專利名稱：觸摸屏引線的加工工藝的制作方法
觸摸屏引線的加工工藝
技術領域：
本發(fā)明屬于觸摸屏制造領域，尤其涉及觸摸屏引線的加工工藝。背景技術：
在觸摸屏制作過程中，通常采用Mo-Al-Mo作為邊緣引線(上下兩層Mo 層分別起保護Al層和增加附著力作用)將縱橫向電極與FPC連通。制作過程中， 通常先在玻璃基片上依次賊鍍底層Mo層、中間Al層和表層Mo層，賊鍍體系 通常是以氬氣為保護氣體；接著對'減鍍好的Mo-Al-Mo層進行刻蝕，以得到相 應的Mo-Al-Mo引線，最后在上面再濺鍍ITO層。實踐證明，若刻蝕后的 Mo-Al-Mo斷面處為斜坡狀時(如圖1所示，即在玻璃表面上Mo-Al-Mo層的刻 蝕斷面處底層Mo層延伸出中間Al層而同時Al層又延伸出表層Mo層)，再在 其上濺鍍的ITO層就與MO-Al-Mo層在斷面處充分接觸，不留間隙，最終制得
的器件可靠性就比較高。
但是在實際工藝過程中，由于普通蝕刻液對Al的刻蝕速率比Mo快，這樣 刻蝕出來的結(jié)果是Mo凸出，Al凹進，往往是中間的Al層刻蝕的多，而底層與 表層的Mo刻蝕的少，在斷面處容易出現(xiàn)底切現(xiàn)象(如圖2所示)。這樣的話， 一方面斷面凹陷處Al的邊緣容易殘留蝕刻液，容易對Al層進行進一步的腐蝕， 降低了最終制得的器件的可靠性和縮短了其壽命；另一方面，當在刻蝕后的 Mo-Al-Mo層上面鍍ITO時，由于斷面處存在Al層的凹陷，不能保證A1層與 ITO層的充分接觸而容易形成斷路。
為解決上述存在問題，業(yè)界普遍采用的方法是，在刻蝕時，采用特殊的蝕 刻液Mo-Al-Mo層進行刻蝕，以達到使Mo-Al-Mo的斷面處為斜坡狀的結(jié)構(gòu)。但 是這種特殊的蝕刻液價格昂貴，且需要分步刻蝕，工藝過程不易控制，帶來刻 蝕成本高和效率低下的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種觸摸屏Mo-Al-Mo引線的加工工藝，使得濺鍍后的 Mo-Al-Mo層采用普通蝕刻液即可刻蝕出斜坡狀斷面的效果。 為達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明提出以下的技術方案 一種觸摸屏Mo-Al-Mo引線的加工工藝，包括以下步驟
Sl在玻璃基板上依次濺鍍底層Mo層、中間Al層、表層Mo層，其中
在濺鍍表層Mo層時向濺射體系中通入反應氣N2; S2采用蝕刻液將濺鍍好的Mo-Al-Mo層按照預設圖案刻蝕出Mo-Al-Mo引線。
上述加工工藝中，還包括在賊鍍底層Mo時向'減射體系中通入氮氣，該通入 的氮氣的比例低于在濺鍍表層Mo層時向'減射體系中通入的氮氣的比例。
上述加工工藝中，所述在賊鍍表層Mo層時向濺射體系中通入的氮氣占濺鍍 體系中氣體總量的3-10%。
上述加工工藝中，所述在濺鍍表層Mo層時向濺射體系中通入的氮氣占濺鍍 體系中氣體總量的3-10%，在濺鍍表層Mo層時向濺射體系中通入的氮氣占濺鍍 體系中氣體總量的1-5%。
上述加工工藝中，所述蝕刻液是磷酸-醋酸-硝酸體系的蝕刻液。
上迷加工工藝中，所述底層Mo層厚度為300-600埃；所述表層Mo層厚度 為300-600埃；所述中間Al層厚度為2200-2800埃。
本發(fā)明的引線加工工藝，由于在濺鍍表層Mo層的過程中通入了 N2作為反 應氣，這樣濺鍍出來的Mo層中就相當于均勻摻雜了 MoN3,致使Mo層結(jié)構(gòu)變 得比較疏松，在后續(xù)的刻蝕工序中使得摻雜后的Mo層相比較于未摻雜的Mo層 較易刻蝕，提高了 Mo層的刻蝕速率，從而使得刻蝕后的Mo-Al-Mo層在斷面處 為斜坡狀的結(jié)構(gòu)。該工藝不同于采用特殊蝕刻液在引線斷面處刻蝕出斜坡狀結(jié) 構(gòu)的傳統(tǒng)做法，工藝過程簡單，易于控制，效率高，且降低了成本。

圖1所示為理想狀態(tài)下Mo-AI-Mo引線的斜坡狀斷面示意圖2所示為現(xiàn)有技術中采用常規(guī)工藝得到的Mo-Al-Mo引線在斷面處出現(xiàn)
底切現(xiàn)象的掃描電鏡圖3所示為本發(fā)明一個實施例所得到的Mo-Al-Mo引線的斜坡狀斷面的掃
描電鏡圖4所示為本發(fā)明另一個實施例所得到的Mo-AUMo引線的斜坡狀斷面的掃描電鏡圖。
圖5所示為本發(fā)明再一個實施例所得到的Mo-Al-Mo引線的斜坡狀斷面的掃描電鏡圖
具體實施方式

實施例1
取玻璃基板，采用真空濺鍍方式以Ar為保護氣，依次在基板上濺鍍底層Mo層、中間Al層以及表層Mo層，在濺鍍表層Mo時向濺射體系中通入N2作反應氣，N2的通入量為濺鍍體系中氣體總量的5%;濺鍍后底層Mo層厚300埃，表層Mo層厚500埃，中間A1層厚2800埃。
濺鍍完成后，采用磷酸-醋酸-賄酸體系蝕刻液對濺鍍后的Mo-Al-Mo層按照工藝設計的圖案要求刻蝕出Mo-Al-Mo引線。
將該刻蝕出的引線放在掃描電鏡下觀測，其在斷面處層斜坡狀，如附圖3所示。
實施例2
取玻璃基板，采用真空濺鍍方式以Ar為保護氣，依次在基板上賊鍍底層Mo層、中間Al層以及表層Mo層；在濺鍍底層Mo時向濺射體系中通入N2作反應氣，N2的通入量為濺鍍體系中氣體總量的1%,同時在濺鍍表層Mo時也向濺射體系中通入占氣體總量的3%的N2作反應氣；濺鍍后底層Mo層厚600埃，表層Mo層厚300埃，中間A1層厚2200埃。
濺鍍完成后，釆用磷酸-醋酸-硝S臾體系蝕刻液對濺鍍后的Mo-Al-Mo層按照工藝設計的圖案要求刻蝕出Mo-Al-Mo引線。
將該刻蝕出的引線放在掃描電鏡下觀測，其在斷面處層斜坡狀，如附圖4所示。
實施例3
取玻璃基板，采用真空濺鍍方式以Ar為保護氣，依次在基板上濺鍍底層Mo層、中間Al層以及表層Mo層；在濺鍍底層Mo時向'減射體系中通入N2作反應氣，N2的通入量為濺鍍體系中氣體總量的10%，同時在賊鍍表層Mo時也向濺射體系中通入占氣體總量的5%的N2作反應氣；濺鍍后底層Mo層厚500埃，表層Mo層厚600埃，中間Al層厚2500埃。
濺鍍完成后，采用磷酸-醋酸-硝酸體系蝕刻液對濺鍍后的Mo-Al-Mo層按照工藝設計的圖案要求刻蝕出Mo-Al-Mo引線。
將該刻蝕出的引線放在掃描電鏡下觀測，其在斷面處層斜坡狀，如附圖4所示。
以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
1.一種觸摸屏Mo-Al-Mo引線的加工工藝，包括以下步驟S1在玻璃基板上依次濺鍍底層Mo層、中間Al層、表層Mo層，其中在濺鍍表層Mo層時向濺射體系中通入反應氣N2；S2采用蝕刻液將濺鍍好的Mo-Al-Mo層按照預設圖案刻蝕出Mo-Al-Mo引線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工工藝，其特征在于，還包括在'踐鍍底層Mo時向 賊射體系中通入氮氣，該通入的氮氣的比例低于在'踐鍍表層Mo層時向賊射 體系中通入的氮氣的比例。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述在濺鍍表層Mo層時向 濺射體系中通入的氮氣占濺鍍體系中氣體總量的3-10%。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的加工工藝，其特征在于，所述在濺鍍表層Mo層時向 濺射體系中通入的氮氣占濺鍍體系中氣體總量的3-10%,在濺鍍表層Mo層 時向濺射體系中通入的氮氣占濺鍍體系中氣體總量的1-5%。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述蝕刻液是磷酸-醋酸-硝酸體系蝕刻液。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述底層Mo層厚度為300-600埃。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述表層Mo層厚度為300-600埃。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工工藝，其特征在于，所述中間Al層厚度為 2200-2800埃。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種觸摸屏Mo-Al-Mo引線的加工工藝，包括首先在玻璃基板上依次濺鍍底層Mo層、中間Al層、表層Mo層，其中在濺鍍表層Mo層時向濺射體系中通入反應氣N₂；然后采用蝕刻液將濺鍍好的Mo-Al-Mo層按照預設圖案刻蝕出Mo-Al-Mo引線即得。本發(fā)明提供的加工工藝不同于采用特殊蝕刻液在引線斷面處刻蝕出斜坡狀結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)做法，工藝過程簡單，易于控制，效率高，且降低了成本。
文檔編號C23C14/34GK101598989SQ20091010859
公開日2009年12月9日 申請日期2009年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月6日
發(fā)明者傅志敏, 剛 方, 毛利良, 許東東, 黃裕坤 申請人:中國南玻集團股份有限公司