氧化物半導(dǎo)體制造方法及薄膜晶體管制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種氧化物半導(dǎo)體制造方法，包括：提供一基板；在基板上濺鍍來(lái)自第一金屬氧化物靶材上的金屬離子并在基板上濺鍍來(lái)自第二金屬氧化物靶材上的至少兩種金屬離子以沉積形成氧化物半導(dǎo)體薄膜，并在濺鍍過(guò)程中控制薄膜沉積速率以及濺鍍?cè)O(shè)備擋板的使用周期來(lái)調(diào)整薄膜的成分比例，該第二金屬氧化物靶材上的至少兩種金屬離子均不同于來(lái)自第一金屬氧化物靶材上的金屬離子。該種方法能夠有效控制制備所得氧化物半導(dǎo)體薄膜的成分比例，有利于提升薄膜晶體管的制造品質(zhì)。本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管制造方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】氧化物半導(dǎo)體制造方法及薄膜晶體管制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氧化物半導(dǎo)體制造方法及使用該氧化物半導(dǎo)體制造薄膜晶體管的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著工藝技術(shù)的進(jìn)步，薄膜晶體管已被大量應(yīng)用在顯示器之中，以適應(yīng)顯示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶體管一般包括柵極、漏極、源極以及溝道層等組成部分，其通過(guò)控制柵極的電壓來(lái)改變溝道層的導(dǎo)電性，使源極和漏極之間形成導(dǎo)通或者截止的狀態(tài)。
[0003]傳統(tǒng)的薄膜晶體管制造方法中，溝道層(active layer, 1.e.channel layer)是采用單一靶材沉積制成的氧化銦鎵鋅(IGZO)薄膜，該靶材的材質(zhì)通常為InGaZn04、In2Ga2ZnO7^ In2O3(ZnO)m (m=2~20)等,然而這種傳統(tǒng)制造方法制造的溝道層薄膜,其成分比例直接由靶材的材質(zhì)成分決定，而無(wú)法在沉積過(guò)程中加以控制或調(diào)整，從而影響薄膜晶體管的制造品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，有必要提供一種能夠在沉積過(guò)程中控制、調(diào)整薄膜成分的氧化物半導(dǎo)體制造方法以及使用該氧化物半導(dǎo)體制造薄膜晶體管的方法。
[0005]一種氧化物半 導(dǎo)體制造方法，包括步驟:提供一基板；在基板上濺鍍來(lái)自第一金屬氧化物靶材上的金屬離子并在基板上濺鍍來(lái)自第二金屬氧化物靶材上的至少兩種金屬離子以沉積形成氧化物半導(dǎo)體薄膜，并在濺鍍過(guò)程中控制薄膜沉積速率以及濺鍍?cè)O(shè)備擋板的使用周期來(lái)調(diào)整薄膜的成分比例，該第二金屬氧化物靶材上的至少兩種金屬離子均不同于來(lái)自第一金屬氧化物靶材上的金屬離子。
[0006]一種薄膜晶體管制造方法，包括步驟:采用上述氧化物半導(dǎo)體制造方法在基板上形成一氧化物半導(dǎo)體溝道層；形成一個(gè)柵極電極，該柵極電極與氧化物半導(dǎo)體溝道層之間經(jīng)由一個(gè)柵絕緣層隔開(kāi)；形成一個(gè)與氧化物半導(dǎo)體溝道層的第一部分接觸的源極電極，并形成一個(gè)與氧化物半導(dǎo)體溝道層的第二部分接觸的漏極電極。
[0007]本發(fā)明提供的氧化物半導(dǎo)體制造方法以及薄膜晶體管制造方法采用雙靶材在基板上沉積不同種類(lèi)的金屬離子以形成氧化物半導(dǎo)體薄膜，可以通過(guò)控制薄膜沉積速率以及調(diào)整沉積過(guò)程中靶材使用擋板的周期來(lái)調(diào)整薄膜的成分，從而有效控制制備所得氧化物半導(dǎo)體薄膜的成分比例，有利于提升薄膜晶體管的制造品質(zhì)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物半導(dǎo)體制造方法示意圖。
[0009]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物半導(dǎo)體制造方法制得的薄膜晶體管溝道層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0010]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制造方法制得的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]主要元件符號(hào)說(shuō)明
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【權(quán)利要求】
1.一種氧化物半導(dǎo)體制造方法，包括:提供一基板；在基板上濺鍍來(lái)自第一金屬氧化物靶材上的金屬離子并在基板上濺鍍來(lái)自第二金屬氧化物靶材上的至少兩種金屬離子以沉積形成氧化物半導(dǎo)體薄膜，并在濺鍍過(guò)程中控制薄膜沉積速率以及濺鍍?cè)O(shè)備擋板的使用周期來(lái)調(diào)整薄膜的成分比例，該第二金屬氧化物靶材上的至少兩種金屬離子均不同于來(lái)自第一金屬氧化物靶材上的金屬離子。
2.如權(quán)利要求1所述的氧化物半 導(dǎo)體制造方法，其特征在于，所述第一金屬氧化物靶材為單一金屬氧化物靶材。
3.如權(quán)利要求2所述的氧化物半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，所述第一金屬氧化物靶材為包含有銦、鎵、鋅或錫的金屬氧化物靶材。
4.如權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，所述第二金屬氧化物靶材為雙金屬氧化物靶材。
5.如權(quán)利要求4所述的氧化物半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，所述第二金屬氧化物靶材為包含有銦、鎵、鋅、錫、鋁、鈦、鎳、錳、鑰、鎘及銅中任意兩者之金屬氧化物靶材。
6.如權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，所述“在基板上濺鍍來(lái)自第一金屬氧化物靶材上的第一金屬離子”與“在基板上濺鍍來(lái)自第二金屬氧化物靶材上的至少兩種金屬離子”同時(shí)進(jìn)行。
7.如權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，所述“在基板上濺鍍來(lái)自第一金屬氧化物靶材上的第一金屬離子”與“在基板上濺鍍來(lái)自第二金屬氧化物靶材上的至少兩種金屬離子”交替進(jìn)行。
8.如權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，所述在基板上濺鍍金屬離子的方法采用的是原子層沉積法或者脈沖激光沉積法。
9.一種薄膜晶體管制造方法，包括: 在基板上形成一氧化半導(dǎo)體溝道層；形成一個(gè)柵極電極，該柵極電極與氧化半導(dǎo)體溝道層之間經(jīng)由一個(gè)柵絕緣層隔開(kāi)；形成一個(gè)與氧化半導(dǎo)體溝道層的第一部分接觸的源極電極，并形成一個(gè)與氧化半導(dǎo)體溝道層的第二部分接觸的漏極電極，其特征在于:所述氧化半導(dǎo)體溝道層由如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的氧化物半導(dǎo)體制造方法制成。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，所述氧化半導(dǎo)體溝道層的材質(zhì)為氧化銦鎵鋅。
【文檔編號(hào)】C23C14/34GK103903988SQ201210573708
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月26日
【發(fā)明者】曾堅(jiān)信 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司