專利名稱：：膜沉積設(shè)備及方法、基片處理設(shè)備及計算機可讀存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種通過進行將至少兩種源氣體依次供給至基片的多個循環(huán)來形成反應(yīng)產(chǎn)物層從而在基片上沉積膜的膜沉積設(shè)備和膜沉積方法，以及一種儲存用于使所述膜沉積設(shè)備執(zhí)行所述膜沉積方法的計算機程序的計算機可讀存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：所謂的原子層沉積(ALD)或分子層沉積(MLD)是半導(dǎo)體制造工藝中已知的膜沉積技術(shù)。在這種膜沉積技術(shù)中，首先，第一反應(yīng)氣體在真空下被吸附在半導(dǎo)體晶片(在下文中稱作晶片)的表面上，接著，第二反應(yīng)氣體被吸附在所述晶片表面以通過第一和第二反應(yīng)氣體在晶片表面上的反應(yīng)形成一層或多層原子層或分子層，這種氣體的交替吸附被進行多次，從而使膜沉積在晶片上。該技術(shù)的優(yōu)點在于，通過交替供給氣體的次數(shù)可以高精度地控制膜的厚度，并且沉積的膜在晶片表面具有良好的均一性。因此，該沉積方法被認為是可使半導(dǎo)體器件進一步微型化的大有前途的膜沉積技術(shù)。這種膜沉積4支術(shù)可以優(yōu)選地用于例如沉積用作柵-才及絕緣體的介電材料。當沉積二氧化硅(Si02)作為柵極絕緣體時，雙(叔丁基氨基)硅烷(BTBAS)氣體等被用作第一反應(yīng)氣體(源氣體)，臭氧氣體等被用作第二氣體(氧化氣體)。為了進行這種沉積方法，已考慮過使用具有真空室和位于真空室的頂端中央部的噴淋頭的單一晶片沉積設(shè)備。在這種沉積設(shè)備中，將反應(yīng)氣體從頂端中央部引入真空室，未反應(yīng)的氣體和副產(chǎn)物被從真空室的底部排出。當使用這種沉積室時，清9掃氣體(purgegas)需要較長時間才能掃除反應(yīng)氣體，因為循環(huán)次數(shù)可能達到數(shù)百次，所以導(dǎo)致才及長的處理時間。因此，需要一種具有高生產(chǎn)能力的沉積方法和設(shè)備。在這樣的情況下，提出一種具有真空室和沿旋轉(zhuǎn)方向保持多個晶片的轉(zhuǎn)臺的膜沉積設(shè)備。下文列出的專利文獻l公開了一種沉積設(shè)備，其處理室的形狀為扁平圓筒狀。該處理室4皮分成兩個半圓形區(qū)域，每一區(qū)域具有排氣口，排氣口被設(shè)置成圍繞對應(yīng)區(qū)域的頂部區(qū)域。另夕卜，該處理室具有氣體入口，該氣體入口沿著處理室的直徑將分隔氣體引入兩個區(qū)域之間。利用這些構(gòu)造，在將不同的反應(yīng)氣體供給至相應(yīng)的區(qū)域并通過相應(yīng)的排氣口從上方排出的同時，使轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)，從而轉(zhuǎn)臺上的晶片可以交替地通過所述兩個區(qū)域。供給有分隔氣體的分隔區(qū)域的頂部低于供給有反應(yīng)氣體的區(qū)域的頂部。然而，因為反應(yīng)氣體和分隔氣體被向上方供給，接著從設(shè)置在處理室的上部的排氣口向上排出，所以處理室中的粒子(particle)可能會#1氣體的向上流動而吹起并落在晶片上，導(dǎo)致晶片被污染。專利文獻2公開了一種具有晶片支撐構(gòu)件(轉(zhuǎn)臺)、第一和第二氣體噴嘴以及清洗噴嘴的處理室，其中，晶片支撐構(gòu)件保持多個晶片并可水平旋轉(zhuǎn)，第一和第二氣體噴嘴沿著晶片支撐構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)方向以相等的角度間隔布置并與晶片支撐構(gòu)件相對，清洗噴嘴位于第一和第二氣體噴嘴之間。所述氣體噴嘴沿晶片支撐構(gòu)件的徑向延伸。晶片的頂面高出晶片支撐構(gòu)件的頂面，噴嘴與晶片支撐構(gòu)件上的晶片之間的距離為約0.1mm以上。將抽真空裝置連接到晶片支撐構(gòu)件的外邊緣與處理室的內(nèi)壁之間的部分。根據(jù)如此構(gòu)造的處理室，清掃氣體噴嘴排出清10掃氣體以產(chǎn)生氣體簾幕(gascurtain),從而防止第一反應(yīng)氣體和第二反應(yīng)氣體混合。然而，該氣體簾幕并不能完全防止反應(yīng)氣體混合，而是，部分地因為氣體由于晶片支撐構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)而沿著旋轉(zhuǎn)方向流動，可能會使一種反應(yīng)氣體穿越氣體簾幕與另一種反應(yīng)氣體混合。另外，因為處于旋轉(zhuǎn)的晶片支撐構(gòu)件的中心附近的氣體上受到的離心力不是很強，所以從第一(第二)氣體出口噴嘴排出的第一(第二)反應(yīng)氣體有可能流過晶片支撐構(gòu)件的中央部而與第二(第一)反應(yīng)氣體相遇。一旦反應(yīng)氣體在處理室中混合，就不能如預(yù)期地那樣進行MLD(或ALD)模式的膜沉積。專利文獻3公開了一種處理室，通過多個分隔件將該處理室沿周向分隔成多個處理區(qū)域。在這些分隔件下方，與分隔件之間留有小間隙地設(shè)置圓形的放置有多個晶片的可旋轉(zhuǎn)基座(susceptor)。另外，這些處理區(qū)域中的至少一個處理區(qū)域用作排空室。在這種處理室中，被引入到其中一個處理區(qū)域中的處理氣體可能會通過分隔件下方的間隙擴散到相鄰的處理區(qū)域，從而與被引入到該相鄰處理區(qū)域中的另一種處理氣體混合。而且，處理氣體有可能在排空室中混合，從而使晶片同時暴露于兩種處理氣體。因此，利用這種處理室無法以合適的方式進行ALD(或MLD)模式的沉積。專利文獻4公開了一種具有四個扇形供氣板、排氣口和基座的處理室，其中，每個供氣板均具有45度的渦流角，并且四個供氣板以90度的角度間隔布置，排氣口使處理室被排空并且位于相鄰的兩個供氣板之間，基座保持多個晶片并且與供氣板相對設(shè)置。四個供氣板可以分別排出AsH3氣體、H2氣體、三甲基鎵(TMG)氣體和H2氣體。然而，專利文獻4并未給出防止兩種源氣體(AsH3和TMG))混合的實際措施。由于缺少這種措施，兩種源氣體可能在基座中心周圍并且通過H2供氣板混合。而且，因為排氣口位于相鄰的兩個供氣才反之間以自下而上地排出氣體，粒子會被從基座的表面吹起，從而導(dǎo)致晶片污染。專利文獻5公開了一種具有圓形板、四個注入管和兩個排氣口的處理室，其中，圓形板4皮分隔壁分成四個四分之一區(qū)并且具有分別祐:設(shè)置在四個四分之一區(qū)的四個基座，四個注入管連接成十字形，兩個排氣口位于相應(yīng)的基座附近。在這種處理室中，四個晶片被安裝在相應(yīng)的四個基座中，四個注入管在圓形板的上方繞十字的中心旋轉(zhuǎn)，同時分別噴射源氣體、清掃氣體、反應(yīng)氣體和另一清掃氣體。在這種處理室中，當一個注入管經(jīng)過一個四分之一區(qū)后，這個四分之一區(qū)不能在短時間內(nèi)4皮清掃氣體所清洗。另外，一個四分之一區(qū)的反應(yīng)氣體能夠輕易地流入相鄰的四分之一區(qū)。因此，難以進行MLD(或ALD)才莫式的膜沉積。此外，專利文獻6(專利文獻7和8)公開了一種優(yōu)選用于原子層CVD法的膜沉積設(shè)備，這種方法可使多種氣體交替吸附在目標物(晶片)上。在這種設(shè)備中，保持晶片的基座旋轉(zhuǎn)，同時源氣體和清掃氣體從上方供給至基座。該文件的0023至0025段描述了從處理室中心徑向延伸的分隔壁以及形成于分隔壁的底部以向基座供給源氣體或清掃氣體的氣體噴孔，這樣，從氣體噴孔噴出的作為清掃氣體的惰性氣體產(chǎn)生氣體簾幕。至于氣體的排出，該文件的0058段描述為通過排空通道30a排出源氣體，通過排空通道30b排出清掃氣體。利用這種構(gòu)造，源氣體能夠從位于清掃氣體空間(compartment)兩側(cè)的源氣體空間流入清掃氣體空間而在清掃氣體空間中彼此混合。結(jié)果，在清掃氣體空間中產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)物，從而可能使粒子落在晶片上。專利文獻l:美國專利公報No.7,153,542(圖6A和圖6B)專利文獻2:專利文獻3:利要求l)專利文獻4:專利文獻5:日本特開2001—254181號z^才艮(圖l和圖2)曰本專利/^才艮No.3,144,664(圖l牙口圖2及4又曰本凈爭開平4_287912號7>才艮美國專利/^才艮No.6，634，314專利文獻6:曰本斗爭開2007—247066號7^才艮(00234殳至0025段、0058段、圖12和圖13)專利文獻7:美國專利7^才艮No.2007-218701專利文獻8:美國專利7^才艮No.2007-21870
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是考慮上述情況后做出的，并且本發(fā)明旨在提供一種膜沉積設(shè)備、一種膜沉積方法以及一種儲存用于使所述膜沉積設(shè)備執(zhí)行所述膜沉積方法的計算機程序的計算機可讀存儲介質(zhì)，它們能夠通過進行將多種反應(yīng)氣體交替地供給至基片以在基片上產(chǎn)生反應(yīng)氣體的反應(yīng)產(chǎn)物的多個層的多個循環(huán)來沉積膜，而不允許多種氣體在晶片上的混合，從而在不損害高生產(chǎn)能力的情況下進行適當?shù)腁LD(或MLD)模式的膜沉積。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面提供一種膜沉積設(shè)備，其用于通過在室中進行將彼此反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體交替地供給至基片以產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)物層的循環(huán)來在所述基片上沉積膜。所述膜沉積設(shè)備包括可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在所述室中的轉(zhuǎn)臺；基片收容部，該基片收容部被設(shè)置于所述轉(zhuǎn)臺的一表面，并且所述基片能夠被放置在所述基片收容部中；第一反應(yīng)氣體供給部，該第一反應(yīng)氣體供給部被構(gòu)造成用于向所述一表面供給第一反應(yīng)氣體；第二反應(yīng)氣體供給部，該第二反應(yīng)氣體供給部被構(gòu)造成用于向所述一表面供給第二反應(yīng)氣體，并且使所述第二反應(yīng)氣體供給部與所述第一反應(yīng)氣體供給部沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向分隔開；分隔區(qū)域，該分隔區(qū)域沿所述旋轉(zhuǎn)方向位于#:供給所述第一反應(yīng)氣體的第一處理區(qū)域與被供給所述第二反應(yīng)氣體的第二處理區(qū)域之間；中央?yún)^(qū)域，該中央?yún)^(qū)域基本上位于所述室的中央部以分隔所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域，并且所述中央?yún)^(qū)域具有朝所述一表面噴出第一分隔氣體的噴孔；以及排氣口，該排氣口被設(shè)置于所述室以對所述室進行排氣。在所述膜沉積設(shè)備中，所述分隔區(qū)域包括供給第二分隔氣體的分隔氣體供給部；以及與所述轉(zhuǎn)臺的所述一表面產(chǎn)生薄空間的內(nèi)頂面，在該薄空間中，所述第二分隔氣體能夠沿所述旋轉(zhuǎn)方向和與所述》走轉(zhuǎn)方向相反的方向A人所述分隔區(qū)域流向所述處理區(qū)i或側(cè)。本發(fā)明的第二方面提供一種根據(jù)第一方面的膜沉積設(shè)備，其中，所述中央?yún)^(qū)域由所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中央部和所述室的內(nèi)側(cè)上表面限定，所述中央?yún)^(qū)域被所述第一分隔氣體清掃。本發(fā)明的第三方面提供一種根據(jù)第一方面的膜沉積設(shè)備，其中，所述中央?yún)^(qū)域包括被設(shè)置在所述室的內(nèi)側(cè)上表面與所述室的底面之間的柱構(gòu)件以及可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置的旋轉(zhuǎn)套筒，該旋轉(zhuǎn)套筒被設(shè)置成使得所述柱構(gòu)件位于該旋轉(zhuǎn)套筒的內(nèi)部，其中，所述旋轉(zhuǎn)套筒用作所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軸。本發(fā)明的第四方面提供一種根據(jù)第一至第三方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述排氣口被設(shè)置成通過所述轉(zhuǎn)臺的外周緣與所述室的內(nèi)周壁之間的間隙來對所述室進行排氣。本發(fā)明的第五方面提供一種根據(jù)第一至第四方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述分隔區(qū)域的壓強高于所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域的壓強。本發(fā)明的第六方面提供一種根據(jù)第一至第五方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，置于所述基片收容部中的所述基片的表為5mm以下。本發(fā)明的第七方面提供一種根據(jù)第一至第六方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其包括第一氣體引入口，該第一氣體引入口被構(gòu)造成用于將所述第一反應(yīng)氣體引入所述第一反應(yīng)氣體供給部；第二氣體引入口，該第二氣體引入口被構(gòu)造成用于將所述第二反應(yīng)氣體引入所述第二反應(yīng)氣體供給部；以及第三氣體引入口，該第三氣體引入口被構(gòu)造成用于將所述分隔氣體引入所述分隔氣體供給部；其中，所述第一氣體引入口、所述第二氣體引入口和所述第三氣體引入口被設(shè)置于所述室的周壁和所述室的旋轉(zhuǎn)中央部中的至少一方。本發(fā)明的第八方面提供一種根據(jù)第一至第七方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述分隔氣體供給部包括多個噴孔，所述多個噴孔沿從所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中心向所述轉(zhuǎn)臺的外周和從所述外周向所述旋轉(zhuǎn)中心的多個方向中的一個方向布置。本發(fā)明的第九方面提供一種根據(jù)第一至第八方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述分隔區(qū)域的所述內(nèi)頂面是平坦的。本發(fā)明的第十方面提供一種根據(jù)第一至第九方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述分隔區(qū)域的所述內(nèi)頂面是彎曲的。本發(fā)明的第十一方面提供一種根據(jù)第一至第十方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，與所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域?qū)?yīng)地設(shè)置多個所述排氣口，以/人所述排氣口之一基本上專門地排出所述第一反應(yīng)氣體并且從所述排氣口中的另一個排氣口基本上專門地排出所述第二反應(yīng)氣體。本發(fā)明的第十二方面提供一種根據(jù)第一至第十一方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其還包括對所述轉(zhuǎn)臺進行加熱的加熱部。15本發(fā)明的第十三方面提供一種根據(jù)第一至第十二方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述加熱部位于所述轉(zhuǎn)臺的下方。本發(fā)明的第十四方面提供一種根據(jù)第一至第十二方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述加熱部位于所述轉(zhuǎn)臺的上方。本發(fā)明的第十五方面提供一種根據(jù)第一至第十四方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其還包括清掃氣體供給部，該清掃氣體供給部向所述轉(zhuǎn)臺下方的空間供給清掃氣體，以減少從所述轉(zhuǎn)臺的外周流入所述空間的所述第一反應(yīng)氣體和所述第二反應(yīng)氣體的量。本發(fā)明的第十六方面提供一種根據(jù)第一至第十五方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述分隔區(qū)域包括從所述內(nèi)頂面的與所述室的內(nèi)周壁相鄰的邊緣彎折的彎折部，該彎折部介于所述轉(zhuǎn)臺的外周與所述內(nèi)周壁之間，所述彎折部與所述轉(zhuǎn)臺的外周之間的間隙被設(shè)定成使得所述間隙能夠防止所述第一反應(yīng)氣體和所述第二反應(yīng)氣體進入所述間隙。本發(fā)明的第十七方面提供一種根據(jù)第一至第十六方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，在所述分隔區(qū)域產(chǎn)生所述薄空間的所述內(nèi)頂面沿著與以下i各徑對應(yīng)的圓弧具有約50mm以上的長度所述路徑為，當所述轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)時，置于所述轉(zhuǎn)臺的所述基片收容部中的所述基片的中心所經(jīng)過的路徑。本發(fā)明的第十八方面提供一種根據(jù)第一至第十七方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述轉(zhuǎn)臺沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向具有多個所述基片收容部。本發(fā)明的第十九方面提供一種根據(jù)第一至第十八方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述室具有轉(zhuǎn)移開口，通過該轉(zhuǎn)移開口能夠在所述轉(zhuǎn)臺與所述室外部的轉(zhuǎn)移機構(gòu)之間來回地轉(zhuǎn)移所述基片，通過被設(shè)置于所述室的側(cè)壁的閘式閥能夠使所述轉(zhuǎn)16移開口打開/關(guān)閉。本發(fā)明的第二十方面提供一種根據(jù)第一至第十九方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其中，所述分隔氣體供給部與相對于所述旋轉(zhuǎn)方向位于上游的內(nèi)頂面邊緣之間沿所述旋轉(zhuǎn)方向的距離在沿所述轉(zhuǎn)臺的徑向的外側(cè)位置處較大。本發(fā)明的第二十一方面提供一種根據(jù)第二十方面的膜沉積設(shè)備，其中，所述分隔區(qū)域的所述內(nèi)頂面基本上為扇形。本發(fā)明的第二十二方面提供一種基片處理設(shè)備，其包括內(nèi)部具有基片轉(zhuǎn)移機構(gòu)的轉(zhuǎn)移室；本發(fā)明的第一方面的膜沉積設(shè)備，該膜沉積設(shè)備與所述轉(zhuǎn)移室氣密地連接；以及準備室，該準備室能夠被抽真空，并且該準備室被氣密地連接至所述轉(zhuǎn)移室本發(fā)明的第一方面的。本發(fā)明的第二十三方面提供一種膜沉積方法，其用于通過在室中進行將彼此反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體交替地供給至基片以產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)物層的循環(huán)來在所述基片上沉積膜。所述膜沉積方法包括以下步驟將所述基片放置在能夠旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在所述室中的轉(zhuǎn)臺上；使放置有所述基片的所述轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)；從第一反應(yīng)氣體供給部向所述轉(zhuǎn)臺供給第一反應(yīng)氣體；從第二反應(yīng)氣體供給部向所述轉(zhuǎn)臺供給第二反應(yīng)氣體，所述第二反應(yīng)氣體供給部與所述第一反應(yīng)氣體供給部沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向是分隔開的；從被設(shè)置在分隔區(qū)域中的分隔氣體供給部供給第一分隔氣體，以使所述第一分隔氣體在所述分隔區(qū)域的內(nèi)頂面與所述轉(zhuǎn)臺之間的薄空間中沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向和與所述旋轉(zhuǎn)方向相反的方向從所述分隔區(qū)域流向處理區(qū)域，其中，所述分隔區(qū)域位于被從所述第一反應(yīng)氣體供給部供給所述第一反應(yīng)氣體的第一處理區(qū)域與被從所述第二反應(yīng)氣體供給部供給所述第二反應(yīng)氣體的第二處理區(qū)域之間；從形成于位于所述室的中央部的中央?yún)^(qū)域的噴孔供給第二分隔氣體；以及對所述室進行排氣。本發(fā)明的第二十四方面提供一種根據(jù)第二十三方面的膜沉積方法，其中，所述中央?yún)^(qū)域由所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中央部和所述室的內(nèi)側(cè)上表面限定，所述中央?yún)^(qū)域被所述第二分隔氣體清掃。本發(fā)明的第二十五方面提供一種根據(jù)第二十三方面的膜沉積方法，其中，所述中央?yún)^(qū)域包括被設(shè)置在所述室的內(nèi)側(cè)上表面與所述室的底面之間的柱構(gòu)件以及可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置的旋轉(zhuǎn)套筒，該旋轉(zhuǎn)套筒被設(shè)置成使得所述柱構(gòu)件位于該旋轉(zhuǎn)套筒的內(nèi)部，其中，所述旋轉(zhuǎn)套筒用作所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軸。本發(fā)明的第二十六方面提供一種根據(jù)第二十三至第二十五方面的任一者的膜沉積方法，其中，在對所述室進行排氣的排氣步驟中，所述室通過所述轉(zhuǎn)臺的外周緣與所述室的內(nèi)周壁之間的間隙#:排氣。本發(fā)明的第二十七方面提供一種根據(jù)第二十三至第二十六方面的任一者的膜沉積方法，其中，在所述分隔區(qū)域中產(chǎn)生所述薄空間的所述內(nèi)頂面沿著與以下3各徑對應(yīng)的圓弧具有約50mm以上的距離所述路徑為，當所述轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)時，置于所述轉(zhuǎn)臺的所述基片收容部中的所述基片的中心所經(jīng)過的路徑。本發(fā)明的第二十八方面提供一種根據(jù)第二十三至第二十七方面的任一者的膜沉積方法，其中，所述分隔區(qū)域的壓強高于所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域的壓強。本發(fā)明的第二十九方面提供一種根據(jù)第二十三至第二十八方面的任一者的膜沉積方法，其還包括對所述轉(zhuǎn)臺進行加熱的步驟。本發(fā)明的第三十方面提供一種根據(jù)第二十三至第二十九方面的任一者的膜沉積方法，其中，從與所述反應(yīng)氣體的數(shù)目對應(yīng)地設(shè)置的多個排氣口中的一個排氣口基本上專門地排出所述18第一反應(yīng)氣體，并且從所述多個排氣口中的另一個排氣口基本上專門地排出所述第二反應(yīng)氣體。本發(fā)明的第三十一方面提供一種根據(jù)第二十三至第三十方面的任一者的膜沉積方法，其還包括在進行膜沉積時向所述轉(zhuǎn)臺下方的空間供給清掃氣體的步驟。本發(fā)明的第三十二方面提供一種存儲用于膜沉積設(shè)備的程序的計算機可讀存儲介質(zhì)，在該膜沉積設(shè)備中，通過在室中進行將彼此反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體交替地供給至基片以產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)物層的循環(huán)來在基片上沉積膜，所述程序包括使所述膜沉積設(shè)備執(zhí)行本發(fā)明的第二十三方面的膜沉積方法的步驟組。本發(fā)明的第三十三方面提供一種根據(jù)第一至第二十一方面的任一者的膜沉積設(shè)備，其還包括第三反應(yīng)氣體供給部，該第三反應(yīng)氣體供給部被構(gòu)造成用于向所述一表面供給第三反應(yīng)氣體；第四反應(yīng)氣體供給部，該第四反應(yīng)氣體供給部被構(gòu)造成用于向所述一表面供給第四反應(yīng)氣體，其中，所述第三反應(yīng)氣體和所述第四反應(yīng)氣體能夠形成不同于由所述第一反應(yīng)氣體和所述第二反應(yīng)氣體形成的第一反應(yīng)產(chǎn)物的第二反應(yīng)產(chǎn)物，所述第四反應(yīng)氣體供給部與所述第三反應(yīng)氣體供給部沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向是分隔開的；以及控制部，該控制部:帔構(gòu)造成用于控制所述第一反應(yīng)氣體供給部至所述第四反應(yīng)氣體供給部，從而交替地進行第一膜的沉積和第二膜的沉積，其中，用來自所述第一反應(yīng)氣體供給部的所述第一反應(yīng)氣體和來自所述第二反應(yīng)氣體供給部的所述第二反應(yīng)氣體來沉積所述第一膜，用來自所述第三反應(yīng)氣體供給部的所述第三反應(yīng)氣體和來自所述第四反應(yīng)氣體供給部的所述第四反應(yīng)氣體來沉積所述第二膜。本發(fā)明的第三十四方面提供一種根據(jù)第三十三方面的膜沉積設(shè)備，其中，所述第一反應(yīng)氣體供給部也用作所述第三反應(yīng)氣體供給部，所述第二反應(yīng)氣體供給部也用作所述第四反應(yīng)氣體供給部。本發(fā)明的第三十五方面提供一種根據(jù)第二十三至第三十一方面的膜沉積方法，其還包括向所述基片交替地供給來自第三反應(yīng)氣體供給部的第三反應(yīng)氣體和來自第四反應(yīng)氣體供給部的第四反應(yīng)氣體的步驟，以沉積不同于由所述第一反應(yīng)氣體和所述第二反應(yīng)氣體沉積的反應(yīng)產(chǎn)物的反應(yīng)產(chǎn)物，所述第三反應(yīng)氣體供給部與所述第四反應(yīng)氣體供給部沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向是分隔開的，其中，在交替地進行供給所述第一反應(yīng)氣體的步驟和供給所述第二反應(yīng)氣體的步驟之后進行交替地供給所述第三反應(yīng)氣體和所述第四反應(yīng)氣體的步驟。本發(fā)明的第三十六方面提供一種根據(jù)第三十五方面的膜沉積方法，其中，所述第一反應(yīng)氣體供給部也用作所述第三反應(yīng)氣體供給部，所述第二反應(yīng)氣體供給部也用作所述第四反應(yīng)氣體供給部。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，當向晶片表面交替地供給彼此反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體并且多次重復(fù)這種交替地供給以形成多層反應(yīng)產(chǎn)物時，將晶片放置在轉(zhuǎn)臺上，通過旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)臺將多種反應(yīng)氣體供給至晶片表面，從而實現(xiàn)高生產(chǎn)能力的膜沉積。而且，在第一反應(yīng)氣體供給部與第二反應(yīng)氣體供給部之間設(shè)置了分隔氣體供給部，并且在分隔氣體供給部的兩側(cè)設(shè)置了低內(nèi)頂面以在j氐內(nèi)頂面和轉(zhuǎn)臺之間形成薄空間，乂人而防止了反應(yīng)氣體進入分隔區(qū)域。除此之外，第一分隔氣體^^皮從中央?yún)^(qū)域噴向轉(zhuǎn)臺的外周，反應(yīng)氣體隨從中央?yún)^(qū)域噴出的第一分隔氣體和向分隔區(qū)域兩側(cè)擴散的第二分隔氣體一起通過室的內(nèi)周壁和轉(zhuǎn)臺的外周之間的間隙被排出。因此，可以防止第一和第二反應(yīng)氣體混合，從而可以如預(yù)期的那樣進行MLD(或ALD)模式的膜沉積。通過結(jié)合附圖閱讀以下詳細說明，本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點將變得更加明顯，在附圖中圖l是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積設(shè)備的剖視圖；圖2是圖l的膜沉積設(shè)備的立體圖；圖3是圖l的膜沉積設(shè)備的平面圖4A和圖4B是示出分隔區(qū)域和處理區(qū)域的展開的剖視圖；圖5是圖l的膜沉積設(shè)備的局部剖視圖6是圖l的膜沉積設(shè)備的立體圖，特別示出了反應(yīng)氣體供給部；圖7是圖1的膜沉積設(shè)備的局部剖視圖；圖8是圖l的膜沉積設(shè)備的割裂透視圖；圖9示出供給到圖l的膜沉積設(shè)備的處理室的氣體的流型(flowpattern);圖IOA是用于說明圖l的膜沉積設(shè)備的內(nèi)頂面(或凸部)的尺寸的局部平面圖IOB是用于說明圖l的膜沉積設(shè)備的內(nèi)頂面(或凸部)的尺寸的局部側(cè)S見圖ll是圖l的膜沉積設(shè)備中的凸部的變型例的局部剖視圖12A至圖12C是圖l的膜沉積設(shè)備的凸部的變型例；圖13A至圖13C是圖l的膜沉積設(shè)備的噴孔布置的變型例；圖13D至圖13G是圖l的膜沉積設(shè)備的凸部的其它變型例；圖14是氣體供給噴嘴的另一構(gòu)造的平面圖15是圖l的膜沉積設(shè)備的凸部的變型例的平面圖16是圖l的膜沉積設(shè)備的凸部的另一變型例的立體21圖17是圖l的膜沉積設(shè)備的凸部的另一變型例的平面圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的膜沉積設(shè)備的剖視圖19是結(jié)合有圖l或圖18的膜沉積設(shè)備的基片處理設(shè)備的示意圖20是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的膜沉積設(shè)備的示意性俯視圖21A是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的膜沉積設(shè)備的示意性俯視圖21B是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的膜沉積設(shè)備的示意性俯視圖22是由根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積設(shè)備優(yōu)選地形成的多層膜的示意性剖視圖23是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的膜沉積設(shè)備的示意性俯視圖24A是反應(yīng)氣體分子在晶片附近的行為的示意圖24B是在晶片附近反應(yīng)氣體分子被Os分子氧化的示意圖24C是從晶片釋放副產(chǎn)物的示意圖；圖25A示出BTBAS分子的分子結(jié)構(gòu)；圖25B示出DIPAS分子的分子結(jié)構(gòu)；圖26示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積方法進行的實驗l的實驗結(jié)果；圖27示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積方法進行的實驗2的實驗結(jié)果；圖28是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積方法進行的實驗3中將使用的晶片中的開口的示意性剖視22圖29是實驗3中的部分填充有二氧化硅的開口的示意性剖視圖30是實驗3中的部分填充有二氧化硅的開口的另一示意性剖視圖31是實驗3中的部分填充有二氧化硅的開口的再一示意性剖視圖32示出實驗3中轉(zhuǎn)臺的轉(zhuǎn)速與得到的填隙特性的關(guān)系；圖33示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積方法進行的實驗4的實驗結(jié)果；圖34示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積方法進行的實驗5的實驗結(jié)果；圖35示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積方法進行的實驗6的實驗結(jié)果。具體實施例方式現(xiàn)將參照本發(fā)明的非限制性的典型實施方式。在附圖中，用相同或相應(yīng)的附圖標記表示相同或相應(yīng)的構(gòu)件或組件。應(yīng)當注意，附圖僅用于說明本發(fā)明，而不是要表示各個構(gòu)件或組件自身或相互之間的大小或相對比例。因此，具體的厚度或尺寸應(yīng)當由本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)以下非限制性的實施方式來確定。圖1是沿圖3中的B-B線截取的剖視圖，參照圖l，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積設(shè)備具有扁平筒狀的真空室l;以及位于真空室l內(nèi)的轉(zhuǎn)臺2，轉(zhuǎn)臺2具有位于真空室1中央的旋轉(zhuǎn)中心。真空室l被制成為使得頂板(ceilingplate)ll可以與真空室主體12分離。頂板11經(jīng)由如0形環(huán)13等頂板構(gòu)件而壓到真空室主體12上，從而氣密地密封真空室l。另一方面，當需要從真空室主體12移除頂板11時，可以用驅(qū)動機構(gòu)(未示出)提升頂板ll。轉(zhuǎn)臺2可旋轉(zhuǎn)地固定于筒狀芯部21。芯部21被固定在沿垂直方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸22的頂端。在這個實施方式中，旋轉(zhuǎn)軸22貫穿真空室主體12的底部14,旋轉(zhuǎn)軸22的下端纟皮固定于可使旋轉(zhuǎn)軸22沿順時針方向旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動機構(gòu)23。旋轉(zhuǎn)軸22和驅(qū)動4幾構(gòu)23被容納在具有帶底的筒狀的殼體20中。殼體20經(jīng)由帶凸緣的管部20a氣密地固定于底部14的底面，帶凸緣的管部20a將殼體20的內(nèi)部環(huán)境與外部環(huán)境隔離。如圖2和圖3所示，在轉(zhuǎn)臺2的頂面形成有多個(在示出的實施例中為5個)圓形凹部24,每個圓形凹部24均可以收容晶片W,盡管圖3中僅示出了一個晶片W。凹部24以相等的角度間隔布置在轉(zhuǎn)臺2中。圖4A是沿圖3中的從第一反應(yīng)氣體噴嘴31向第二反應(yīng)氣體噴嘴32延伸的圓弧截取的投影剖視圖。如圖4A所示，凹部24的直徑比晶片W的直徑略大，例如，大4mm,并且凹部24的深度與晶片W的厚度相同。因此，當晶片W被放置在凹部24中時，晶片W的表面與轉(zhuǎn)臺2的除凹部24以外的區(qū)域的表面位于相同的高度(elevation)。如果所述區(qū)域與晶片W之間存在較大的臺階，則會由所述臺階引起氣流的紊流(turbulence),這可能影響整個晶片W的厚度均一性。這就是上述兩個表面位于相同的高度的原因。雖然這里所說的"相同的高度"指的是高度差為約5mm以下，但是，在加工精度允許的范圍內(nèi)，高度差需要盡可能地接近零。凹部24的底部形成有三個通孔(未示出)，通過該三個通孔可以升/降對應(yīng)的三個升降銷(elevationpin)(參見圖8)。升降銷支撐晶片W的背面并且使晶片W升/降。凹部24是設(shè)置用于定位晶片W并且防止晶片W被轉(zhuǎn)臺12的轉(zhuǎn)動引起的離心力甩出的晶片w收容區(qū)域。然而，晶片w收容區(qū)域并不限于凹部24,也可以由在轉(zhuǎn)臺2上以預(yù)定的角度間隔布置以保持晶片W的邊緣的引導(dǎo)構(gòu)件來實現(xiàn)晶片W收容區(qū)域。例如，可以由請爭電夾盤(electrostaticchuck)來實現(xiàn)晶片W收容區(qū)域。再次參照圖2和圖3，真空室1包括位于轉(zhuǎn)臺2上方的第一反應(yīng)氣體噴嘴31、第二反應(yīng)氣體噴嘴32以及分隔氣體噴嘴41和42,這些噴嘴以預(yù)定的角度間隔沿徑向延伸。利用這種構(gòu)造，凹部24可以在噴嘴31、32、41和42下方通過。在示出的實施例中，第二反應(yīng)氣體噴嘴32、分隔氣體噴嘴41、第一反應(yīng)氣體噴嘴31和分隔氣體噴嘴42沿順時針方向依次布置。這些氣體噴嘴31、32、41和42穿過真空室主體12的周壁部，并通過將氣體噴嘴31、32、41和42的基端部，即進氣口31a、32a、41a和42a，分別安裝在壁部的外周上來支撐氣體噴嘴31、32、41和42。盡管在示出的實施例中將氣體噴嘴31、32、41和42從真空室1的周壁部引入真空室l中，也可以從環(huán)狀突出部5(后述)引入氣體噴嘴31、32、41和42。在這種情況下，可以設(shè)置L形管道以在突出部5的外周面和頂板11的外頂面開口。通過這種的L形管道，噴嘴31(32、41和42)可與L形管道的在真空室1內(nèi)的一開口連接，并且進氣口31a(32a、41a和42a)可以與L形管道的在真空室l外的另一開口連接。盡管未示出，反應(yīng)氣體噴嘴31與作為第一源氣體的雙(叔丁基氨基)硅烷(BTBAS)的供氣源連接，而反應(yīng)氣體噴嘴32與作為第二源氣體的Os(臭氧)氣體的供氣源連接。反應(yīng)氣體噴嘴31和32具有多個噴孔33以向下噴出對應(yīng)的源氣體。多個噴孔33沿反應(yīng)氣體噴嘴31和32的長度方向以預(yù)定的間隔布置。噴孔33的內(nèi)徑為約0.5mm，在本實施方式中，多25個噴孔33以約10mm的間隔布置。在本實施方式中，反應(yīng)氣體噴嘴31和32分別為第一反應(yīng)氣體供給部和第二反應(yīng)氣體供給部。另外，反應(yīng)氣體噴嘴31下方的區(qū)域是第一處理區(qū)域Pl,BTBAS氣體于該第一處理區(qū)域P1吸附在晶片W上；反應(yīng)氣體噴嘴32下方的區(qū)域是第二處理區(qū)域P2，03氣體于該第二處理區(qū)域P2吸附在晶片W上。另一方面，分隔氣體噴嘴41和42與N2(氮氣)氣體的供氣源(未示出)連接。分隔氣體噴嘴41和42有多個噴孔40,以從該多個噴孔40向下噴出分隔氣體。多個噴孔40沿分隔氣體噴嘴41和42的長度方向以預(yù)定的間隔布置。噴孔40的內(nèi)徑為約0.5mm，在本實施方式中，多個噴孔40以約10mm的間隔布置。分隔氣體噴嘴41和42被設(shè)置在分隔區(qū)域D中，分隔區(qū)域D被構(gòu)造成用于分隔第一處理區(qū)域P1和第二處理區(qū)域P2。如圖2至圖4B所示，在每一分隔區(qū)域D中，在頂板ll上設(shè)置有凸部4。凸部4在俯視圖中為扇形，扇形的頂點位于真空室l的中心，扇形的弧形外周接近并且沿著真空室主體12的內(nèi)周壁延伸。另外，凸部4具有沿徑向延伸的槽部43,凸部4看起來好像被槽部43基本二等分。分隔氣體噴嘴41(42)位于槽部43中。分隔氣體噴嘴41(42)的中心軸線與扇形凸部4的一側(cè)之間的周向距離基本上等于分隔氣體噴嘴41(42)的中心軸線與所述扇形凸部4的另一側(cè)之間的周向距離。順便提及，盡管在本實施方式中為了二等分凸部4而形成槽部43,然而在其它實施方式中，側(cè)較寬。如圖4A所示，利用上述構(gòu)造，存在位于分隔氣體噴嘴41(42)的兩側(cè)的平坦的低內(nèi)頂面(ceilingsurface)44(第一內(nèi)頂面)，以及位于相應(yīng)的低內(nèi)頂面44外側(cè)的高內(nèi)頂面45(第二內(nèi)頂面)。凸部4(內(nèi)頂面44)在凸部4與轉(zhuǎn)臺2之間^是供分隔空間，即薄空間H，以阻止第一氣體和第二氣體進入該薄空間而混合。參照圖4B，從反應(yīng)氣體噴嘴32沿轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向流向凸部4的03氣體被阻止進入凸部4與轉(zhuǎn)臺2之間的空間，并且從反應(yīng)氣體噴嘴31沿轉(zhuǎn)臺2轉(zhuǎn)動的反方向流向凸部4的BTBAS氣體被阻止進入凸部4與轉(zhuǎn)臺2之間的空間。"氣體被阻止進入"指的是從分隔氣體噴嘴41噴出的作為分隔氣體的N2氣體在第一內(nèi)頂面44與轉(zhuǎn)臺2的上表面之間擴散，并且流出到在示出的實施例中與相應(yīng)的第一內(nèi)頂面相鄰的第二內(nèi)頂面45下方的空間，4吏得氣體無法從第二頂板45下方的空間進入分隔空間。"氣體無法進入分隔空間"不^f又表示氣體被完全防止進入分隔空間，而且還表示即使一小部分反應(yīng)氣體進入分隔空間，這些氣體也不能繼續(xù)向分隔氣體噴嘴41前進而彼此混合。也就是說，只要能夠表現(xiàn)出上述效果，分隔區(qū)域D就能起到分隔第一處理區(qū)域P1和第二處理區(qū)域P2的作用。順便提及，吸附在晶片W上的BTBAS氣體或03氣體能夠通過凸部4的下方。因此，"被阻止進入的氣體"中的氣體指的是處于氣相的氣體。參照圖l、圖2和圖3，環(huán)狀突出部5被設(shè)置在頂板11的底面，使得突出部5的內(nèi)周與芯部21的外周面對。突出部5在芯部21外部的區(qū)域與轉(zhuǎn)臺2相對。另外，突出部5的底面與凸部4的底面形成一個平面。換言之，從轉(zhuǎn)臺2到突出部5的底面的高度與下文將稱為高度h的從轉(zhuǎn)臺2到凸部4的底面的高度相同。順便提及，在其它實施方式中，凸部4形成為不與突出部5成一體，而與突出部5分開。圖2和圖3示出了真空室l的內(nèi)部構(gòu)造，真空室l的頂板i:U皮去除，而凸部4仍保留在真空室1內(nèi)。在上述實施方式中，通過以下方式構(gòu)造出分隔區(qū)域D:在27將成為凸部4的扇形板中形成槽部43,并且將分隔氣體噴嘴41(42)置于槽部43中。然而，也可以用螺釘將兩個扇形板安裝于頂板ll的下表面，使得兩個扇形板位于分隔氣體噴嘴41(42)的兩側(cè)。在本實施方式中，當將在真空室l中處理直徑為約300mm的晶片W時，凸部4具有例如沿內(nèi)圓弧li(圖3)約146mm的周向長度，內(nèi)圓弧li距離轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)中心140mm;以及例如沿外圓弧lo(圖3)約502mm的周向長度，外圓弧lo與轉(zhuǎn)臺2的凹部24的最外部分對應(yīng)。另外，沿外圓^瓜lo乂人凸部4的一個側(cè)壁到槽部43的最接近的側(cè)壁的周向長度為約246mm。另外，從轉(zhuǎn)臺2(或晶片W)的頂面到凸部4的底面或內(nèi)頂面44的高度h(圖4A)為例如約0.5mm至約10mm,優(yōu)選為約4mm。在這種情況下，轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速為例如l至500轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)。為了確定分隔區(qū)域D的分隔功能，可通過實驗根據(jù)真空室1中的壓強和轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速來確定凸部4的尺寸和從轉(zhuǎn)臺2到內(nèi)頂面44的高度h。順便提及，在本實施方式中分隔氣體為N2,但是只要分隔氣體不影響二氧化硅上的沉積，在其它實施方式中分隔氣體也可以為如He、Ar等惰性氣體，或者Ha。圖5示出真空室l的沿圖3中的線A-A截取的剖視圖的一半，其中示出了凸部4和與凸部4一體地形成的突出部5。參照圖5，凸部4在其外邊緣具有彎折成L形的彎折部46。盡管因為凸部4被安裝在頂4反11的底面并且可以與頂々反11一起纟皮乂人真空室主體12移除，使得彎折部46與轉(zhuǎn)臺2之間以及彎折部46與真空室主體12之間存在微小的間隙，但是彎折部46基本上填滿了轉(zhuǎn)臺2與真空室主體12之間的空間，從而防止乂人第一反應(yīng)氣體噴嘴31噴出的第一反應(yīng)氣體(BTBAS)與從第二反應(yīng)氣體噴嘴32噴出的第二反應(yīng)氣體(臭氧)通過轉(zhuǎn)臺2與真空室主體12之間的空間混合。彎折部46與轉(zhuǎn)臺2之間的間隙以及彎折部46與真空室主體12之間的間隙可以與從轉(zhuǎn)臺2到內(nèi)頂面44的高度h相等。在示出的實施例中，面向轉(zhuǎn)臺2的外周面的側(cè)壁用作分隔區(qū)域D的內(nèi)周壁。圖1是沿圖3中的線B-B截取的剖視圖，再次參照圖l,真空室主體12在與轉(zhuǎn)臺2的外周面相對的內(nèi)周面處具有凹部。在下文中將該凹部稱為4非氣區(qū)i或(evacuationarea)6。在4非氣區(qū)域6的下方存在排氣口61(從圖3中可以看到另一排氣口62),排氣口61經(jīng)由排氣管63連接于真空泵64，排氣管63也可用于排氣口62。另外，排氣管63設(shè)置有壓強控制器65?？梢詾橄鄳?yīng)的排氣口61和62設(shè)置多個壓強控制器65。再次參照圖3，當從上往下看時，排氣口61位于第一反應(yīng)氣體噴嘴31與位于第一反應(yīng)氣體噴嘴31的相對于轉(zhuǎn)臺2的順時針轉(zhuǎn)動方向的下游的凸部4之間。利用這種構(gòu)造，排氣口61基本上專門地排出從第一反應(yīng)氣體噴嘴31噴出的BTBAS氣體。另一方面，當從上往下看時，排氣口62位于第二反應(yīng)氣體噴嘴32與相對于第二反應(yīng)氣體噴嘴32位于轉(zhuǎn)臺2的順時針轉(zhuǎn)動方向的下游的凸部4之間。利用這種構(gòu)造，排氣口62能夠基本上專門地排出從第二反應(yīng)氣體噴嘴32噴出的03氣體。因此，如此構(gòu)造的排氣口61和62可以幫助分隔區(qū)域D阻止BTBAS氣體與03氣體混合。盡管在本實施方式中，在真空室主體12中設(shè)置了兩個排氣口61和62,但是在其它實施方式中可設(shè)置三個排氣口。例如，可以在第二反應(yīng)氣體噴嘴32與位于第二反應(yīng)氣體噴嘴32的轉(zhuǎn)臺2的順時針轉(zhuǎn)動方向的上游的分隔區(qū)域D之間的區(qū)域設(shè)置另一個排氣口。另外，還可以在真空室主體12中的某一位置再設(shè)置另一個排氣口。盡管在示出的實施例中，排氣口61、62位于轉(zhuǎn)臺2的下方以通過真空室主體12的內(nèi)周壁與轉(zhuǎn)臺2的外周面之間的區(qū)域?qū)φ婵帐襩排氣，但排氣口也可以位于真空室主體12的側(cè)壁中。另外，當排氣口61、62被設(shè)置在真空室主體12的側(cè)壁中時，排氣口61、62的位置可以比轉(zhuǎn)臺2高。在這種情況下，氣體沿著轉(zhuǎn)臺2的上表面流入位于高出轉(zhuǎn)臺2的位置的排氣口61、62。因此，與排氣口被設(shè)置在例如頂斧反ll中的情況相比，具有真空室l中的粒子不會被氣體吹起的優(yōu)點。如圖l、圖2和圖6所示，作為加熱部的環(huán)狀加熱器單元7被設(shè)置在真空室主體12的底部14與轉(zhuǎn)臺2之間的空間中，使得放置在轉(zhuǎn)臺2上的晶片W在工藝方案確定的溫度下通過轉(zhuǎn)臺2被加熱。另外，蓋構(gòu)件71被設(shè)置在轉(zhuǎn)臺2之下并且接近轉(zhuǎn)臺2的外周以包圍加熱器單元7，使得加熱器單元7所在的空間與蓋構(gòu)件71的外側(cè)區(qū)域隔開。蓋構(gòu)件71在其頂部具有凸緣部71a。凸緣部71a被布置成使得轉(zhuǎn)臺2的背面與凸緣部之間保持微小的間隙，從而防止氣體流到蓋構(gòu)件71的內(nèi)側(cè)。再次參照圖1,底部14在環(huán)狀加熱器單元7的內(nèi)部區(qū)域具有抬升部(raisedportion)。抬升部的頂面與轉(zhuǎn)臺2的背面及芯部21接近，從而在抬升部與轉(zhuǎn)臺2之間以及抬升部與芯部21之間留出微小的間隙。另外，底部14具有供轉(zhuǎn)軸22通過的中央孔。中央孔的內(nèi)徑略大于轉(zhuǎn)軸22的直徑，從而為與殼體20通過帶凸緣的管部20a進行連通而留出間隙。清掃氣體供給管72與帶凸緣的管部20a的上部連接。另外，多個清掃氣體供給管73以預(yù)定的角度間隔連4妻到加熱器單元7下方的區(qū)域，以清掃容納加熱器單元7的空間。利用這種構(gòu)造，清掃氣體N2可從清掃氣體供給管72通過轉(zhuǎn)軸22與底部14的中央孔之間的間隙、芯部21與底部14的抬升部之間的間隙以及底部14的抬升部與轉(zhuǎn)臺2的背面之間的間隙流30到加熱器單元的空間。另外，清掃氣體N2可從清掃氣體供給管73流到加熱器單元7下方的空間。接著，這些清掃氣體N2通過蓋構(gòu)件71的凸緣部71a與轉(zhuǎn)臺2的背面之間的間隙流入排氣口61。由圖7中箭頭示意性地示出這些清掃氣體N2的流動。這些清掃氣體N2用作防止第一(第二)反應(yīng)氣體在轉(zhuǎn)臺2下方的空間流動而與第二(第一)反應(yīng)氣體混合的分隔氣體。參照圖7,分隔氣體供給管5l被連接到真空室1的頂板11的頂部中央部，使得N2氣體作為分隔氣體被供給到頂板ll與芯部21之間的空間52。供給到空間52的分隔氣體通過突出部5與轉(zhuǎn)臺2之間的薄間隙50流動，接著沿轉(zhuǎn)臺2的頂面流動，并且到達排氣區(qū)域6。由于空間52和間隙50^皮N2氣體所填充，因此反應(yīng)氣體(BTBAS，03)不能通過轉(zhuǎn)臺2的中央部而混合。換言之，根據(jù)該實施方式的膜沉積設(shè)備設(shè)置有由轉(zhuǎn)臺2的中央部和真空室1限定的中央?yún)^(qū)域C,以將第一處理區(qū)域P1和第二處理區(qū)域體的噴出口。在示出的實施例中，噴出口對應(yīng)于突出部5與轉(zhuǎn)臺2之間的間隙50。另外，如圖2、圖3和圖8所示，轉(zhuǎn)移開口15被形成在真空室主體12的側(cè)壁中。由轉(zhuǎn)移臂IO(圖3和8)通過轉(zhuǎn)移開口15將晶片W移進或移出真空室l。轉(zhuǎn)移開口15設(shè)置有閘式閥(未示出)，通過該閘式閥打開或關(guān)閉轉(zhuǎn)移開口15。當轉(zhuǎn)臺2的凹部24與轉(zhuǎn)移開口15對準并且閘式閥打開時，晶片W被從轉(zhuǎn)移臂IO轉(zhuǎn)移入真空室1中并且放置到轉(zhuǎn)臺2的作為晶片收容部的凹部24中。為了將晶片W降低到凹、部24內(nèi)或從凹部24升高晶片W,設(shè)置了升降銷16,由升降機構(gòu)(未示出)使升降銷16通過形成在轉(zhuǎn)臺2的凹部24中的相應(yīng)通孔升高或降j氐。另外，根據(jù)該實施方式的膜沉積設(shè)備還設(shè)置有控制沉積設(shè)備的整個操作的控制部100?？刂撇?00包括由例如計算機、用戶界面部分100b以及存儲裝置100c形成的工藝控制器100a。用戶界面部分100b具有顯示器，其顯示膜沉積設(shè)備的操作；以及輸入/輸出(I/O)裝置，其包括允許膜沉積設(shè)備的操作者選擇工藝方案并且允許膜沉積設(shè)備的管理人員改變工藝方案中的參數(shù)的鍵盤和觸控面板。存儲裝置100c存儲使控制部100執(zhí)行膜沉積設(shè)備的各種操作的控制程序和工藝方案，存儲裝置100c還存儲工藝方案中的各種參數(shù)。這些程序具有用于執(zhí)行例如下文描述的操作的步驟組。由來自用戶界面部分100b的指令將這些程序安裝到工藝控制器100a中并由工藝控制器100a來運行這些程序。另外，這些程序被存儲在計算機可讀存儲介質(zhì)100d中，并從存儲介質(zhì)100d安裝到存儲裝置100c中。計算機可讀存儲介質(zhì)100d可以為硬盤、光盤、磁光盤、存儲卡、軟盤等。而且，這些程序還可以通過通信網(wǎng)絡(luò)下載到存儲裝置100c中。接著，說明根據(jù)本發(fā)明的該實施方式的膜沉積設(shè)備的操作。首先，使轉(zhuǎn)臺2旋轉(zhuǎn)以使凹部24與轉(zhuǎn)移開口15對準，打開閘式閥(未示出)。其次，由轉(zhuǎn)移臂10通過轉(zhuǎn)移開口15使晶片W進入真空室1中。晶片W被升降銷16接住，在轉(zhuǎn)移臂10被從真空室l移開后，晶片W通過由升降機構(gòu)(未示出)驅(qū)動的升降銷16下降到凹部24中。接著，重復(fù)上述操作五次，使五個晶片被裝到轉(zhuǎn)臺2上。接著，啟動真空泵64(圖1)，以使真空室l保持預(yù)定的減小的壓強(reducedpressure)。/人上往下看，轉(zhuǎn)臺2開始沿順時針方向旋轉(zhuǎn)。通過加熱器單元7預(yù)先將轉(zhuǎn)臺2加熱到預(yù)定溫度(例如，300°C),該轉(zhuǎn)臺2繼而使轉(zhuǎn)臺2上的晶片W被加熱。當晶片W被加熱并保持在可以由溫度傳感器(未示出)確認的預(yù)定溫度之后，通過第一反應(yīng)氣體噴嘴31將第一反應(yīng)氣體(BTBAS)供給到第一處理區(qū)域Pl,并且通過第二反應(yīng)氣體噴嘴32將第二反應(yīng)氣體(03)供給到第二處理區(qū)域P2。另夕卜，通過分隔噴嘴41、42將分隔氣體(N2)供給到分隔區(qū)域D。當晶片W經(jīng)過第一反應(yīng)氣體噴嘴31下方的第一處理區(qū)域Pl時，BTBAS分子吸附在晶片W的表面，當晶片W經(jīng)過第二反應(yīng)氣體噴嘴32下方的第二處理區(qū)域P2時，03分子吸附在晶片W的表面，從而使BTBAS分子被03氧化。因此，當晶片W隨著轉(zhuǎn)臺2旋轉(zhuǎn)一圈而經(jīng)過區(qū)域P1和P2兩者時，在晶片W的表面形成一層二氧化硅的分子層。接著，使晶片W交替經(jīng)過區(qū)域P1和P2多次，在晶片W的表面形成具有預(yù)定厚度的二氧化硅層。在沉積了預(yù)定厚度的二氧化硅膜之后，停止BTBAS氣體和03氣體的供給，并停止轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)。接著，以與將晶片W轉(zhuǎn)移到真空室1中相反的方式將晶片W從真空室1中取出。另外，在上述沉積操作中，作為分隔氣體的N2氣體被從分隔氣體供給管51供給，并從中央?yún)^(qū)域C,即突出部5與轉(zhuǎn)臺2之間的間隙50向轉(zhuǎn)臺2的頂面噴出。在該實施方式中，位于第二內(nèi)頂面45下方的配置有反應(yīng)氣體噴嘴31(32)的空間具有比中央?yún)^(qū)域C和第一內(nèi)頂面44與轉(zhuǎn)臺2之間的薄空間的壓強低的壓強。這是因為，排氣區(qū)域6被設(shè)置成與內(nèi)頂面45下方的空間相鄰(參見圖1和圖3)，該空間直接通過排氣區(qū)域6被排氣。另夕卜，還有部分原因為薄空間被設(shè)置成使得高度h能夠維持薄空間與反應(yīng)氣體噴嘴31(32)或第一(第二)處理區(qū)域P1(P2)所在的部位之間的壓強差。接著，參照圖9說明從氣體噴嘴31、32、41和42供給到真空室l的氣體的流型，圖9示意性示出了該流型。如圖所示，從第二反應(yīng)氣體噴嘴32噴出的O3氣體的一部分碰撞轉(zhuǎn)臺2的頂面并且以與轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向相反的方向沿著與轉(zhuǎn)臺2的頂面(以及晶片W的表面)流動。接著，03氣體被沿轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向流動的N2氣向后推而改變流動方向，從而流向轉(zhuǎn)臺2的邊緣和真空室主體12的內(nèi)周壁。最后，這部分03氣體流到排氣區(qū)域6中并通過排氣口62從真空室l排出。從第二反應(yīng)氣體噴嘴32噴出的03氣體的另一部分碰撞轉(zhuǎn)臺2的頂面并且以與轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向相同的方向沿轉(zhuǎn)臺2的頂面(以及晶片W的表面)流動。這部分03氣體由于從中央部C流出的N2氣和排氣口62的吸力而主要流向排氣區(qū)域6。另一方面，這部分03氣體的一小部分流向位于第二反應(yīng)氣體噴嘴32的轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向的下游的分隔區(qū)域D,并且可能進入內(nèi)頂面44和轉(zhuǎn)臺2之間的間隙。然而，由于間隙的高度h被設(shè)計成使得在預(yù)期的膜沉積條件下可以阻止03氣體流入該間隙中，因此這一小部分Os氣體不能流入該間隙中。即使一小部分Os氣體流入到該間隙中，因為該小部分03氣體會被從分隔氣體噴嘴41噴出的N2向后推，所以該小部分03氣體也不能繼績流入分隔區(qū)域D。因此，如圖9所示，基本上以轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向沿著轉(zhuǎn)臺2的頂面流動所有的03氣體都流入了排氣區(qū)域6并且從排氣口62被排出。同樣地，從第一反應(yīng)氣體噴嘴31噴出并以與轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向相反的方向沿著轉(zhuǎn)臺2的頂面(以及晶片W的表面)流動的BTBAS氣體部分被阻止流入轉(zhuǎn)臺2與相對于第一反應(yīng)氣體噴嘴31位于轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向的上游的凸部4的內(nèi)頂面44之間的間隙。即使僅一小部分BTBAS氣體流入該間隙，該小部分BTBAS氣體也被從所述分隔區(qū)域D中的分隔氣體噴嘴41噴出的N2氣向后推。這些被向后推的BTBAS氣體與來自分隔氣體噴嘴41和中央部C的N2氣一同朝轉(zhuǎn)臺2的外周緣和真空室主體12的內(nèi)周壁流動，接著通過排氣區(qū)域6被排氣口61排出。34從第一反應(yīng)氣體噴嘴31噴出并以與轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向相同的方向沿著轉(zhuǎn)臺2的頂面(以及晶片W的表面)流動的另一部分BTBAS氣體不能流入轉(zhuǎn)臺2與相對于第一反應(yīng)氣體噴嘴31位于轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)動方向的下游的凸部4的內(nèi)頂面44之間的間隙。即4吏這部分BTBAS氣體的一小部分流入所述間隙中，這些BTBAS氣體也被從分隔區(qū)域D中的中央?yún)^(qū)域C和分隔氣體噴嘴42噴出的N2氣體向后推。被向后推的這些BTBAS氣體與來自分隔氣體噴嘴41和中央部C的N2氣體一起朝分隔區(qū)域6流動，接著通過排出口61被排出。如上所述，分隔區(qū)域D可以防止BTBAS氣體和Os氣體流入分隔區(qū)域D中，或者可以在很大程度上減少流入分隔區(qū)域D中的BTBAS氣體和03氣體的量，或者可以將BTBAS氣體和O3氣體向后推。吸附在晶片W上的BTBAS分子和03分子被允許通過分隔區(qū)域D,在膜沉積中起作用。另外，如圖7和圖9所示，因為將分隔氣體從中央?yún)^(qū)域C朝轉(zhuǎn)臺2的外周鄉(xiāng)彖噴出，因此可以阻止第一處理區(qū)域Pl中的BTBAS氣體(第二處理區(qū)域P2中的03氣體)流入中央?yún)^(qū)域C。即使第一處理區(qū)域P1中的BTBAS氣體(第二處理區(qū)域P2中的03氣體)中的一小部分流入中央?yún)^(qū)域C,BTBAS氣體(03氣體)也被向后推，使得通過中央?yún)^(qū)域C阻止第一處理區(qū)域P1中的BTBAS氣體(第二處理區(qū)域P2中的03氣體)流入第二處理區(qū)域P2(第一處理區(qū)域P1)。而且，通過轉(zhuǎn)臺2與真空室主體12的內(nèi)周壁之間的空間阻止第一處理區(qū)域P1中的BTBAS氣體(第二處理區(qū)域P2中的03氣體)流入第二處理區(qū)域P2(第一處理區(qū)域P1)。這是因為，從凸部4向下形成了彎折部46,使得彎折部46與轉(zhuǎn)臺2之間以及彎折部46與真空室主體12的內(nèi)周壁之間的間隙的大小與從轉(zhuǎn)臺2到凸部4的內(nèi)頂面44的高度h—樣小，乂人而可以如上所述地基本避免兩處理區(qū)域之間的壓強連通。因此，BTBAS氣體從排氣口61排出，而03氣體從排出口62排出，從而兩種反應(yīng)氣體不會混合。另外，轉(zhuǎn)臺2下方的空間被從清掃氣體供給管72、73供給的N2氣體所清掃。因此，BTBAS氣體不能流過轉(zhuǎn)臺2下方而進入第二處理區(qū)域P2。下面列出根據(jù)該實施方式的膜沉積設(shè)備的優(yōu)選工藝參數(shù)的實施例。轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速l至500rpm(當晶片W的直徑為300mm時)真空室l中的壓強1067Pa(8Torr)晶片溫度350。CBTBAS氣體的流率lOOsccm03氣體的流率lOOOOsccm來自分隔氣體噴嘴41、42的N2氣體的流率20000sccm來自分隔氣體供給管51的N2氣體的流速5000sccm轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)次數(shù)600轉(zhuǎn)(以所需的膜厚度而定)根據(jù)該實施方式的膜沉積設(shè)備，因為膜沉積設(shè)備在BTBAS氣體從第一反應(yīng)氣體噴嘴31所供給到的第一處理區(qū)域P1與03氣體從第二反應(yīng)氣體噴嘴32所供給到的第二處理區(qū)域P2之間具有包括低內(nèi)頂面44的分隔區(qū)域D,BTBAS氣體(03氣體)被阻止流入第二處理區(qū)域P2(第一處理區(qū)域P1)而與Os氣體(BTBAS氣體)混合。因此，可以通過使上面放置有晶片W的轉(zhuǎn)臺2轉(zhuǎn)動以使晶片W經(jīng)過第一處理區(qū)域P1、分隔區(qū)域D、第二處理區(qū)域P2和分隔區(qū)域D來確保寺丸行MLD(或ALD)才莫式的二氧化硅沉積。另外，分隔區(qū)域D還包括噴射N2氣體的分隔氣體噴嘴41、42以進一步確保防止BTBAS氣體(03氣體)流入第二處理區(qū)域P2(第一處理區(qū)域P1)而與03氣體(BTBAS氣體)混合。而且，由于根據(jù)該實施方式的膜沉積設(shè)備的真空室l具有包括噴出N2氣體的噴孔的中央?yún)^(qū)域C，可以防止BTBAS氣體(03氣體)通過中央?yún)^(qū)域C流入第二處理區(qū)域P2(第一處理區(qū)域P1)而與03氣體(BTBAS氣體)混合。此外，因為BTBAS氣體和03氣體不混合，在轉(zhuǎn)臺2上幾乎沒有產(chǎn)生二氧化硅沉積，從而減輕了粒子問題。順便提及，盡管在本實施方式中，轉(zhuǎn)臺2具有5個凹部24,并且放置在相應(yīng)的凹部24中的5個晶片W能夠一次性地被處理，但是也可以在這5個凹部24之一中i文置一個晶片W,或者轉(zhuǎn)臺2可以只有l(wèi)個凹部24?？捎糜诟鶕?jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積設(shè)備中的反應(yīng)氣體為二氯甲硅烷(DCS)、六氯二硅烷(HCD)、三甲基鋁(TMA)、四(乙基曱基氨基)鋯(TEMAZr)、三(二乙基氨基)硅烷(3DMAS)、四(乙基曱基氨基)鉿(TEMHf)、雙(四甲基庚二酮酸)鍶(Sr(THD)2)、(甲基-戊二酮酸)(雙-四甲基庚二酮酸)鈦(Ti(MPD)(THD))、單氨基硅烷等。因為在真空室1中接近轉(zhuǎn)臺2外周的位置處的氣體所受的離心力較大，例如BTBAS氣體在接近轉(zhuǎn)臺2的外周的位置處會以較高的速度向分隔區(qū)域D流動。因此，該BTBAS氣體更容易進入內(nèi)頂面44與轉(zhuǎn)臺2之間在接近轉(zhuǎn)臺2的外周的位置處的間隙。因為這種情況，當凸部4朝向圓周具有較大的寬度(較長的圓弧)時，BTBAS氣體無法在該間隙中流得更遠以與03氣體混合。考慮到這一點，如在上面的實施方式中所解釋的那樣，優(yōu)選地凸部4具有扇形的俯辟見圖。下面再次對凸部4(或內(nèi)頂面44)的尺寸作出示例i兌明。參照圖10A和圖10B，在分隔氣體噴嘴41(42)的兩側(cè)產(chǎn)生薄空間的內(nèi)頂面44可優(yōu)選地具有沿著晶片中心WO經(jīng)過的路徑所對應(yīng)的圓弧的從晶片w的直徑的約十分之一至約晶片w的直徑的范圍內(nèi)的長度L,優(yōu)選地為晶片W的直徑的六分之一以上。具體地，當晶片W的直徑為300mm時，長度L優(yōu)選地為約50mm以上。當長度L較小時，內(nèi)頂面44與轉(zhuǎn)臺2(晶片W)之間的薄空間的高度h也必須相應(yīng)地變小，以有效防止反應(yīng)氣體流入該薄空間。然而，當長度L太小，從而高度h必須非常小時，轉(zhuǎn)臺2可能會碰撞內(nèi)頂面44,這可能引起晶片石皮損以及由于產(chǎn)生粒子而造成晶片污染。因此，需要轉(zhuǎn)臺2的減震措施或使轉(zhuǎn)臺2平穩(wěn)轉(zhuǎn)動的措施，以避免轉(zhuǎn)臺2碰撞內(nèi)頂面44。另一方面，當薄空間的高度h保持較大而長度L較小時，必須降低轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速以避免反應(yīng)氣體流入內(nèi)頂面44與轉(zhuǎn)臺2之間的薄間隙，這在生產(chǎn)能力方面是很不利的?；谶@些考慮，如上所述，當處理直徑為300mm的晶片W時，內(nèi)頂面44的沿著與晶片中心WO經(jīng)過的路徑對應(yīng)的圓弧的長度L優(yōu)選地為約50mm以上。然而，凸部4或內(nèi)頂面44的尺寸不限于此，而可以才艮據(jù)工藝參數(shù)和待-使用的晶片的大小而進行調(diào)整。另外，如從以上解釋可以清楚地知道的那樣，除了工藝參數(shù)和待使用的晶片的大小以外，可根據(jù)內(nèi)頂面44的面積來調(diào)節(jié)薄空間的高度h,只要薄空間的高度可以使分隔氣體從分隔區(qū)域D流過處理區(qū)域P1(P2)即可。在上述實施方式中，分隔氣體噴嘴41(42)位于形成于凸部4中的槽部43中，而低內(nèi)頂面44位于分隔氣體噴嘴41(42)的兩側(cè)。然而，在其它實施方式中，如圖ll所示，可以在凸部4內(nèi)形成沿轉(zhuǎn)臺2的徑向延伸的管道47而非分隔氣體噴嘴41(42),并且可以沿管道47的長度方向形成多個孔40,從而可從所述多個孔40中噴出分隔氣體(N2氣體)。在其它實施方式中，分隔區(qū)域D的內(nèi)頂面44不必需是平坦的。例如，如圖12A所示，內(nèi)頂面44可以是凹入彎曲的，如圖12B所示，內(nèi)頂面44可以是凸出彎曲的，或如圖12C所示，內(nèi)頂面44可以是波紋狀的。另外，凸部4可以是中空的，分隔氣體可以被引入中空的凸部4中。在這種情況下，可以如圖13A、圖13B和圖13C所示地配置多個氣體噴孔33。參照圖13A，多個氣體噴孔33均為斜切口形狀。這些斜切口(氣體噴孔33)被布置成沿轉(zhuǎn)臺2的徑向與相鄰的斜切口部分地重疊。在圖13B中，多個氣體噴孔33為圓形。這些圓形孔(氣體噴孔33)被沿著總體上徑向延伸的曲折線(windingline)布置。在圖13C中，多個氣體噴孔33均具有圓弧狀切口形狀。這些圓弧狀切口(氣體噴孔33)以預(yù)定的間隔沿徑向布置。其它實施方式中，凸部4也可以具有如圖13D所示的矩形俯-觀圖形狀，或者方形俯視圖形狀。作為可選方案，如圖13E所示，凸部4可以是在俯視圖中總體上為扇形形狀，并且具有內(nèi)凹的彎曲側(cè)面4Sc。另夕卜，如圖13F所示，凸部4可以是在俯-觀圖中整體上為扇形形狀，并且具有外凸的彎曲側(cè)面4Sv。另外，如圖13G所示，凸部4的相對于轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)方向(圖l)的上游部分可以具有內(nèi)凹的彎曲側(cè)面4Sc，并且凸部4的相對于轉(zhuǎn)臺2的旋轉(zhuǎn)方向(圖l)的下游部分可以具有平坦的側(cè)面4Sf。順便提及，圖13D至圖13G中的虛線表示槽部43。在這些情況中，容納在槽部43中的分隔氣體噴嘴41(42)從真空室l的中央部例如乂人突出部5延伸。用于加熱晶片W的加熱器單元7被構(gòu)造成具有燈加熱元件而非電阻器加熱元件。另外，加熱器單元7可以位于轉(zhuǎn)臺2的上方位置，或者在轉(zhuǎn)臺2的上方和下方均有加熱器單元7。在其它實施方式中，處理區(qū)域P1和P2以及分隔區(qū)域D可以如圖14所示地布置。參照圖14,用于供給第二反應(yīng)氣體(例如，03氣體)的第二反應(yīng)氣體噴嘴32相對于轉(zhuǎn)移開口15位于旋轉(zhuǎn)方向的上游，或者說位于分隔氣體噴嘴42與轉(zhuǎn)移開口15之間。即使在該布置中，從噴嘴31、32、41和42以及中央?yún)^(qū)域C噴出的氣體也通常沿圖14所示的箭頭方向流動，使得第一反應(yīng)氣體與第二反應(yīng)氣體不能混合。因此，可以通過這種布置實現(xiàn)合適的ALD(或MLD)模式的膜沉積。另外，如上所述，可以通過用螺釘在頂板l的底面安裝兩個扇形板使得兩個扇形板位于分隔氣體噴嘴41(42)的兩側(cè)來構(gòu)造分隔區(qū)域D。圖15是這種構(gòu)造的平面圖。在這種情況下，可以考慮分隔氣體噴出速率和反應(yīng)氣體噴出速率來確定凸部4與分隔氣體噴嘴41(42)之間的距離以及凸部4的尺寸，以有效地表現(xiàn)出分隔區(qū)域D的分隔功能。在上述實施方式中，第一處理區(qū)域P1和第二處理區(qū)域P2對應(yīng)于具有比分隔區(qū)域D的內(nèi)頂面44高的內(nèi)頂面45的區(qū)域。然而，第一處理區(qū)域P1和第二處理區(qū)域P2中的至少一者可以在反應(yīng)氣體供給噴嘴31(32)的兩側(cè)具有另一與轉(zhuǎn)臺2相對且比內(nèi)頂面454氐的內(nèi)頂面，以防止氣體流入該內(nèi)頂面與轉(zhuǎn)臺2之間的間隙。比內(nèi)頂面454氐的該內(nèi)頂面可以與分隔區(qū)i或D的內(nèi)頂面44一樣低。圖16示出了這種構(gòu)造的一個實施例。如圖16所示，扇形凸部30位于在晶片W上吸附Os氣體的第二處理區(qū)域P2中，反應(yīng)氣體噴嘴32位于形成于凸部30中的槽部(未示出)中。換言之，圖16中示出的該第二處理區(qū)域P2的構(gòu)造方式與分隔區(qū)域D的構(gòu)造方式相同，只是氣體噴嘴用來供給反應(yīng)氣體。另外，凸部30也可以被構(gòu)造成中空的凸部，其實施例示出在圖13A至圖13C中。另外，在其它實施方式中，如圖17所示，只要分隔氣體噴嘴41(42)的兩側(cè)設(shè)置有低內(nèi)頂面44，可以為兩個反應(yīng)氣體噴嘴31、32設(shè)置比內(nèi)頂面45低且與分隔區(qū)域D的內(nèi)頂面44一樣低并且延伸到達內(nèi)頂面44的內(nèi)頂面。換言之，可以在頂才反ll的底面安裝另一個凸部400而非凸部4。凸部400是基本上圓形的板狀，基本上與轉(zhuǎn)臺2的整個頂面相對，具有容納相應(yīng)的氣體噴嘴31、32、41和42的四個槽部(slot)400a，槽部400a沿徑向延伸，并且在凸部400與轉(zhuǎn)臺2之間留有薄空間。上述薄空間的高度與前述高度h相當。當采用凸部400時，從反應(yīng)氣體噴嘴31(32)噴出的反應(yīng)氣體擴散至凸部400下方(或薄空間中)的反應(yīng)氣體噴嘴31(32)的兩側(cè)，從分隔氣體噴嘴41(42)噴出的分隔氣體擴散至分隔氣體噴嘴41(42)的兩側(cè)。反應(yīng)氣體和分隔氣體在薄空間中流入彼此，并且通過排氣口61(62)被排出。即使在這種情況下，從反應(yīng)氣體噴嘴31噴出的反應(yīng)氣體也不會與從反應(yīng)氣體噴嘴32噴出的另一種反應(yīng)氣體混合，從而實現(xiàn)合適的ALD(或MLD)模式的膜沉積。順便提及，可以通過結(jié)合圖13A至13C中的任一者所示的中空凸部4來構(gòu)造凸部400,以/人對應(yīng)的中空凸部4中的相應(yīng)的噴出孔33噴出反應(yīng)氣體和分隔氣體，而不使用氣體噴嘴31、32、41和42以及槽部400a。在上述實施方式中，用于使轉(zhuǎn)臺2旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)軸22位于真空室1的中央部。另外，用分隔氣體清掃芯部21與頂板11之間的空間52，以防止反應(yīng)氣體通過中央部而混合。然而，在其它實施方式中，也可以如圖18所示地構(gòu)造真空室1。參照圖18,真空室主體12的底部14具有氣密地安裝有容納殼體(housingcase)80的中央開口。另夕卜，頂板ll具有中央凹部80a。柱體81被放置在容納殼體80的底面上，柱體81的頂端部到達中央凹部80a的底面。柱體81能夠防止從第一反應(yīng)氣體噴嘴31噴出的第一反應(yīng)氣體(BTBAS)與從第二反應(yīng)氣體噴嘴32噴出的第二反應(yīng)氣體(03氣體)通過真空室l的中央部而混合。另外，旋轉(zhuǎn)套筒82被設(shè)置成同軸地包圍柱體81。由安裝在柱體81的外表面的軸承86、88以及安裝在容納殼體80的內(nèi)側(cè)壁的軸承87來支撐旋轉(zhuǎn)套筒82。另外，旋轉(zhuǎn)套筒82具有形成于或安裝于旋轉(zhuǎn)套筒82的外表面的齒輪部85。此外，環(huán)形轉(zhuǎn)臺2的內(nèi)周被安裝于旋轉(zhuǎn)套筒82的外表面。驅(qū)動部83被容納在容納殼輪84與齒輪部85嚙合。利用這種構(gòu)造，由驅(qū)動部83使旋轉(zhuǎn)套筒82,繼而4吏轉(zhuǎn)臺2轉(zhuǎn)動。清掃氣體供給管74被連接于形成在容納殼體80底部中的開口，從而將清掃氣體供給到容納殼體80中。這樣，可以使容納殼體80的內(nèi)部空間保持比真空室1的內(nèi)部空間的壓強高的壓強，以防止反應(yīng)氣體流入容納殼體80。因此，在容納殼體80中沒有膜沉積發(fā)生，從而降低維修的頻率。另外，清掃氣體供給管75與從真空室1的上部外表面伸到凹部80a的內(nèi)側(cè)壁的相應(yīng)管道75a連接，使得清掃氣體向旋轉(zhuǎn)套筒82的上端部供給。由于清掃氣體，BTBAS氣體與03氣體不能通過旋轉(zhuǎn)套筒82的外表面與凹部80a的側(cè)壁之間的空間混合。盡管圖18中示出了兩個清掃氣體供給管75,可以將供給管75和相應(yīng)的管道75a的數(shù)目確定為使得能夠確保來自供給管75的清掃氣體阻止BTBAS氣體與03氣體在旋轉(zhuǎn)套筒82的外表面與凹部80a的側(cè)壁之間的空間中以及該空間附近混合。在圖18示出的實施方式中，凹部80a的側(cè)壁與i走轉(zhuǎn)套筒82的上端部之間的空間對應(yīng)于用于噴出分隔氣體的噴孔。另外，中央?yún)^(qū)域構(gòu)造有噴孔、旋轉(zhuǎn)套筒82和柱體81。42盡管在根據(jù)上述實施方式的膜沉積設(shè)備中使用了兩種反應(yīng)氣體，但根據(jù)本發(fā)明的其它實施方式的其它膜沉積設(shè)備可以使用三種以上的反應(yīng)氣體。在這種情況下，第一反應(yīng)氣體噴嘴、分隔氣體噴嘴、第二反應(yīng)氣體噴嘴、分隔氣體噴嘴、第三反應(yīng)氣體噴嘴以及分隔氣體噴嘴可以以預(yù)定的角度間隔依次布置，每個噴嘴均沿轉(zhuǎn)臺2的徑向延伸。另外，包括相應(yīng)的分隔氣體噴嘴的分隔區(qū)域D的構(gòu)造與上面說明的構(gòu)造相同?？梢詫⒏鶕?jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積設(shè)備結(jié)合到晶片處理設(shè)備中，圖19示意性地示出了該晶片處理設(shè)備的一個實施例。該晶片處理設(shè)備包括大氣(atmospheric)轉(zhuǎn)移室102，其中設(shè)置有轉(zhuǎn)移臂103;裝載鎖定室(準備室)105,其氣壓可在大氣壓與真空之間變換；真空轉(zhuǎn)移室106,其中設(shè)置有兩個轉(zhuǎn)移臂107a、107b;以及根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積設(shè)備108、109。另外，晶片處理設(shè)備包括舟盒載物臺(cassettestage)(未示出)，舟盒載物臺上放置有如前端開啟式統(tǒng)一規(guī)格運輸艙(FOUP)等晶舟盒101。將晶舟盒101放置在其中一個舟盒載物臺上，并且使晶舟盒101與設(shè)置于舟盒載物臺與大氣轉(zhuǎn)移室102之間的轉(zhuǎn)入/轉(zhuǎn)出口連接。接著，通過開/閉機構(gòu)(未示出)將晶舟盒(FOUP)101的蓋打開，通過轉(zhuǎn)移臂103從晶舟盒101取出晶片。接著，將晶片轉(zhuǎn)移到裝載鎖定室104(105)中。在裝載鎖定室104(105)被抽真空后，由轉(zhuǎn)移臂107a(107b)通過真空轉(zhuǎn)移室106將裝載鎖定室104(105)中的晶片進一步轉(zhuǎn)移到膜沉積設(shè)備108、109中的一者。在膜沉積設(shè)備108(109)中，以上述方式在晶片上沉積膜。因為晶片處理設(shè)備具有兩個能夠一次容納5個晶片的膜沉積設(shè)備108、109，因此可以以高生產(chǎn)能力進行ALD(或MLD)模式的膜沉積。盡管在上述實施方式中說明了分別從第一反應(yīng)氣體噴嘴31和第二反應(yīng)氣體噴嘴32供給作為第一反應(yīng)氣體的BTBAS氣體和作為第二反應(yīng)氣體的O3氣體以用于沉積二氧化硅膜的膜沉積設(shè)備和膜沉積方法，但是在其它實施方式中，可以連續(xù)地沉積不同材料制成的多個膜。例如，本發(fā)明的實施方式可應(yīng)用于兩種膜交替沉積以形成多層膜。下面說明根據(jù)本發(fā)明的膜沉積設(shè)備和膜沉積方法的優(yōu)選地用于沉積這種多層膜的具體實施例。更具體地，在下文將說明交替地沉積二氧化硅膜和氮化石圭膜以形成絕緣的多層膜的膜沉積設(shè)備和膜沉積方法。如圖20所示，第一氣體供給管線110的一端經(jīng)由第一反應(yīng)氣體噴嘴21的進氣口31a連接到第一反應(yīng)氣體噴嘴31。第一氣體供給管線110的另一端分叉成兩個支管線，一個支管線經(jīng)由閥Vl和流率控制器lll與儲存作為第一反應(yīng)氣體的BTBAS氣體的第一供氣源121連接，另一個支管線經(jīng)由閥V3和流率控制器113與儲存作為第三反應(yīng)氣體的二氯曱硅烷(SiH2Cl2(DCS))的第三供氣源123連接。另外，第二氣體供給管線120的一端經(jīng)由第二反應(yīng)氣體噴嘴32的進氣口32a連接到第二反應(yīng)氣體噴嘴32。第二氣體供給管線120的另一端分叉成兩個支管線，一個支管線經(jīng)由閥V2和流率控制器112與儲存作為第二反應(yīng)氣體的03氣體的第二供氣源122連接，另一個支管線經(jīng)由閥V4和流率控制器114與儲存作為第四反應(yīng)氣體的氨(NH3)氣的第四供氣源124連接。利用這種構(gòu)造，第一氣體噴嘴31用作第一反應(yīng)氣體供給部和第三反應(yīng)氣體供給部，第二反應(yīng)氣體噴嘴32用作第二反應(yīng)氣體供給部和第四反應(yīng)氣體供給部。為了避免過度的重復(fù)，不再說明與圖l所示的膜沉積i殳備的元件或組件相同的元件或組件。接著，說明使用圖20所示的膜沉積設(shè)備沉積多層膜的膜沉積方法。首先，如圖21A所示地打開閥V1和V2，以與上面說明44的方式相同的方式沉積作為第一膜的二氧化石圭膜。在該沉積過程中，N2氣體被供給至分隔區(qū)域D、中央?yún)^(qū)域C和轉(zhuǎn)臺2下方的區(qū)域以避免BTBAS氣體與03氣體在真空室1中混合。因此，第一反應(yīng)氣體噴嘴31僅暴露于BTBAS氣體，而第二反應(yīng)氣體噴嘴32僅暴露于03氣體，從而使得基本上沒有二氧化硅沉積或吸附在噴嘴31、32上。在圖21A和圖21B中，白色闊符號(雙三角)表示打開的閥，黑色的閥符號表示關(guān)閉的閥。接著，關(guān)閉閥V1和V2，通過真空泵64(圖1)將真空室l抽真空至最低的可能壓強，使得BTBAS氣體和03氣體不僅從真空室1和噴嘴31和32中清除，而且還從分別位于閥V1、V3和V2、V4下游的第一和第二氣體供給管線110、120清除。接著，控制加熱器單元7使得轉(zhuǎn)臺2上的晶片W被設(shè)定在預(yù)定溫度，例如，約300。C。接著，調(diào)節(jié)壓力控制器65的打開量從而使真空室l的內(nèi)壓被j殳定在預(yù)定值。在晶片溫度和真空室壓強設(shè)定好之后，打開閥V3和V4，使DCS氣體和NHa氣體以預(yù)定的流率分別從第一反應(yīng)氣體噴嘴31和第二反應(yīng)氣體噴嘴32供給至真空室l中。也以預(yù)定的流率將N2氣體供給至分隔區(qū)域D、中央?yún)^(qū)域C和轉(zhuǎn)臺2下方的區(qū)域。在轉(zhuǎn)臺2以例如200轉(zhuǎn)的預(yù)定轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)的同時，DSC氣體在化重復(fù)預(yù)定次數(shù)，/人而在之前的沉積中已沉積在晶片W上的二氧化硅膜上沉積預(yù)定厚度的作為第二膜的氮化硅膜。在沉積氮化硅膜的過程中，由于為了防止DCS氣體和NHs氣體在真空室l中混合而為分隔區(qū)域D、中央?yún)^(qū)域C和轉(zhuǎn)臺2下方的區(qū)域供給了N2氣體，所以噴嘴31、32上沒有吸附氮化>法。接著，關(guān)閉閥V3和V4，通過真空泵64(圖1)將真空室l抽真空至最低的可能壓強，使得DCS氣體和NH3氣體不僅從真空室1和噴嘴31、32清除，而且還從分別位于閥V1、V3和V2、V4下游的第一和第二氣體供給管線110、120清除。此后，再次打開閥V3和V4，以與上述方式相同的方式，將二氧化硅膜沉積在已沉積的氮化硅膜上。如圖22所示，以這種方式在晶片W上沉積了絕緣多層膜200，該絕緣多層膜200從下至上依次具有二氧化硅膜、氮化硅膜和二氧化硅膜，并且被稱為ONO膜。在半導(dǎo)體制造工藝中，這種多層膜200被沉積在例如形成在晶片W上的柵極絕緣膜的上表面，盡管圖22未示出柵極絕緣膜。在上述實施例中，因為第一處理區(qū)域P1和第二處理區(qū)域P2是分開的，所以可以基本上防止BTBAS氣體與03氣體的混合以及DCS氣體和NH3氣體的混合，從而可以基本上防止反應(yīng)產(chǎn)物(二氧化硅膜和氮化硅膜)在噴嘴31、32上的沉積或吸附。當使用傳統(tǒng)的單晶片膜沉積設(shè)備或立式膜沉積設(shè)備進行ALD(MLD)模式的膜沉積時，因為反應(yīng)氣體被供給至單一處理室中，當使用氣體噴嘴時反應(yīng)產(chǎn)物可能會沉積在氣體噴嘴上。沉積在氣體噴嘴上的反應(yīng)產(chǎn)物可能會引起粒子問題。然而，在本發(fā)明的實施方式中，基本沒有反應(yīng)產(chǎn)物沉積在氣體供給噴嘴31、32上，從而基本防止了粒子問題。另外，當需要使用傳統(tǒng)的單一晶片膜沉積設(shè)備或立式膜沉積設(shè)備以ALD(MLD)模式沉積多種不同的膜時，因為歸因于處理室中的殘留反應(yīng)氣體可能會造成未預(yù)期的反應(yīng)產(chǎn)物或副產(chǎn)物的形成，所以需要與多種不同膜對應(yīng)的多個處理室。結(jié)果，這樣的設(shè)備不可避免地變得龐大而復(fù)雜。然而，在本發(fā)明的實施方式中，反應(yīng)氣體被供給到被分隔區(qū)域D分隔并且通過排氣至真空而相對容易地被清掃的對應(yīng)的受限區(qū)域(即，第一處理區(qū)域P1和第二處理區(qū)域P2)中。另外，因為反應(yīng)氣體噴嘴31、32被布置在轉(zhuǎn)臺2上的晶片W的上方，因此可以使反應(yīng)氣體噴嘴31、32的溫度保持在基本上防止反應(yīng)氣體熱分解和反應(yīng)氣體分子吸附在噴嘴31、32上的溫度。因此，第一(第二)反應(yīng)氣體噴嘴31(32)能夠用于供給多種不同的反應(yīng)氣體。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的膜沉積設(shè)備無需使用多個處理室，從而使裝置較小、簡單、便宜。盡管在上述實施例中通過交替沉積二氧化硅膜和氮化硅膜來形成多層膜200，但是本發(fā)明不限于該實施例。在其它實施例中，可以通過交替沉積作為第一膜的氧化鍶(SrO)膜和作為第二膜的氧化鈦(TiO)膜來形成具有SrO膜和TiO膜的多層膜200(STO膜)。以下說明用于形成這種多層膜200的根據(jù)本發(fā)明的實施例的膜沉積設(shè)備和膜沉積方法。如圖23所示，第一供氣源121儲存作為第一反應(yīng)氣體的鈦源氣體，并供給氣相的鈦源氣體，該鈦源氣體例如為包括雙(異丙氧基)雙(四曱基庚二酮酸)鈦(Ti(0-iPr)2(THD)2)、四(異丙氧基)鈦(Ti(OiPr))等的含鈦化合物。另外，第三供氣源123儲存作為第三反應(yīng)氣體的鍶源氣體，并供給氣相的鍶源氣體，該鍶源氣體例如為包括雙(四曱氧基庚二酮酸)鍶(Sr(THD)2)、雙(五曱基-環(huán)戊二烯基)鍶(Sr(Me5Cp)2)等的含鍶的化合物。在該實施例中，因為03氣體用作與吸附在晶片W上的鈦源氣體和鍶源氣體反應(yīng)的反應(yīng)氣體，所以第二反應(yīng)氣體噴嘴32經(jīng)由第二氣體供給管線120僅與儲存作為第二反應(yīng)氣體的03氣體的第二供氣源122連接。在圖23所示的膜沉積設(shè)備中，以上面說明的方式交替地切換鍶源氣體和鈦源氣體，將吸附在晶片W上的鈦源氣體暴露于03氣體，也將吸附在晶片W上的鍶源氣體暴露于03氣體。這樣，氧化鍶膜和氧化鈦膜被交替地沉積，從而形成具有氧化鍶膜和氧化鈦膜的多層膜200。即使在本實施例中，也可以實現(xiàn)與結(jié)合上述ONO多層膜說明的優(yōu)點相同的優(yōu)點。多層膜200中的層的數(shù)目不限于2，在其它實施例中，多層膜可以具有3層或4層或更多層。另外，根據(jù)本發(fā)明的其它實施方式的膜沉積設(shè)備可以具有沿轉(zhuǎn)臺2的周向依次布置的分別用于供給BTBAS氣體、03氣體、DCS氣體和NH3氣體的四個氣體噴嘴；以及分別位于兩個相鄰的氣體噴嘴之間的四個分隔區(qū)域D，以在形成多層膜200時避免氣體混合。另外，根據(jù)本發(fā)明的其它實施方式的膜沉積"i殳備可以具有在第一處理區(qū)域P1的分別用于供給BTBAS氣體和DCS氣體的兩個氣體噴嘴；以及在第二處理區(qū)域P2的分別用于供給03氣體和NH3氣體的另外兩個氣體噴嘴，在這種膜沉積設(shè)備中，可以根據(jù)將在晶片W(柵極絕緣膜)上沉積的多層膜200的組成和/或結(jié)構(gòu)來切換反應(yīng)氣體。另外，第一氣體供給管線IIO和第二氣體供給管線120可以分叉為三個以上的分支管線而非兩個分支管線，這三個以上的分支管線可以連接到包括用于清掃氣體供給管線IIO、120的N2氣源的相應(yīng)的氣體源。沉積二氧化硅膜，如下所述，在其它實施例中可以使用另一種優(yōu)選的反應(yīng)氣體。首先，回顧一下使用BTBAS的二氧化硅膜的ALD模式膜沉積。如上所述，如圖24A所示，在第一處理區(qū)域P1中BTBAS分子吸附在晶片W上；如圖24B所示，在第二處理區(qū)域P2中BTBAS分子被Os氣體氧化；因而，如圖24C所示，包含來自03從BTBAS分子中作為副產(chǎn)物氣體釋放出來。這種反應(yīng)產(chǎn)物形成于整個晶片w上，從而二氧化硅膜沉積在晶片w上。也就是說，通過重復(fù)吸附BTBAS分子和用03氣體氧化BTBAS分子而在晶片W上沉積二氧化硅膜。BTBAS分子具有較低的蒸氣壓和如圖25A所示的較大的分子結(jié)構(gòu)。也就是，BTBAS分子由硅原子、分別在硅原子兩側(cè)的兩個氮原子和與相應(yīng)的氮原子連接的叔丁基基團(-C(CH3)3)組成。因此，根據(jù)在半導(dǎo)體器件中使用BTBAS氣體沉積二氧化硅膜的位置或?qū)Π雽?dǎo)體器件的性能要求，BTBAS就以下方面而言可能稍有不足沉積速率、填隙特性(gap-fillingcharacteristic)和二IU匕石圭月莫的性質(zhì)。用于沉積二氧化硅膜的一種更優(yōu)選的反應(yīng)氣體為二異丙基氨基硅烷(DIPAS)氣體。DIPAS具有比BTBAS高的蒸氣壓。當使用BTBAS氣體時，很難獲得較高的沉積速率。這是因為BTBAS氣體的蒸氣壓較低，使得當真空室l中的處理壓強相對較高時，很難以足夠高的流率供給BTBAS氣體。另一方面，因為例如在50。C的溫度時DIPAS的蒸氣壓比BTBAS的蒸氣壓高約十倍，因而可以提高氣體流速和處理壓強，通過使用DIPAS氣體能夠獲得較高的沉積速率。另外，如圖25A所示，因為在BTBAS分子中Si原子兩側(cè)具有叔丁基，因此會有程度較大的位阻問題。另一方面，在DIPAS分子中這種的位阻問題程度較輕。而且，因為在DIPAS分子中03分子能夠不被有機基團阻擋地接近硅原子，所以硅原子與氮原子之間的化學(xué)鍵較容易被03斷裂。因此，當使用DIPAS時可能獲得提高的沉積速率。此外，因為硅原子與氮原子之間的化學(xué)鍵較容易斷裂，所以作為副產(chǎn)物的有機化合物和含氮化合物也可以較快地從DIPAS分子釋放出來。因此，在得到的二氧化49硅膜中殘余的雜質(zhì)減少，進而產(chǎn)生更好的電特性。此外，因為DIPAS具有較小的分子結(jié)構(gòu)，DIPAS分子能夠致密地吸附在晶片W上，從而可以獲得具有較高密度的二氧化硅膜。另外，因為較高的密度，在后續(xù)的退火處理中二氧化硅膜僅有限地收縮。因此，即使在這種二氧化硅膜上蝕刻出微米(或納米)圖案后，這種微米(或納米)圖案結(jié)構(gòu)也不太可能像在收縮程度大的膜中那樣因內(nèi)應(yīng)力而毀壞。而且，因為DIPAS具有較小的分子結(jié)構(gòu)并且使用DIPAS氣體時可以提高氣體流率和/或處理壓強，所以當用二氧化硅來填充微米(或納米)圖案中的間隙時，能夠提高填隙特性。另外，DIPAS分子可以以較高的速率吸附在晶片W上，因而可以降低氣體消耗。此外，因為通?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體的流率和/或處理室中的處理壓強來調(diào)節(jié)跨晶片(across-wafer)均一性，所以通過4吏用源于高蒸氣壓而能夠加寬流率和/或處理壓強用處理窗(processwindow)的DIPAS氣體能夠加寬與跨晶片均一性有關(guān)的處理窗。在根據(jù)該實施方式的膜沉積設(shè)備中使用的DIPAS氣體的優(yōu)選工藝參數(shù)的一個實施例如下壽爭臺2的壽爭速240rpm處理壓強2.13kPa(16Torr)晶片溫度350。C至500。CDIPAS氣體的流率275sccm03氣體的流率10，000sccm來自分隔氣體噴嘴41、42的N2氣體的流率20，000sccm<實施例〉接著，說明使用DIPAS氣體作為反應(yīng)氣體沉積的膜的膜特性?！磳嶒?:沉積速率>首先，對沉積速率的實驗結(jié)果進行說明。進行這些實驗是為了比較使用DIPAS氣體和BTBAS氣體的膜沉積速率，以及研究使用DIPAS氣體時沉積速率與氣體流率、處理壓強及晶片溫度的關(guān)系。實驗條件列出于表I中實施例1-l至l-9。實施例l-l至1-9中轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速均為240rpm，在表I的"實施例1-1"中列出了使用BTBAS氣體研究的條件范圍中產(chǎn)生最高沉積速率的條件。實施例編號處理壓強(kPa(Torr))表I晶片溫度(。C)反應(yīng)氣體流速(sccm)1-11.07(8)350BTBAS2001-21.07(8)350DIPAS1001_31.07(8)350DIPAS2001-41.07(8)350DIPAS275l-51.60(12)350DIPAS2751-62.13(16)350DIPAS275l-71.07(8)400DIPAS2751-81.07(8)450DIPAS2751—91.07(8)500DIPAS275圖27總結(jié)了在表I中所列出的條件下沉積二氧化硅膜的沉積速率。從圖26可見，在相同的條件下使用DIPAS氣體比使用BTBAS氣體得到的沉積速率大(參見實施例l-l和l-3)。另夕卜，當使用DIPAS氣體時，可以將氣體流率和處理壓強設(shè)定得比使用BTBAS氣體時氣體流率和處理壓強的上限高，并且沉積速率也根據(jù)這些處理參數(shù)的增加量而增大。具體地，實施例l-6中的沉積速率比使用BTBAS氣體的實施例1-1中的沉積速率高約80%。另外，當4吏用DIPAS時，在溫度350。C至500。C的范圍內(nèi)沉積速率幾乎恒定(參見圖26中的實施例1-4、1-7、1-8和1-9)。這表明DIPAS分子在該溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定，不會熱分解而主要被03氧化?！磳嵰或?:沉積速率>接著，對在較高處理壓強下進行的另一實驗的實驗結(jié)果進行說明。實驗條件總結(jié)于表II中。同表I中一樣，BTBAS氣體的實驗條件列在表II的實施例2-1中。當反應(yīng)氣體的流速和/或處理壓強增加時，從第二反應(yīng)氣體噴嘴32供給的03氣體、從分隔氣體噴嘴51供給的N2氣體和從清掃氣體供給管72供給的N2氣體的流率也相應(yīng)地增加。在表II的實施例2-l至2-8中，晶片溫度均為350。C,轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速均為240rpm。表II<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>2-62.13(16)DIPAS,92-73.20(24)DIPAS,W殳2-84.27(32)DIPAS,W巡9圖27總結(jié)了在上述條件下沉積的二氧化硅膜的沉積速率。從圖27可見，當使用DIPAS氣體時，甚至在4.27kPa(32Torr)的高處理壓強下也可以進行膜沉積，這一壓力下的沉積速率幾乎是使用BTBAS能達到的沉積速率的兩倍。<實驗3:填隙特性>接著，說明為研究填隙特性而實施的另一實驗的實驗結(jié)果。在該實驗中，在晶片W上形成高寬比(aspectratio)為30(深度10pm、寬度0.3iim)的較深的帶底開口，并且使用根據(jù)本發(fā)明的膜沉積設(shè)備在開口中填充二氧化硅。在開口中填充二氧化硅之后，利用掃秒電子顯微鏡(SEM)觀測如圖28示意性示出的填充的開口的4黃截面。如圖28所示，在該〗現(xiàn)測中，測量晶片W表面上的二氧化硅厚度(也就是，晶片上未開口處的二氧化硅厚度)、開口側(cè)壁上的二氧化硅厚度以及開口底面上的二氧化硅厚度，并分別記為tT、ts和tB。為了定量評價填隙特性，考慮到在這種開口的側(cè)壁和底部沉積二氣化硅的一般困難性，計算二氧化硅厚度ts和tB相對于二氧化硅厚度tT的比植Rs和Rb(Rs=(ts/tT)x100;Rb=(tB/tT)xlOO)。填充開口的二氧化硅的沉積條件列于表III中，其中也列出了用于BTBAS氣體的沉積條件。對于實施例3-l至3-3中的每個實施例均試-驗了30、60、120和240rpm的轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速。另外，對于表III的所有實施例，晶片溫度均為350。C,濃度為300g/Nm3的03氣體的流率為10slm。表III反應(yīng)氣體流率處理壓強實施例編號反應(yīng)氣體(sccm)(kPa(Toir))3-1BTBAS2001.07(8)3-2DIPAS2751.07(8)3—3DIPAS2752,13(16)圖29至圖31示意性地示出了使用SEM觀測的本實驗中得到的填充的開口的觀測結(jié)果。在圖29至圖31中，圓括號中的數(shù)字表示根據(jù)相應(yīng)的觀測計算出的比但Rs和Rb。對于比值Rs,還在圖29至圖31的最后一行示出了使用在開口的底部附近測量的ts計算的額外值。在使用BTBAS氣體的實施例3-1(圖29)中，隨著轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速增加，比值Rs和RB降低，這表明填隙特性變差。例如，在240rpm的轉(zhuǎn)速下，比值Rs為約380/。(參見圖29的右下圖)。盡管在使用DIPAS的實施例3-2(圖30)和實施例3-3(圖31)中可以看到相同的趨勢，但相同轉(zhuǎn)速240rpm下的比值Rs高達約50%(圖30)和63%(圖31)。從這些結(jié)果可以得出，利用DIPAS氣體可以比利用BTBAS氣體得到更好的填隙特性。另外，從使用在開口的底部附近測量的ts值計算的比值Rs與轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速繪制的圖32中可以清楚地看出，填隙特性隨著轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速降低而提高。在實施例3-1和3-2中轉(zhuǎn)速為30rpm時(分別參見圖29和30中的左下圖)，可以觀察到比值RB超過100%。這是因為厚度tB由于二氧化硅沉積在底部附近的開口側(cè)壁上而過分增大。另外，通過比較實施例3-2和3-3可以理解，較高的處理壓強對于獲得更好的填隙特性是有利的。54表IV總結(jié)了實施例3-l中3-3中轉(zhuǎn)速與沉積速率的關(guān)系。在所有這些實施例中，沉積速率隨著轉(zhuǎn)臺2的轉(zhuǎn)速的增加而提高。表IV轉(zhuǎn)速(rpm)3060120240實施例3-13.516.5410.4416.17實施例3-25,359.1614.8621.28實施例3-35.5910.1417.0130.86<實-瞼4:濕蝕刻特性>接著，說明為研究濕蝕刻特性而進行的實驗的實驗結(jié)果。在這個實驗中，利用1重量％的氫氟酸水溶液蝕刻劑對利用與表I中所列的實施例l-l至l-9的膜沉積條件分別相同的實施例4-1至4-9的膜沉積條件得到的二氧化硅膜進行蝕刻，得到每個樣品的蝕刻速率。圖33示出了實施例4-l至4-9的蝕刻速率。在圖33中，比較例4-l表示通過利用蝕刻劑蝕刻在950。C熱生長的二氧化硅得Sij的濕蝕刻速率，比較例4-2表示通過蝕刻使用二氯曱硅烷和N20用CVD法在780。C沉積的二氧化硅膜得到的濕蝕刻速率。圖33中的實施例4-l至4-9的蝕刻速率是用熱生長的二氧化硅的蝕刻速率進行了標準化的蝕刻速率。從圖33可以看出，當使用DIPAS時，即使氣體流率或處理壓強發(fā)生改變，蝕刻速率也幾乎恒定。另一方面，隨著晶片溫度的升高，蝕刻速率略微降低。在圖33中，使用BTBAS氣體沉積的二氧化硅膜的蝕刻速率比使用DIPAS氣體沉積的二氧化硅膜的蝕刻速率低?？赡艿慕忉屖?，BTBAS基二氧化硅膜中的氮原子含量較大，該氮原子被從BTBAS分子包含到二氧化硅膜中，所包含的氮原子增強了對氬氟酸類蝕刻劑的蝕刻抵抗性。換言之，使用DIPAS氣體降低55了氮含量，或者說DIPAS基二氧化硅膜的雜質(zhì)比BTBAS基二氧化硅膜的雜質(zhì)少。<實驗5:濕蝕刻特性>接著，說明為研究二氧化硅膜的密度而進行的另一實驗的實驗結(jié)果。如上所述，當反應(yīng)氣體(硅源氣體)含有較大的有機基團時，所得到的二氧化硅膜趨于具有較低的密度，這種二氧化硅膜在膜沉積后進行的退火處理中收縮較大。當具有較低密度的二氧化硅膜被圖案化成微米(或納米)圖案并且經(jīng)受退火處理時，微米(或納米)圖案可能會被毀壞。因此，希望二氧化硅膜具有較高的密度。在該實驗中，用與實施例l-l至l-9的膜沉積條件對應(yīng)的膜沉積條件沉積二氧化硅膜來制備被稱為實施例5-1至5-9的九個樣品，并且在氮氣環(huán)境中在850。C退火該樣品。測量退火后每個樣品的收縮。圖34示出實施例5-l至5-9的實驗結(jié)果。在圖34中，比較例5-1表示測量以與參考實例4-2使用的CVD法相同的方法制備的二氧化硅膜而得到的收縮。如圖34所示，使用DIPAS氣體時收縮比使用BTBAS氣體時收縮低，這表明用DIPAS得到的二氧化硅膜的密度比用BTBAS氣體得到的二氧化硅膜的密度高。<實驗6:雜質(zhì)>接著，說明為研究二氧化硅膜中所含的雜質(zhì)而進行的實驗的實驗結(jié)果。在該實驗中，使用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)來測量通過濺射二氧化硅膜至50nm的深度而得到的膜中雜質(zhì)(氫、氮和碳)的濃度。在處理壓強為1.07kPa(8Torr)、轉(zhuǎn)臺2在沉積期間的轉(zhuǎn)速為240rpm的條件下沉積二氧化硅膜。所用的反應(yīng)氣體(硅源氣體)和晶片溫度列出在圖35中。如圖35所示，DIPAS基二氧化硅膜中得到的氫、氮和碳雜質(zhì)含量比BTBAS基二氧化硅膜中得到的氬、氮和碳雜質(zhì)的含量低。具體地，DIPAS基二氧化硅膜中的氮和碳的含量大大降低。另外，當使用DIPAS氣體時，氫和氮的含量隨晶片溫度升高而降低。盡管沒有給出詳細的說明或圖示，但是另一個實驗已經(jīng)表明，當使用DIPAS氣體時，周期率(cyclerate)(轉(zhuǎn)臺2每轉(zhuǎn)動一圈的二氧化硅膜厚度)和二氧化硅厚度的跨晶片均一性增加或提高。具體地，從使用分批式沉積設(shè)備的實驗已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，1.34倍。相關(guān)申請的交叉引用本申請是2008年6月27日申請的美國專利申請No.l2/147，707的部分繼續(xù)申請并要求其優(yōu)先權(quán)，并且本申請基于以下專利申請并要求它們的優(yōu)先權(quán)2008年8月25日遞交到曰本專矛J局的曰本專利中"i青No.2008—215984、2009年3月10曰遞交到曰本專禾J局的曰本專利中i青No.2009—056685以及2009年6月10號遞交到日本專利局的日本專利申請No.2009-139575,上述外國專利申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。5權(quán)利要求1.一種膜沉積設(shè)備，其用于通過在室中進行將彼此反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體交替地供給至基片以產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)物層的循環(huán)來在所述基片上沉積膜，所述膜沉積設(shè)備包括可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在所述室中的轉(zhuǎn)臺；基片收容部，該基片收容部被設(shè)置于所述轉(zhuǎn)臺的一表面，并且所述基片能夠被放置在所述基片收容部中；第一反應(yīng)氣體供給部，該第一反應(yīng)氣體供給部被構(gòu)造成用于向所述一表面供給第一反應(yīng)氣體；第二反應(yīng)氣體供給部，該第二反應(yīng)氣體供給部被構(gòu)造成用于向所述一表面供給第二反應(yīng)氣體，并且使所述第二反應(yīng)氣體供給部與所述第一反應(yīng)氣體供給部沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向分隔開；分隔區(qū)域，該分隔區(qū)域沿所述旋轉(zhuǎn)方向位于被供給所述第一反應(yīng)氣體的第一處理區(qū)域與被供給所述第二反應(yīng)氣體的第二處理區(qū)域之間；中央?yún)^(qū)域，該中央?yún)^(qū)域基本上位于所述室的中央部以分隔所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域，并且所述中央?yún)^(qū)域具有朝所述一表面噴出第一分隔氣體的噴孔；以及排氣口，該排氣口被設(shè)置于所述室以對所述室進行排氣；其中，所述分隔區(qū)域包括供給第二分隔氣體的分隔氣體供給部；以及與所述轉(zhuǎn)臺的所述一表面產(chǎn)生薄空間的內(nèi)頂面，在該薄空間中，所述第二分隔氣體能夠沿所述旋轉(zhuǎn)方向和與所述旋轉(zhuǎn)方向相反的方向從所述分隔區(qū)域流向所述處理區(qū)域側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述中央?yún)^(qū)域由所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中央部和所述室的內(nèi)側(cè)上表面限定，所述中央?yún)^(qū)域被所述第一分隔氣體清掃。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述中央?yún)^(qū)域包括被設(shè)置在所述室的內(nèi)側(cè)上表面與所述室的底面之間的柱構(gòu)件以及可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置的旋轉(zhuǎn)套筒，該旋轉(zhuǎn)套筒被設(shè)置成使得所述柱構(gòu)件位于該旋轉(zhuǎn)套筒的內(nèi)部，其中，所述旋轉(zhuǎn)套筒用作所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軸。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述排氣口被設(shè)置成通過所述轉(zhuǎn)臺的外周緣與所述室的內(nèi)周壁之間的間隙來對所述室進行排氣。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述分隔區(qū)域的壓強高于所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域的壓強。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，置于所述基片收容部中的所述基片的表面與所述轉(zhuǎn)臺的除所述基片收容部之外的上表面之間的高度差為5mm以下。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述膜沉積設(shè)備還包括第一氣體引入口，該第一氣體引入口被構(gòu)造成用于將所述第一反應(yīng)氣體引入所述第一反應(yīng)氣體供給部；第二氣體引入口，該第二氣體引入口被構(gòu)造成用于將所述第二反應(yīng)氣體引入所述第二反應(yīng)氣體供給部；以及第三氣體引入口，該第三氣體引入口被構(gòu)造成用于將所述分隔氣體引入所述分隔氣體供給部；其中，所述第一氣體引入口、所述第二氣體引入口和所述第三氣體引入口被設(shè)置于所述室的周壁和所述室的中央部中的至少一方。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述分隔氣體供給部包括多個噴孔，所述多個噴孔沿從所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中心向所述轉(zhuǎn)臺的外周和從所述外周向所述旋轉(zhuǎn)中心的多個方向中的一個方向布置。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述分隔區(qū)域的所述內(nèi)頂面是平坦的。10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述分隔區(qū)域的所述內(nèi)頂面是彎曲的。11.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，與所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域?qū)?yīng)地設(shè)置多個所述排氣口，以從所述排氣口之一基本上專門地排出所述第一反應(yīng)氣體并且從所述排氣口中的另一個排氣口基本上專門地排出所述第二反應(yīng)氣體。12.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述膜沉積設(shè)備還包括對所述轉(zhuǎn)臺進行加熱的加熱部。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述加熱部^立于所述4爭臺的下方。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述加熱部位于所述轉(zhuǎn)臺的上方。15.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述膜沉積設(shè)備還包括清掃氣體供給部，該清掃氣體供給部向所述轉(zhuǎn)臺下方的空間供給清掃氣體，以減少從所述轉(zhuǎn)臺的外周流入所述空間的所述第一反應(yīng)氣體和所述第二反應(yīng)氣體的量。16.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述分隔區(qū)域包括從所述內(nèi)頂面的與所述室的內(nèi)周壁相鄰的邊緣彎折的彎折部，該彎折部介于所述轉(zhuǎn)臺的外周與所述內(nèi)周壁之間，所述彎折部與所述轉(zhuǎn)臺的外周之間的間隙被設(shè)定成使得所述間隙能夠防止所述第一反應(yīng)氣體和所述第二反應(yīng)氣體進入所述間隙。17.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，在所述分隔區(qū)域產(chǎn)生所述薄空間的所述內(nèi)頂面沿著與以下路徑對應(yīng)的圓弧具有約50mm以上的長度所述路徑為，當所述轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)時，置于所述轉(zhuǎn)臺的所述基片收容部中的所述基片的中心所經(jīng)過的路徑。18.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述轉(zhuǎn)臺沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向具有多個所述基片收容部。19.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述室具有轉(zhuǎn)移開口，通過該轉(zhuǎn)移開口能夠在所述轉(zhuǎn)臺與所述室外部的轉(zhuǎn)移機構(gòu)之間來回地轉(zhuǎn)移所述基片，通過被設(shè)置于所述室的側(cè)壁的閘式閥能夠使所述轉(zhuǎn)移開口打開/關(guān)閉。20.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述分隔氣體供給部與相對于所述旋轉(zhuǎn)方向位于上游的內(nèi)頂面邊緣之間沿所述旋轉(zhuǎn)方向的距離在沿所述轉(zhuǎn)臺的徑向的外側(cè)位置處較大。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述分隔區(qū)域的所述內(nèi)頂面基本上為扇形。22.根據(jù)權(quán)利要求l所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述膜沉積設(shè)備還包括第三反應(yīng)氣體供給部，該第三反應(yīng)氣體供給部被構(gòu)造成用于向所述一表面供給第三反應(yīng)氣體；第四反應(yīng)氣體供給部，該第四反應(yīng)氣體供給部被構(gòu)造成用于向所述一表面供給第四反應(yīng)氣體，其中，所述第三反應(yīng)氣體和所述第四反應(yīng)氣體能夠形成不同于由所述第一反應(yīng)氣體和所述第二反應(yīng)氣體形成的第一反應(yīng)產(chǎn)物的第二反應(yīng)產(chǎn)物，所述第四反應(yīng)氣體供給部與所述第三反應(yīng)氣體供給部沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向是分隔開的；以及控制部，該控制部被構(gòu)造成用于控制所述第一反應(yīng)氣體供給部至所述第四反應(yīng)氣體供給部，從而交替地進行第一膜的沉積和第二膜的沉積，其中，用來自所述第一反應(yīng)氣體供給部的所述第一反應(yīng)氣體和來自所述第二反應(yīng)氣體供給部的所述第二反應(yīng)氣體來沉積所述第一膜，用來自所述第三反應(yīng)氣體供給部的所述第三反應(yīng)氣體和來自所述第四反應(yīng)氣體供給部的所述第四反應(yīng)氣體來沉積所述第二膜。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的膜沉積設(shè)備，其特征在于，所述第一反應(yīng)氣體供給部也用作所述第三反應(yīng)氣體供給部，所述第二反應(yīng)氣體供給部也用作所述第四反應(yīng)氣體供給部。24.—種基片處理設(shè)備，其包括內(nèi)部具有基片轉(zhuǎn)移機構(gòu)的轉(zhuǎn)移室；權(quán)利要求1所述的膜沉積設(shè)備，該膜沉積設(shè)備與所述轉(zhuǎn)移室氣密地連接；以及準備室，該準備室能夠被抽真空，并且該準備室纟皮氣密地連接至所述轉(zhuǎn)移室。25.—種膜沉積方法，其用于通過在室中進行將彼此反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體交替地供給至基片以產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)物層的循環(huán)來在所述基片上沉積膜，所述膜沉積方法包括以下步驟將所述基片放置在能夠旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在所述室中的轉(zhuǎn)臺上；使放置有所述基片的所述轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)；從第一反應(yīng)氣體供給部向所述轉(zhuǎn)臺供給第一反應(yīng)氣體；從第二反應(yīng)氣體供給部向所述轉(zhuǎn)臺供給第二反應(yīng)氣體，所述第二反應(yīng)氣體供給部與所述第一反應(yīng)氣體供給部沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向是分隔開的；從被設(shè)置在分隔區(qū)域中的分隔氣體供給部供給第一分隔氣體，以使所述第一分隔氣體在所述分隔區(qū)域的內(nèi)頂面與所述轉(zhuǎn)臺之間的薄空間中沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向和與所述旋轉(zhuǎn)方向相反的方向從所述分隔區(qū)域流向處理區(qū)域，其中，所述分隔區(qū)域位于被從所述第一反應(yīng)氣體供給部供給所述第一反應(yīng)氣體的第一處理區(qū)域與被從所述第二反應(yīng)氣體供給部供給所述第二反應(yīng)氣體的第二處理區(qū)域之間；從形成于位于所述室的中央部的中央?yún)^(qū)域的噴孔供給第二分隔氣體；以及對所述室進行排氣。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的膜沉積方法，其特征在于，所述中央?yún)^(qū)域由所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)中央部和所述室的內(nèi)側(cè)上表面限定，所述中央?yún)^(qū)域被所述第二分隔氣體清掃。27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的膜沉積方法，其特征在于，所述中央?yún)^(qū)域包括#皮設(shè)置在所述室的內(nèi)側(cè)上表面與所述室的底面之間的柱構(gòu)件以及可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置的旋轉(zhuǎn)套筒，該旋轉(zhuǎn)套筒被設(shè)置成使得所述柱構(gòu)件位于該旋轉(zhuǎn)套筒的內(nèi)部，其中，所述旋轉(zhuǎn)套筒用作所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軸。28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的膜沉積方法，其特征在于，在對所述室進行排氣的排氣步驟中，所述室通過所述轉(zhuǎn)臺的外周緣與所述室的內(nèi)周壁之間的間隙被排氣。29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的膜沉積方法，其特征在于，在所述分隔區(qū)域中產(chǎn)生所述薄空間的所述內(nèi)頂面沿著與以下^各徑對應(yīng)的圓弧具有約50mm以上的距離所述^各徑為，當所述轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)時，置于所述轉(zhuǎn)臺的所述基片收容部中的所述基片的中心所經(jīng)過的^各徑。30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的膜沉積方法，其特征在于，所述分隔區(qū)域的壓強高于所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域的壓強。31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的膜沉積方法，其特征在于，所述膜沉積方法還包括對所述轉(zhuǎn)臺進行加熱的步驟。32.根據(jù)權(quán)利要求25所述的膜沉積方法，其特征在于，從與所述反應(yīng)氣體的數(shù)目對應(yīng)地設(shè)置的多個排氣口中的一個排氣口基本上專門地排出所述第一反應(yīng)氣體，并且從所述多個排氣口中的另一個排氣口基本上專門地排出所述第二反應(yīng)氣體。33.根據(jù)權(quán)利要求25所述的膜沉積方法，其特征在于，所述膜沉積方法還包括在進行膜沉積時向所述轉(zhuǎn)臺下方的空間供給清掃氣體的步驟。34.根據(jù)權(quán)利要求25所述的膜沉積方法，其特征在于，所述膜沉積方法還包括向所述基片交替地供給來自第三反應(yīng)氣體供給部的第三反應(yīng)氣體和來自第四反應(yīng)氣體供給部的第四反應(yīng)氣體的步驟，以沉積不同于由所述第一反應(yīng)氣體和所述第二反應(yīng)氣體沉積的反應(yīng)產(chǎn)物的反應(yīng)產(chǎn)物，所述第三反應(yīng)氣體供給部與所述第四反應(yīng)氣體供給部沿所述轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)方向是分隔開的，其中，在交替地進行供給所述第一反應(yīng)氣體的步驟和供給所述第二反應(yīng)氣體的步驟之后進行交替地供給所述第三反應(yīng)氣體和所述第四反應(yīng)氣體的步驟。35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的膜沉積方法，其特征在于，所述第一反應(yīng)氣體供給部也用作所述第三反應(yīng)氣體供給部，所述第二反應(yīng)氣體供給部也用作所述第四反應(yīng)氣體供給部。36.—種存儲用于膜沉積設(shè)備的程序的計算機可讀存儲介質(zhì)，在該膜沉積設(shè)備中，通過在室中進行將彼此反應(yīng)的至少兩種反應(yīng)氣體交替地供給至基片以產(chǎn)生反應(yīng)產(chǎn)物層的循環(huán)來在所述基片上沉積膜，所述程序包括使所述膜沉積設(shè)備執(zhí)行權(quán)利要求25所述的膜沉積方法的步驟組。全文摘要膜沉積設(shè)備及方法、基片處理設(shè)備及計算機可讀存儲介質(zhì)。一種膜沉積設(shè)備，其包括轉(zhuǎn)臺，該轉(zhuǎn)臺在一表面中具有沿轉(zhuǎn)臺轉(zhuǎn)動方向布置的基片收容部；用于供給第一反應(yīng)氣體的第一反應(yīng)氣體供給部；用于供給第二反應(yīng)氣體的第二反應(yīng)氣體供給部；分隔區(qū)域，其位于被供給第一反應(yīng)氣體的第一處理區(qū)域與被供給第二反應(yīng)氣體的第二處理區(qū)域之間，并且分隔區(qū)域包括用于向該分隔區(qū)域供給第一分隔氣體的分隔氣體供給部以及與所述一表面相對以產(chǎn)生薄空間的內(nèi)頂面；中央?yún)^(qū)域，其具有用于沿所述一表面噴出第二分隔氣體的噴孔；以及用于對室進行排氣的排氣口。文檔編號C23C16/455GK101660139SQ20091015069公開日2010年3月3日申請日期2009年6月29日優(yōu)先權(quán)日2008年6月27日發(fā)明者A·迪普,加藤壽,本間學(xué)申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社