一種用于觸摸屏的ito膜的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種用于觸摸屏的ITO膜，屬于電子屏幕的【技術(shù)領(lǐng)域】。該膜包括透明基體和鍍覆在所述透明基體上的膜層，所述膜層包括自透明基體上表面依次向上排列的底層、中間層和第一面層。本實用新型率先采用真空磁控濺射法制備柔性ITO薄膜，通過磁控濺射將ITO薄膜沉積在柔性基體上，再通過貼合等技術(shù)至基體上。由此方法制備的ITO薄膜不僅附著力好，性能優(yōu)異，而且有利于工業(yè)化連續(xù)生產(chǎn)，大大提高了生產(chǎn)效率，為工業(yè)化生產(chǎn)的首選。
【專利說明】一種用于觸摸屏的ITO膜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種用于觸摸屏的ιτο膜，屬于電子屏幕的【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]ITO (Indium Tin Oxides，銦錫金屬氧化物)，作為一種典型的N型氧化物半導(dǎo)體被廣泛地運(yùn)用在手機(jī)、MP3、MP4、數(shù)碼相機(jī)等領(lǐng)域。
[0003]制備ITO鍍膜的方法有很多，一般為ITO粉體通過氣相沉積法將ITO沉積到玻璃、
金屬等基體表面，形成一薄膜層。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了克服上述缺陷，本實用新型的目的在于提供一種有利于工業(yè)化、連續(xù)化生產(chǎn)的需要的用于觸摸屏的ITO膜。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案:一種用于觸摸屏的ITO膜，該膜包括透明基體和鍍覆在所述透明基體上的膜層，所述膜層包括自透明基體上表面依次向上排列的底層、中間層和第一面層。
[0006]所述底層、中間層和第一面層均為單層結(jié)構(gòu)。
[0007]所述透明基體的厚度為50-188 μ m,所述透明基體為聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚亞胺。
[0008]所述底層為SiO2或Al2O3 ;所述中間層為Si3N4或Nb2O5 ;所述第一面層為Π0層。
[0009]本實用新型的有益效果:
[0010]本實用新型率先采用真空磁控濺射法制備柔性ITO薄膜，通過磁控濺射將ITO薄膜沉積在柔性基體上，再通過貼合等技術(shù)至基體上。由此方法制備的ITO薄膜不僅附著力好，性能優(yōu)異，而且有利于工業(yè)化連續(xù)生產(chǎn)，大大提高了生產(chǎn)效率，為工業(yè)化生產(chǎn)的首選。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本實用新型進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0013]一種用于觸摸屏的ITO膜，該膜包括透明基體I和鍍覆在所述透明基體上的膜層，所述膜層包括自透明基體I上表面依次向上排列的底層2、中間層3和第一面層4。
[0014]所述底層2、中間層3和第一面層4均為單層結(jié)構(gòu)。
[0015]所述透明基體I的厚度為50-188 μ m,所述透明基體I為聚對苯二甲酸乙二醇酯或
聚亞胺。
[0016]所述底層2為SiO2或Al2O3 ;所述中間層3為Si3N4或Nb2O5 ;所述第一面層4為Π0層。
【權(quán)利要求】
1.一種用于觸摸屏的ITO膜，該膜包括透明基體(I)和鍍覆在所述透明基體上的膜層，其特征在于:所述膜層包括自透明基體(I)上表面依次向上排列的底層(2)、中間層(3)和第一面層(4)，所述底層(2)為SiO2或Al2O3 ;所述中間層(3)為Si3N4或Nb2O5 ;所述第一面層(4)為ITO層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于觸摸屏的ITO膜，其特征在于:所述底層(2)、中間層(3)和第一面層(4)均為單層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于觸摸屏的ITO膜，其特征在于:所述透明基體(I)的厚度為50-188 μ m,所述透明基體(I)為聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚亞胺。
【文檔編號】C23C14/08GK203602703SQ201220718827
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月24日
【發(fā)明者】沈國陽 申請人:南昌歐菲光科技有限公司