專利名稱：晶片加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及埋設(shè)有電極的晶片的加工方法，所述電極與分別設(shè)于形成在基板正面的多個(gè)器件上的接合焊盤連接。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件制造工序中，利用在大致圓板形狀的硅(Si)基板正面上呈格子狀排列的被稱為間隔道的分割預(yù)定線劃分出多個(gè)區(qū)域，在劃分出的區(qū)域中形成1C、LSI等半導(dǎo)體器件。通過沿著間隔道將這樣地在硅(Si)基板正面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體器件的晶片切斷，由此對(duì)形成有半導(dǎo)體器件的區(qū)域進(jìn)行分割，制造出各個(gè)半導(dǎo)體器件。為了實(shí)現(xiàn)器件的小型化、高功能化，實(shí)際應(yīng)用了如下的模塊構(gòu)造該模塊構(gòu)造是層疊多個(gè)器件并將設(shè)于所層疊的器件上的接合焊盤相連而得到的。該模塊構(gòu)造是這樣的結(jié) 構(gòu)在硅(Si)基板上的設(shè)置接合焊盤的部位形成孔(通孔)，在該孔(通孔)中，利用由二氧化硅(SiO2)構(gòu)成的絕緣材料進(jìn)行填埋而覆蓋與接合焊盤連接的銅或鋁等電極。(例如，參照專利文獻(xiàn)I。)為了使上述這樣地埋設(shè)在硅(Si)基板內(nèi)的銅(Cu)電極露出于硅(Si)基板的背面，要對(duì)硅(Si)基板的背面進(jìn)行磨削，使得背面露出銅(Cu)電極，然后，把對(duì)于硅(Si)的蝕刻率高且對(duì)于銅(Cu)的蝕刻率低的氫氧化鉀(KOH)作為蝕刻液，對(duì)硅(Si)基板的背面進(jìn)行蝕刻，由此將硅(Si)基板形成為規(guī)定的厚度，并且使銅(Cu)電極從背面突出ΙΟμπι左右。(例如，參照專利文獻(xiàn)2。)專利文獻(xiàn)I日本特開2003-249620號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2003-188134號(hào)公報(bào)當(dāng)像上述這樣地磨削基板背面而使電極在背面露出時(shí)，存在如下問題當(dāng)磨削到電極時(shí)，金屬原子會(huì)侵入基板內(nèi)部而使器件品質(zhì)降低。因此，在磨削基板背面時(shí)，重要的是，在即將到達(dá)電極的跟前位置、例如離電極的背面?zhèn)饶┒? μ m左右的跟前位置處結(jié)束磨削，使電極不在基板背面露出。此外，當(dāng)磨削基板背面時(shí)，為了保護(hù)形成于基板正面的器件，在基板正面隔著液狀樹脂而接合由玻璃板等構(gòu)成的襯底，并將該保護(hù)部件側(cè)保持于磨削裝置的卡盤臺(tái)上來磨削作為上表面的基板背面。然而，在基板正面以均勻的厚度涂布用于接合襯底的液狀樹脂是比較困難的，所以，正面與襯底接合的基板的背面沿著液狀樹脂的厚度產(chǎn)生起伏。因此，埋設(shè)在基板中的電極的背面?zhèn)饶┒说母叨任恢貌灰恢?，在磨削基板背面時(shí)產(chǎn)生了受到磨削的電極。結(jié)果，產(chǎn)生了金屬原子侵入基板內(nèi)部而使器件品質(zhì)降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而作出的，其主要技術(shù)課題是提供如下這樣的晶片加工方法該晶片加工方法不會(huì)對(duì)埋設(shè)在構(gòu)成晶片的基板內(nèi)的全部電極進(jìn)行磨削使其露出，能夠在與電極的基板背面?zhèn)饶┒讼嗑辔⑿【嚯x的跟前位置處結(jié)束磨削。為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片加工方法，將在基板中埋設(shè)有電極的晶片形成為規(guī)定厚度，所述電極與分別設(shè)于形成在該基板的正面的多個(gè)器件上的接合焊盤連接，該晶片加工方法的特征在于，包含以下工序液狀樹脂覆蓋工序，向用于保護(hù)該基板的正面的襯底的正面滴下液狀樹脂并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，由此在該襯底的正面覆蓋液狀樹脂；襯底接合工序，使該基板的正面隔著液狀樹脂與覆蓋有液狀樹脂的該襯底的正面接合；高度位置測(cè)量工序，測(cè)量隔著液狀樹脂與該襯底的正面接合的該基板的背面的從該襯底起算的高度位置；晶片保持工序，將與該基板的正面接合的該襯底側(cè)載置到磨削裝置的卡盤臺(tái)上，使該基板的背面露出而保持在該卡盤臺(tái)上；以及背面磨削工序，使該卡盤臺(tái)旋轉(zhuǎn)，在保持于該卡盤臺(tái)上的該晶片的該基板的背面，在使磨削輪旋轉(zhuǎn)的同時(shí)使該磨削輪的磨削面與該晶片的該基板的背面接觸來磨削該晶片的該基板的背面，在實(shí)施該背面磨削工序之前，實(shí)施面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序，在該面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序中，根據(jù)由該高度位置測(cè)量工序測(cè)量的隔著液狀樹脂與該襯底的正面接合的該基板的背面的從該襯底起算的高度位置，求出該基板的背面的從外周側(cè)至中心側(cè)的坡度，與該坡度對(duì)應(yīng)地調(diào)整該卡盤臺(tái)的保持面與該磨削輪的磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)。
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另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種晶片加工方法，將在基板中埋設(shè)有電極的晶片形成為規(guī)定厚度，所述電極與分別設(shè)于形成在該基板的正面的多個(gè)器件上的接合焊盤連接，該晶片加工方法的特征在于，包含以下工序液狀樹脂覆蓋工序，向用于保護(hù)該基板的正面的襯底的正面滴下液狀樹脂并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，由此在該襯底的正面覆蓋液狀樹脂；襯底接合工序，使該基板的正面隔著液狀樹脂與覆蓋有液狀樹脂的該襯底的正面接合；高度位置測(cè)量工序，測(cè)量在隔著液狀樹脂與該襯底的正面接合的該基板中埋設(shè)的該電極的背面?zhèn)榷嗣娴膹脑撘r底起算的高度位置；晶片保持工序，將與該基板的正面接合的該襯底側(cè)載置到磨削裝置的卡盤臺(tái)上，使該基板的背面露出而保持在該卡盤臺(tái)上；以及背面磨削工序，使該卡盤臺(tái)旋轉(zhuǎn)，在保持于該卡盤臺(tái)上的該晶片的該基板的背面，在使磨削輪旋轉(zhuǎn)的同時(shí)使該磨削輪的磨削面與該晶片的該基板的背面接觸來磨削該晶片的該基板的背面，在實(shí)施該背面磨削工序之前，實(shí)施面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序，在該面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序中，根據(jù)由該高度位置測(cè)量工序測(cè)量的該電極的背面?zhèn)榷嗣娴膹脑撘r底起算的高度位置，求出電極的背面?zhèn)榷嗣娴膹耐庵軅?cè)至中心側(cè)的坡度，與該坡度對(duì)應(yīng)地調(diào)整該卡盤臺(tái)的保持面與該磨削輪的磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)。本發(fā)明是一種晶片加工方法，將在基板中埋設(shè)有電極的晶片形成為規(guī)定厚度，所述電極與分別設(shè)于形成在基板的正面的多個(gè)器件上的接合焊盤連接，其中，包含以下工序液狀樹脂覆蓋工序，向用于保護(hù)基板的正面的襯底的正面滴下液狀樹脂并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，由此在該襯底的正面覆蓋液狀樹脂；襯底接合工序，使基板的正面隔著液狀樹脂與覆蓋有液狀樹脂的襯底的正面接合；高度位置測(cè)量工序，測(cè)量隔著液狀樹脂與襯底的正面接合的基板的背面的從襯底起算的高度位置；晶片保持工序，將與基板的正面接合的襯底側(cè)載置到磨削裝置的卡盤臺(tái)上，使基板的背面露出而保持在卡盤臺(tái)上；以及背面磨削工序，使卡盤臺(tái)旋轉(zhuǎn)，在保持于卡盤臺(tái)上的晶片的基板的背面，在使磨削輪旋轉(zhuǎn)的同時(shí)使磨削輪的磨削面與晶片的該基板的背面接觸來磨削晶片的基板的背面，在實(shí)施背面磨削工序之前，實(shí)施面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序，在該面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序中，根據(jù)由高度位置測(cè)量工序測(cè)量的隔著液狀樹脂與襯底的正面接合的基板的背面的從襯底起算的高度位置，求出基板的背面的從外周側(cè)至中心側(cè)的坡度，與該坡度對(duì)應(yīng)地調(diào)整卡盤臺(tái)的保持面與磨削輪的磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)，所以，能夠均勻地磨削構(gòu)成晶片的基板的背面(被磨削面)，將晶片磨削為均勻的厚度。因此，在與埋設(shè)在構(gòu)成晶片的基板中的電極的基板背面?zhèn)饶┒讼嗑嗬? μ m左右的跟前位置處，結(jié)束磨削，由此，全部電極都不會(huì)露出。另外，根據(jù)本發(fā)明，在高度位置測(cè)量工序中，測(cè)量在隔著液狀樹脂與襯底正面接合的基板中埋設(shè)的電極的背面?zhèn)榷嗣娴膹囊r底起算的高度位置，根據(jù)該高度位置求出電極的背面?zhèn)榷嗣娴膹耐庵軅?cè)至中心側(cè)的坡度，與該坡度對(duì)應(yīng)地調(diào)整卡盤臺(tái)的保持面與磨削輪的磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)，所以，即使埋設(shè)于基板中的電極存在高度偏差，從而與基板背面的距離存在偏差，在背面磨削工序中也不會(huì)磨削到電極使其露出。


圖I是利用本發(fā)明的晶片加工方法進(jìn)行加工的半導(dǎo)體晶片的立體圖。圖2是放大地示出圖I所示的半導(dǎo)體晶片的要部的剖視圖?！D3是本發(fā)明的晶片加工方法中的液狀樹脂覆蓋工序的說明圖。圖4是本發(fā)明的晶片加工方法中的襯底接合工序的說明圖。圖5是用于實(shí)施本發(fā)明的晶片加工方法中的高度位置測(cè)量工序以及背面磨削工序的磨削裝置的立體圖。圖6是在圖5所示的磨削裝置中裝備的卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)的立體圖。圖7是構(gòu)成圖5所示的卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)的卡盤臺(tái)支撐機(jī)構(gòu)的俯視圖。圖8是構(gòu)成圖5所示的卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)的卡盤臺(tái)的剖視圖。圖9是在圖5所示的磨削裝置中裝備的控制單元的模塊結(jié)構(gòu)圖。圖10是本發(fā)明的晶片加工方法中的高度位置測(cè)量工序的說明圖。圖11是示出利用圖10所示的高度位置測(cè)量工序測(cè)量的構(gòu)成半導(dǎo)體晶片的硅(Si)基板的背面的高度位置的說明圖。圖12是示出將隔著液狀樹脂與襯底正面接合的半導(dǎo)體晶片的基板保持于卡盤臺(tái)的保持面的狀態(tài)的剖視圖。圖13是在圖5所示的磨削裝置中實(shí)施的面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序以及背面磨削工序的說明圖。圖14是示出本發(fā)明的晶片加工方法中的高度位置測(cè)量工序的其它實(shí)施方式的說明圖。符號(hào)說明2 :半導(dǎo)體晶片21 :娃(Si)基板212 :器件213 :接合焊盤214 :銅(Cu)電極215 : 二氧化硅(SiO2)膜3 :襯底
30 :保護(hù)膜覆蓋裝置4 :磨削裝置5 :磨削單元52 :主軸單元522:旋轉(zhuǎn)主軸525 :磨削輪527 :磨削磨具6 :磨削進(jìn)給單元 7 :卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)72 :卡盤臺(tái)支撐機(jī)構(gòu)725,726 :上下位置調(diào)節(jié)單元73 :卡盤臺(tái)731 :卡盤臺(tái)主體732 :吸附保持卡盤732a:保持面76 :卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)移動(dòng)單元8 :高度位置測(cè)量單元9 :控制單元11:第I收納盒12 :第2收納盒13 :被加工物臨時(shí)放置單元14 :旋轉(zhuǎn)清洗單元15 :被加工物運(yùn)送單元16 :被加工物運(yùn)入單元17:被加工物運(yùn)出單元
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的晶片加工方法以及磨削裝置的優(yōu)選實(shí)施方式。圖I示出了利用本發(fā)明的埋設(shè)有電極的晶片的加工方法進(jìn)行加工的半導(dǎo)體晶片的立體圖。圖I所示的半導(dǎo)體晶片2被格子狀地形成在厚度例如為600 μ m的硅(Si)基板21的正面21a上的間隔道211劃分成多個(gè)區(qū)域，在所劃分出的區(qū)域內(nèi)分別形成有1C、LSI等器件212。在這樣形成的器件212的表面設(shè)有多個(gè)接合焊盤213。如圖2所示，這樣形成的半導(dǎo)體晶片2在硅(Si)基板21中埋設(shè)有與上述接合焊盤213連接的銅(Cu)電極214。此外，埋設(shè)在硅(Si)基板21中的銅(Cu)電極214的長度例如形成為200 μ m，該銅(Cu)電極214被150nm左右厚度的作為絕緣膜的二氧化硅(SiO2)膜215所覆蓋。以下說明對(duì)構(gòu)成上述半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21的背面進(jìn)行磨削，在不使銅(Cu)電極214露出的情況下形成為規(guī)定厚度的晶片加工方法。首先，實(shí)施液狀樹脂覆蓋工序，即向用于保護(hù)硅(Si)基板21的正面的襯底的正面滴下液狀樹脂并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，由此在襯底正面覆蓋液狀樹脂。采用圖3(a)以及(b)所示的液狀樹脂覆蓋裝置30來實(shí)施該液狀樹脂覆蓋工序。圖3 (a)以及(b)所示的保護(hù)膜覆蓋裝置30具備保持晶片的轉(zhuǎn)臺(tái)31 ;以及配置在該轉(zhuǎn)臺(tái)31的旋轉(zhuǎn)中心的上方的液狀樹脂供給噴嘴32。在采用這樣構(gòu)成的保護(hù)膜覆蓋裝置30來實(shí)施液狀樹脂覆蓋工序時(shí)，如圖3(a)所示，將例如由厚度為Imm左右的玻璃板構(gòu)成的襯底3的背面3b側(cè)載置在轉(zhuǎn)臺(tái)31上。然后，使未圖示的吸引單元工作，在轉(zhuǎn)臺(tái)31上吸引保持襯底3。因此，被保持在轉(zhuǎn)臺(tái)31上的襯底3的正面3a成為上側(cè)。在這樣地將襯底3保持在轉(zhuǎn)臺(tái)31上之后，如圖3(a)所示，使轉(zhuǎn)臺(tái)31沿著箭頭所示的方向以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度(例如300 IOOOrpm)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，同時(shí)從配置在轉(zhuǎn)臺(tái)31上方的液狀樹脂供給噴嘴32向襯底3的正面3a的中央?yún)^(qū)域滴下規(guī)定量的液狀樹脂320。然后，使轉(zhuǎn)臺(tái)31旋轉(zhuǎn)60秒左右，由此，如圖3(b)所示，在襯底3的正面3a上形成樹脂層321。覆蓋于襯底3的正面3a的樹脂層321的厚度是由上述液狀樹脂320的滴下量決定的，可以是50 μ m左右。此外，作為液狀樹脂320，可采用碳酸乙烯、環(huán)氧樹脂、抗蝕樹脂等。這樣地覆蓋于襯底3的正面3a的樹脂層321的厚度不均勻，如上所述地滴落于中央?yún)^(qū)域的液狀樹脂320因離心力而流動(dòng)到外周部，所以，如在圖3(c)中夸張地示出的那樣，正面321a凹陷成凹狀，厚度從中心朝向外周逐漸變厚。此外，關(guān)于覆蓋于襯底3的正面 3a的樹脂層321，在轉(zhuǎn)臺(tái)31的旋轉(zhuǎn)速度慢且旋轉(zhuǎn)時(shí)間短的情況下，還有時(shí)如圖3 (d)所示，正面321a成為凸?fàn)?，中央部較厚且朝向外周而變薄。在實(shí)施了上述液狀樹脂覆蓋工序之后，實(shí)施襯底接合工序，即在覆蓋著液狀樹脂的襯底3的正面，隔著液狀樹脂接合硅(Si)基板21的正面。S卩，如圖4(a)以及(b)所示，在覆蓋著樹脂層321的襯底3的正面，隔著樹脂層321接合硅(Si)基板21的正面。如上所述，樹脂層321的中央部較厚且朝向外周而變薄，所以，這樣地隔著樹脂層321接合于襯底3的正面的厚度薄的(在圖示的實(shí)施方式中為600 μ m)硅(Si)基板21模仿該樹脂層321而進(jìn)行接合。因此，在覆蓋于襯底3的正面的樹脂層321如上述圖3(c)所示地正面321a凹陷成凹狀且厚度從中心朝向外周逐漸變厚的情況下，如圖4(c)所示，作為硅(Si)基板21的上表面的背面21b凹陷成凹狀，其中央部較低其朝向外周而變高。另一方面，在覆蓋于襯底3的正面的樹脂層321如上述圖3(d)所示地成為凸?fàn)?，其中央部較厚且朝向外周變薄的情況下，如圖4(d)所示，作為硅(Si)基板21的上表面的背面21b成為凸?fàn)?，其中央部較高且朝向外周而變低。在如上所述地在襯底3的正面隔著樹脂層321接合了硅(Si)基板21的正面之后，實(shí)施對(duì)硅(Si)基板21的背面進(jìn)行磨削而形成為規(guī)定厚度的背面磨削工序。采用圖5所示的磨削裝置4來實(shí)施該背面磨削工序。圖5所示的磨削裝置4具備用編號(hào)40來表示整體的裝置外殼。裝置外殼40具有細(xì)長地延伸的長方體形狀的主部41和設(shè)置在該主部41的后端部(在圖5中為右上端)并向上方延伸的直立壁42。在直立壁42的前表面設(shè)有沿著上下方向延伸的一對(duì)導(dǎo)軌421、421。在該一對(duì)導(dǎo)軌421、421上，以能夠沿著上下方向移動(dòng)的方式安裝有作為磨削單元的磨削單元5。磨削單元5具備移動(dòng)基臺(tái)51和安裝在該移動(dòng)基臺(tái)51上的主軸單元52。移動(dòng)基臺(tái)51在后表面兩側(cè)設(shè)有沿著上下方向延伸的一對(duì)腳部511、511，在這一對(duì)腳部511、511上形成有以能夠滑動(dòng)的方式與上述一對(duì)導(dǎo)軌421、421卡合的被引導(dǎo)槽512、512。在這樣地以能夠滑動(dòng)的方式安裝在設(shè)于直立壁42的一對(duì)導(dǎo)軌421、421上的移動(dòng)基臺(tái)51的前表面，設(shè)有朝前方突出的支撐部513。在該支撐部513上安裝著主軸單元52。主軸單元52具備安裝在支撐部513上的主軸外殼521 ;旋轉(zhuǎn)自如地配置于該主軸外殼521中的旋轉(zhuǎn)主軸522 ;以及用于對(duì)該旋轉(zhuǎn)主軸522進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的作為旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元的伺服電動(dòng)機(jī)523。旋轉(zhuǎn)主軸522的下端部超過主軸外殼521的下端而向下方突出，在其下端設(shè)有安裝部524。在該安裝部524的下表面安裝有磨削輪525。磨削輪525由環(huán)狀基臺(tái)526和環(huán)狀地安裝在該基臺(tái)526的下表面的磨削磨具527構(gòu)成，環(huán)狀基臺(tái)526通過緊固螺栓528安裝于安裝部524。圖5所示的磨削裝置4具有磨削進(jìn)給單元6,該磨削進(jìn)給單元6使上述磨削單元5沿著上述一對(duì)導(dǎo)軌421、421在上下方向上進(jìn)行移動(dòng)。該磨削進(jìn)給單元6具有配置在直立壁42的前側(cè)并且沿著上下方向延伸的外螺紋桿61。該外螺紋桿61的上端部以及下端部由安裝在直立壁42上的軸承部件62以及63以旋轉(zhuǎn)自如的方式進(jìn)行支撐。在上側(cè)的軸承部件62上配置有用于對(duì)外螺紋桿61進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的作為驅(qū)動(dòng)源的脈沖電動(dòng)機(jī)64，該脈沖電 動(dòng)機(jī)64的輸出軸與外螺紋桿61進(jìn)行了傳動(dòng)連接。在移動(dòng)基臺(tái)51的后表面，還形成有從該寬方向中央部向后方突出的連接部(未圖示)，在該連接部上形成有沿著上下方向延伸的貫通內(nèi)螺紋孔，上述外螺紋桿61與該內(nèi)螺紋孔旋合。因此，當(dāng)脈沖電動(dòng)機(jī)64正轉(zhuǎn)時(shí)，移動(dòng)基臺(tái)51即磨削單元5下降，即前進(jìn)，當(dāng)脈沖電動(dòng)機(jī)64逆轉(zhuǎn)時(shí)，移動(dòng)基臺(tái)51即磨削單元5上升，即后退。參照?qǐng)D5以及圖6繼續(xù)進(jìn)行說明，在裝置外殼40的主部41的后半部中配置有卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)7?？ūP臺(tái)機(jī)構(gòu)7包含移動(dòng)基臺(tái)71和通過卡盤臺(tái)支撐機(jī)構(gòu)72支撐于該移動(dòng)基臺(tái)71上的卡盤臺(tái)73。移動(dòng)基臺(tái)71滑動(dòng)自如地配置在主部41后半部的沿著前后方向(與直立壁42的前表面垂直的方向)即箭頭43a以及43b所示的方向延伸的一對(duì)導(dǎo)軌43、43上，且在后述的卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)移動(dòng)單元76的作用下，使該移動(dòng)基臺(tái)71在圖5所示的被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44與磨削區(qū)域45之間移動(dòng)，該磨削區(qū)域45與構(gòu)成上述主軸單元52的磨削輪525的磨削磨具527相面對(duì)。卡盤臺(tái)支撐機(jī)構(gòu)72具備卡盤臺(tái)支撐板721 ;配置在該卡盤臺(tái)支撐板721上并且可旋轉(zhuǎn)地支撐卡盤臺(tái)73的圓筒部件722 ;以及將卡盤臺(tái)支撐板721支撐在移動(dòng)基臺(tái)71上的支撐單元723。如圖7所示，支撐單元723由利用3個(gè)支撐部724a、724b、724c進(jìn)行支撐的3點(diǎn)支撐機(jī)構(gòu)構(gòu)成。第I支撐部724a是支點(diǎn)部，第2支撐部724b與第3支撐部724c為可動(dòng)部。如圖7所示，作為可動(dòng)部的第2支撐部724b以及第3支撐部724c由上下位置調(diào)節(jié)單元725以及726進(jìn)行支撐。上下位置調(diào)節(jié)單元725以及726例如由脈沖電動(dòng)機(jī)和在該脈沖電動(dòng)機(jī)的作用下工作的絲杠機(jī)構(gòu)構(gòu)成。因此，通過使上下位置調(diào)節(jié)單元725以及726分別工作對(duì)第2支撐部724b以及第3支撐部724c的高度位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，能夠調(diào)整卡盤臺(tái)73的姿勢(shì)，即后述的卡盤臺(tái)73的保持面與構(gòu)成上述磨削輪525的磨削磨具527的下表面即磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)。因此，包含上下位置調(diào)節(jié)單元725以及726的支撐單元723作為調(diào)整卡盤臺(tái)73的保持面與磨削輪525的磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)的面對(duì)狀態(tài)調(diào)整單元發(fā)揮功倉泛。接著，參照?qǐng)D8來說明卡盤臺(tái)73。圖8所示的卡盤臺(tái)73由圓柱狀的卡盤臺(tái)主體731以及配置在該卡盤臺(tái)主體731的上表面的圓形狀的吸附保持卡盤732構(gòu)成?？ūP臺(tái)主體731由不銹鋼等金屬材料形成，在上表面形成有圓形的嵌合凹部731a，在該嵌合凹部731a的底面外周部設(shè)有環(huán)狀的載置架731b。并且，在嵌合凹部731a內(nèi)嵌合著由多孔性部件形成的吸附保持卡盤732，所述多孔性部件由具備無數(shù)吸引孔的多孔陶瓷等構(gòu)成。關(guān)于這樣地嵌合在卡盤臺(tái)主體731的嵌合凹部731a中的吸附保持卡盤732，如圖8中夸張地示出的那樣，作為上表面的保持面732a以旋轉(zhuǎn)中心Pl為頂點(diǎn)形成為圓錐形。關(guān)于該形成為圓錐形的保持面732a，當(dāng)設(shè)其半徑為R、頂點(diǎn)的高度為H時(shí)，從外周到中心的坡度(Η/R)在圖示的實(shí)施方式中被設(shè)定為0.0002。此夕卜，在圖示的實(shí)施方式中，將吸附保持卡盤732的直徑設(shè)定為200mm(半徑R :100mm)，將高度H設(shè)定為20 μ m。這樣設(shè)定的卡盤臺(tái)73的保持面732a的從外周到中心的坡度(Η/R)被存儲(chǔ)到后述的控制單元的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)中。另外，在卡盤臺(tái)主體731上形成有與嵌合凹部731a連通的連通路731c，該連通路731c與未圖示的吸引單元連通。因此，通過在作為吸附保持卡盤732的上表面的保持面732a上載置被加工物，并使未圖示的吸引單元工作，由此被加工物被吸引保持在保持面732a上。這樣構(gòu)成的卡盤臺(tái)73在配置于圖6所示的圓筒部件722內(nèi)的伺服電動(dòng)機(jī)74的作用下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
參照?qǐng)D6繼續(xù)進(jìn)行說明，圖示的磨削裝置4具備卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)移動(dòng)單元76，該卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)移動(dòng)單元76使上述卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)7沿著一對(duì)導(dǎo)軌43與作為卡盤臺(tái)73的上表面的保持面平行地在箭頭43a以及43b所示的方向上移動(dòng)?？ūP臺(tái)機(jī)構(gòu)移動(dòng)單元76具備配置在一對(duì)導(dǎo)軌43之間并與導(dǎo)軌43平行地延伸的外螺紋桿761 ；以及對(duì)該外螺紋桿761進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的伺服電動(dòng)機(jī)762。外螺紋桿761與設(shè)于上述移動(dòng)基臺(tái)71上的螺紋孔711旋合，其末端部由連接一對(duì)導(dǎo)軌43、43而安裝的軸承部件763旋轉(zhuǎn)自如地進(jìn)行支撐。伺服電動(dòng)機(jī)762的驅(qū)動(dòng)軸與外螺紋桿761的基端進(jìn)行了傳動(dòng)連接。因此，當(dāng)伺服電動(dòng)機(jī)762正轉(zhuǎn)時(shí)，移動(dòng)基臺(tái)71即卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)7向箭頭43a所示的方向移動(dòng)，當(dāng)伺服電動(dòng)機(jī)762逆轉(zhuǎn)時(shí),移動(dòng)基臺(tái)71即卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)7向箭頭43b所示的方向移動(dòng)。在箭頭43a以及43b所示的方向上移動(dòng)的卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)7被選擇性地定位于圖5中的被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44與磨削區(qū)域45。根據(jù)圖5繼續(xù)進(jìn)行說明，圖示的實(shí)施方式中的磨削裝置4在裝置外殼40的主部41的前半部分中，配置有第I收納盒11、第2收納盒12、被加工物臨時(shí)放置單元13、清洗單元14、被加工物運(yùn)送單元15、被加工物運(yùn)入單元16以及被加工物運(yùn)出單元17。第I收納盒11收納磨削加工前的被加工物，且被載置于裝置外殼40的主部41的收納盒運(yùn)入?yún)^(qū)域中。此夕卜，在第I收納盒11中收納在上述襯底3的正面隔著樹脂層321接合了硅(Si)基板21的正面后的半導(dǎo)體晶片2。第2收納盒12被載置于裝置外殼40的主部41的收納盒運(yùn)出區(qū)域中，收納磨削加工后的半導(dǎo)體晶片2。被加工物臨時(shí)放置單元13配置在第I收納盒11與被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44之間，臨時(shí)放置磨削加工前的半導(dǎo)體晶片2。清洗單元14被配置在被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44與第2收納盒12之間，對(duì)磨削加工后的半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行清洗。被加工物運(yùn)送單元15配置在第I收納盒11與第2收納盒12之間，將收納于第I收納盒11內(nèi)的半導(dǎo)體晶片2運(yùn)出到被加工物臨時(shí)放置單元13，并且將由清洗單元14清洗后的半導(dǎo)體晶片2運(yùn)送到第2收納盒12內(nèi)。上述被加工物運(yùn)入單元16配置在被加工物臨時(shí)放置單元13與被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44之間，將載置在被加工物臨時(shí)放置單元13上的磨削加工前的半導(dǎo)體晶片2運(yùn)送到已被定位于被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44中的卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)7的卡盤臺(tái)73上。被加工物運(yùn)出單元17配置在被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44與清洗單元14之間，將已被定位于被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44中的卡盤臺(tái)73上載置的磨削加工后的半導(dǎo)體晶片2運(yùn)送至清洗單元14。此外，收納有規(guī)定數(shù)量的磨削加工前的半導(dǎo)體晶片2的第I收納盒11被載置于裝置外殼40的主部41的規(guī)定的收納盒運(yùn)入?yún)^(qū)域中。并且，當(dāng)載置于收納盒運(yùn)入?yún)^(qū)域中的第I收納盒11中收納的磨削加工前的半導(dǎo)體晶片2被全部運(yùn)出時(shí)，取代空的收納盒11，手動(dòng)地將收納有規(guī)定數(shù)量的磨削加工前的多個(gè)半導(dǎo)體晶片2的新收納盒11載置到收納盒運(yùn)入?yún)^(qū)域中。另一方面，當(dāng)向載置于裝置外殼40的主部41的規(guī)定的收納盒運(yùn)出區(qū)域中的第2收納盒12內(nèi)運(yùn)入了規(guī)定數(shù)量的磨削加工后的半導(dǎo)體晶片2時(shí)，手動(dòng)地運(yùn)出該第2收納盒12，載置新的空的第2收納盒12。參照?qǐng)D5繼續(xù)進(jìn)行說明，圖示的實(shí)施方式中的磨削裝置4具備高度位置測(cè)量單元8，該高度位置測(cè)量單元8測(cè)量載置于上述被加工物臨時(shí)放置單元13上的磨削加工前的半導(dǎo)體晶片2的被磨削面的高度位置或者構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21中埋設(shè)的銅(Cu)電極214的高度位置。該高度位置測(cè)量單元8測(cè)量構(gòu)成隔著樹脂層321與襯底3的正 面接合的半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的從襯底3的正面3a起算的高度，或者測(cè)量埋設(shè)在硅(Si)基板21中的銅(Cu)電極214的背面(被磨削面)側(cè)端面的高度位置。作為這樣的高度位置測(cè)量裝置，例如可采用Lasertec株式會(huì)社所制造銷售的 TSV300-IR。圖示的實(shí)施方式中的磨削裝置4具備圖9所示的控制單元9。控制單元9由計(jì)算機(jī)構(gòu)成，并具備根據(jù)控制程序進(jìn)行運(yùn)算處理的中央處理裝置(CPU)91、存儲(chǔ)控制程序等的只讀存儲(chǔ)器(ROM)92、存儲(chǔ)運(yùn)算結(jié)果等的可讀寫隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)93、輸入接口 94以及輸出接口 95。從高度位置測(cè)量單元8等向這樣構(gòu)成的控制單元9的輸入接口 94輸入檢測(cè)信號(hào)。另外，從輸出接口 95向用于對(duì)上述旋轉(zhuǎn)主軸522進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)523、磨削進(jìn)給單元6的脈沖電動(dòng)機(jī)64、支撐卡盤臺(tái)73的上下位置調(diào)節(jié)單元725以及726、用于對(duì)卡盤臺(tái)73進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的伺服電動(dòng)機(jī)74、卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)移動(dòng)單元76的伺服電動(dòng)機(jī)762、高度位置測(cè)量單元8、被加工物臨時(shí)放置單元13、旋轉(zhuǎn)清洗單元14、被加工物運(yùn)送單元15、被加工物運(yùn)入單元16、被加工物運(yùn)出單元17等輸出控制信號(hào)。圖示的實(shí)施方式中的磨削裝置4如以上這樣構(gòu)成，以下對(duì)其作用進(jìn)行說明。當(dāng)要利用上述磨削裝置4對(duì)構(gòu)成隔著樹脂層321與上述襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21的背面21b(被磨削面)進(jìn)行磨削時(shí)，將收納有磨削加工前的與襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2的收納盒11載置于規(guī)定的收納盒載置部處。需要說明的是，設(shè)為如下情況進(jìn)行說明收納于收納盒11內(nèi)的隔著樹脂層321與襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2如上述圖4(c)所示，作為硅(Si)基板21的上表面的背面21b凹陷成凹狀，中央部較低且朝向外周而變高。在如上這樣地將收納有磨削加工前的與襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2的收納盒11載置于規(guī)定的收納盒載置部處，并接通了磨削開始開關(guān)(未圖示)時(shí)，控制單元9使被加工物運(yùn)送單元15工作，將收納于收納盒11的磨削前的與襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2運(yùn)送至被加工物臨時(shí)放置單元13。然后，控制單元9使被加工物臨時(shí)放置單元13工作，進(jìn)行所運(yùn)送的磨削前的與襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2的中心對(duì)準(zhǔn)。接著，控制單元9實(shí)施高度位置測(cè)量工序，該高度位置測(cè)量工序測(cè)量構(gòu)成隔著樹脂層321與襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的從襯底3起算的高度位置。即，控制單元9使高度位置測(cè)量單元8工作，如圖10中實(shí)線所示，將檢測(cè)部81定位于構(gòu)成與襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2的硅Si基板21的外周緣部。這樣地定位于硅(Si)基板21的外周緣部的高度位置測(cè)量單元8的檢測(cè)部81檢測(cè)硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的外周緣部的高度(Hl)，并將高度位置信號(hào)發(fā)送至控制單元9。接著，控制單元9如圖10中雙點(diǎn)劃線所示，將檢測(cè)部81定位于構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的硅基板21的中心。這樣地定位于構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21的中心的檢測(cè)部81檢測(cè)硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的中心高度(H2)，并將高度位置信號(hào)發(fā)送至控制單元9。控制單元9將從高度位置測(cè)量單元8發(fā)送來的硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的外周緣部的高度(Hl)數(shù)據(jù)與中心高度(H2)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)93內(nèi)。然后，控制單元9從硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的外周緣部的高度(Hl)減去中心高度(H2)，求出硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的凹狀的高度差(h) (h=Hl - H2)。當(dāng)這樣地求出硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)上的凹狀的高度差(h)之后，控制單元9根據(jù)硅(Si)基板21的半徑(R)與高度差(h)求出坡度(h/R)，并將該坡度(h/R)存儲(chǔ)到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM) 93中。此外，圖11示出了硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的外周緣部的高度(Hl)和中心高度(H2)、以及硅(Si)基板21的背面21b(被磨削面)中的從外周至中心的坡度(h/R)。在圖11所示的實(shí)施方式中，硅(Si)基板21的背面21b(被磨削面)的外周緣部的從襯底3起算的高度(Hl)為610 μ m，硅(Si)基板21的背面21b (被·磨削面)的中心的從襯底3起算的高度(H2)為607 μ m，高度差(h)為3 μ m。因此，在將硅(Si)基板 21 的半徑(R)設(shè)為 IOOmm 時(shí)，坡度(h/R=0. 003/100)為 O. 00003。在如上這樣地實(shí)施了測(cè)量構(gòu)成與襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的高度位置的高度位置測(cè)量工序之后，控制單元9使被加工物運(yùn)送單元15工作，吸引保持已實(shí)施高度位置測(cè)量工序后的半導(dǎo)體晶片2，并運(yùn)送到已定位于上述運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44中的卡盤臺(tái)73上。此時(shí)，與半導(dǎo)體晶片2接合的襯底3側(cè)被載置在卡盤臺(tái)73上，作為被磨削面的硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)成為上側(cè)。這樣，通過未圖示的吸引單元的工作，如圖12所示，被載置在定位于運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44中的卡盤臺(tái)73上的磨削前的半導(dǎo)體晶片2隔著襯底3吸引保持在卡盤臺(tái)73上(晶片保持工序)。在圖示的實(shí)施方式中，這樣地隔著襯底3吸引保持在卡盤臺(tái)73上的磨削加工前的半導(dǎo)體晶片2成為圓錐形狀。即，卡盤臺(tái)73的保持面732a的坡度(Η/R)為O. 0002，且如上所述，與襯底3的正面接合的半導(dǎo)體晶片2的坡度(h/4)為O. 00003，所以，如圖12所示，隔著襯底3吸引保持在卡盤臺(tái)73的保持面732a上的磨削前的半導(dǎo)體晶片2的上表面即硅
(Si)基板21的背面21b (被磨削面)成為圓錐形狀。在將磨削加工前的半導(dǎo)體晶片2吸引保持在卡盤臺(tái)73上之后，控制單元9使卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)移動(dòng)單元76工作，朝向箭頭43a所示的方向移動(dòng)卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)7,定位至磨削區(qū)域45。接著，控制單元9實(shí)施面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序調(diào)整被保持在卡盤臺(tái)73的保持面上的半導(dǎo)體晶片2的被加工面即硅(Si)基板21的背面21b與磨削輪525的磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)。該面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序是通過使作為面對(duì)狀態(tài)調(diào)整單元發(fā)揮功能的包含上下位置調(diào)節(jié)單元725及726的支撐單元723工作而實(shí)施的，所述面對(duì)狀態(tài)調(diào)整單元根據(jù)上述卡盤臺(tái)73的保持面732a的上述坡度(Η/R)和硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)的從外周至中心的坡度(h/R)，調(diào)整上述卡盤臺(tái)73的保持面與磨削輪525的磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)。因?yàn)榭ūP臺(tái)73的保持面732a與構(gòu)成磨削輪525的磨削磨具527的下表面即磨削面已被定位成基本平行，所以，為了對(duì)卡盤臺(tái)73的保持面732a的坡度(Η/R)與硅(Si)基板21的背面21b(被磨削面)的從外周至中心的坡度(h/R)之間的差值進(jìn)行校正，調(diào)整作為面對(duì)狀態(tài)調(diào)整單元發(fā)揮功能的上下位置調(diào)節(jié)單元725以及726，由此，如圖13所示，能夠?qū)⒐?Si)基板21的背面21b (被磨削面)與作為磨削磨具527的下表面的磨削面定位成平行。在如上這樣地實(shí)施了面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序之后，控制單元9使保持著半導(dǎo)體晶片2的卡盤臺(tái)73沿著圖13中箭頭73a所示的方向例如以300rpm左右的速度旋轉(zhuǎn)，驅(qū)動(dòng)上述伺服電動(dòng)機(jī)523使旋轉(zhuǎn)主軸522旋轉(zhuǎn)，使磨削輪525沿著箭頭525a所示的方向例如以6000rpm的旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并且對(duì)上述磨削進(jìn)給單元6的脈沖電動(dòng)機(jī)64進(jìn)行正轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，使磨削 單元5下降即前進(jìn)。此時(shí)，將卡盤臺(tái)73的中心即構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21的中心定位于磨削輪525的多個(gè)磨削磨具527所通過的位置。然后，對(duì)磨削進(jìn)給單元6的脈沖電動(dòng)機(jī)64進(jìn)行正轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，使磨削單元5下降即前進(jìn)，使磨削輪525的多個(gè)磨削磨具527以規(guī)定的荷重按壓到構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)。結(jié)果，能夠均勻地磨削構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21的背面21b (被磨削面)，將半導(dǎo)體晶片2磨削為均勻的厚度(背面磨削工序)。因此，在與構(gòu)成半導(dǎo)體晶片2的硅(Si)基板21中埋設(shè)的銅(Cu)電極214的硅(Si)基板21背面21b側(cè)末端相距例如3 μ m左右的跟前位置處，結(jié)束磨削，由此，全部的銅(Cu)電極214都不會(huì)露出。當(dāng)如上這樣地實(shí)施了磨削工序之后，控制單元9對(duì)磨削進(jìn)給單元6的脈沖電動(dòng)機(jī)64進(jìn)行逆轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，使主軸單元52上升到規(guī)定位置，并且停止伺服電動(dòng)機(jī)523的旋轉(zhuǎn)，停止磨削輪525的旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而停止卡盤臺(tái)73的旋轉(zhuǎn)。接著，控制單元9使圖6所示的卡盤臺(tái)機(jī)構(gòu)移動(dòng)單元76工作，沿著箭頭43b所示的方向移動(dòng)卡盤臺(tái)73而將其定位至被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44 (參照?qǐng)D5)。在這樣地將卡盤臺(tái)73定位至被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44之后,控制單元9解除卡盤臺(tái)73對(duì)半導(dǎo)體晶片2的吸引保持，使被加工物運(yùn)出單元17工作，從卡盤臺(tái)73運(yùn)出已實(shí)施了磨削加工的半導(dǎo)體晶片2，運(yùn)送到旋轉(zhuǎn)清洗單元14。如上所述地從定位于被加工物運(yùn)入/運(yùn)出區(qū)域44的卡盤臺(tái)73上運(yùn)出并運(yùn)送到旋轉(zhuǎn)清洗單元14的半導(dǎo)體晶片2在這里進(jìn)行清洗之后，由被加工物運(yùn)送單元15收納到第2收納盒12的規(guī)定位置處。接著，對(duì)高度位置測(cè)量工序的其它實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖14所示，該高度位置測(cè)量工序測(cè)量在隔著液狀樹脂與襯底3的正面接合的硅(Si)基板21中埋設(shè)的銅(Cu)電極214的背面?zhèn)榷嗣娴膹囊r底3起算的高度位置。此時(shí)，可求出埋設(shè)在硅(Si)基板21的外周緣部的銅(Cu)電極214的高度位置與埋設(shè)在中心部的銅(Cu)電極214的高度位置，根據(jù)兩個(gè)高度位置來求出坡度，不過，也可以求出埋設(shè)在硅(Si)基板21的從外周緣部到中心部之間的多個(gè)銅(Cu)電極214的高度位置，并求出任意的銅(Cu)電極214都不突出于連接該高度位置的線的坡度。這樣，通過測(cè)量埋設(shè)在硅(Si)基板21中的銅(Cu)電極214的背面?zhèn)榷嗣娴膹囊r底3起算的高度位置，由此，即使銅(Cu)電極214的高度存在偏差，從而與硅(Si)基板21的背面21b的距離存在偏差，在上述背面磨削工序中也不會(huì)磨削到銅(Cu)電極214使其露出。
此外，針對(duì)如上所述地實(shí)施了背面磨削工序的半導(dǎo)體晶片2，將對(duì)于硅的蝕刻率高、且對(duì)于SiO2的蝕刻率極低的四甲基氫氧化銨(TMAH)用作蝕刻液，對(duì)硅(Si)基板21的背面進(jìn)行蝕刻，由此使得被SiO2所覆蓋的銅(Cu)電極214從背面突出例如10 μ m左右。然后，在硅(Si)基板21的整個(gè)背面形成SiO2絕緣膜，之后進(jìn)行拋光，由此使銅(Cu)電極214從絕緣膜中露出，并在露出的銅(Cu)電極214的端面上壓接上凸塊?！?br> 權(quán)利要求
1.一種晶片加工方法，將在基板中埋設(shè)有電極的晶片形成為規(guī)定厚度，所述電極與分別設(shè)于形成在該基板的正面的多個(gè)器件上的接合焊盤連接，該晶片加工方法的特征在于，包含以下工序 液狀樹脂覆蓋工序，向用于保護(hù)該基板的正面的襯底的正面滴下液狀樹脂并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，由此在該襯底的正面覆蓋液狀樹脂； 襯底接合工序，使該基板的正面隔著液狀樹脂與覆蓋有液狀樹脂的該襯底的正面接合； 高度位置測(cè)量工序，測(cè)量隔著液狀樹脂與該襯底的正面接合的該基板的背面的從該襯底起算的高度位置； 晶片保持工序，將與該基板的正面接合的該襯底側(cè)載置到磨削裝置的卡盤臺(tái)上，使該基板的背面露出而保持在該卡盤臺(tái)上；以及 背面磨削工序，使該卡盤臺(tái)旋轉(zhuǎn)，在保持于該卡盤臺(tái)上的該晶片的該基板的背面，在使磨削輪旋轉(zhuǎn)的同時(shí)使該磨削輪的磨削面與該晶片的該基板的背面接觸來磨削該晶片的該基板的背面， 在實(shí)施該背面磨削工序之前，實(shí)施面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序，在該面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序中，根據(jù)由該高度位置測(cè)量工序測(cè)量的隔著液狀樹脂與該襯底的正面接合的該基板的背面的從該襯底起算的高度位置，求出該基板的背面的從外周側(cè)至中心側(cè)的坡度，與該坡度對(duì)應(yīng)地調(diào)整該卡盤臺(tái)的保持面與該磨削輪的磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)。
2.一種晶片加工方法，將在基板中埋設(shè)有電極的晶片形成為規(guī)定厚度，所述電極與分別設(shè)于形成在該基板的正面的多個(gè)器件上的接合焊盤連接，該晶片加工方法的特征在于，包含以下工序 液狀樹脂覆蓋工序，向用于保護(hù)該基板的正面的襯底的正面滴下液狀樹脂并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，由此在該襯底的正面覆蓋液狀樹脂； 襯底接合工序，使該基板的正面隔著液狀樹脂與覆蓋有液狀樹脂的該襯底的正面接合； 高度位置測(cè)量工序，測(cè)量在隔著液狀樹脂與該襯底的正面接合的該基板中埋設(shè)的該電極的背面?zhèn)榷嗣娴膹脑撘r底起算的高度位置； 晶片保持工序，將與該基板的正面接合的該襯底側(cè)載置到磨削裝置的卡盤臺(tái)上，使該基板的背面露出而保持在該卡盤臺(tái)上；以及 背面磨削工序，使該卡盤臺(tái)旋轉(zhuǎn)，在保持于該卡盤臺(tái)上的該晶片的該基板的背面，在使磨削輪旋轉(zhuǎn)的同時(shí)使該磨削輪的磨削面與該晶片的該基板的背面接觸來磨削該晶片的該基板的背面， 在實(shí)施該背面磨削工序之前，實(shí)施面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序，在該面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序中，根據(jù)由該高度位置測(cè)量工序測(cè)量的該電極的背面?zhèn)榷嗣娴膹脑撘r底起算的高度位置，求出電極的背面?zhèn)榷嗣娴膹耐庵軅?cè)至中心側(cè)的坡度，與該坡度對(duì)應(yīng)地調(diào)整該卡盤臺(tái)的保持面與該磨削輪的磨削面之間的面對(duì)狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明提供晶片加工方法，其包含以下工序液狀樹脂覆蓋工序，在襯底正面覆蓋液狀樹脂；襯底接合工序，在覆蓋有液狀樹脂的襯底正面隔著液狀樹脂接合基板正面；高度位置測(cè)量工序，測(cè)量與襯底接合的基板背面的從襯底起算的高度位置；晶片保持工序，將與基板接合的襯底側(cè)保持在磨削裝置的卡盤臺(tái)上；以及背面磨削工序，使卡盤臺(tái)旋轉(zhuǎn)，在基板背面，在使磨削輪旋轉(zhuǎn)的同時(shí)使磨削輪的磨削面與晶片的基板背面接觸來磨削基板的背面，在實(shí)施背面磨削工序之前實(shí)施面對(duì)狀態(tài)調(diào)整工序根據(jù)由高度位置測(cè)量工序測(cè)量的基板背面的從襯底起算的高度位置，求出基板背面的從外周側(cè)至中心側(cè)的坡度，與坡度對(duì)應(yīng)地調(diào)整卡盤臺(tái)的保持面與磨削輪的磨削面的面對(duì)狀態(tài)。
文檔編號(hào)B24B7/22GK102915935SQ201210268419
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月1日
發(fā)明者溝本康隆 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科