專利名稱：：熱噴涂粉末以及形成熱噴涂涂層的方法
技術領域：
：本發(fā)明關于熱噴涂粉末及形成熱噴涂涂層的方法。
背景技術：
：在半導體裝置或液晶裝置的制造領域，普遍利用反應離子蝕刻裝置，通過作為干法蝕刻中一種類型的等離子體蝕刻進行微制造。因此，在半導體裝置制造設備和液晶裝置制造設備中，在蝕刻過程中暴露于反應等離子體的構件可能受到腐蝕(損害)。如果通過等離子體腐蝕，從半導體裝置制造設備或液晶裝置制造設備中的構件生成了微粒，微粒會沉積在半導體裝置使用的硅晶片上或液晶裝置使用的玻璃襯底上。如果沉積微粒量很大或微粒的尺寸很大，就不能按計劃進行微制造，由此導致裝置產量降低并且出現(xiàn)質量缺陷，從而導致裝置成本增加。考慮到這個問題，傳統(tǒng)地，已經通過在構件上提供陶瓷熱噴涂層防止了蝕刻過程中暴露于反應等離子體的構件的等離子體腐蝕(參見日本專利申請公開號2002-80954)。但是，現(xiàn)有的熱噴涂涂層都不足以滿足所需的抗等離子體腐蝕性能，從而仍需要改進。日本專利申請公開號2002-80954的實施例中，蝕刻速率是2到3nm/min。得到該蝕刻速率的蝕刻條件是等離子體輸出(等離子體功率密度)較低，至多約200W(0.6W/cm2)(參見KITAMURA等的"由等離子體噴涂制備的陶瓷涂層的等離子體腐蝕特性"，材料處理，日本金屬學會，第47巻第7期，1677頁到1683頁。)。相反的，在半導體裝置制造設備和液晶裝置制造設備的電流蝕刻工藝中，為縮短蝕刻處理時間，一般等離子體輸出設定在l,OOOW或更大并且等離子體功率密度設在3W/cm2或更大。在上述很苛刻的蝕刻條件下，日本專利申請公開號2002-80954的熱噴涂涂層不足以滿足涉及抗等離子體腐蝕性所需的性能。
發(fā)明內容因此，本發(fā)明的第一目的是提供一種適合形成具有極好抗等離子體腐蝕性的熱噴涂涂層的熱噴涂粉末，以及形成熱噴涂涂層的方法。根據本發(fā)明的第一方面，提供一種熱噴涂粉末。所述熱噴涂粉末包含原子量39或從59到70的任意稀土元素的氧化物組成的顆粒。所述顆粒的抗壓強度是80MPa或更大。所述熱噴涂粉末的體積比重與真比重的比率是0.15或更大。根據本發(fā)明的第二方面，提供一種通過等離子體噴涂上述熱噴涂粉末形成熱噴涂涂層的方法。從通過示例本發(fā)明的原理進行闡述的下述說明，本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點將變得很明顯。具體實施例方式現(xiàn)在說明本發(fā)明的第一實施方式。根據本實施方式的熱噴涂粉末，由原子量39或從59到70的任意稀土元素的氧化物組成的顆粒組成。"原子量39或從59到70的稀土元素"具體是釔(Y，原子量39)，鐠(Pr，原子量59)，釹(Nd，原子量60)，钷(Pm，原子量61)，釤(Sm，原子量62)，銪(Eu，原子量63)，軋(Gd，原子量64)，鋱(Tb，原子量65)，鏑(Dy，原子量66)，鈥(Ho，原子量67)，鉺(Er，原子量68)，銩(Tm，原子量69)，以及鐿(Yb，原子量70)。當熱噴涂粉末的顆粒由原子量39或從59到68的任意稀土元素的氧化物組成，具體的是Y，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho或Er，熱噴涂粉末可形成熱噴涂涂層，其涂層比當熱噴涂粉末由原子量69或70，具體為Tm或Yb，的任意稀土元素的氧化物組成時，具有更好的抗等離子體腐蝕性。更具體的，當熱噴涂粉末的顆粒由原子量60到66，具體是Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb或Dy中任意稀土元素的氧化物組成時，從熱噴涂粉末可以形成熱噴涂涂層，相比當熱噴涂粉末由原子量39，59或67到70，具體為Y,Pr，Ho，Er，Tm或Yb的任意稀土元素的氧化物組成時，其涂層具有更好的抗等離子體腐蝕性。因此，熱噴涂粉末中的顆粒較好地由來自原子量39或從59到70的稀土元素中的，原子量為39或從59到68的任意稀土元素氧化物組成，最好由原子量從60到66的任意稀土元素的氧化物組成。根據本發(fā)明的熱噴涂粉末中顆粒的抗壓強度必須等于或大于80MPa?？箟簭姸仍礁?，當熱噴涂粉末從粉末給料器輸送到熱噴涂裝置時，或當輸送給熱噴涂裝置的熱噴涂粉末充入到熱噴涂用熱源諸如熱噴涂火焰中時，在連接粉末給料器和熱噴涂裝置的管內，抑制熱噴涂粉末顆粒碎裂的效果更好。如果在熱噴涂之前，熱噴涂粉末的顆粒碎裂，在熱噴涂過程中形成極易被熱源過熱的微小顆粒，由此在熱噴涂過程中趨向發(fā)生"噴濺(spitting)"現(xiàn)象。術語"噴濺"指過度熔化的熱噴涂粉末的沉積物從熱噴涂裝置的熱噴涂噴嘴內壁掉落并噴濺到熱噴涂對象的現(xiàn)象。如果在熱噴涂過程中發(fā)生碎裂，得到的熱噴涂涂層的質量，包括抗等離子體腐蝕性會惡化。并且，因為熱噴涂粉末中顆粒碎裂所形成的微小顆粒重量很輕，在熱噴涂過程中容易從熱源噴出，因此可能不能被熱源充分加熱。如果由于不能充分加熱而未熔化或軟化的這些微?；煸跓釃娡客繉又?，熱噴涂涂層的顆粒間的粘結強度降低，從而得到的熱噴涂涂層的質量包括抗等離子體腐蝕性會惡化。在這點上，只要熱噴涂粉末中顆粒的抗壓強度是等于或大于80MPa，熱噴涂粉末中顆粒的碎裂可以被更好的抑制，因此可以得到具有極好抗等離子體腐蝕性的熱噴涂涂層。為了進一步改進熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性，熱噴涂粉末中顆粒的抗壓強度較好是等于或大于90MPa，最好是等于或大于lOOMPa。雖然不特別限定熱噴涂粉末中顆粒抗壓強度的上限值，較好的是等于或小于250MPa，更好是等于或小于200MPa，最好是等于或小于190MPa。根據本發(fā)明的熱噴涂粉末的體積比重與真比重的比率必須為等于或大于0.15。因為該比率增加，熱噴涂粉末的流動性增加，使得在熱噴涂過程中熱噴涂粉末的供應穩(wěn)定。另外，熱噴涂粉末形成的熱噴涂涂層中細孔的數量大幅減少，從而降低了熱噴涂涂層的孔隙率。在這點上，只要熱噴涂粉末的體積比重與真比重的比率是等于或大于0.15，熱噴涂過程中熱噴涂粉末的波動被很好的抑制，并且熱噴涂粉末形成的熱噴涂涂層的細孔數量也可以被大幅降低，因此，可以得到具有極好抗等離子體腐蝕性的熱噴涂涂層。為進一步改進熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性，熱噴涂粉末的體積比重與真比重的比率比較好的是等于或大于0.17，更好的是等于或大于0.20，最好的是等于或大于0.25。雖然不特別限定熱噴涂粉末的體積比重與真比重之比的上限值，比較好的是等于或小于0.45,更好的是等于或小于0.40。根據本實施方式的熱噴涂粉末的平均顆粒尺寸比較好的是等于或大于5pm，更好的是等于或大于8pm，最好的是等于或大于l(Him。因為熱噴涂粉末的平均顆粒尺寸增加，熱噴涂粉末的流動性增加，使得在熱噴涂過程中熱噴涂粉末的供應穩(wěn)定。更具體的，更好地抑制了熱噴涂粉末的供給量周期性增加或降低的波動的發(fā)生。當熱噴涂粉末供給量由于波動而增加，因未被熱源充分加熱而未熔化或軟化的顆?？赡芑煸跓釃娡客繉又?，或可能發(fā)生噴濺。因此，如果在熱噴涂過程中發(fā)生熱噴涂粉末的波動，不但抗等離子體腐蝕性降低，而且得到的熱噴涂涂層還會變得不均勻。在這點上，只要熱噴涂粉末的平均顆粒尺寸是等于或大于5pm，更具體的是等于或大于8pm，甚至等于或大于l(Htm，熱噴涂過程中熱噴涂粉末的波動被很好的抑制，從而使熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性進一步提高。根據本實施方式的熱噴涂粉末的平均顆粒尺寸較好的是等于或小于40pm，更好的是等于或小于37pm，最好的是等于或小于35pm。因為熱噴涂粉末的平均顆粒尺寸減小，熱噴涂粉末形成的熱噴涂涂層中細孔的數量大幅減少，從而降低了熱噴涂涂層的孔隙率。低孔隙率的熱噴涂涂層具有高的抗等離子體腐蝕性。在這點上，只要熱噴涂粉末的平均顆粒尺寸是等于或小于40Mm，或更具體的是等于或小于37Mm，甚至等于或小于35pm，熱噴涂粉末形成的熱噴涂涂層的細孔數量被大幅減少，從而使得熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性進一步提高。根據本發(fā)明的熱噴涂粉末的顆?？梢允窍⊥裂趸锏牧；療Y顆?；蛉刍瘔核轭w粒，或由稀土氫氧化物通過沉積方法或溶膠凝膠法(sol-gelmethod)生產的稀土氧化物顆粒。但是，最好是?；療Y顆粒。相比熔化壓碎顆粒，?；療Y顆粒由于其在生產過程中的高球度和雜質的低污染而具有流動性好的優(yōu)點。通過?；療Y原材料粉末生產出?；療Y顆粒。得到的產物被破碎成更小的顆粒，并且如果需要，進行分級。通過將熔化的原材料冷卻至凝固，然后壓碎，如果需要，將成品進行分級，生產出熔化壓碎顆粒。以下將詳細說明粒化燒結顆粒的生產。在?；蜔Y方法中，首先從原料粉末生產出粒狀粉末，然后燒結該粒狀粉末。得到的產物被破碎成更小的顆粒，并且如果需要，進行分級生產所述?；療Y顆粒。原材料粉末可以是原子量39或從59到70的任意稀土元素的氧化物粉末，或是上述稀土元素中任意一種單質的粉末，或是上述稀土元素任意的氫氧化物的粉末。原材料粉末也可以是兩種或三種這些粉末的混合物。如果在原材料粉末中包含上述任意稀土元素的單質或氫氧化物，在粒化和燒結過程中，這種物質最終轉化成稀土氧化物。在?；蜔Y過程中，原材料粉末的顆粒互相粘結，從而增加了顆粒尺寸。因為這個原因，原材料粉末的平均顆粒尺寸最好是組成?；療Y顆粒的原始顆粒的平均顆粒尺寸的0.9倍或更小。具體的，原材料粉末的平均顆粒尺寸較好的是等于或小于5.4pm,更好的是等于或小于2.7pm，甚至更好的是等于或小于1.8nm，并且最好的是等于或小于1.1pm。從原材料粉末生產粒狀粉末可通過下述方式進行在合適的分散介質中混合原材料粉末，可選地加入粘結劑，然后對得到的漿料進行噴霧造粒；或者，通過滾動造粒(tumbling-granulating)或壓縮造粒從原材料粉末直接生產出粒化粉末?？稍诳諝?、氧氣氛、真空或惰性氣氛中進行?；勰┑臒Y。但是，當原材料中包含任意稀土元素的單質或氫氧化物時，因為這種物質會轉化成稀土氧化物，最好在空氣中進行。電爐或煤氣爐可用于粒化粉末的燒結。為得到高抗壓強度的燒結顆粒，燒結溫度較好的是1,200到1,700°C，更好的是1,300至U1,700°C，甚至更好的是1，400到1,700°C，最好是1,500到1,700°C。為得到高抗壓強度的燒結顆粒，保持在最高溫度的時間較好的是30分鐘到10小時，更好的是1到5小時。如果熱噴涂粉末中的顆粒是?；療Y顆粒，組成?；療Y顆粒的原始顆粒的平均顆粒尺寸較好的是等于或小于6pm，更好的是等于或小于3pm，甚至更好的是等于或小于2pm，最好的是等于或小于1.2pm。熱噴涂粉末形成的熱噴涂涂層通常呈現(xiàn)層狀結構。因為組成?；療Y顆粒的原始顆粒的平均顆粒尺寸減小，熱噴涂涂層的層間區(qū)域的寬度尺寸變的更小。層間區(qū)域包含大量的晶體缺陷。因為熱噴涂涂層的等離子體腐蝕最先從熱噴涂涂層的缺陷部生成，包含小寬度尺寸層間區(qū)域的熱噴涂涂層傾向具有更好的抗等離子體腐蝕性。在這點上，只要包含?；療Y顆粒的原始顆粒的平均顆粒尺寸是等于或小于2pm，更具體的是等于或小于1.5pm，甚至更具體的是等于或小于1.2|_im，或甚至迸一步具體的是等于或小于1.0|im，熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性可以進一步提高。進一步，如果組成粒化燒結顆粒的原始顆粒的平均顆粒尺寸是2pm或更小，每個原始顆粒被熱源徹底的熔化，作為顆粒間粘接，也就是層間粘接強化的結果，使得熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性進一步提高。根據本實施方式的熱噴涂粉末的自然堆積角較好的是等于或小于50°，更好的是等于或小于48。，最好的是等于或小于47。。因為自然堆積角減小，熱噴涂粉末的流動性提高，使得得到的熱噴涂涂層的均勻性提高。因此，通過將自然堆積角規(guī)定為等于或小于50。，更具體的是等于或小于48。，最具體的是等于或小于47°，熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性進一步提高。根據本實施方式的熱噴涂粉末中組成顆粒的稀土氧化物在100°C時的標準生成吉布斯自由能(standardGibbsenergyofformation)最好為等于或小于-l,685kJ/mo1。"標準生成吉布斯自由能"指的是元素在標準狀態(tài)形成元素化合物時的標準自由能。熱力學上，具有負值的化合物可以說比其組成元素更穩(wěn)定。這明確意味著標準生成吉布斯自由能的負值的絕對值越大，化合物在熱力學上更穩(wěn)定。這樣的化合物具有高的抗等離子體腐蝕性。在這點上，只要熱噴涂粉末中組成顆粒的稀土氧化物在100°C時的標準生成吉布斯自由能是等于或小于-l,685kJ/mo1，熱噴涂粉末得到的熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性可以進一步提高。根據本實施方式的熱噴涂粉末中組成顆粒的稀土氧化物的稀土元素較好的是具有等于或大于0.865nm，更好的是等于或大于0.895nm，最好的是等于或大于0.910nm的六配位的三價離子半徑。一般地，因為隨著原子量增加，電子量增加，為了保留電子，離子尺寸增加，從而離子半徑增加。但是，在原子量從57(La)至l」71(Lu)的鑭系元素(lanthanide)離子的情況下，情況是相反的，所以隨原子量增加離子半徑減小。這種現(xiàn)象稱為"鑭系收縮(lanthanidecontraction)"。這是由于原子量的增加，也就是(+)核電荷的增加，不能被4f軌道的同樣增加的電子充分阻擋，從而外層電子云被逐步拉向核子。并且，4f軌道在5s、5p和5d軌道內,外場的影響很小。因此，可以說4f軌道是隔離的電子系統(tǒng)。也就是，事實上離子半徑減小意味著外層5s、5p和5d軌道的電子被拉向鑭系原子的核子。因此，在與氧原子結合形成氧化物陶瓷的情況下，當被拉向核子，或換句話說，當離子半徑減小時，鑭系元素的外層電子更難有助于與氧原子結合。因此。氧化物陶瓷的抗等離子體腐蝕性降低。在這點上，只要熱噴涂粉末中組成顆粒的稀土氧化物的稀土元素的六配位的三價離子半徑是等于或大于0.865nm，或更具體的是等于或大于0.895nm，或甚至更具體的是等于或大于0.910nm，從熱噴涂粉末得到的熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性可以進一步提高。根據本實施方式的熱噴涂粉末的真比重比較好的是等于或大于5，更好的是等于或大于7。隨著真比重增加，熱噴涂涂層的抗離子轟擊性提高，這使熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性提高。在這點上，只要真比重是等于或大于5，或更具體的是等于或大于7，從熱噴涂粉末得到的熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性可以進一步提高。對應本實施方式的熱噴涂粉末，通過等離子體熱噴涂或其它熱噴涂方法使用在形成熱噴涂涂層的應用中。利用等離子體熱噴涂，相比其它熱噴涂方法，可以從熱噴涂粉末形成具有更高抗等離子體腐蝕性的熱噴涂涂層。因此，最好由等離子體熱噴涂進行對應本實施方式的熱噴涂粉末的熱噴涂。本實施方式得到以下優(yōu)點。根據本實施方式的熱噴涂粉末中，熱噴涂粉末的?；療Y顆粒由原子量39或從59到70的任意稀土元素的氧化物組成，熱噴涂粉末中顆粒的抗壓強度是等于或大于80MPa，并且熱噴涂粉末的體積比重與真比重之比是等于或大于0.15。因此，由本實施方式的熱噴涂粉末形成的熱噴涂涂層具有極好的抗等離子體腐蝕性，換個說法，本實施方式的熱噴涂粉末適合形成具有極好抗等離子體腐蝕性的熱噴涂涂層。上述實施方式可作如下修改。熱噴涂粉末可以包含原子量39或從59到70的任意稀土元素氧化物組成的兩種或更多種不同顆粒。熱噴涂粉末可以包含原子量39或從59到70的任意稀土元素氧化物組成的顆粒之外的成分。但是，原子量39或從59到70的任意稀有元素氧化物組成的顆粒之外的成分含量最好是盡可能小。具體的，該含量較好的是小于10%，更好的是小于5%，更好的是小于1%。熱噴涂粉末中的顆粒可以包含原子量39或從59到70的任意稀土元素氧化物之外的成分。但是，原子量39或從59到70的任意稀土元素氧化物之外的成分含量最好是盡可能小。具體的，該含量比較好的是小于10%，更好的是小于5%，更好的是小于1%。接下去，將結合實施例和比較例詳細說明本發(fā)明。制備了由稀土氧化物的粒化顆粒、?；療Y顆?；蛉刍瘔核轭w粒組成的實施例1到9和比較例1到6的熱噴涂粉末。表格1列出了各熱噴涂粉末的詳細情況。表格1中"稀土氧化物類型"一欄示出了各熱噴涂粉末包含的稀土氧化物的分子式。表格1中"抗壓強度"一欄示出了檢測出的各熱噴涂粉末中顆粒的抗壓強度。具體的，本欄示出的各熱噴涂粉末中顆粒的抗壓強度cr[MPa]根據公式(5=2.8xL/;t/d2計算。在該公式中，"L"表示臨界負載[N]，"d"代表熱噴涂粉末的平均顆粒尺寸[mm]。臨界負載是在給顆粒施加以恒定比率增加的壓縮負載，硬度計位移量突然增加時壓縮負載的大小。用Shimadzu公司生產的微壓縮測試機"MCTE-500"來測量臨界負載。表格1中"體積比重"和"真比重"欄分別示出了根據日本工業(yè)標準JISZ2504檢測的各熱噴涂粉末的體積比重和真比重。表格1中"體積比重/真比重"一欄示出了利用各熱噴涂粉末測量出的體積比重和真比重計算出的體積比重與真比重的比率。表格1中的"平均顆粒尺寸"一欄示出了各熱噴涂粉末的平均顆粒尺寸，利用Horiba有限公司生產的激光衍射/散射顆粒尺寸檢測設備"LA-300"測量。熱噴涂粉末平均顆粒尺寸代表當熱噴涂粉末顆粒的累積體積，從最小的顆粒尺寸起達到熱噴涂粉末中所有顆粒的累積體積的50%或更高時最后累積顆粒的顆粒尺寸。表格1中的"顆粒類型"一欄示出了各熱噴涂粉末的顆粒類型。在該欄中，"?；?表示?；w粒，"?；療Y"表示?；療Y顆粒，并且"熔化和壓碎"表示熔化壓碎顆粒。表格1中的"平均原始顆粒尺寸"一欄示出了利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)檢測的組成各熱噴涂粉末的粒化顆?；蛄；療Y顆粒的原始顆粒的平均顆粒尺寸的結果。具體的，這代表由下述方法測得的定直徑(Feret直徑)的平均值從各熱噴涂粉末中隨機選取10個顆粒，然后從所選10個顆粒的每一個中隨機選取50個原始顆粒，并且檢測各熱噴涂粉末的全部500個原始顆粒。"定直徑"是夾住顆粒并平行延伸的兩個假想線之間的距離。表格1中"自然堆積角"一欄示出了各熱噴涂粉末的自然堆積角，通過TsutsuiRikagakuKikai)有限公司生產的A.B.D—粉末特性測量儀"A.B.D-72'表格l中"AG"—欄示出了組成各熱噴涂粉末的稀土元素在100。C時標準生成吉布斯自由能。表格1中"離子半徑"一欄示出了組成各熱噴涂粉末的稀土氧化物中稀土元素的六配位的三價離子半徑。表格2示出了通過熱噴涂實施例1到9與比較例1到6的熱噴涂粉末形成具有厚度為20(Vm的熱噴涂涂層的熱噴涂條件。對得到的熱噴涂涂層抗等離子體蝕刻腐蝕性進行評估。具體的，首先，各熱噴涂涂層的表面利用平均顆粒尺寸0.06pm的硅膠進行鏡面拋光。拋光后的熱噴涂涂層的部分表面被聚酰亞胺膠帶遮蓋住，然后熱噴涂涂層的整個表面在表格3所示的條件下進行等離子體蝕刻。之后，利用KLA-公司生產的臺階測量裝置"Alpha-step"測量被遮部分和未遮部分之間的臺階高度，通過測量的臺階高度除以蝕刻時間計算出蝕刻速率。表格1中"抗等離子體腐蝕性"一欄示出了當在表格3的條件下進行等離子體蝕刻時，根據蝕刻速率評估的熱噴涂涂層抗等離子體腐蝕性。在該欄中，字母"E(極好)"表示熱噴涂涂層蝕刻速率與比較例1的熱噴涂涂層蝕刻速率之比小于0.75，字母"G(好)"表示該比等于或大于0.75且小于0.80，字母"F(中等)"表示該比大于等于0.80且小于0.90，字母"P"(差)表示該比等于或大于0.90。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>_表格2_<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>__蝕刻設備ULVAC有限公司生產的反應離子蝕刻設備"NLD-800"蝕刻氣體CF4，02蝕刻氣體流量CF40.054L/分，020.005L/分處理室壓力1Pa等離子體功率400W等離子體暴露區(qū)直徑100mm每熱噴涂涂層單位面積的等離子體功率5.1W/cm2蝕刻時間1小時如表格1所示，與比較例1至6的熱噴涂涂層相比，實施例1至9的熱噴涂涂層的抗等離子體腐蝕性更高。權利要求1.一種熱噴涂粉末，包括由原子量39或從59到70的任意稀土元素的氧化物組成的顆粒，其中所述顆粒的抗壓強度等于或大于80MPa，以及其中所述熱噴涂粉末的體積比重與真比重的比率等于或大于0.15。2.如權利要求1所述的熱噴涂粉末，其特征在于，所述顆粒由原子量從60到66的任意稀土元素的氧化物組成。3.如權利要求1所述的熱噴涂粉末，其特征在于，所述顆粒的抗壓強度是100至U250MPa。4.如權利要求1所述的熱噴涂粉末，其特征在于，所述熱噴涂粉末的體積比重與真比重的比率是0.25到0.45。5.如權利要求1至4中任一項所述的熱噴涂粉末，其特征在于，所述顆粒是?；療Y顆粒，并且組成所述?；療Y顆粒的原始顆粒的平均顆粒尺寸等于或小于6pm。6.如權利要求1至4中任一項所述的熱噴涂粉末，其特征在于，其中所述熱噴涂粉末的自然堆積角等于或小于50°。7.如權利要求1至4中任一項所述的熱噴涂粉末，其特征在于，組成所述顆粒的稀土氧化物中含有的稀土元素的六配位的三價離子半徑等于或大于0.865nm。8.如權利要求1至4中任一項所述的熱噴涂粉末，其特征在于，組成所述顆粒的稀土氧化物在100°C時的標準生成吉布斯自由能等于或小于-1,685kJ/mol。9.如權利要求1至4中任一項所述的熱噴涂粉末，其特征在于，所述熱噴涂粉末的平均顆粒尺寸是5到40nm。10.如權利要求1至4中任一項所述的熱噴涂粉末，其特征在于，所述熱噴涂粉末的真比重等于或大于5。11.一種由權利要求1至4中任一項所述的熱噴涂粉末通過等離子體熱噴涂形成熱噴涂涂層的方法。全文摘要一種熱噴涂粉末，包含原子量39或從59到70的任意稀土元素氧化物組成的顆粒。所述顆粒的抗壓強度是等于或大于80MPa。熱噴涂粉末的體積比重與真比重的比率是等于或大于0.15。所述顆粒最好是?；療Y顆粒。組成?；療Y顆粒的原始顆粒的平均顆粒尺寸最好是等于或小于6μm。文檔編號C23C4/10GK101173344SQ20071016727公開日2008年5月7日申請日期2007年10月31日優(yōu)先權日2006年10月31日發(fā)明者伊部博之,北村順也,青木功申請人:福吉米株式會社