專利名稱：一種由純金屬拼接的平面濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種鍍膜技術(shù)，特別是涉及一種可方便快捷的制備不同 成分純金屬拼接的平面濺射靶。
背景技術(shù)：
磁控濺射技術(shù)是利用磁場控制輝光放電產(chǎn)生的等離子體來轟擊出靶材表 面的粒子并使其沉淀到基片表面的一種技術(shù)，是當(dāng)今主流鍍膜技術(shù)之一?？?用于高熔點金屬、合金和化合物材料成膜。
在研究合金膜的成分和性能之間的關(guān)系時，常常需要制備不同成分的合 金膜，進行性能測試，以優(yōu)化出最佳的合金膜成分。通常是煉制一個成分的 合金靶，濺射后就獲得相應(yīng)成分的合金膜，要獲得幾個成分的合金膜就要煉 制幾個成分的合金靶，然后分別濺射。這樣煉制多個合金靶的成本比較高， 同時分別濺射的時間也比較長。為解決此問題，采用純金屬拼接靶來制備合 金膜。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供兩種或三種純金屬條或塊拼接在一起、構(gòu)成 的一個整體平面濺射靶。通過調(diào)整純金屬條或塊的種類、數(shù)量及排列位置改 變靶，以獲得不同成分的合金濺射膜。
本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的
一種由純金屬拼接的平面濺射靶，基片對應(yīng)靶材的不同位置分層擺放， 純金屬拼接的平面濺射靶由兩種或三種純金屬條或塊拼接在一起，構(gòu)成一個整體平面濺射靶；各個純金屬的兩側(cè)分別加工出臺階，然后搭接。 本實用新型的優(yōu)點與效果是
本實用新型不用煉制合金靶，采用純金屬拼接靶，便可以獲得濺射合金 膜。對于相容性差、難熔煉的合金尤為適合。利用純金屬拼接靶，通過調(diào)整 拼接靶的組成和排列位置，可方便、快捷地獲得不同成分的濺射合金膜。
本實用新型圖1為純金屬拼接靶主視圖； 本實用新型圖2為純金屬拼接靶左視圖； 本實用新型圖3為基片分層擺放示意圖。 具體實施方案
根據(jù)要獲得的合金膜的成分確定合金靶的組元，兩個組元或三個組元。 進而確定組成合金耙的兩種或三種純金屬。按靶的總長度平均分成6 9等分 的寬度加工每一種純金屬的條或塊，并使純金屬的條或塊厚度相等，兩側(cè)加 工出半個厚度高的臺階，以便拼接時彼此搭接。根據(jù)所要獲得的合金膜的成 分確定每種純金屬條或塊的數(shù)量及排列位置，拼成一個整體平面濺射靶(如 圖l、圖2)。濺射時，基片分層擺放(如圖3)，處在不同層位的基片上膜的 成分不同。具體每一層基片上膜的成分通過電子探針等分析確定。若膜的成 分不滿足要求，再調(diào)整拼接靶的組成或排列位置，直到獲得所需要的膜的成 分。
圖1和圖2中A、 B、 C、 D、 E代表純金屬條或塊，也可以是6塊到9 塊等多塊拼接在一起，但拼接塊數(shù)多了，靶安裝相對困難。 一塊靶上兩種或 三種純金屬條或塊的數(shù)量和排列方式視合金成分確定。本實用新型由兩種或三種純金屬條或塊拼接在一起，構(gòu)成的一個整體的 平面濺射靶。通過調(diào)整純金屬條或塊的種類、數(shù)量及排列位置改變靶，以獲 得不同成分的合金濺射膜。各個純金屬的兩側(cè)分別加工出臺階，然后搭接以 免水冷板在縫隙處參與濺射影響膜的成分；濺射時基片對應(yīng)靶材的不同位置 分層擺放。根據(jù)要獲得合金膜的成分確定組成靶的純金屬。按靶總長度平均
分成6 9等分的寬度加工每一種純金屬的條或塊。根據(jù)所要合金膜的成分確
定每種純金屬條或塊的數(shù)量及排列位置，拼成一個整體靶。濺射時，基片分 層擺放，處在不同層位的基片上膜的成分不同。具體每一層基片上膜的成分 通過電子探針等分析確定。通過調(diào)整拼接靶的組成及純金屬的排列位置，獲
得所需要膜的成分。濺射時采用如圖3所示的矩形基片懸掛架，分層懸掛基 片2。懸掛架l的尺寸與靶一致，與靶正面相對安裝，基片從上到下依次分 為第一層、第二層和第三層。
權(quán)利要求1.一種由純金屬拼接的平面濺射靶，基片對應(yīng)靶材的不同位置分層擺放，其特征在于純金屬拼接的平面濺射靶由兩種或三種純金屬條或塊拼接在一起，構(gòu)成一個整體平面濺射靶；各個純金屬的兩側(cè)分別加工出臺階，然后搭接。
專利摘要一種由純金屬拼接的平面濺射靶，涉及一種鍍膜技術(shù)，基片對應(yīng)靶材的不同位置分層擺放，其特征在于純金屬拼接的平面濺射靶由兩種或三種純金屬條或塊拼接在一起，構(gòu)成一個整體平面濺射靶；各個純金屬的兩側(cè)分別加工出臺階，然后搭接。本實用新型不用煉制合金靶，采用純金屬拼接靶，便可以獲得濺射合金膜。對于相容性差、難熔煉的合金尤為適合。利用純金屬拼接靶，通過調(diào)整拼接靶的組成和排列位置，可方便、快捷地獲得不同成分的濺射合金膜。
文檔編號C23C14/34GK201358296SQ20092001007
公開日2009年12月9日 申請日期2009年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月9日
發(fā)明者付廣艷, 群 劉, 楊寧寧 申請人:沈陽化工學(xué)院