專利名稱：一種LaB₆空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及真空離子鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LaB6空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機。
背景技術(shù)：
目前在真空離子鍍膜行業(yè)已有多弧與磁控濺射相組合的離子鍍膜機?，F(xiàn)有的多弧與磁控濺射復合離子鍍膜機雖在一定程度上改善了膜層表面的粗糙度以及提高了表面的光亮度，但并沒有從根本上解決多弧離子鍍膜層中的液滴及大顆粒問題，并且磁控濺射離化率低，膜層與基片之間結(jié)合力差，在實際應用方面存在許多須待改進的地方。

實用新型內(nèi)容本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可明顯減少和細化多弧離子鍍表面大顆粒、提高磁控濺射離子鍍離化率、生產(chǎn)效率高的LaB6空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機。本實用新型由LaB6空心陰極電子槍、八角形真空室、上集束線圈、下集束線圈、輔助陽極、長方形法蘭、多弧陰極靶、磁控濺射靶、抽氣口、高閥、分子泵、粗抽泵和維持泵構(gòu)成。La^5空心陰極電子槍設(shè)置在八角形真空室上部中心處，上集束線圈設(shè)置在八角形真空室上部邊緣，下集束線圈設(shè)置在八角形真空室下部邊緣；八角形真空室通過抽氣口與高閥相連接，高閥底部與分子泵連接，分子泵前級與維持泵連接，爐體底部與粗抽泵連接。八角形真空室側(cè)表面其中六個面設(shè)置有長方形法蘭，在長方形法蘭上設(shè)置有孔， 可根據(jù)需要配置裝有多弧陰極靶或磁控濺射靶的模板，裝拆便利，八角形真空室側(cè)表面的其余兩個面設(shè)置有觀察窗及抽氣孔；八角形真空室內(nèi)部設(shè)置有工件轉(zhuǎn)架和加熱器，八角形真空室內(nèi)底部中心處設(shè)置有輔助陽極。多弧陰極靶為小圓形靶或柱形靶、長方形靶，磁控濺射靶為長方形靶或柱形靶。工作時，在加熱階段，利用LaB6空心陰極電子槍和加熱器對工件加熱，在轟擊階段利用被LaB6空心陰極電子槍離化的Ar氣離子對工件進行離子清洗；多弧離子鍍膜階段， La^5空心陰極電子槍與多弧陰極靶并用，通過被1^ 空心陰極電子槍離化的氣體對工件表面膜層不斷撞擊，細化鍍層表面大顆粒；磁控濺射鍍膜階段，LaB6空心陰極電子槍與磁控濺射靶并用，可提高靶材離化率。上、下集束線圈的作用是將電子槍發(fā)射的電子束聚焦到輔助陽極上，同時還可以起到磁攪拌作用，加速離子運動，提高離子撞擊力及撞擊幾率。本實用新型改善了離子鍍鍍膜產(chǎn)品品質(zhì)，提高了生產(chǎn)效率，具有較好的經(jīng)濟效益， 利于推廣。

圖1是本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型的整體結(jié)構(gòu)俯視圖；圖3是本實用新型的設(shè)備原理圖。
3[0012]圖中1是LaB6空心陰極電子槍，2是八角形真空室，3是上集束線圈，4是下集束線圈，5是長方形法蘭，6是工件轉(zhuǎn)架，7是多弧陰極靶，8是磁控濺射靶，9是輔助陽極，10是抽氣口，11是高閥，12是分子泵，13是粗抽泵，14是維持泵。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖以最佳實施例對本實用新型做進一步詳細說明本實用新型由La^5空心陰極電子槍(1)、八角形真空室O)、上集束線圈(3)、下集束線圈(4)、輔助陽極(9)、長方形法蘭(5)、多弧陰極靶(7)、磁控濺射靶(8)、抽氣口(10)、 高閥(11)、分子泵(12)、粗抽泵(13)和維持泵(14)構(gòu)成。La^5空心陰極電子槍(1)設(shè)置在八角形真空室( 上部中心處，上集束線圈C3)設(shè)置在八角形真空室( 上部邊緣，下集束線圈(4)設(shè)置在八角形真空室(2)下部邊緣；八角形真空室(2)通過抽氣口(10)與高閥 (11)相連接，高閥(11)底部與分子泵(1 連接，分子泵(1 前級與維持泵(14)連接，爐體底部與粗抽泵(1 連接。八角形真空室( 側(cè)表面其中六個面設(shè)置有長方形法蘭(5)，在長方形法蘭(5)上設(shè)置有孔，可根據(jù)需要配置裝有多弧陰極靶(7)或磁控濺射靶(8)的模板，裝拆便利，八角形真空室( 側(cè)表面的其余兩個面設(shè)置有觀察窗及抽氣孔；八角形真空室O)內(nèi)部設(shè)置有工件轉(zhuǎn)架(6)和加熱器，八角形真空室O)內(nèi)底部中心處設(shè)置有輔助陽極(9)。多弧陰極靶(7)為小圓形靶或柱形靶、長方形靶，磁控濺射靶(8)為長方形靶或柱形靶。工作時，在加熱階段，利用LaB6空心陰極電子槍(1)和加熱器對工件加熱，在轟擊階段利用被La^5空心陰極電子槍(1)離化的Ar氣離子對工件進行離子清洗；多弧離子鍍膜階段，La^5空心陰極電子槍⑴與多弧陰極靶(7)并用，通過被La^5空心陰極電子槍⑴ 離化的氣體對工件表面膜層不斷撞擊，細化鍍層表面大顆粒；磁控濺射鍍膜階段，LaB6空心陰極電子槍(1)與磁控濺射靶(8)并用，可提高靶材離化率。上、下集束線圈(3、4)將電子束聚焦到輔助陽極(9)上，還可以起到磁攪拌作用，加速離子運動，提高離子撞擊力及撞擊幾率。
權(quán)利要求1.一種La^5空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機，其特征在于它由1^動6空心陰極電子槍(1)、八角形真空室(2)、上集束線圈(3)、下集束線圈(4)、輔助陽極(9)、長方形法蘭(5)、多弧陰極靶(7)、磁控濺射靶(8)、抽氣口 (10)、高閥(11)、分子泵(12)、粗抽泵(13)和維持泵 (14)構(gòu)成，La^5空心陰極電子槍(1)設(shè)置在八角形真空室(2)上部中心處，上集束線圈(3) 設(shè)置在八角形真空室( 上部邊緣，下集束線圈(4)設(shè)置在八角形真空室( 下部邊緣；八角形真空室⑵通過抽氣口(10)與高閥(11)相連接，高閥(11)底部與分子泵(12)連接， 分子泵(1 前級與維持泵(14)連接，爐體底部與粗抽泵(1 連接；八角形真空室(2)側(cè)表面其中六個面設(shè)置有長方形法蘭(5)，在長方形法蘭( 上設(shè)置有孔，可根據(jù)需要配置裝有多弧陰極靶(7)或磁控濺射靶(8)的模板，八角形真空室( 側(cè)表面的其余兩個面設(shè)置有觀察窗及抽氣孔；八角形真空室O)內(nèi)部設(shè)置有工件轉(zhuǎn)架(6)和加熱器，八角形真空室(2)內(nèi)底部中心處設(shè)置有輔助陽極(9)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種LaB6空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機，其特征在于所述的多弧陰極靶(8)為圓形、長方形或柱形靶
3.如權(quán)利要求1所述的一種LaB6空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機，其特征在于所述的磁控濺射靶(9)為長方形或柱形靶。
專利摘要本實用新型涉及一種LaB6空心陰極電子槍多功能離子鍍膜機?，F(xiàn)有復合離子鍍膜機沒有解決膜層中的大顆粒問題，離化率低。本實用新型由LaB6空心陰極電子槍、八角形真空室、集束線圈、輔助陽極、長方形法蘭、多弧陰極靶、磁控濺射靶、抽氣口、高閥、分子泵、粗抽泵和維持泵構(gòu)成。八角形真空室上部中心處設(shè)置有LaB6空心陰極電子槍，上下部邊緣設(shè)置有集束線圈，真空室通過抽氣口與高閥相連，高閥底部與分子泵相連，分子泵前級與維持泵相連，爐體底部與粗抽泵相連。真空室側(cè)面六個面設(shè)置有長方形法蘭，其余兩個面設(shè)置有觀察窗和抽氣口；真空室內(nèi)部設(shè)置有工件轉(zhuǎn)架和加熱器，底面中心處設(shè)置有輔助陽極。改善了離子鍍鍍膜產(chǎn)品品質(zhì)，提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號C23C14/35GK202201959SQ20112028604
公開日2012年4月25日 申請日期2011年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月30日
發(fā)明者中山弘建 申請人:中山弘建