎳的鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層，在該基底金屬層上形成銅覆膜層。
由于采用上述結(jié)構(gòu)，可以得到形成了粘合性高，有耐腐蝕性、絕緣可靠性高的銅導(dǎo)體層的2層撓性基板。
在此，由上述干鍍法得到的主要含有鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層的膜厚，優(yōu)選在3～50nm范圍內(nèi)。當(dāng)該膜厚比3nm薄時(shí)，由于進(jìn)行配線加工時(shí)浸入腐蝕液的配線部漂浮等原因，產(chǎn)生配線剝離強(qiáng)度顯著下降等問題，因此不理想。當(dāng)該膜厚比50nm厚時(shí)，難以進(jìn)行蝕刻，因此不理想。
另外，該基底金屬層的組成，必須鉻的比例占4～22重量％、鉬的比例占5～40重量％，剩余的部分是鎳。
首先，鉻的比例是4～22重量％，這是為了防止熱劣化引起的耐熱抗剝強(qiáng)度的顯著降低而需要的。當(dāng)鉻的比例比4重量％低時(shí)，不能防止耐熱抗剝強(qiáng)度因熱劣化而顯著降低，因此不理想。另外，當(dāng)鉻的比例比22重量％多時(shí)，難以蝕刻，因此不理想。
為此，對(duì)于鉻來說，更優(yōu)選的比例是4～15重量％，特別好的比例是5～12重量％。
其次，鉬的比例是5～40重量％，這是為了提高耐腐蝕性、絕緣可靠性而需要的。當(dāng)鉬的比例比5重量％少時(shí)，不出現(xiàn)添加效果，見不到耐腐蝕性、絕緣可靠性的提高，因此不理想。當(dāng)鉬的比例超過40重量％時(shí)，具有耐熱抗剝強(qiáng)度非常低的傾向，因此不理想。
再有，通常在鎳基的合金靶的場(chǎng)合，當(dāng)鎳的比例比93％大時(shí)，濺射靶自身成為強(qiáng)磁性體，在用磁控濺射成膜時(shí)，成膜速度降低，因此不理想。在本結(jié)構(gòu)的靶組成中，由于鎳量為93％以下，因此即使在用磁控管濺射法成膜時(shí)也可以得到良好的成膜率。因此，為了提高鎳-鉻-鉬合金的耐熱性和耐腐蝕性，可以根據(jù)目的的特性適當(dāng)?shù)靥砑舆w移金屬元素。
另外，在該基底金屬層上，除了該鎳-鉻-鉬合金以外，也可以存在制作靶時(shí)進(jìn)入等時(shí)而含有的1重量％以下的不可避免的雜質(zhì)。
為此，在后述的表1中，作為含有1重量％以下的不可避免的雜質(zhì)的鎳量，記為剩余部分(＝bal.(balance))。
在本發(fā)明的2層撓性基板中，在該基底金屬層上形成的、合并有由干鍍法形成的銅覆膜層和在該銅覆膜層之上由濕式電鍍法疊層形成的銅覆膜層的銅覆膜層的膜厚，優(yōu)選是10nm～35μm。比10nm薄時(shí)，由于由干鍍法形成的銅覆膜層變薄，在其后的濕式電鍍工序中難以進(jìn)行供電，因此不理想。比35μm厚時(shí)，生產(chǎn)性下降，因此不理想。
在本發(fā)明的2層撓性基板中，作為絕緣體薄膜，可以舉出從聚酰亞胺系薄膜、聚酰胺系薄膜、聚酯系薄膜、聚四氟乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯系薄膜、液晶聚合物系薄膜中選出的樹脂薄膜，從適用于需要回流焊接等高溫連接的用途上看，優(yōu)選聚酰亞胺系薄膜及聚酰胺系薄膜。
另外，上述薄膜可以很好地使用厚度8～75μm的薄膜。也可以適當(dāng)?shù)靥砑硬ＡЮw維等無機(jī)材料。
再有，作為干鍍法，可以使用真空蒸鍍法，濺射法、或者離子電鍍法的任何一種。
另一方面，在由干鍍法形成銅層后，在該銅覆膜層之上再由濕式電鍍法疊層形成銅覆膜層，這適于形成比較厚的膜。
2)2層撓性基板的制造方法下面，詳細(xì)敘述本發(fā)明的2層撓性基板的制造方法。
在本發(fā)明中如上所述，在從聚酰亞胺系薄膜、聚酰胺系薄膜、聚酯系薄膜、聚四氟乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜，聚萘二甲酸乙二醇酯系薄膜、液晶聚合物系薄膜中選出的作為樹脂薄膜的絕緣體薄膜的至少一面上，不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，在該基底金屬層上形成所希望的厚度的銅導(dǎo)體層。
a)脫水處理該薄膜通常含有水分，在由干鍍法形成主要含有鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層之前，需要進(jìn)行大氣干燥或/和真空干燥，去除薄膜中存在的水。當(dāng)脫水不充分時(shí)，基底金屬層的粘合性變差。
b)基底金屬層的形成在由干鍍法形成主要含有鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層時(shí)，例如，在用卷取式濺射裝置形成基底金屬層時(shí)，把具有基底金屬層的組成的合金靶子裝在濺射用陰極上，或者，把鎳-鉻合金靶子和鉬靶子裝在2個(gè)陰極上，同時(shí)進(jìn)行濺射，通過控制各個(gè)陰極的投入電量也能得到所希望的膜組成的基底金屬層。
具體地講，在對(duì)設(shè)置了薄膜的濺射裝置內(nèi)進(jìn)行真空排氣后，導(dǎo)入Ar氣，使裝置內(nèi)保持1.3Pa左右，再以每分3m左右的速度輸送裝在裝置內(nèi)的卷取卷出輥上的絕緣體薄膜，同時(shí)，由與陰極連接的濺射用直流電源供給電力，開始濺射放電，在薄膜上連續(xù)形成主要含有鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層。由該成膜工序，所希望的膜厚的主要含有鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層形成在薄膜上。
c)銅覆膜層的形成同樣地，使用把銅靶子裝在濺射用陰極上的濺射裝置，由干鍍法可以形成銅覆膜層。這時(shí)優(yōu)選基底金屬層和銅覆膜層在同一真空裝置內(nèi)連續(xù)地形成。
另外，在該銅覆膜層上再由濕式電鍍法形成銅覆膜層的場(chǎng)合，存在只由電氣銅電鍍處理的場(chǎng)合和、組合作為一次鍍敷處理的無電解銅電鍍處理，作為二次電鍍處理的電解銅電鍍處理等濕式電鍍法進(jìn)行的場(chǎng)合。
在此，作為一次電鍍進(jìn)行無電解銅電鍍，是因?yàn)橛谜翦冞M(jìn)行干式電鍍時(shí)往往形成粗大的氣泡，在表面上往往存在露出樹脂薄膜的地方，通過在基板全面上形成無電解銅電鍍覆膜層，覆蓋薄膜露出面并使基板全面為良導(dǎo)體，由此不受氣泡的影響。
再有，在無電解電鍍中使用的無電解電鍍液，只要是含有的金屬離子具有自身催化性，能由肼、次磷酸鈉、甲醛等還原劑還原并析出金屬的還原析出型的電鍍液，無論哪一種都可以，但根據(jù)本發(fā)明的宗旨，由于目的在于謀求使因在基底金屬層上產(chǎn)生的氣泡而露出的絕緣體薄膜的露出部分為良導(dǎo)體，因此，導(dǎo)電性良好且相對(duì)的作業(yè)性好的無電解銅電鍍液是最適合的。
另外，由這樣的作為一次電鍍的無電解銅電鍍處理產(chǎn)生的銅電鍍覆膜層的厚度，只要是能夠修復(fù)在基板面上由氣泡產(chǎn)生的缺陷，在實(shí)施后述的作為二次電鍍的電解銅電鍍處理時(shí)不會(huì)被電氣銅電鍍液溶解的厚度就可以，最好在0.01～1.0μm的范圍內(nèi)。
其次，在該無電解銅電鍍覆膜層上，進(jìn)行作為二次電鍍的電氣銅電鍍處理，是為了形成所希望的厚度的銅導(dǎo)體層。
這樣一來，根據(jù)在基底金屬層上形成的銅覆膜層，可以得到不受在基底金屬層形成時(shí)產(chǎn)生的大小不一的氣泡的影響的良好的、導(dǎo)電層的粘合度高的2層撓性基板。
再有，本發(fā)明中進(jìn)行的濕式銅電鍍處理，一次、二次都可以采用通常的濕式銅電鍍法中的各種條件。
另外，這樣一來，在基底金屬層上形成的干式和濕式電鍍法產(chǎn)生的銅覆膜層的合計(jì)厚度，即使再厚也要在35μm以下。
3)配線圖案的形成用上述的本發(fā)明的2層撓性基板，在該2層撓性基板的至少單面上，個(gè)別地形成配線圖案。另外，在規(guī)定的位置上形成用于層間連接的通孔，也可以用于各種用途。
更具體地講，(a)在撓性基板的至少單面上個(gè)別地形成高密度配線圖案。(b)在形成該配線層的撓性基板上，形成貫通該配線層和撓性基板的通孔。(c)根據(jù)情況，在該通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性物質(zhì)，使孔內(nèi)導(dǎo)電。
作為上述配線圖案的形成方法，可以使用光刻等原來眾所周知的方法，例如，準(zhǔn)備至少單面上形成了銅覆膜層的2層撓性基板，在該銅上進(jìn)行網(wǎng)板印刷或者層疊干薄膜，在形成感光性保護(hù)膜后，進(jìn)行暴光顯影來形成圖案。接下來，用氯化鐵溶液等蝕刻液選擇性地蝕刻去除該金屬箔，然后去除保護(hù)膜并形成規(guī)定的配線圖案。
為了使配線更高密度，優(yōu)選準(zhǔn)備在兩面上形成了銅覆膜層的2層撓性基板，對(duì)兩面進(jìn)行圖案加工并在基板兩面上形成配線圖案。是否把全部配線圖案分割成幾個(gè)配線區(qū)域，要根據(jù)該配線圖案的配線密度的分布等，例如，把配線圖案分成配線寬度和配線間隔分別是50μm以下的高密度配線區(qū)域和其他的配線區(qū)域，考慮與印刷電路板的熱膨脹差或處理上的情況等，可以把分割的配線基板的尺寸設(shè)定為10～65mm左右，進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆指睢?br> 作為上述通孔形成方法，可以使用原有的眾所周知的方法，例如，由激光加工、光刻等在上述配線圖案的規(guī)定的位置上，形成貫通該配線圖案和撓性基板的通孔。通孔的直徑，在不妨礙孔內(nèi)的導(dǎo)電化范圍內(nèi)，優(yōu)選做得小些，通常100μm以下，最好做成50μm以下。
在該通孔內(nèi)，由電鍍、蒸鍍、濺射等填充銅等導(dǎo)電性金屬，或者使用具有規(guī)定的開孔圖案的掩膜并壓入導(dǎo)電性糊，進(jìn)行干燥，使孔內(nèi)導(dǎo)電化來進(jìn)行層間的電連接。作為上述導(dǎo)電性金屬，可以舉出銅、金、鎳等。
下面，與比較例一起說明本發(fā)明的實(shí)施例。
抗剝強(qiáng)度的測(cè)量方法，用符合IPC-TM-650、NUMBER2.4.9的方法進(jìn)行。但是，導(dǎo)線寬度定為1mm、剝離的角度定為90°。導(dǎo)線用減去法或半添加法形成。作為耐熱性的指標(biāo)，把形成1mm的導(dǎo)線的薄膜基材，在150℃的烘箱內(nèi)放置168小時(shí)，取出后放置到成為室溫后，進(jìn)行90°抗剝強(qiáng)度的評(píng)價(jià)。
首先，用得到的2層撓性基板，用氯化鐵蝕刻30μm間距(線/空隔＝15/15μm)的梳齒試驗(yàn)片，制作由減去法形成的或者由半添加法形成的試驗(yàn)片。
蝕刻性的確認(rèn)，基本上由上述試驗(yàn)片的顯微鏡觀察來進(jìn)行。也可以用HHBT試驗(yàn)片的絕緣電阻值來進(jìn)行，在10-6Ω以下的電阻值的場(chǎng)合，被認(rèn)為導(dǎo)線間有蝕刻殘?jiān)?，判定為蝕刻性不好。
作為環(huán)境試驗(yàn)的HHBT(High Temperature High Humidity BiasTest)試驗(yàn)的測(cè)量，使用上述試驗(yàn)片，根據(jù)JPCA-ETO4，在85℃85％RH環(huán)境下，在端子間施加DC40V，觀察1000hr后的電阻。電阻為106Ω以下時(shí)，判斷為短路，經(jīng)過1000hr后如果是106Ω以上，判斷為合格。
作為腐蝕指標(biāo)，可以舉出里面變色，這由HHBT試驗(yàn)后的樣品里面觀察來進(jìn)行。見到顯著的變色時(shí)，判斷為不良，變色輕微時(shí)判斷為合格。
實(shí)施例1把厚度38μm的聚酰亞胺薄膜(東レ·デイユポン社制，產(chǎn)品名“カプトン150EN”)切成12cm×12cm的大小，在其單面上，作為基底金屬層的第1層，用4重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法，成膜為4重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層。對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。在形成了上述NiCrMo膜的薄膜上，再在其上做為第2層，用Cu靶子(住友金屬礦山(株)制)由濺射法形成銅覆膜層，厚度200nm，用電鍍成膜到8μm，作為評(píng)價(jià)用的原料基材。由該基材用減去法形成剝離強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
得到的2層撓性基板的初期抗剝強(qiáng)度是640N/m。在150℃的烘箱內(nèi)放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為510N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行了絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)?，蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變色。
實(shí)施例2作為基底金屬層的第1層，用22重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法成膜為22重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是623N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為597N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)?，蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例3作為基底金屬層的第1層，用4重量％Cr-5重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法成膜為4重量％Cr-5重量％Mo-Ni合金基底金屬層，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是631N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為505N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)g刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例4作為基底金屬層的第1層，用4重量％Cr-40重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法成膜為4重量％Cr-40重量％Mo-Ni合金基底金屬層，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是645N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為450N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)?，蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例5作為基底金屬層的第1層，用15重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法成膜為15重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是620N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為575N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)g刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例6作為基底金屬層的第1層，用6重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法成膜為6重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，通過改變?yōu)R射時(shí)間來改變膜厚，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是30nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期抗剝強(qiáng)度是660N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為560N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)?，蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例7作為基底金屬層的第1層，用12重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法形成12重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，通過改變?yōu)R射時(shí)間來改變膜厚，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是5nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是620N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為590N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)?，蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例8作為基底金屬層的第1層，用10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法形成10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，通過改變測(cè)射時(shí)間使其縮短來改變膜厚，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是3nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是632N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為577N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)?，蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例9作為基底金屬層的第1層，用10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法形成10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，除了通過加長(zhǎng)濺射時(shí)間來變更膜厚而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是50nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是613N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為595N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)?，蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例10與實(shí)施例1同樣，形成膜厚20nm的NiCrMo膜。再在其上形成作為第2層的，用Cu靶子(住友金屬礦山(株)制)由濺射法形成1μm厚的銅覆膜層，由電鍍成膜到8μm，作為評(píng)價(jià)用的原料基材。由該基材用減去法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是610N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為547N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例11與實(shí)施例1同樣，形成膜厚20nm的NiCrMo膜。再在其上形成作為第2層的，用Cu靶子(住友金屬礦山(株)制)由濺射法把銅覆膜層成膜到8μm，作為評(píng)價(jià)用的原料基材。由該基材用減去法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是630N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為565N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例12與實(shí)施例1同樣，形成膜厚20nm的NiCrMo膜。再在其上形成作為第2層的，用Cu靶子(住友金屬礦山(株)制)由濺射法把銅覆膜層成膜到500nm，作為評(píng)價(jià)用的原料基材。由該基材用半添加法加厚到8μm形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是605N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為535N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
實(shí)施例13作為薄膜，使用厚度12μm的芳香族聚酰胺薄膜(帝人AdvancedFilms(株)制，產(chǎn)品名「アラミカ120RC」)，除此而外，與實(shí)施例1相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。由該基材用減去法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是600N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為500N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)?，蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
(比較例1)作為基底金屬層的第1層，用3重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法成膜為3重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。由該基材用減去法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是630N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為380N/m，見到了較大的降低。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)個(gè)也沒有劣化。沒有蝕刻殘?jiān)?，蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
(比較例2)作為基底金屬層的第1層，用24重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法成膜為24重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是632N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為586N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，2個(gè)樣品不能用鹽鐵蝕刻基底金屬層，不能形成30μm間距的導(dǎo)線。在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中，薄膜里面沒有見到變化。
(比較例3)作為基底金屬層的第1層，用10重量％Cr-4重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法形成10重量％Cr-4重量％Mo-Ni合金基底金屬層，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是610N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為560N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，2個(gè)樣品電阻為106Ω以下，為短路，不好。另一方面，蝕刻性是良好的。在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中，薄膜里面很多部分變色。
(比較例4)作為基底金屬層的第1層，用10重量％Cr-44重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法成膜為10重量％Cr-44重量％Mo-Ni合金基底金屬層，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是20nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是635N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為250N/m，見到了較大的降低。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)也沒有劣化。蝕刻性也是良好的。進(jìn)一步，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
(比較例5)
作為基底金屬層的第1層，用10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法形成10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，把濺射時(shí)間更換為比實(shí)施例8還短來變更膜厚，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是2nm。由該基材用減去法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是620N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為540N/m，沒有大的變化，是良好的。
對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，無論哪一個(gè)樣品電阻都為106Ω以下，為短路，不好。另一方面，蝕刻性是良好的。在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中，薄膜里面的很多部分變色。
(比較例6)作為基底金屬層的第1層，用10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金屬礦山(株)制)，由直流濺射法形成10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金屬層，把濺射時(shí)間更換為比實(shí)施例9還長(zhǎng)來變更膜厚，除此而外，與第1實(shí)施例相同，得到評(píng)價(jià)用的原料基材。
對(duì)另外的在相同條件下成膜的一部分，用透過型電子顯微鏡(TEM日立制作所(株)制)測(cè)量膜厚，是53nm。由該基材用減除法形成抗剝強(qiáng)度評(píng)價(jià)用的1mm的導(dǎo)線和HHBT試驗(yàn)用的30μm間距的梳齒試驗(yàn)片。
所得到的2層撓性基板的初期的抗剝強(qiáng)度是618N/m。在150℃的烘箱中放置168小時(shí)后的耐熱抗剝強(qiáng)度為566N/m，沒有大的變化，是良好的。
在蝕刻試驗(yàn)中，3個(gè)樣品之中，2個(gè)樣品不能用鹽鐵蝕刻液蝕刻基底金屬層，不能形成30μm間距的導(dǎo)線。
再有，對(duì)3個(gè)樣品進(jìn)行絕緣可靠性試驗(yàn)，哪一個(gè)都沒有劣化。
另外，在耐腐蝕性試驗(yàn)(在85℃85％RH恒溫槽中放置1000小時(shí)后的薄膜里面變色)中沒有見到變化。
上述實(shí)施例，比較例的結(jié)果集中表示在表1中。


如上所述，根據(jù)本發(fā)明的2層撓性基板的制造方法，在至少在絕緣體薄膜的單面上，不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，在該基底金屬層上形成所希望厚度的銅覆膜層的2層撓性基板中，在上述絕緣體薄膜上，由干鍍法形成膜厚3～50nm，可以形成主要含有鉻的比例是4～22重量％、鉬的比例是5～40重量％、剩余部分為鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層和在該基底金屬層上形成的膜厚10nm～35μm的銅覆膜層，而且，根據(jù)本發(fā)明的2層撓性基板，由于該基底金屬層上含有鉻，因此可以防止耐熱抗剝強(qiáng)度的降低，同時(shí)，由于含有鉬，可以提高耐腐蝕性、絕緣可靠性，因此通過使用該2層撓性基板，可以高效率地得到具有粘合性耐腐蝕性高、具有沒有缺陷的配線部的可靠性高的窄寬度、窄間距的配線部的撓性配線板，其效果非常大。
權(quán)利要求
1.一種2層撓性基板，其特征在于，是絕緣體薄膜的至少單面上不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，接著在該基底金屬層上形成銅覆膜層的2層撓性基板，其中，上述基底金屬層是由用干鍍法形成、主要含有鉻的比例是4～22重量％、鉬的比例是5～40％、剩余部分為鎳的鎳-鉻-鉬合金的膜厚3～50nm的基底金屬層構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的2層撓性基板，其特征在于，在上述基底金屬層上形成的銅覆膜層的膜厚是10nm～35μm。
3.如權(quán)利要求1或2所述的2層撓性基板，其特征在于，上述絕緣體薄膜是從聚酰亞胺系薄膜、聚酰胺系薄膜、聚酯系薄膜、聚四氟乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯系薄膜、液晶聚合物系薄膜中選出的樹脂薄膜。
4.一種2層撓性基板的制造方法，其特征在于，是在絕緣體薄膜的至少單面上不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，接著在該基底金屬層上形成銅覆膜層的2層撓性基板的制造方法，其中，在上述絕緣體薄膜上由干鍍法形成鉻的比例是4～22重量％、鉬的比例是5～40重量％，剩余部分是鎳的鎳-鉻-鉬合金的基底金屬層，膜厚3～50nm，接著在該基底金屬層上形成銅覆膜層。
5.如權(quán)利要求4所述的2層撓性基板的制造方法，其特征在于，在由干鍍法形成上述銅覆膜層后，再在該銅覆膜層之上由濕式電鍍法形成銅覆膜層。
6.如權(quán)利要求4或5所述的2層撓性基板的制造方法，其特征在于，上述干鍍法是真空蒸鍍法、濺射法或離子電鍍法的任何一種。
全文摘要
本發(fā)明提供沒有由于在絕緣體薄膜上由干式電鍍處理形成基底金屬層時(shí)產(chǎn)生的氣泡所引起的銅覆膜層的脫落，而且絕緣體薄膜和基底金屬層的粘合性、耐腐蝕性優(yōu)良的形成了絕緣可靠性高的銅覆膜層的2層撓性基板和它的制造方法。本發(fā)明的2層撓性基板，其特征在于，在絕緣體薄膜的至少單面上不經(jīng)粘接劑直接形成基底金屬層，接著在該基底金屬層上形成銅覆膜層的2層撓性基板中，上述基底金屬層由干鍍法形成，主要含有鉻的比例是4～22重量％、鉬的比例是5～40重量％、剩余部分為鎳的鎳－鉻－鉬合金，膜厚3～50nm。
文檔編號(hào)C23C14/14GK101040571SQ200580034530
公開日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2005年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月1日
發(fā)明者永田純一, 淺川吉幸 申請(qǐng)人:住友金屬礦山株式會(huì)社