專(zhuān)利名稱(chēng)：一種預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，更確切地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法。
背景技術(shù)：
化學(xué)汽相沉積(Chemical Vapor D印osition，CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)之一，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料?；瘜W(xué)汽相沉積技術(shù)常常通過(guò)反應(yīng)類(lèi)型或者壓力來(lái)分類(lèi)，其中次常壓化學(xué)汽相沉積 (Sub-Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, SACVD)在進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)時(shí)， 反應(yīng)腔中的壓力往往達(dá)到200托，甚至600托以上。在由次常壓化學(xué)汽相沉積方法淀積的 SiO2由于其薄膜相對(duì)于由高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(High-Dentisty Plasma Chemical Vapor Deposition, HDP CVD)方法淀積的SiO2薄膜較為疏松，通常需要在淀積之后進(jìn)行一個(gè)熱處理使之致密化，尤其是當(dāng)該薄膜應(yīng)用于65nm以下的淺溝槽隔離工藝(Shallow Trench Isolation，STI)中。在致密化的過(guò)程中，薄膜中游離的氧會(huì)同基體的硅反應(yīng)而有所消耗，最終導(dǎo)致硅基體尺寸的減小而影響半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法，可以消除在對(duì)由次常壓化學(xué)汽相沉積方法制備的S^2進(jìn)行熱處理時(shí)的硅基體的損耗， 具體是通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
一種預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法，其中，包括 在硅片基體上淀積一層具有一定厚度的富含硅的薄膜； 采用沉積的方法在富含硅的薄膜上淀積S^2薄膜； 進(jìn)行熱處理，使SW2薄膜致密化。上述預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法，其中，所述富含硅的薄膜是富硅二氧化硅層。上述預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法，其中，所述沉積方法為次常壓化學(xué)汽相沉積法。本領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀以下較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明，并參照附圖之后，本發(fā)明的這些和其他方面的優(yōu)勢(shì)無(wú)疑將顯而易見(jiàn)。


參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實(shí)施例，然而，所附附圖僅用于說(shuō)明和闡述，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明范圍的限制。圖1是本發(fā)明預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法的最佳實(shí)施例的流程示意框圖； 圖2A 圖2C是本發(fā)明預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法的流程結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參看圖1所示，本發(fā)明預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法的最佳實(shí)施例主要是通過(guò)下列步驟實(shí)現(xiàn)的在硅片基體0上淀積一層具有一定厚度的富含硅的二氧化硅薄膜1，如圖 2A所示，則采用次常壓化學(xué)汽相沉積法沉積的SiO2薄膜在其后續(xù)的熱處理時(shí)，游離氧所需的Si元素可以從富含硅的二氧化硅薄膜1中獲得，基體1中的硅不會(huì)被消耗，因此其關(guān)鍵尺寸也不會(huì)有所變化，從而對(duì)半導(dǎo)體器件的性能不會(huì)有影響；采用次常壓化學(xué)汽相沉積的方法在富含硅的二氧化硅薄膜1上淀積SiO2薄膜2，如圖2B所示；進(jìn)行熱處理，使SW2薄膜致密化，于是在富含硅的二氧化硅薄膜1上淀積的SiO2薄膜2便不太明顯了，如圖2C所
示ο本發(fā)明預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法實(shí)施工藝簡(jiǎn)單，有效減少了在次常壓化學(xué)汽相沉積法沉積SiA薄膜過(guò)程中基體硅的損耗。通過(guò)說(shuō)明和附圖，給出了具體實(shí)施方式
的特定結(jié)構(gòu)的典型實(shí)施例，因此，盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實(shí)施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說(shuō)明后，各種變化和修正無(wú)疑將顯而易見(jiàn)。因此，所附的權(quán)利要求書(shū)應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正，在權(quán)利要求書(shū)范圍內(nèi)任何和所有等價(jià)的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法，其特征在于，包括 在硅片基體上淀積一層具有一定厚度的富含硅的薄膜； 采用沉積的方法在富含硅的薄膜上淀積SiA薄膜； 進(jìn)行熱處理，使SW2薄膜致密化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法，其特征在于，所述富含硅的薄膜是富硅二氧化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法，其特征在于，所述沉積方法為次常壓化學(xué)汽相沉積法。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種預(yù)防在熱處理時(shí)硅消耗的方法，其包括在硅片基體上淀積一層具有一定厚度的富含硅的薄膜；采用次常壓化學(xué)汽相沉積的方法在富含硅的薄膜上淀積SiO2薄膜；進(jìn)行熱處理，使SiO2薄膜致密化。所述富含硅的薄膜是富硅二氧化硅層。本發(fā)明可以消除在對(duì)由次常壓化學(xué)汽相沉積方法制備的SiO2進(jìn)行熱處理時(shí)的硅基體的損耗。
文檔編號(hào)C23C16/56GK102412118SQ201110123699
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者張文廣, 徐強(qiáng), 鄭春生, 陳玉文 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司