專利名稱：薄膜太陽能電池退火裝置、銅銦鎵硒薄膜電池及銅鋅錫硫薄膜電池吸收層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜太陽能電池制備技術(shù)，特別是涉及一種薄膜太陽能電池退火裝置、銅銦鎵硒薄膜電池及銅鋅錫硫薄膜電池吸收層的制備方法。
背景技術(shù)：
薄膜太陽能電池包括銅銦鎵硒薄膜電池及銅鋅錫硫薄膜電池等。銅銦鎵硒薄膜電池是一種兼具高效率和低成本優(yōu)勢的新型綠色能源，在實驗室中其光伏轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)超過20%。和現(xiàn)有硅基光伏太陽能電池相比，銅銦鎵硒薄膜電池的大規(guī)模生產(chǎn)會帶來較大的成本優(yōu)勢。銅鋅錫硫薄膜電池是正在研究中的具有較大潛力的新能源，它的優(yōu)點是原材料所需的各種元素的地球礦產(chǎn)豐度高，易于獲得，因而可以進(jìn)一步降低成本。制造銅銦鎵硒薄膜電池的關(guān)鍵工藝是制備銅銦鎵硒光吸收層，在大規(guī)模生產(chǎn)中，一般采用濺射法。一種濺射法的具體做法包括首先采用磁控濺射法制備金屬薄膜預(yù)制層，分別多次交替濺射獲得多層結(jié)構(gòu)的銅、銦、鎵，然后在金屬薄膜預(yù)制層上蒸鍍一層硒，得到基片，再對基片進(jìn)行高溫退火生成銅銦鎵硒薄膜。硒化過程要求溫度比較高，以保證銅銦鎵硒薄膜的結(jié)晶質(zhì)量比較好，晶體顆粒比較大。與制造銅銦鎵硒薄膜電池相類似，銅鋅錫硫薄膜電池也需要在金屬薄膜預(yù)制層上蒸鍍一層硫，得到基片，再對基片進(jìn)行高溫退火生成銅鋅錫硫薄膜。在傳統(tǒng)的薄膜太陽能電池退火裝置中，待硒化或者硫化的基片置于石墨盒內(nèi)，多個加熱燈管分布于石墨盒的外表面。但由于其熱量需經(jīng)過石墨盒傳遞至基片上，整個薄膜太陽能電池退火裝置的升溫能力不足，從而導(dǎo)致退火效率不高。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種快速升溫能力較強(qiáng)的薄膜太陽能電池退火裝置。一種薄膜太陽能電池退火裝置，用于對基片上的金屬薄膜預(yù)制層進(jìn)行硒化或者硫化，包括退火爐，為中空結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部為密閉的退火腔；基片架，設(shè)置于所述退火腔側(cè)壁上，所述基片可裝載于所述基片架上；第一加熱燈管，其一端設(shè)置于所述退火腔側(cè)壁上，所述第一加熱燈管位于所述基片設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)，所述第一加熱燈管與所述基片相互間隔，且所述第一加熱燈管與所述基片架所在平面平行，所述第一加熱燈管與所述基片架之間可相對運(yùn)動。在其中一個實施例中，所述第一加熱燈管與所述基片間的間隔小于5毫米。在其中一個實施例中，所述第一加熱燈管一端固定于所述退火腔側(cè)壁上；所述薄膜太陽能電池退火裝置還包括水平滑軌及傳動裝置，所述水平滑軌固定于所述退火腔側(cè)壁上，所述傳動裝置可滑動地設(shè)置于所述水平滑軌中，所述基片架設(shè)置于所述傳動裝置上，所述傳動裝置可帶動所述基片架在水平方向上運(yùn)動。在其中一個實施例中，所述傳動裝置帶動所述基片架以0. 3毫米/秒的速度在所述水平滑軌上運(yùn)動。在其中一個實施例中，所述基片架固定于所述退火腔側(cè)壁上；所述薄膜太陽能電池退火裝置還包括水平滑軌及傳動裝置，所述水平滑軌固定于所述退火腔側(cè)壁上，所述傳動裝置可滑動地設(shè)置于所述水平滑軌中，所述第一加熱燈管的一端設(shè)置于所述傳動裝置上，所述傳動裝置可帶動所述第一加熱燈管在水平方向上運(yùn)動。在其中一個實施例中，還包括第二加熱燈管，其一端設(shè)置于所述退火腔側(cè)壁上，所述第二加熱燈管位于所述基片遠(yuǎn)離所述第一加熱燈管的一側(cè)，所述第二加熱燈管與所述基片相互間隔，且所述第二加熱燈管與所述基片架所在平面平行。在其中一個實施例中，所述第二加熱燈管為多個，且所述多個第二加熱燈管在同 一水平面上均勻分布。在其中一個實施例中，所述第一加熱燈管為鹵素?zé)?，其功率為lkW。上述薄膜太陽能電池退火裝置中，第一加熱燈管設(shè)置于退火腔中。相比于傳統(tǒng)的薄膜太陽能電池退火裝置，第一加熱燈管更靠近基片。第一加熱燈管發(fā)出的熱量直接輻射至基片表面，從而增大了薄膜太陽能電池退火裝置的快速升溫能力。此外，還有必要提供一種銅銦鎵硒薄膜電池吸收層的制備方法。一種銅銦鎵硒薄膜電池吸收層制備方法，包括以下步驟提供沉積有背電極層的襯底；采用蒸鍍法或者濺射法，在所述背電極層上沉積銅、銦、鎵組成的金屬薄膜預(yù)制層；在所述金屬薄膜預(yù)制層上蒸鍍一層硒，得到基片；提供權(quán)利要求1至權(quán)利要求7任意一項所述的薄膜太陽能電池退火裝置，將所述基片裝載于基片架上；使所述第一加熱燈管與所述基片間相對勻速運(yùn)動，并使所述第一加熱燈管從所述基片設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)的一端運(yùn)動到另一端，以對所述基片表面均勻加熱，在所述背電極層上制得銅銦鎵硒薄膜電池吸收層。上述銅銦鎵硒薄膜電池吸收層制備方法，第一加熱燈管更靠近基片。第一加熱燈管發(fā)出的熱量直接輻射至基片表面，滿足了退火工藝中快速升溫的需求。此外，第一加熱燈管與基片架之間相對勻速運(yùn)動，使基片表面均勻受熱，硒化反應(yīng)也更為均勻，最終制得銅銦鎵硒薄膜電池的吸收層的質(zhì)量更好。此外，還有必要提供一種銅銦鎵硒薄膜電池吸收層的制備方法。一種銅鋅錫硫薄膜電池吸收層制備方法，包括以下步驟提供沉積有背電極層的襯底；采用蒸鍍法或者濺射法，在所述背電極層上沉積銅、鋅、錫組成的金屬薄膜預(yù)制層；在所述金屬薄膜預(yù)制層上蒸鍍一層硫，得到基片；提供權(quán)利要求1至權(quán)利要求7任意一項所述的薄膜太陽能電池退火裝置，將所述基片裝載于基片架上；
使所述第一加熱燈管與所述基片間相對勻速運(yùn)動，并使所述第一加熱燈管從所述基片設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)的一端運(yùn)動到另一端，以對所述基片表面均勻加熱，在所述背電極層上制得銅鋅錫硫薄膜電池吸收層。上述銅鋅錫硫薄膜電池吸收層制備方法，第一加熱燈管更靠近基片。第一加熱燈管發(fā)出的熱量直接輻射至基片表面，滿足了退火工藝中快速升溫的需求。此外，第一加熱燈管與基片架之間相對勻速運(yùn)動，使基片表面均勻受熱，硫化反應(yīng)也更為均勻，最終制得銅鋅錫硫薄膜電池的吸收層的質(zhì)量更好。


圖1為本發(fā)明較佳實施例的薄膜太陽能電池退火裝置的結(jié)構(gòu)圖；
圖2為圖1所示薄膜太陽能電池退火裝置另一角度的結(jié)構(gòu)圖；圖3為另一實施例的薄膜太陽能電池退火裝置的結(jié)構(gòu)圖；圖4為再一實施例的薄膜太陽能電池退火裝置的結(jié)構(gòu)圖；圖5為本發(fā)明較佳實施例的銅銦鎵硒薄膜電池吸收層制備方法的流程圖；圖6為一實施例的基片的結(jié)構(gòu)圖；圖7為一實施例的銅銦鎵硒薄膜電池的具體結(jié)構(gòu)圖；圖8為本發(fā)明較佳實施例的銅鋅錫硫薄膜電池吸收層制備方法的流程圖；圖9為另一實施例的基片的結(jié)構(gòu)圖；圖10為一實施例的銅鋅錫硫薄膜電池的具體結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實施方式。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容理解的更加透徹全面。需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個元件被認(rèn)為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實施方式。除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。請參閱圖1，本發(fā)明較佳實施例中的薄膜太陽能電池退火裝置100，用于對基片200上的金屬薄膜預(yù)制層進(jìn)行硒化或者硫化。薄膜太陽能電池退火裝置100包括退火爐110、基片架130及第一加熱燈管150。退火爐110為中空結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部為密閉的退火腔112?；?30及第一加熱燈管150均收容于退火腔112中，退火腔112的空間可盡量壓縮，以滿足收容基片架130及第一加熱燈管150等必要元件即可，以在退火工藝過程中快速達(dá)到硒或硫的飽和蒸汽壓，減少硒或硫的用量?；?30 —般為鏤空結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于退火腔112側(cè)壁上?；?00可裝載于基片架130上。請一并參閱圖2，第一加熱燈管150為鹵素?zé)?，其功率為lkW。第一加熱燈管150的一端設(shè)置于退火腔112側(cè)壁上，第一加熱燈管150位于基片200設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)。第一加熱燈管150與基片200相互間隔，且第一加熱燈管150與基片架130所在平面平行。第一加熱燈管150與基片架130之間可相對運(yùn)動。具體在本實施例中，第一加熱燈管150 —端固定于退火腔112側(cè)壁上。薄膜太陽能電池退火裝置100還包括水平滑軌(圖未示)及傳動裝置(圖未示)。水平滑軌固定于退火腔112側(cè)壁上。傳動裝置可滑動地設(shè)置于水平滑軌中，基片架130設(shè)置于傳動裝置上。傳動裝置可帶動基片架130在水平方向上 運(yùn)動，從而使第一加熱燈管150與基片架130之間可相對運(yùn)動。第一加熱燈管150與基片200間的間隔小于5毫米。在進(jìn)行退火工藝時，傳動裝置帶動基片架130以0. 3毫米/秒的速度在水平滑軌上運(yùn)動，使第一加熱燈管150從基片200設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)的一端運(yùn)動到另一端，以對基片200表面均勻加熱?？梢岳斫?，第一加熱燈管150的功率不限于lkW，根據(jù)實際工藝而定。第一加熱燈管150與基片200間的間隔及基片架130運(yùn)動的速度也會因第一加熱燈管150的功率、所需求的硒化或硫化的效率等因素的改變而改變。需要指出的是，在其它實施例中，可使基片架130固定于退火腔112側(cè)壁上。第一加熱燈管150的一端設(shè)置于傳動裝置上。傳動裝置可帶動第一加熱燈管150在水平方向上運(yùn)動，從而使第一加熱燈管150與基片架130之間可相對運(yùn)動。上述結(jié)構(gòu)無需移動基片200，可防止基片200因移動而從基片架130上脫落。上述薄膜太陽能電池退火裝置100中，第一加熱燈管150設(shè)置于退火腔112中。相比于傳統(tǒng)的薄膜太陽能電池退火裝置，第一加熱燈管150更靠近基片200。第一加熱燈管150發(fā)出的熱量直接輻射至基片200表面，從而增大了薄膜太陽能電池退火裝置100的快速升溫能力。此外，第一加熱燈管150與基片架130之間可相對運(yùn)動，使基片200表面均勻受熱，硒化或硫化反應(yīng)也更為均勻，最終制得薄膜太陽能電池的吸收層質(zhì)量更好。同時與傳統(tǒng)的薄膜太陽能電池退火裝置相比，只需采用一根第一加熱燈管150便可保證基片200表面受熱的均勻性，節(jié)約了能源。請一并參閱圖3，薄膜太陽能電池退火裝置100還包括第二加熱燈管170。第二加熱燈管170的一端設(shè)置于退火腔112側(cè)壁上，第二加熱燈管170位于基片200遠(yuǎn)離第一加熱燈管150的一側(cè)。第二加熱燈管170與基片200相互間隔，且第二加熱燈管170與基片架130所在平面平行。請一并參閱圖4，第二加熱燈管170可為多個，且多個第二加熱燈管170在同一水平面上均勻分布。由于基片200為層狀結(jié)構(gòu)，在受熱時，其一側(cè)溫度快速上升，層狀結(jié)構(gòu)之間產(chǎn)生應(yīng)力，可能會導(dǎo)致基片200中遠(yuǎn)離第一加熱燈管150的襯底破裂。在基片200遠(yuǎn)離第一加熱燈管150的一側(cè)設(shè)置第二加熱燈管170，第二加熱燈管170與第一加熱燈管150 —同對基片200進(jìn)行加熱，提高了溫度分布的均勻性，有效防止襯底破裂。
上述各實施例中，還可以是，襯底基片相對于所有加熱燈管快速往復(fù)運(yùn)動，使得基片整體的溫度同時均勻上升。本發(fā)明還提供一種銅銦鎵硒薄膜電池吸收層制備方法，其采用上述薄膜太陽能電池退火裝置100。請一并參閱圖5，本發(fā)明較佳實施例中的銅銦鎵硒薄膜電池吸收層制備方法，包括以下步驟步驟S510，提供沉積有背電極層的襯底。請一并參閱圖6，提供一襯底610，襯底610材料可選用鈣鈉玻璃、柔性不銹鋼或聚酰亞胺塑料制成，并在襯底610表面可沉積一層鑰作為背電極層620。步驟S520，采用蒸鍍法或者濺射法，在背電極層上沉積銅、銦、鎵組成的金屬薄膜預(yù)制層。具體在本實施例中，使用濺射法，例如磁控濺射法，在真空腔室內(nèi)利用氬離子轟擊相應(yīng)金屬的靶材，并沉積至背電極層620上，形成銅、銦、鎵組成的金屬薄膜預(yù)制層630。 在其它實施例中，也可采用蒸鍍法，對銅源、銦源、鎵源等進(jìn)行加熱，并形成蒸汽，在背電極層620上沉積，形成銅、銦、鎵組成的金屬薄膜預(yù)制層630。步驟S530，在金屬薄膜預(yù)制層上蒸鍍一層硒，得到基片。采用蒸鍍法，加熱硒源，并沉積至金屬薄膜預(yù)制層630上，形成硒層640。襯底610、背電極層620、金屬薄膜預(yù)制層630及硒層640依次層疊，形成基片200。步驟S540，將基片裝載于基片架上。請再次參閱圖1至圖4，將基片200裝載于基片架130上。步驟S550，使第一加熱燈管與基片間相對勻速運(yùn)動，并使第一加熱燈管從基片設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)的一端運(yùn)動到另一端，以對基片表面均勻加熱，在背電極層上制得銅銦鎵硒薄膜電池吸收層。第一加熱燈管150從基片200設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層630的一側(cè)的一端運(yùn)動到另一端，基片200表面均勻受熱。請一并參閱圖7，金屬薄膜預(yù)制層630與硒層640反應(yīng)，金屬薄膜預(yù)制層630被均勻硒化，在背電極層620上制得銅銦鎵硒薄膜電池的吸收層650。上述銅銦鎵硒薄膜電池吸收層制備方法，第一加熱燈管150更靠近基片200。第一加熱燈管150發(fā)出的熱量直接輻射至基片200表面，滿足了退火工藝中快速升溫的需求。此外，第一加熱燈管150與基片架130之間相對勻速運(yùn)動，使基片200表面均勻受熱，硒化反應(yīng)也更為均勻，最終制得銅銦鎵硒薄膜電池的吸收層的質(zhì)量更好。此外，本發(fā)明還提供一種銅鋅錫硫薄膜電池吸收層制備方法，其采用上述薄膜太陽能電池退火裝置100。請一并參閱圖8，本發(fā)明較佳實施例中的銅鋅錫硫薄膜電池吸收層制備方法，包括以下步驟步驟S810，提供沉積有背電極層的襯底。請一并參閱圖9，提供一襯底910，襯底910材料可選用鈣鈉玻璃、柔性不銹鋼或聚酰亞胺塑料制成，并在襯底910表面可沉積一層鑰作為背電極層920。步驟S820，采用蒸鍍法或者濺射法，在背電極層上沉積銅、鋅、錫組成的金屬薄膜預(yù)制層。具體在本實施例中，使用濺射法，例如磁控濺射法，在真空腔室內(nèi)利用氬離子轟擊相應(yīng)金屬的靶材，并沉積至背電極層920上，形成銅、鋅、錫組成的金屬薄膜預(yù)制層930。在其它實施例中，也可采用蒸鍍法，對銅源、鋅源、錫源等進(jìn)行加熱，并形成蒸汽，在背電極層920上沉積，形成銅、鋅、錫組成的金屬薄膜預(yù)制層930。步驟S830，在金屬薄膜預(yù)制層上蒸鍍一層硫，得到基片。采用蒸鍍法，加熱硫源，并沉積至金屬薄膜預(yù)制層930上，形成硫?qū)?40。襯底910、背電極層920、金屬薄膜預(yù)制層930及硫?qū)?40依次層疊，形成基片200。步驟S840，將基片裝載于基片架上。請再次參閱圖1至圖4，將基片200裝載于基片架130上。步驟S850，使第一加熱燈管與基片間相對勻速運(yùn)動，并使第一加熱燈管從基片設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)的一端運(yùn)動到另一端，以對基片表面均勻加熱，在背電極層上制得銅鋅錫硫薄膜電池吸收層。第一加熱燈管150從基片200設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層930的一側(cè)的一端運(yùn)動到另一端，基片200表面均勻受熱。請一并參閱圖10，金屬薄膜預(yù)制層930與硫?qū)?40反應(yīng)，金屬薄膜預(yù)制層930被均勻硫化，在背電極層920上制得銅鋅錫硫薄 膜電池的吸收層950。上述銅鋅錫硫薄膜電池吸收層制備方法，第一加熱燈管150更靠近基片200。第一加熱燈管150發(fā)出的熱量直接輻射至基片200表面，滿足了退火工藝中快速升溫的需求。此外，第一加熱燈管150與基片架130之間相對勻速運(yùn)動，使基片200表面均勻受熱，硫化反應(yīng)也更為均勻，最終制得銅鋅錫硫薄膜電池的吸收層的質(zhì)量更好。以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜太陽能電池退火裝置，用于對基片上的金屬薄膜預(yù)制層進(jìn)行硒化或者硫化，其特征在于，包括退火爐，為中空結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部為密閉的退火腔；基片架，設(shè)置于所述退火腔側(cè)壁上，所述基片可裝載于所述基片架上；第一加熱燈管，其一端設(shè)置于所述退火腔側(cè)壁上，所述第一加熱燈管位于所述基片設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)，所述第一加熱燈管與所述基片相互間隔，且所述第一加熱燈管與所述基片架所在平面平行，所述第一加熱燈管與所述基片架之間可相對運(yùn)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池退火裝置，其特征在于，所述第一加熱燈管與所述基片間的間隔小于5毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池退火裝置，其特征在于，所述第一加熱燈管一端固定于所述退火腔側(cè)壁上；所述薄膜太陽能電池退火裝置還包括水平滑軌及傳動裝置，所述水平滑軌固定于所述退火腔側(cè)壁上，所述傳動裝置可滑動地設(shè)置于所述水平滑軌中，所述基片架設(shè)置于所述傳動裝置上，所述傳動裝置可帶動所述基片架在水平方向上運(yùn)動。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜太陽能電池退火裝置，其特征在于，所述傳動裝置帶動所述基片架以O(shè). 3毫米/秒的速度在所述水平滑軌上運(yùn)動。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池退火裝置，其特征在于，所述基片架固定于所述退火腔側(cè)壁上；所述薄膜太陽能電池退火裝置還包括水平滑軌及傳動裝置，所述水平滑軌固定于所述退火腔側(cè)壁上，所述傳動裝置可滑動地設(shè)置于所述水平滑軌中，所述第一加熱燈管的一端設(shè)置于所述傳動裝置上，所述傳動裝置可帶動所述第一加熱燈管在水平方向上運(yùn)動。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池退火裝置，其特征在于，還包括第二加熱燈管，其一端設(shè)置于所述退火腔側(cè)壁上，所述第二加熱燈管位于所述基片遠(yuǎn)離所述第一加熱燈管的一側(cè)，所述第二加熱燈管與所述基片相互間隔，且所述第二加熱燈管與所述基片架所在平面平行。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜太陽能電池退火裝置，其特征在于，所述第二加熱燈管為多個，且所述多個第二加熱燈管在同一水平面上均勻分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池退火裝置，其特征在于，所述第一加熱燈管為鹵素?zé)?，其功率為lkW。
9.一種銅銦鎵硒薄膜電池吸收層制備方法，其特征在于，包括以下步驟提供沉積有背電極層的襯底；采用蒸鍍法或者濺射法，在所述背電極層上沉積銅、銦、鎵組成的金屬薄膜預(yù)制層；在所述金屬薄膜預(yù)制層上蒸鍍一層硒，得到基片；提供權(quán)利要求1至權(quán)利要求7任意一項所述的薄膜太陽能電池退火裝置，將所述基片裝載于基片架上；使所述第一加熱燈管與所述基片間相對勻速運(yùn)動，并使所述第一加熱燈管從所述基片設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)的一端運(yùn)動到另一端，以對所述基片表面均勻加熱，在所述背電極層上制得銅銦鎵硒薄膜電池吸收層。
10.一種銅鋅錫硫薄膜電池吸收層制備方法，其特征在于，包括以下步驟提供沉積有背電極層的襯底；采用蒸鍍法或者濺射法，在所述背電極層上沉積銅、鋅、錫組成的金屬薄膜預(yù)制層；在所述金屬薄膜預(yù)制層上蒸鍍一層硫，得到基片；提供權(quán)利要求1 至權(quán)利要求7任意一項所述的薄膜太陽能電池退火裝置，將所述基片裝載于基片架上；使所述第一加熱燈管與所述基片間相對勻速運(yùn)動，并使所述第一加熱燈管從所述基片設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)的一端運(yùn)動到另一端，以對所述基片表面均勻加熱，在所述背電極層上制得銅鋅錫硫薄膜電池吸收層。
全文摘要
一種薄膜太陽能電池退火裝置，用于對基片上的金屬薄膜預(yù)制層進(jìn)行硒化或者硫化，包括退火爐、基片架及第一加熱燈管；所述退火爐為中空結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部為密閉的退火腔；所述基片架設(shè)置于所述退火腔側(cè)壁上，所述基片可裝載于所述基片架上；所述第一加熱燈管一端設(shè)置于所述退火腔側(cè)壁上，所述第一加熱燈管位于所述基片設(shè)置有金屬薄膜預(yù)制層的一側(cè)，所述第一加熱燈管與所述基片相互間隔，且所述第一加熱燈管與所述基片架所在平面平行，所述第一加熱燈管與所述基片架之間可相對運(yùn)動。上述薄膜太陽能電池退火裝置中，第一加熱燈管發(fā)出的熱量直接輻射至基片表面，增大了其快速升溫能力。同時還提供了銅銦鎵硒薄膜電池及銅鋅錫硫薄膜電池吸收層的制備方法。
文檔編號C23C14/06GK103014651SQ20121054828
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月17日
發(fā)明者羅海林, 顧光一, 楊春雷, 鐘國華, 肖旭東 申請人:深圳先進(jìn)技術(shù)研究院, 香港中文大學(xué)