發(fā)光單元、發(fā)光裝置及發(fā)光單元的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明的實施方式涉及發(fā)光單元、發(fā)光裝置及發(fā)光單元的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，用于減少能量消耗量的措施得到重視。在這樣的背景下，耗電較少的LED(Light Emitting D1de)作為下一代光源受到關(guān)注。LED體積小且發(fā)熱量少，響應(yīng)性也很好。因此，LED被廣泛應(yīng)用于室內(nèi)用、室外用、固定設(shè)置用、移動用等的顯示裝置、顯示用燈、各種開關(guān)類、信號裝置、一般照明等光學(xué)裝置。
[0003]以往，將這種LED安裝到布線板時，一直使用線接合法。但是，線接合法并不適于將LED芯片安裝到柔性基板等具有撓性的材料。于是，提出了各種不使用線接合法來安裝LED芯片的技術(shù)。
[0004]在這樣的模塊中，LED芯片配置在形成有透明電極的I組透明薄片之間。在這種模塊中，需要確保模塊的透明性及撓性，并且有效地向LED芯片供電。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:特開2012-084855號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的技術(shù)課題
[0009]本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，其課題在于，實現(xiàn)模塊的透明性及撓性，并且有效地供電。
[0010]解決課題所采用的技術(shù)手段
[0011]為了解決上述課題，本實施方式的發(fā)光單元具有，第I絕緣薄片，例如相對于可見光具有透射性;第2絕緣薄片，與所述第I絕緣薄片對置地配置;多個導(dǎo)體圖案，例如由相對于可見光具有透射性的導(dǎo)體圖案構(gòu)成，形成在所述第I絕緣薄片和所述第2絕緣薄片中的至少一方的表面上;多個第I發(fā)光元件，與所述多個導(dǎo)體圖案中的任2個導(dǎo)體圖案連接;以及樹脂層，配置在所述第I絕緣薄片與所述第2絕緣薄片之間，保持所述第I發(fā)光元件。
[0012]根據(jù)本實施方式，能夠提供具有對光的透射性或者撓性的發(fā)光單元。
【附圖說明】
[0013]圖1是發(fā)光單元的立體圖。
[0014]圖2是發(fā)光單元的展開立體圖。
[0015]圖3是發(fā)光面板的側(cè)面圖。
[0016]圖4是發(fā)光單元的平面圖。
[0017]圖5是發(fā)光元件的立體圖。
[0018]圖6是表示與導(dǎo)體圖案連接的發(fā)光元件的圖。
[0019]圖7是表示與導(dǎo)體圖案連接的發(fā)光元件的情形的圖。
[0020]圖8是柔性纜線的側(cè)面圖。
[0021 ]圖9是用于說明發(fā)光面板和柔性纜線的連接要領(lǐng)的圖。
[0022]圖10是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0023]圖11是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0024]圖12是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0025]圖13是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0026]圖14是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0027]圖15是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0028]圖16是用于說明發(fā)光面板的制造要領(lǐng)的圖。
[0029]圖17是用于說明發(fā)光面板的制造要領(lǐng)的圖。
[0030]圖18是具備發(fā)光單元的發(fā)光裝置的框圖。
[0031]圖19是表示導(dǎo)體圖案的變形例的圖。
[0032]圖20是表示發(fā)光面板的變形例的圖。
[0033]圖21是表示發(fā)光單元的變形例的圖。
[0034]圖22是表示發(fā)光單元的變形例的圖。
[0035]圖23是表示發(fā)光面板的變形例的圖。
[0036]圖24是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0037]圖25是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0038]圖26是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0039]圖27是發(fā)光元件的側(cè)面圖。
[0040]圖28是透明薄片的立體圖。
[0041 ]圖29是發(fā)光面板的側(cè)面圖。
[0042]圖30是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0043]圖31是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0044]圖32是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0045]圖33A是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0046]圖33B是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0047]圖34A是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0048]圖34B是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0049]圖35是發(fā)光單元的平面圖。
[0050]圖36是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0051]圖37是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0052]圖38是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0053]圖39是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0054]圖40是用于說明本實施方式的效果的圖。
[0055]圖41是用于說明本實施方式的效果的圖。
[0056]圖42是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0057]圖43是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0058]圖44是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0059]圖45是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0060 ]圖46是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0061]圖47是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0062]圖48是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0063 ]圖49是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0064]圖50是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[0065]圖51是用于說明導(dǎo)體圖案的制造要領(lǐng)的圖。
[ΟΟ??]圖52是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0067]圖53是表不發(fā)光面板的變形例的圖。
[0068]圖54是表示與構(gòu)成導(dǎo)體圖案的薄膜導(dǎo)體的線寬和間距對應(yīng)的透射率的對應(yīng)表的圖。
【具體實施方式】
[0069]《第i實施方式》
[0070]以下使用【附圖說明】本發(fā)明的第I實施方式。在說明中，使用由相互正交的X軸、Y軸、Z軸構(gòu)成的XYZ坐標(biāo)系。
[0071 ]圖1是本實施方式的發(fā)光單元10的立體圖。此外，圖2是發(fā)光單元10的展開立體圖。參照圖1及圖2可知，發(fā)光單元10具有發(fā)光面板20、柔性纜線40、連接器50、加強板60。
[0072]圖3是發(fā)光面板20的側(cè)面圖。如圖3所示，發(fā)光面板20具有I組透明薄片21、22、形成在透明薄片21、22之間的樹脂層24、配置在樹脂層24的內(nèi)部的8個發(fā)光元件3(^-30^
[0073]透明薄片21、22是以長邊方向為X軸方向的長方形的薄片。透明薄片21的厚度為50?300μπι左右，相對于可見光具有透射性。透明薄片21的總光線透射率優(yōu)選為5?95 %左右。另外，總光線透射率指的是依據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JISK7375: 2008而測定的總光透射率。
[0074]透明薄片21、22具有撓性，其彎曲彈性率為O?320kgf/mm2左右。另外，彎曲彈性率是通過依據(jù)于IS0178(JISK7171:2008)的方法測定出的值。
[0075]作為透明薄片21、22的素材，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚丁二酸乙二醇酯(PES)、ART0N、丙烯酸樹脂等。
[0076]在上述I組透明薄片21、22中的透明薄片21的下表面(圖3中的一Z側(cè)的面)形成有厚度為0.05μηι?2μηι左右的導(dǎo)體層23。
[0077]圖4是發(fā)光單元10的平面圖。參照圖3及圖4可知，導(dǎo)體層23由沿著透明薄片21的+Y側(cè)外緣形成的L字狀的導(dǎo)體圖案23a、以及沿著透明薄片21的一Y側(cè)的外緣排列的長方形的導(dǎo)體圖案23b?23i構(gòu)成。導(dǎo)體圖案23a?23i是由銅(Cu)或銀(Ag)等金屬材料構(gòu)成的導(dǎo)體圖案。此外，在發(fā)光單元10中，導(dǎo)體圖案23a?23i彼此的距離D約為ΙΟΟμπι以下。透明薄片21被由狹縫劃分的導(dǎo)體圖案23a?23i整面地覆蓋。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)低電阻化。此外，導(dǎo)體圖案23a的L字狀的部分構(gòu)成折返部分。
[0078]在發(fā)光單元10中，透明薄片22與透明薄片21相比，X軸方向的長度更短。因此，參照圖3可知，構(gòu)成導(dǎo)體層23的導(dǎo)體圖案23a和導(dǎo)體圖案23i的+X側(cè)端成為露出的狀態(tài)。
[0079]樹脂層24形成在透明薄片21、22之間。樹脂層24相對于可見光具有透射性。
[0080]維卡軟化溫度下的樹脂層24的拉伸儲能模量為0.1MPa以上。此外，樹脂層24的熔解溫度優(yōu)選為180°C以上、或者比維卡軟化溫度高40°C以上。并且，樹脂層24的玻璃轉(zhuǎn)移溫度優(yōu)選為一 20°C以下。作為樹脂層24所使用的彈性體，可以想到丙烯酸系彈性體、烯烴系彈性體、苯乙烯系彈性體、酯系彈性體、聚氨酯系彈性體等。此外，關(guān)于樹脂層24，維卡軟化溫度處于80°〇以上160°〇以下的范圍，0°〇?100°〇之間的拉伸儲能模量處于0.016?&以上1GPa以下的范圍。
[0081]發(fā)光元件3(h是正方形的LED芯片。如圖5所示，發(fā)光元件3(h是由襯底基板31、N型半導(dǎo)體層32、活性層33、P型半導(dǎo)體層34構(gòu)成的4層構(gòu)造的LED芯片。發(fā)光元件3(h的額定電壓約為2.5V。
[0082]襯底基板31是藍寶石基板或半導(dǎo)體基板。在襯底基板31的上表面，形成有與該襯底基板31同形狀的N型半導(dǎo)體層32。并且，在N型半導(dǎo)體層32的上表面，依次層積著活性層33、P型半導(dǎo)體層34。層積在N型半導(dǎo)體層32上的活性層33及P型半導(dǎo)體層34，在一 Y側(cè)且一 X側(cè)的角落部分形成有切口，N型半導(dǎo)體層的表面露出。作為N型半導(dǎo)體層32、活性層33、P型半導(dǎo)體層34，例如使用化合物半導(dǎo)體。
[0083]在N型半導(dǎo)體層32的從活性層33和P型半導(dǎo)體層34露出的部分，形成有與N型半導(dǎo)體層32電連接的焊盤36。此外，在P型半導(dǎo)體層34的+X側(cè)且+Y側(cè)的角落部分，形成有與P型半導(dǎo)體層34電連接的焊盤35。焊盤35、36由銅(Cu)、金(Au)構(gòu)成，在上表面形成具有導(dǎo)電性的凸起37、38。凸起37、38由金(Au)或金合金等的金屬凸起構(gòu)成，并整形為半球狀。作為金屬凸起，可以使用金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、AuSn等或者這些金屬的合金。也可以取代金屬凸起而使用焊錫凸起。在發(fā)光元件30中，凸起37作為陰電極起作用，凸起38作為陽電極起作用。
[0084]如上述那樣構(gòu)成的發(fā)光元件3(h如圖6所示，配置在導(dǎo)體圖案23a、23b之間，凸起37與導(dǎo)體圖案23a連接，凸起38與導(dǎo)體圖案23b連接。
[0085]圖7是表示與導(dǎo)體圖案23a、23b連接的發(fā)光元件30!的情形的圖。參照圖7可知，導(dǎo)體圖案23a?23i由線寬dl約為ΙΟμπι的薄膜導(dǎo)體構(gòu)成，薄膜導(dǎo)