專利名稱：光致發(fā)光薄膜、殼體及殼體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種光致發(fā)光薄膜、殼體及殼體的制作方法。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品的暢銷與否與產(chǎn)品的外觀有很大關(guān)系，制造商亦不停地開發(fā)各種款式的外殼，以求獲得市場的青睞。產(chǎn)品不僅在外觀上變化，材質(zhì)上亦不停地嘗試，如采用金屬制成的殼體，或者通過采用嵌入成型的方法在殼體表面形成有圖案的薄膜，然，該等殼體薄膜圖案單調(diào)，趣味性不足，難以吸引消費(fèi)者眼球。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述內(nèi)容，有必要提供一種能形成在電子裝置殼體上以增強(qiáng)電子裝置外觀趣味性的光致發(fā)光薄膜。另外，有必要提供一種形成有所述光致發(fā)光薄膜的殼體。此外，有必要提供一種所述殼體的制作方法。一種光致發(fā)光薄膜，所述光致發(fā)光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成?！N殼體，包括一基體及形成在基體上的一光致發(fā)光薄膜，所述光致發(fā)光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成。一種殼體的制作方法，包括以下步驟提供一基體，將基體表面進(jìn)行清洗；將基體進(jìn)行物理氣相沉積，使基體表面形成摻銦氧化鋅薄膜。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本光致發(fā)光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成，其能在光線照射條件下儲存能量，在光線撤除后可以發(fā)光，銦的摻雜增強(qiáng)了所述光致發(fā)光薄膜的發(fā)光性能。該種在無光線照射條件下殼體可發(fā)光的現(xiàn)象增加了殼體的使用趣味性。所述殼體通過采用物理氣相沉積方法制作，工藝簡單。


圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施例一殼體的截面示意圖。主要元件符號說明殼體10基體11光致發(fā)光薄膜 1具體實(shí)施例方式本發(fā)明較佳實(shí)施例一電子裝置的殼體10包括一基體11及一覆蓋在基體11上表面的一光致發(fā)光薄膜12。所述基體11可由金屬材質(zhì)制成，如不銹鋼、銅、鈦、鈦合金、鋁、鋁合金等。
所述光致發(fā)光薄膜12主要由摻銦氧化鋅組成，還可進(jìn)一步含有稀有元素，如鍶、 銪、鉬等。該光致發(fā)光薄膜12的厚度薄，在500nm以內(nèi)。該光致發(fā)光薄膜12在光照下可吸收及儲存能量，并在無光照的條件下將能量以光線的形式放出，實(shí)現(xiàn)發(fā)光的功能，增強(qiáng)了所述殼體10的使用趣味性。該光致發(fā)光薄膜12可利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)形成于基體 11的表面。所述殼體10的制作方法，主要包括以下步驟(1)將基體11表面進(jìn)行化學(xué)超聲波清洗，如采用無水乙醇或丙酮對基體11進(jìn)行超聲波清洗，以除去基體11表面的油污。(2)將基體11表面進(jìn)行等離子體清洗，以進(jìn)一步除去基體11表面的油污及氧化物等，以及改善基體11表面與后續(xù)形成的光致發(fā)光薄膜12的結(jié)合力。具體過程可為將超聲波清洗后的基體11放入一真空鍍膜機(jī)中，抽真空該鍍膜機(jī)的腔體至3. OX IO-5Torr (ITorr =133. 32 )，然后通入流量為300 500sCCm(標(biāo)準(zhǔn)毫升每分)的工作氣體氬氣(純度為 99. 999%),對基體11施加-300 -500V的偏壓，使鍍膜室中產(chǎn)生高頻電壓，使所述氬氣發(fā)生離子化而產(chǎn)生氬氣等離子體對基體11的表面進(jìn)行物理轟擊，而達(dá)到對基體11表面等離子體清洗的目的。所述等離子體清洗的時間可為3 20分鐘。(3)對基體11進(jìn)行物理氣相沉積，使基體11表面形成摻銦氧化鋅薄膜。該物理氣相沉積的具體過程為基體11在真空鍍膜機(jī)中經(jīng)過等離子體清洗后，調(diào)節(jié)基體11的偏壓至-100 -300V，并控制基體11的溫度為20 300°C，向鍍膜機(jī)的腔體通入流量為150 300sCCm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分鐘)的高純氬氣及流量為10 120sCCm的氧氣，接著開啟濺鍍靶鋅靶，該鋅靶可以是單一的鋅金屬，也可以是鋅與稀有元素如鍶、銪、鉬等的一種或多種形成的合金，設(shè)置鋅靶的功率為3 IOkw (千瓦)，濺鍍20 60min (分鐘)，則基體11的表面將充分地覆蓋一氧化鋅膜。然后關(guān)閉鋅靶的電源及停止通入氧氣，開啟濺鍍靶銦靶濺鍍5 10分鐘，在氧化鋅膜的部分表面沉積銦，使銦局部地?fù)诫s在氧化鋅膜中，從而在基體 11表面形成摻銦的氧化鋅薄膜，制得所述光致發(fā)光薄膜12。所述的氧化鋅膜在光照下可吸收能量，其電子從低軌躍遷至高軌，無光照后，電子從高軌回遷至低軌并以光能的形式釋放能量，而出現(xiàn)發(fā)光的現(xiàn)象。而銦的摻雜可以提高氧化鋅的電子從高軌回遷至低軌的傳導(dǎo)性，從而提高了氧化鋅的發(fā)光性能，使得光致發(fā)光薄膜12具有更強(qiáng)的發(fā)光性能，增強(qiáng)了殼體10的使用趣味性。(4)將殼體從真空鍍膜機(jī)中取出。所述殼體10通過物理氣相沉積的方法制作，工藝簡單。
權(quán)利要求
1.一種光致發(fā)光薄膜，其特征在于所述光致發(fā)光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成。
2.如權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光薄膜，其特征在于所述光致發(fā)光薄膜進(jìn)一步包括一種或多種稀有元素。
3.如權(quán)利要求2所述的光致發(fā)光薄膜，其特征在于所述稀有元素包括鍶、銪、鉬。
4.如權(quán)利要求1所述的光致發(fā)光薄膜，其特征在于所述光致發(fā)光薄膜的厚度在500nm 以內(nèi)。
5.一種殼體，包括一基體及形成在基體上的一光致發(fā)光薄膜，其特征在于所述光致發(fā)光薄膜主要由摻銦氧化鋅組成。
6.如權(quán)利要求5所述的殼體，其特征在于所述基體包括不銹鋼、銅、鈦、鈦合金、鋁、鋁合金。
7.一種殼體的制作方法，包括以下步驟提供一基體，將基體表面進(jìn)行清洗；將基體進(jìn)行物理氣相沉積，形成一光致發(fā)光薄膜，該光致發(fā)光薄膜主要含有摻銦氧化鋅。
8.如權(quán)利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于所述清洗步驟包括化學(xué)超聲波清洗與等離子體清洗中的至少一種。
9.如權(quán)利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于所述物理氣相沉積的步驟具體為開啟鋅靶與通入氧氣，鋅靶的功率為3 10kw，濺鍍20 60min，氧氣流量為10 120sccm,使基體表面濺射形成氧化鋅膜，然后關(guān)閉鋅靶并停止通入氧氣，接著開啟銦靶濺鍍5 10分鐘，使氧化鋅膜表面摻雜銦。
10.如權(quán)利要求9所述的殼體的制作方法，其特征在于所述鋅靶靶材為單一的鋅金jM ο
11.如權(quán)利要求9所述的殼體的制作方法，其特征在于所述鋅靶靶材為鋅與稀有元素的一種或多種形成的合金。
全文摘要
本發(fā)明公開一種光致發(fā)光薄膜及應(yīng)用該光致發(fā)光薄膜的殼體與殼體的制作方法，該光致發(fā)光薄膜為摻銦氧化鋅薄膜；所述殼體為所述光致發(fā)光薄膜形成在金屬基體表面形成；該光致發(fā)光薄膜采用物理氣象沉積的方法形成在金屬基體表面。本殼體在光線照射后在黑暗條件下能發(fā)光，使得殼體功能多樣且更具趣味性。
文檔編號C23C14/08GK102448264SQ20101050829
公開日2012年5月9日 申請日期2010年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月14日
發(fā)明者張新倍, 王瑩瑩, 蔣煥梧, 陳文榮, 陳正士 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司