專利名稱：一種用于觸摸屏的ito薄膜制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種在各種電子設備中的操作中使用的觸摸屏制造方法。
背景技術：
ITO(Indium Tin Oxides,銦錫金屬氧化物)是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫， ITO薄膜即銦錫氧化物半導體設在薄膜的一面形成的透明導電膜。 現有電阻式觸摸屏主要采用濕制程蝕刻方法制造，先將需要的部份用耐酸性油墨 保護起來后，再通過酸性化學藥水將不需要的ITO薄膜蝕刻掉，然后再通過堿性化學藥水 將表面的耐酸性油墨去除掉，最后用水將表面清潔干凈，干燥后進行后序生產流程。在觸摸 屏的制造過程中，ITO薄膜的清潔度是一重要參數，清潔度不高的ITO薄膜都需要按不合格 品處理。由于該方法在制造用于觸摸屏的ITO薄膜的過程中，ITO薄膜接觸到堿性藥水及 蝕刻設備相關清潔工具，容易造成ITO薄膜刮傷、剌傷、污垢存在等現象，容易造成觸摸蝕 刻過度或外觀不良等問題，從而造成生產的成品率較低。
發(fā)明內容
本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，該方法 可以提供較高的潔凈度，從而提高ITO薄膜成品率。 為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，該方法包 括以下步驟 設置蝕刻保護層，在ITO薄膜的正面設置蝕刻保護層；
蝕刻處理，對ITO薄膜正面進行蝕刻；
清潔處理，對蝕刻后的ITO薄膜進行清洗； 剝離蝕刻保護層，將經過清潔處理的ITO薄膜的蝕刻保護層從ITO薄膜上剝離；
設置正面保護層，在ITO薄膜的正面可視區(qū)域設置正面保護層；
印制銀線，在ITO薄膜的正面四周印制銀線。 優(yōu)選地，所述蝕刻保護層的厚度為15um 35um，再對該蝕刻保護層進行烘烤熱 固，該熱固溫度為130°C 15(TC，熱固時間為10分鐘 20分鐘。
優(yōu)選地，所述設置蝕刻保護層之前還包括
設置反面保護層；
預縮處理。 優(yōu)選地，在設置反面保護層時，反面保護層的厚度為15um 35um，再對該保護層
進行烘烤熱固，該熱固溫度為130°C 15(TC，熱固時間為10分鐘 20分鐘。 優(yōu)選地，所述預縮處理在溫度為130°C 16(TC，預縮時間為60分鐘 120分鐘。 優(yōu)選地，在所述印制銀線之后，還包括印制銀線保護層，該銀線保護層經過紫外線
固化處理或熱固處理。優(yōu)選地，所述紫外線固化處理時，該紫外線強度為700mj/cm2 800mj/cm2。
優(yōu)選地，所述熱固處理時，該熱固溫度為80°C 15(TC，熱固時間為20分鐘 40分鐘。 優(yōu)選地，在所述印制銀線保護層之后還包括，在ITO薄膜的正面四周設置粘合劑。
本發(fā)明ITO薄膜的制造方法，首先，在ITO薄膜的正面設置蝕刻保護層，并對ITO 薄膜的正面進行蝕刻處理，再對蝕刻處理的ITO薄膜進行清潔處理，再剝離設在正面的蝕 刻保護層，并立刻在ITO薄膜的正面可視區(qū)域設置正面保護層，最后在設有正面保護層的 ITO薄膜四周印制銀線。與現有技術相比，經過蝕刻處理后，ITO薄膜上始終有蝕刻保護層 對ITO薄膜進行保護，可以在對ITO薄膜進行清潔處理時，提供較高的潔凈度，同時可以避 免ITO薄膜刮傷、氧化，從而可以提高觸摸屏成品率。由于現有技術在清潔處理時需要用堿 洗，因此在進行清潔處理時，會將保護層溶解掉，使得ITO薄膜的潔凈度更低。在設置蝕刻 保護層之前還包括設置反面保護層和預縮處理步驟，在ITO薄膜的反面設置反面保護層， 可以對ITO薄膜的反面進行保護；對ITO薄膜進行預縮處理，可以避免ITO薄膜在之后工序 中加熱時發(fā)生變形，同時可以避免ITO薄膜的阻值發(fā)生改變。
圖1是本發(fā)明用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法實施例的流程示意圖；
圖2是本發(fā)明實施例中設置保護層步驟流程示意圖；
圖3是本發(fā)明實施例蝕刻保護層示意圖。 本發(fā)明目的的實現、功能特點及優(yōu)點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。
具體實施例方式
本發(fā)明實施例，用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，經過蝕刻處理后，ITO薄膜上有 蝕刻保護層對ITO薄膜進行保護，可以在對ITO薄膜進行清潔處理時，提供較高的潔凈度， 同時可以避免ITO薄膜刮傷、氧化，從而可以提高觸摸屏成品率。 如圖1所示，本發(fā)明用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，該方法包括以下步驟。
步驟Sll，設置蝕刻保護層，在ITO薄膜的正面設置蝕刻保護層，該蝕刻保護層對 ITO薄膜上ITO層進行保護，將未受蝕刻保護層保護的ITO層去除。 在制造用于觸摸屏的ITO薄膜時，基本上都在較大面積的ITO薄膜上按需要的面 積進行蝕刻，在蝕刻后的ITO薄膜印銀線等處理后，再將設有銀線的ITO薄膜設置粘合劑， 這樣可以提高生產效率。由于現有技術在設置蝕刻保護層時，在較大面積的ITO薄膜上根 據需要設置多個蝕刻區(qū)域，每個蝕刻區(qū)域設都設有一蝕刻保護層，因此每個蝕刻保護層之 間有間隙。在蝕刻時，蝕刻的藥水可能會從蝕刻保護層的邊緣浸入滲透，可能將部分需要的 TIO層蝕刻掉，使ITO層在ITO薄膜邊緣部分形成鋸齒狀，從而可能導致ITO薄膜電阻會發(fā) 生改變，使觸摸屏不穩(wěn)定性。 如圖3所示，在設置蝕刻保護層1'時，在較大面積的ITO薄膜1上根據需要劃成 幾個條狀區(qū)域，每個條狀區(qū)域設一個蝕刻保護層l'。每個蝕刻保護層1'的面積可以包括 多個需要的ITO薄膜面積大小。例如，將ITO薄膜1設為四個條狀區(qū)域，每個條狀區(qū)域可以 切割成五個需要的ITO薄膜；在設置蝕刻保護層1'時，將五個ITO薄膜設置一個蝕刻保護 層l'。在蝕刻后，根據需要對ITO薄膜進行切割，因此切割后的ITO薄膜邊緣不會出現鋸齒狀，從而在ITO薄膜印制銀線后，ITO薄膜的電阻會不發(fā)生改變，使ITO薄膜制成的觸摸 屏性能更穩(wěn)定。 步驟S12，蝕刻處理，對IT0薄膜的正面進行蝕刻，即對未設置蝕刻保護層的IT0層 進行蝕刻。 步驟S13，清潔處理，對蝕刻后的ITO薄膜進行清洗；具體地說，將蝕刻后的ITO薄 膜進行清洗，再對清洗后的ITO薄膜進行干燥處理。 步驟S14，剝離蝕刻保護層，將經過清潔處理的ITO薄膜的蝕刻保護層剝離；具體 地說，ITO薄膜經過清法處理后，將設置在ITO薄膜正面的蝕刻保護層快速從ITO薄膜上剝 離。 步驟S15，設置正面保護層，在ITO薄膜的正面可視區(qū)域設置正面保護層；具體地 說，在步驟S14中剝離蝕刻保護層的ITO薄膜正面新設置正面保護層，該正面保護層可以對 ITO層和ITO薄膜進行保護，該正面保護層的厚度為15um 35um。所述可視區(qū)域是指在 ITO薄膜與另一 ITO薄膜或ITO玻璃等結合形成觸摸屏上可以顯示的區(qū)域。
步驟S16，印制銀線，在IT0薄膜的正面四周印制銀線；具體地說，先印制銀線，將 ITO薄膜上電路引出；再對銀線在13(TC溫度烘烤50分鐘。 在本流程中，在所述印制銀線保護層之后還包括在銀線上設置銀線保護層，該銀 線保護層通過紫外線固化處理或熱固化處理，該熱固化也稱為熱固，其中，紫外線在700mj/ cm2 800mj/cm2 (毫焦/平方厘米)條件下進行固化，熱固溫度為80°C 15(TC，熱固時間 為20分鐘 40分鐘。在所述設置銀線保護層之后還可以包括在ITO薄膜的正面四周設 置粘合劑。 如圖2所示，所述設置蝕刻保護層步驟Sll之前還可以包括以下步驟
步驟S110，設置反面保護層，在IT0薄膜的反面設置反面保護層，該反面保護層用 于保護ITO薄膜的防刮層(Hard-coating)，防止ITO薄膜的防刮層被刮傷、污染，造成外觀 不良。所述反面保護層的厚度為15um 35um，并對該反面保護層進行熱固處理，該熱固溫 度為130°C 150。C，熱固時間為10分鐘 20分鐘。 步驟S111，預縮處理，將反面設有反面保護層的ITO薄膜進行預縮處理。由于ITO
薄膜在后序工序中，需要對其進行干燥和烘烤等熱處理，可以防止ITO薄膜發(fā)生變形和ITO
層阻值發(fā)生變化，該預縮處理在溫度為130°C 16(TC，加熱60分鐘 120分鐘。 在本實施例中，所述反面為ITO薄膜沒有設有ITO層的面，也即為ITO薄膜的防刮
面，正面為設有IT0層的面?？梢愿鶕枰诓襟ES11之后再進行預縮處理，其他步驟不變。
所述蝕刻保護層和反面保護層優(yōu)選地為耐酸油墨。 由于在ITO薄膜正面設置蝕刻保護層，并對ITO薄膜的正面進行蝕刻處理，再對蝕 刻處理的ITO薄膜進行清潔處理，并剝離設在正面的蝕刻保護層，再立刻在ITO薄膜的正面 可視區(qū)域設置正面保護層，并在設置有正面保護層的ITO薄膜四周印制銀線。經過蝕刻處 理后，ITO薄膜正面有蝕刻保護層對ITO薄膜進行保護，可以在對ITO薄膜進行清潔處理時， 提供較高的潔凈度，同時可以避免ITO薄膜刮傷、氧化，從而可以提高觸摸屏成品率。在設 置蝕刻保護層之前還包括設置反面保護層和預縮處理步驟，在ITO薄膜的反面設置反面保 護層，可以對ITO薄膜的反面進行保護；對ITO薄膜進行預縮處理，可以避免ITO薄膜在之 后工序中加熱時發(fā)生變形，同時可以避免ITO薄膜的阻值發(fā)生改變。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用 本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關 的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
權利要求
一種用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于，該方法包括設置蝕刻保護層，在ITO薄膜的正面設置蝕刻保護層；蝕刻處理，對ITO薄膜正面進行蝕刻；清潔處理，對蝕刻后的ITO薄膜進行清洗；剝離蝕刻保護層，將經過清潔處理的ITO薄膜的蝕刻保護層從ITO薄膜上剝離；設置正面保護層，在ITO薄膜的正面可視區(qū)域設置正面保護層；印制銀線，在ITO薄膜的正面四周印制銀線。
2. 根據權利要求1所述的用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于所述蝕刻 保護層的厚度為15um 35um，再對該蝕刻保護層進行烘烤熱固，該熱固溫度為130°C 15(TC，熱固時間為10分鐘 20分鐘。
3. 根據權利要求1或2所述的用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于，所述設置 蝕刻保護層之前還包括設置反面保護層； 預縮處理。
4. 根據權利要求3所述的用于觸摸屏的IT0薄膜制造方法，其特征在于在設置反面 保護層時，反面保護層的厚度為15um 35um，再對該保護層進行烘烤熱固，該熱固溫度為 130°C 150。C，熱固時間為10分鐘 20分鐘。
5. 根據權利要求3所述的用于觸摸屏的IT0薄膜制造方法，其特征在于所述預縮處 理在溫度為130°C 16(TC，預縮時間為60分鐘 120分鐘。
6. 根據權利要求1所述的用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于在所述印制 銀線之后，還包括印制銀線保護層，該銀線保護層經過紫外線固化處理或熱固處理。
7. 根據權利要求6所述的用于觸摸屏的IT0薄膜制造方法，其特征在于所述紫外線 固化處理時，該紫外線強度為700mj/cm2 800mj/cm2。
8. 根據權利要求6所述的用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于所述熱固處 理時，該熱固溫度為80°C 15(TC，熱固時間為20分鐘 40分鐘。
9. 根據權利要求6所述的用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，其特征在于在所述印制 銀線保護層之后還包括，在ITO薄膜的正面四周設置粘合劑。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于觸摸屏的ITO薄膜制造方法，該方法包括設置蝕刻保護層，在ITO薄膜的正面設置蝕刻保護層；蝕刻處理，對ITO薄膜正面進行蝕刻；清潔處理，對蝕刻后的ITO薄膜進行清洗；剝離蝕刻保護層，將經過清潔處理的ITO薄膜的蝕刻保護層去除；設置正面保護層，在ITO薄膜的正面可視區(qū)域設置保護層；印制銀線，在ITO薄膜的正面四周印制銀線。由于經過蝕刻處理步驟后，ITO薄膜正面蝕刻保護層對ITO薄膜進行保護，可以在對ITO薄膜進行清潔處理時，提供較高的潔凈度，同時可以避免ITO薄膜刮傷、氧化，從而可以提高觸摸屏成品率。
文檔編號G06F3/041GK101739160SQ20081007213
公開日2010年6月16日 申請日期2008年11月17日 優(yōu)先權日2008年11月17日
發(fā)明者鐘定鋒 申請人:深圳市航泰光電有限公司