白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極層、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，陽(yáng)極層包括依次層疊的玻璃基板、折光層及透明導(dǎo)電層，折光層與玻璃基板相對(duì)的表面上設(shè)有由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，使得折光層與玻璃基板之間形成多個(gè)空隙；第一發(fā)光層的材料包括藍(lán)光主體材料及共同摻雜于藍(lán)光主體材料中的藍(lán)光客體材料與電荷產(chǎn)生材料；第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及綠光發(fā)光層。上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的顯色指數(shù)及較低的工作電流。此外，還涉及一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]白光有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED, Organic Light-Emitting D1de)具有一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(I)OLED屬于擴(kuò)散型面光源，不需要像發(fā)光二極管(LED) —樣通過額外的導(dǎo)光系統(tǒng)來獲得大面積的白光光源；(2)由于有機(jī)發(fā)光材料的多樣性，OLED照明可根據(jù)需要設(shè)計(jì)所需顏色的光，目前無論是小分子0LED，還是聚合物有機(jī)發(fā)光二極管(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；(3)0LED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設(shè)計(jì)照明光源時(shí)更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時(shí)顯示信息；(5) OLED在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個(gè)人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。但是，傳統(tǒng)的白光有機(jī)電致發(fā)光器件存在顯色指數(shù)較低、工作電流較大的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于此，有必要提供一種顯色指數(shù)較高且工作電流較小的白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004] 一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極層、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，所述陽(yáng)極層包括依次層疊的玻璃基板、折光層及透明導(dǎo)電層，所述折光層與所述玻璃基板相對(duì)的表面上設(shè)有由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，使得所述折光層與所述玻璃基板之間形成多個(gè)空隙，所述第一空穴注入層層疊于所述透明導(dǎo)電層上；所述第一發(fā)光層的材料包括藍(lán)光主體材料及共同摻雜于所述藍(lán)光主體材料中的藍(lán)光客體材料與電荷產(chǎn)生材料，所述藍(lán)光客體材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.2:1，所述電荷產(chǎn)生材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.1:1 ;所述藍(lán)光主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9!1-咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶及1，4—雙(三苯基硅)苯中的一種；所述藍(lán)光客體材料選自雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5_(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的一種；所述電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種；所述第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于所述紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，所述紅光發(fā)光層層疊于所述第二空穴傳輸層上。
[0005]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述玻璃基板的材料為銦錫氧化物玻璃；所述折光層的材料為折射率為1.7~1.9的透明塑料膜；每個(gè)凸起的寬度為5微米~20微米，高度為5微米?20微米，且相鄰兩個(gè)凸起之間的距離為5微米?20微米；所述透明導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物、招鋅氧化物及銦鋅氧化物中的一種。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述紅光發(fā)光層的材料包括紅光主體材料及摻雜于所述紅光主體材料中的紅光客體材料，所述紅光客體材料與所述紅光主體材料的質(zhì)量比為0.005?0.02:1 ;所述綠光發(fā)光層包括綠光主體材料及摻雜于所述綠光主體材料中的綠光客體材料，所述綠光客體材料與所述綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02?0.1:1 ;所述紅光主體材料及所述綠光主體材料分別選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’ -(1，3-苯基)二-9H-咔唑、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、1，1- 二 [4-[N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒及9，10-雙(1-萘基)蒽中的一種；所述紅光客體材料選自二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)及三(1-苯基-異喹啉)合銥中的一種；所述綠光客體材料選自三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥及三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III)中的一種。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一發(fā)光層的厚度為5納米?15納米；所述紅光發(fā)光層的厚度為10納米?30納米；所述綠光發(fā)光層的厚度為10納米?30納米。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一空穴注入層的材料包括第一空穴傳輸材料及摻雜于所述第一空穴傳輸材料中的第一 P型摻雜劑，且所述第一 P型摻雜劑與所述第一空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1 ;所述第二空穴注入層的材料包括第二空穴傳輸材料及摻雜于所述第二空穴傳輸材料中的第二 P型摻雜劑，且所述第二 P型摻雜劑與所述第二空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1 ;所述第一空穴傳輸材料與所述第二空穴傳輸材料分別選自 N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯 _4，4’-二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺及1，1- 二 [4-[N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒中的一種；所述第一 P型摻雜劑與所述第二P型摻雜劑分別選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種；
[0009]所述第一空穴傳輸層的材料與所述第二空穴傳輸層的材料分別選自N，N’ - 二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺及I, 1-二[4-[N, N’ - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種；
[0010]所述第一電子傳輸層的材料與所述第二電子傳輸層的材料分別選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；
[0011]所述電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種；
[0012]所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于所述電子傳輸材料中的η型摻雜劑，所述η型摻雜劑與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為0.25?0.35:1 ;所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酌基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述η型摻雜劑為碳酸銫、氟化銫、疊氮化銫、碳酸鋰、氟化鋰及氧化鋰中的一種；及
[0013]所述陰極層的材料為銀、鋁及金中的一種。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一空穴注入層的厚度為10納米~15納米；所述第一空穴傳輸層的厚度為30納米~50納米；所述第一電子傳輸層的厚度為10納米~60納米；所述電荷產(chǎn)生層的厚度為5納米~30納米；所述第二空穴注入層的厚度為10納米~15納米；所述第二空穴傳輸層的厚度為30納米~50納米；所述第二電子傳輸層的厚度為10納米~60納米；所述電子注入層的厚度為20納米~40納米；所述陰極層的厚度為50納米~200納米。
[0015]一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0016]在折光層的一表面上制作由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，將所述折光層具有所述微圖案的表面與玻璃基板壓合，然后在所述折光層的另一表面上沉積形成透明導(dǎo)電層，得到陽(yáng)極層，其中，所述折光層與所述玻璃基板之間形成多個(gè)空隙；
[0017]在所述透明導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層；
[0018]在所述第一空穴傳輸層上真空蒸鍍形成第一發(fā)光層；其中，所述第一發(fā)光層的材料包括藍(lán)光主體材料及共同摻雜于所述藍(lán)光主體材料中的藍(lán)光客體材料與電荷產(chǎn)生材料，所述藍(lán)光客體材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.2:1，所述電荷產(chǎn)生材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.1:1 ;所述藍(lán)光主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’-(1,3-苯基)二-9Η-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3_(9H_咔唑-9-基)苯基)吡啶及1，4一雙(三苯基硅)苯中的一種；所述藍(lán)光客體材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(批啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的一種；所述電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種；
[0019]在所述第一發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層；
[0020]在所述第二空穴傳輸層上形成第二發(fā)光層，所述第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于所述紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，所述紅光發(fā)光層形成于所述第二空穴傳輸層上，且所述紅光發(fā)光層與所述綠光發(fā)光層均由真空蒸鍍制備；及
[0021]在所述綠光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，將所述折光層具有所述微圖案的表面與所述玻璃基板壓合之前還包括對(duì)所述玻璃基板依次進(jìn)行清洗及表面活化處理的步驟；所述清洗的步驟為:將玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，然后干燥。
[0023]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述透明導(dǎo)電層上真空蒸鍍形成所述第一空穴注入層之前，還包括將所述陽(yáng)極層于60V~80°C真空干燥15分鐘~30分鐘。
[0024]在其中一個(gè)實(shí)施例中，真空蒸鍍形成所述第一空穴注入層的真空度為8 X KT5Pa ~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S~1A/S;
[0025]真空蒸鍍形成所述第一空穴傳輸層的真空度為8X10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為O」A/s~2 A/s;
[0026]真空蒸鍍形成所述第一發(fā)光層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s~I A/s;
[0027]真空蒸鍍形成所述第一電子傳輸層的真空度為8X10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為 0.lA/s ~2A/s;
[0028]真空蒸鍍形成所述電荷產(chǎn)生層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s~I A/s;
[0029]真空蒸鍍形成所述第二空穴注入層的真空度為8X10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為 0.1 A/s ~I A/s;
[0030]真空蒸鍍形成所述第二空穴傳輸層的真空度為8X10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為 0.1A/S ~2A/S;
[0031]真空蒸鍍形成所述紅光發(fā)光層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s~I A/s;
[0032]真空蒸鍍形成所述綠光發(fā)光層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.1A/s~iA/s；
[0033]真空蒸鍍形成所述第二電子傳輸層的真空度為8X10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為 0.1 A/s ~2 A/s;
[0034]真空蒸鍍形成所述電子注入層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s~2A/s;及
[0035]真空蒸鍍形成所述陰極層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s~5 A/s ?
[0036] 上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的陽(yáng)極層、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，采用的是PIN疊層結(jié)構(gòu)，且陽(yáng)極層包括依次層疊的玻璃基板、折光層及透明導(dǎo)電層，折光層與玻璃基板相對(duì)的表面上設(shè)有多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，使得折光層與玻璃基板之間形成多個(gè)空隙，從而使得陽(yáng)極層的中間含空氣，有利于增強(qiáng)透明導(dǎo)電層的出光；第一發(fā)光層的材料包括藍(lán)光主體材料及共同摻雜于藍(lán)光主體材料中的藍(lán)光客體材料與電荷產(chǎn)生材料，且第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，使得整個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件包括了紅綠藍(lán)三基色發(fā)光層，具有較廣的光譜范圍，半波峰寬，使得有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的顯色指數(shù)；另外，采用這種疊層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，同等亮度下，電流會(huì)減半，使得其具有較低的工作電流；且這種共同摻雜形式的第一發(fā)光層，可以提高電子空穴的復(fù)合效率，從而有利于提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率，因此，上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件不僅具有較高的顯色指數(shù)，達(dá)到75，還具有較高的發(fā)光效率，發(fā)光效率可達(dá)28.61m/ff,即具有較小的工作電流，即上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的顯色指數(shù)及較小的工作電流。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]圖1為一實(shí)施方式的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖2為一實(shí)施方式的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0039]下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0040]如圖1所不，一實(shí)施方式的白光有機(jī)電致發(fā)光器件100,包括依次層疊的陽(yáng)極層110、第一空穴注入層120、第一空穴傳輸層130、第一發(fā)光層140、第一電子傳輸層150、電荷產(chǎn)生層160、第二空穴注入層170、第二空穴傳輸層180、第二發(fā)光層190、第二電子傳輸層210、電子注入層220及陰極層230。
[0041]陽(yáng)極層110包括依次層疊的玻璃基板112、折光層114及透明導(dǎo)電層116。玻璃基板112的材料可以為本領(lǐng)域常用的基板材料，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。優(yōu)選的，玻璃基板112的厚度為100納米。折光層114的材料為折射率為1.7~1.9的透明塑料膜，例如，透明塑料膜可以為聚氨酯塑料膜(PU)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亞胺(PI)。具有上述折光率的折光層114具有高的折光指數(shù)，能夠增強(qiáng)出光。折光層114與玻璃基板112相對(duì)的表面上設(shè)有多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案1142，使得折光層114與玻璃基板112之間形成多個(gè)空隙1144。折光層114具有微圖案1142的表面與玻璃基板112貼合后，凸起與玻璃基板112相抵接，使相鄰兩個(gè)凸起之間形成空隙，從而可以達(dá)到增強(qiáng)出光的作用。優(yōu)選的，每個(gè)凸起的寬度為5微米~20微米，高度為5微米~20微米，且相鄰兩個(gè)凸起之間的距離為5微米~20微米，從而具有較好的出光效果。透明導(dǎo)電層116的材料可以為本領(lǐng)域常用的透明的具有導(dǎo)電性能的材料，優(yōu)選為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)及銦鋅氧化物(IZO)中的一種。
[0042]第一空穴注入層120層疊于透明導(dǎo)電層116上。其中，第一空穴注入層120的材料包括第一空穴傳輸材料及摻雜于第一空穴傳輸材料中的第一 P型摻雜劑，且第一 P型摻雜劑與第一空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25~0.35:1。第一空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)及1，1- 二 [4-[N，N’ - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的一種；第一 P型摻雜劑為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鶴(W03)、五氧化二fL (V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的一種。
[0043]優(yōu)選的，第一空穴注入層120的厚度為10納米~15納米。
[0044]第一空穴傳輸層130的材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(1_萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-:(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)及 1，1-二 [4-[N，N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的一種。
[0045]優(yōu)選的，第一空穴傳輸層130的厚度為30納米~50納米。
[0046]第一發(fā)光層140的材料包括藍(lán)光主體材料及共同摻雜于藍(lán)光主體材料中的藍(lán)光客體材料與電荷產(chǎn)生材料，藍(lán)光客體材料與藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.2:1 ;電荷產(chǎn)生材料與藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.1:1 ;藍(lán)光主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(08?)、9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)、3, 5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)批啶(35DCzPPY)及1,4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)中的一種；藍(lán)光客體材料選自雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、三(2-(4’，6’ - 二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N，C2’ )合銥(FCNIr)、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)_5_(吡啶-2-基)-1, 2，4-三唑)合銥(FIrtaz)及雙(4，6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥(FIrM)中的一種；電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(W03)、五氧化二釩(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的一種。
[0047]第一發(fā)光層140的材料米用上述藍(lán)光客體材料與上述電荷產(chǎn)生材料共同摻雜于上述藍(lán)光主體材料形成的材料，上述藍(lán)光主體材料的HOMO或LUMO能極差為0.3eV左右，且上述藍(lán)光主體材料的三線態(tài)能級(jí)差為0.5eV左右，上述電荷產(chǎn)生材料為雙極性材料，能夠提高電子空穴復(fù)合幾率，因此，第一發(fā)光層140的材料采用上述藍(lán)光客體材料與上述電荷產(chǎn)生材料共同摻雜于上述藍(lán)光主體材料形成的材料，可以提高電子空穴的復(fù)合效率。
[0048]第一發(fā)光層140的材料中藍(lán)光客體材料與藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.2:1，能夠提高能量的轉(zhuǎn)移；電荷產(chǎn)生材料與藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.1:1，這個(gè)比例的電荷摻雜材料有助于提高電子空穴的復(fù)合。
[0049]優(yōu)選的，第一發(fā)光層140的厚度為5納米~15納米。
[0050]第一電子傳輸層150層疊于第一發(fā)光層140上。第一電子傳輸層150的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5_ (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBI)中的一種。
[0051]優(yōu)選的，第一電子傳輸層150的厚度為10納米~60納米。
[0052]電荷產(chǎn)生層160的材料為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(W03)、五氧化二釩(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的一種。這些材料為雙極性的材料，使用這些材料的電荷產(chǎn)生層160也具有雙極性。
[0053]優(yōu)選的，電荷產(chǎn)生層160的厚度為20納米~40納米。
[0054]第二空穴注入層170的材料包括第二空穴傳輸材料及摻雜于第二空穴傳輸材料中的第二 P型摻雜劑，且第二 P型摻雜劑與第二空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25~0.35:1。第二空穴傳輸材料選自N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’- 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)及1，1- 二 [4-[N，N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的一種；第二 P型摻雜劑選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(W03)、五氧化二釩(V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的一種。
[0055]優(yōu)選的，第二空穴注入層170的厚度為10納米~15納米。
[0056]第二空穴傳輸層180的材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-:(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)及 1，1-二[4-[N，N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的一種。
[0057]優(yōu)選的，第二空穴傳輸層180的厚度為30納米~50納米。
[0058]第二發(fā)光層190包括紅光發(fā)光層192及層疊于紅光發(fā)光層192上的綠光發(fā)光層194,且紅光發(fā)光層192層疊于第二空穴傳輸層180上。紅光發(fā)光層192的材料包括紅光主體材料及摻雜于紅光主體材料中的紅光客體材料，紅光客體材料與紅光主體材料的質(zhì)量比為0.005~0.02:1 ;紅光主體材料選自4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4，4’_ 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N，-二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TH))、1，1- 二 [4-[N，N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)及9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)中的一種；紅光客體材料選自二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、二 [2-苯基喹啉基)_N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) (PQIr)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(111)((fbi)2Ir (acac))、二 [2_(2_ 氟苯基)-1，3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)((F-BT)2Ir (acac))、二(2_苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III) (Ir (btp)2(acac))及三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3)中的一種。綠光發(fā)光層194的材料包括綠光主體材料及摻雜于綠光主體材料中的綠光客體材料，綠光客體材料與綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02~0.1:1 ;綠光主體材料選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’ -(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4，4’_ 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))、1，1-二 [4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)及9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)中的一種；綠光客體材料選自三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡唳)銥(Ir (ppy) 2 (acac))及三[2_(對(duì)甲苯基)批唳]合銥(III) (Ir(mppy)3)中的一種。
[0059]優(yōu)選的，紅光發(fā)光層192的厚度為10納米~30納米；綠光發(fā)光層194的厚度為10納米~30納米。
[0060]第二電子傳輸層210層疊于綠光發(fā)光層194上。第二電子傳輸層210的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5_ (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBI)中的一種。
[0061]優(yōu)選的，第二電子傳輸層210的厚度為10納米~60納米。
[0062]電子注入層220的材料包括電子傳輸材料及摻雜于電子傳輸材料中的η型摻雜劑，η型摻雜劑與電子傳輸材料的質(zhì)量比為0.25~0.35:1 ;電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3_ (聯(lián)苯_4_基)_5_ (4_叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的一種；n型摻雜劑為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮化銫(CsN3)、碳酸鋰(Li2C03)、氟化鋰(LiF)及氧化鋰(Li2O)中的一種。
[0063]優(yōu)選的，電子注入層220的厚度為20納米?40納米
[0064]陰極層230的材料為銀(Ag)、鋁(Al)及金(Au)中的一種。
[0065]優(yōu)選的，陰極層230的厚度為50納米?200納米。
[0066]上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的陽(yáng)極層110、第一空穴注入層120、第一空穴傳輸層130、第一發(fā)光層140、第一電子傳輸層150、電荷產(chǎn)生層160、第二空穴注入層170、第二空穴傳輸層180、第二發(fā)光層190、第二電子傳輸層210、電子注入層220及陰極層230，采用的是PIN疊層結(jié)構(gòu)，且陽(yáng)極層110包括依次層疊的玻璃基板112、折光層114及透明導(dǎo)電層116，折光層114與玻璃基板112相對(duì)的表面上設(shè)有多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案1142，使得折光層114與玻璃基板112之間形成多個(gè)空隙1144，從而使得陽(yáng)極層110的中間含空氣，有利于增強(qiáng)透明導(dǎo)電層116的出光；第一發(fā)光層140的材料包括藍(lán)光主體材料及共同摻雜于藍(lán)光主體材料中的藍(lán)光客體材料與電荷產(chǎn)生材料，且第二發(fā)光層190包括紅光發(fā)光層192及層疊于紅光發(fā)光層192上的綠光發(fā)光層194，使得整個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件100包括了紅綠藍(lán)三基色發(fā)光層，具有較廣的光譜范圍，半波峰寬，使得有機(jī)電致發(fā)光器件100具有較高的顯色指數(shù)；另外，采用這種疊層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件100，同等亮度下，電流會(huì)減半，使得其具有較低的工作電流；且這種共同摻雜形式的第一發(fā)光層140,可以提聞電子空穴的復(fù)合效率,從而有利于提聞?dòng)袡C(jī)電致發(fā)光器件100的發(fā)光效率，因此，上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件100不僅具有較高的顯色指數(shù)，達(dá)到75，還具有較高的發(fā)光效率，發(fā)光效率可達(dá)28.61m/ff,即具有較小的工作電流，即上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件100具有較高的顯色指數(shù)及較小的工作電流，有利于增加白光有機(jī)電致發(fā)光器件100的使用壽命。
[0067]如圖2所示，一實(shí)施方式的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0068]步驟S310:在折光層的一表面上制作由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，將折光層具有微圖案的表面與玻璃基板壓合，然后在折光層的另一表面上沉積形成透明導(dǎo)電層，得到陽(yáng)極層，其中，折光層與玻璃基板之間形成多個(gè)空隙。
[0069]優(yōu)選的,將折光層具有微圖案的表面與玻璃基板壓合之前還包括對(duì)玻璃基板依次進(jìn)行清洗及表面活化處理的步驟；清洗的步驟為:將玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，然后干燥。在具體的實(shí)施例中，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干。通過對(duì)清洗后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理，可以增加玻璃基板表面的含氧量，提高玻璃基板表面的功函數(shù)。
[0070]優(yōu)選的，在透明導(dǎo)電層上真空蒸鍍形成第一空穴注入層之前，還包括將陽(yáng)極層于60°C?80°C真空干燥15分鐘?30分鐘，從而減少剩余的水及氣體。
[0071]步驟S320:在透明導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層。
[0072]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第一空穴注入層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為 0.1 A/s ?I A/s。
[0073]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第一空穴傳輸層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s?2人/S。
[0074]步驟S330:在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍形成第一發(fā)光層；其中，第一發(fā)光層的材料包括藍(lán)光主體材料及共同摻雜于藍(lán)光主體材料中的藍(lán)光客體材料與電荷產(chǎn)生材料，藍(lán)光客體材料與藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.2:1 ;電荷產(chǎn)生材料與藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05?0.1:1 ;藍(lán)光主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(08卩)、9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)、2，6-雙(3- (9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)、3, 5-雙(3- (9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(3?CzPPY)及1,4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)中的一種；藍(lán)光客體材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥(FCNIr)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥(FIrtaz )及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥(FIrM)中的一種；電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)、五氧化二fL (V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的一種。
[0075]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第一發(fā)光層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s ?I A/s。
[0076]步驟S340:在第一發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層。
[0077]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第一電子傳輸層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/S?2人/S。
[0078]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成電荷產(chǎn)生層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s ?I A/s。
[0079]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第二空穴注入層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/sA/s。
[0080]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第二空穴傳輸層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為 0.lA/s ?2A/S。
[0081]步驟S350:在第二空穴傳輸層上形成第二發(fā)光層，第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，紅光發(fā)光層形成于第二空穴傳輸層上，且紅光發(fā)光層與綠光發(fā)光層均由真空蒸鍍制備。
[0082]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成紅光發(fā)光層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s ?I A/s。
[0083]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成綠光發(fā)光層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s?I A/s。
[0084]步驟S360:在綠光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0085]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成第二電子傳輸層的真空度為8X 10_5Pa?3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為 0.lA/s ?2A/S。
[0086]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成電子注入層的真空度為8 X 1-5Pa?3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.lA/s~2A/so
[0087]優(yōu)選的，真空蒸鍍形成陰極層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.I A/s~5 A/s。
[0088]上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法簡(jiǎn)單，容易操作，且制備出的白光有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的顯色指數(shù)及較小的工作電流，有利于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
[0089]以下為具體實(shí)施例部分:
[0090]實(shí)施例1
[0091]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/PU/1Τ0/ΝΡΒ: Μο03/ΝΡΒ/CBP: Firpic: Mo03/Bphen/Mo03/NPB:Mo03/NPB/TC TA:1r (MDQ) 2 (acac) /TCTA:1r (ppy) JBphen/Bphen:Cs2CO3/Ag。
[0092]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0093](I)將厚度為100納米的ITO玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在折光層的一表面上制作由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，每個(gè)凸起的寬度為5微米，高度為5微米，相鄰兩個(gè)凸起之間的距離為5微米；將折光層具有微圖案的表面與ITO玻璃基板壓合,折光層與玻璃基板之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成銦錫氧化物(ITO)透明導(dǎo)電層，得到陽(yáng)極層，將陽(yáng)極層于80°C真空干燥15分鐘； 其中，折光層的材料為聚氨酯塑料膜(PU)，則陽(yáng)極層表示為:IT0/PU/IT0。
[0094](2)在透明導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，表示為:NPB = MoO3，其中，三氧化鑰(MoO3)與 N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯_4，4’-=K(NPB)的質(zhì)量比為0.3:1，第一空穴注入層的厚度為12.5納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;第一空穴傳輸層的材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為IA/S
[0095](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍形成第一發(fā)光層:第一發(fā)光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與三氧化鑰(MoO3)共同摻雜的4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為CBP:Firpic = MoO3，其中，雙(4，6-二氟苯基吡啶-N, C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.125:1，三氧化鑰(MoO3)與4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.075:1，第一發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_%，蒸發(fā)速度為0.5人/5。
[0096](4)在第一發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),厚度為35納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化鑰(MoO3),厚度為17.5納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A/S；第二空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，表示為:NPB = MoO3，其中，三氧化鑰(MoO3)與 N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯_4，4’-=K(NPB)的質(zhì)量比為0.3:1，第二空穴注入層的厚度為12.5納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A/S；第二空穴傳輸層的材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5乂10-%，蒸發(fā)速度為1人/8。
[0097](5)在第二空穴傳輸層上形成第二發(fā)光層,第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，紅光發(fā)光層形成于第二空穴傳輸層上，且紅光發(fā)光層與綠光發(fā)光層均由真空蒸鍍制備:紅光發(fā)光層的材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))摻雜的4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為:TCTA:1r(MDQ)2(acac)，其中，二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))與4，4’，4’三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的質(zhì)量比為0.01: 1，紅光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/s;綠光發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為:TCTA:1r (ppy)3，其中，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)與 4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的質(zhì)量比為0.06:1，綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S ;則第二發(fā)光層表示為:TCTA:1r (MDQ)2(acac)/TCTA:1r (ppy) 3。
[0098]( 6 )在綠光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),
厚度為35納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為I人/s;電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2CO3)摻雜的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，表示為=BpheniCs2CO3,其中，碳酸銫(Cs2CO3)與4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)質(zhì)量比為0.3:1，電子注入層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;陰極層的材料為銀(Ag)，厚度為125納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為3A/S。得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為 IT0/PU/IT0/NPB:Mo03/NPB/CBP:Firpic:Mo03/Bphen/Mo03/NPB:Mo03/NPB/TCTA:1r (MDQ) 2 (acac) /TCTA:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen: Cs2CO3/Ag 的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，斜桿“/”表示層狀結(jié)構(gòu)，NPB = MoO3及CBP:Firpic = MoO3等中的冒號(hào)“:”表示摻雜混合，下同。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2下的流明效率及顯色指數(shù)見表1。
[0099]實(shí)施例2
[0100]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ITO/PU/AZO/TCTA: W03/TCTA/mCP:FIr6: V205/BCP/V205/TCTA: W03/TCTA/mC P: PQIr/mCP:1r (ppy) 2 (acac) /BCP/BCP: CsF/Al。
[0101]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0102](1)將厚度為100納米的ITO玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在折光層的一表面上制作由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，每個(gè)凸起的寬度為10微米，高度為10微米，相鄰兩個(gè)凸起之間的距離為10微米；將折光層具有微圖案的表面與ITO玻璃基板壓合，折光層與玻璃基板之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成鋁鋅氧化物(AZO)透明導(dǎo)電層，得到陽(yáng)極層，將陽(yáng)極層于80°C真空干燥15分鐘；其中，折光層的材料為聚氨酯塑料膜(PU)，則陽(yáng)極層表示為:IT0/PU/AZ0。
[0103](2)在透明導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化鎢(WO3)摻雜的4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為:TCTA = WO3，其中，三氧化鎢(WO3)與4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)質(zhì)量比為0.25:1，第一空穴注入層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.1A/S；第一空穴傳輸層的材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.1人/S。
[0104](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍形成第一發(fā)光層:第一發(fā)光層的材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)與五氧化二釩(V2O5)共同摻雜的9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)，表示為 mCP:FIr6:V205，其中，雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)與9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為0.05:1，五氧化二釩(V2O5)與9，9’-(1，3_苯基)二-9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為0.05:1，第一發(fā)光層的厚度為5納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.1人/S。
[0105](4)在第一發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)，厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_中&，蒸發(fā)速度為0.11/3;電荷產(chǎn)生層的材料為五氧化二釩(V2O5),厚度為5納米，真空蒸鍍的真空度為5父10-中&，蒸發(fā)速度為0.1人仏;第二空穴注入層的材料為三氧化鎢(WO3)摻雜的4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為:1'0^:103，其中，三氧化鎢(103)與4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的質(zhì)量比為0.25:1，第二空穴注入層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.1A/S；第二空穴傳輸層的材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0106](5)在第二空穴傳輸層上形成第二發(fā)光層,第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，紅光發(fā)光層形成于第二空穴傳輸層上，且紅光發(fā)光層與綠光發(fā)光層均由真空蒸鍍制備:紅光發(fā)光層的材料為二 [2-苯基喹啉基)-N, C2](乙酰丙酮)合銥(III) (PQIr)摻雜的 9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)，表示為:mCP:PQIr，其中，二[2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) (PQIr)與9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為0.005:1，紅光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1人/S:綠光發(fā)光層的材料為乙酰丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy) 2 (acac))摻雜的9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)，表示為:mCP:1r (ppy)2(acac)，其中，乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2 (acac))與9，9’-(I, 3_苯基)二 -9H-咔唑(mCP)的質(zhì)量比為0.02: 1，綠光發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s;貝1J第二發(fā)光層表示為:mCP: PQIr/mCP:1r (ppy) 2 (acac)。
[0107] (6)在綠光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)，厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_^，蒸發(fā)速度為0.1人/3;電子注入層的材料為氟化銫(CsF)摻雜的4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)，表示為:BCP:CsF，其中，氟化銫(CsF)與4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)質(zhì)量比為0.25:1,電子注入層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1人/S;陰極層的材料為鋁
(Al),厚度為50納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s。得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為 ITO/PU/AZO/TCTA:TO3/TCTA/mCP:FIr6:V205/BCP/V205/TCTA:TO3/TCTA/mC P:PQIr/mCP:1r (ppy) 2 (acac) /BCP/BCP: CsF/Al的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2下的流明效率及顯色指數(shù)見表1。
[0108]實(shí)施例3
[0109]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/PEN/IZ0/CBP: V205/CBP/CzS1: FCNIr: ff03/BAlq/ff03/CBP: V205/CBP/CBP: (f bi) 2Ir (acac) /CBP:1r (mppy) 3/BAlq/BAlq: CsN3/Au。
[0110]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0111](1)將厚度為100納米的ITO玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在折光層的一表面上制作由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，每個(gè)凸起的寬度為15微米，高度為15微米，相鄰兩個(gè)凸起之間的距離為15微米；將折光層具有微圖案的表面與ITO玻璃基板壓合，折光層與玻璃基板之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成銦鋅氧化物(IZO)透明導(dǎo)電層，得到陽(yáng)極層，將陽(yáng)極層于60°C真空干燥30分鐘；其中，折光層的材料為聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，則陽(yáng)極層表示為:ΙΤ0/PEN/IZO。
[0112] (2)在透明導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為五氧化二釩(V2O5)摻雜的4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為:CBP = V2O5，其中，五氧化二釩(V2O5)與4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)質(zhì)量比為0.35:1，第一空穴注入層的厚度為15納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;第一空穴傳輸層的材料為4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，厚度為50納米，真空蒸鍍的真空度為
5父10-%，蒸發(fā)速度為2^8。
[0113](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍形成第一發(fā)光層:第一發(fā)光層的材料為三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶_N，C2，)合銥(FCNIr)與三氧化鎢(WO3)共同摻雜的9-(4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)，表示為CzS1:FCNIr: WO3,其中，三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶_N，C2’ )合銥(FCNIr)與9-(4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi )的質(zhì)量比為0.2:1，三氧化鎢(WO3)與9- (4-叔丁苯基)-3，6_雙(三苯基硅)-9H-咔唑(CzSi)的質(zhì)量比為0.1:1，第一發(fā)光層的厚度為15納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;則第一發(fā)光層表示為:CzS1:FCNIr:W03o
[0114](4)在第一發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為4-聯(lián)苯酹基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，厚度為60納米，真空蒸鍍的真空度為5 X W5Pa,蒸發(fā)速度為2A/S；電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化鎢(WO3),厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;第二空穴注入層的材料為五氧化二釩(V2O5)摻雜的4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為:CBP:V205，其中，五氧化二釩(V2O5)與4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.35:1，第二空穴注入層的厚度為15納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;第二空穴傳輸層的材料為4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，厚度為50納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為2A/S。
[0115](5)在第二空穴傳輸層上形成第二發(fā)光層,第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，紅光發(fā)光層形成于第二空穴傳輸層上，且紅光發(fā)光層與綠光發(fā)光層均由真空蒸鍍制備:紅光發(fā)光層的材料為二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III) ((fbi)2Ir (acac))摻雜的4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為:CBP: (fbi)2Ir(acac)，其中，二 [N-異丙基_2-(4_氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III) ((fbi)2Ir (acac))與4，4’ -二 (9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.02:1，紅光發(fā)光層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為IA/S;綠光發(fā)光層的材料為三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy)3)摻雜的4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為:CBP:1r (mppy)3，其中，三[2_(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy)3)與 4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)的質(zhì)量比為0.1:1，綠光發(fā)光層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為 1A/S;則第二發(fā)光層表示為:CBP: (fbi)2Ir (acac) /CBP:1r (mppy) 3。
[0116](6)在綠光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)， 厚度為60納米，真空蒸鍍的真空度為5\10邛&，蒸發(fā)速度為21/8;
電子注入層的材料為疊氮化銫(CsN3)摻雜的4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，表示為:BAlq:CsN3，其中，疊氮化銫(CsN3)與4_聯(lián)苯酚基一二(2_甲基_8_羥基喹啉)合鋁(BAlq)質(zhì)量比為0.35:1，電子注入層的厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度為2^8;陰極層的材料為金(411)，厚度為200納米，真空蒸鍍的真空度為5父10_%1，蒸發(fā)速度為51/3 。得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為IT0/PEN/IZ0/CBP = V2O5/CBP/CzS1:FCNIr:ff03/BAlq/ff03/CBP: V205/CBP/CBP: (f bi)2Ir (acac) /CBP:1r (mppy) JBAlq/BAlq:CsN3/Au的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在1000cd/m2下的流明效率及顯色指數(shù)見表1。
[0117]實(shí)施例4
[0118]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/PI/IT0/Tro = ReO3/TPD/26DCzPPY: FIrtaz:Re03/Alq3/Re03/TPD:Re03/TPD/TP D: (F-BT)2Ir (acac) /TPD:1r (ppy) 3/Alq3/Alq3:Li2C03/Ag。
[0119]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0120](I)將厚度為100納米的ITO玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在折光層的一表面上制作由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，每個(gè)凸起的寬度為20微米，高度為20微米，相鄰兩個(gè)凸起之間的距離為20微米；將折光層具有微圖案的表面與ITO玻璃基板壓合，折光層與玻璃基板之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成銦錫氧化物(ITO)透明導(dǎo)電層，得到陽(yáng)極層，將陽(yáng)極層于真空中70°C干燥20分鐘；其中，折光層的材料為聚酰亞胺(PI)，則陽(yáng)極層表示為:ΙΤ0/ΡΙ/ΙΤ0。
[0121](2)在透明導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化錸(ReO3)摻雜的N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)，表示為:TPD = ReO3，其中，三氧化錸(ReO3)與N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)質(zhì)量比為0.3:1，第一空穴注入層的厚度為13納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為0.5人/S;第一空穴傳輸層的材料為N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s。
[0122](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍形成第一發(fā)光層:第一發(fā)光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4_三唑)合銥(FIrtaz)與三氧化錸(ReO3)共同摻雜的2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)，表示為26DCzPPY:FIrtaz:Re03，其中，雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(批啶-2-基)-1，2，4_三唑)合銥(FIrtaz)與2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的質(zhì)量比為0.12:1，三氧化錸(ReO3)與2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(26DCzPPY)的質(zhì)量比為0.07:1，第一發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為
5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.5A/S。
[0123](4)在第一發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5\10_午&，蒸發(fā)速度為11/8;電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化錸(ReO3)，厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S:第二空穴注入層的材料為三氧化錸(ReO3)摻雜的N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)，表示為:TPD:Re03，其中，三氧化錸(ReO3)與N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))的質(zhì)量比為0.3:1，第二空穴注入層的厚度為12納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S;第二空穴傳輸層的材料為N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
lA/s,
[0124](5)在第二空穴傳輸層上形成第二發(fā)光層,第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，紅光發(fā)光層形成于第二空穴傳輸層上，且紅光發(fā)光層與綠光發(fā)光層均由真空蒸鍍制備:紅光發(fā)光層的材料為二 [2-(2-氟苯基)_1，3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) ((F-BT)2Ir (acac))摻雜的 N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)，表示為:TPD: (F-BT)2Ir (acac)，其中，二 [2- (2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III) ((F-BT)2Ir (acac))與 N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))的質(zhì)量比為0.01:1，紅光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;綠光發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的N，N’-二(3-甲基苯基)-N, N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))，表示為:!^):11'(--7)3，其中，三(2-苯基吡啶)合銥(11'(--7)3)與隊(duì)^-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))的質(zhì)量比為0.05:1，綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S ;則第二發(fā)光層表示為:TPD: (F-BT) 2Ir (acac) /TPD:1r (ppy) 3。
[0125](6)在綠光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為8-羥基喹啉鋁(Alq3)，厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;電子注入層的材料為碳酸鋰(Li2CO3)摻雜的8-羥基喹啉鋁(Alq3)，表示為:Alq3:Li2C03，其中，碳酸鋰(Li2CO3)與8-羥基喹啉鋁(Alq3)的質(zhì)量比為0.3:1，電子注入層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;陰極層的材料為銀(Ag)，厚度為100納米，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S 。得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為ΙΤ0/ΡΙ/ΙΤ0/TPD: Re03/TPD/26DCzPPY: FIrtaz: Re03/Alq3/Re03/TPD: Re03/TPD/TP D: (F-BT) 2Ir (acac) /TH):1r (ppy)3/Alq3/Alq3:Li2C03/Ag的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2下的流明效率及顯色指數(shù)見表1。
[0126]實(shí)施例5
[0127]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/PU/IT0/TAPC = MoO3/TAPC/35DCzPPY: FIrN4: Mo03/TAZ/Mo03/TAPC: Mo03/TAPC/TAPC:1r (btp) 2 (acac) /TAPC:1r (ppy) 2 (ac ac) /TAZ/TAZ: LiF/Al。
[0128]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0129](I)將厚度為100納米的ITO玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在折光層的一表面上制作由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，每個(gè)凸起的寬度為11微米，高度為11微米，相鄰兩個(gè)凸起之間的距離為11微米；將折光層具有微圖案的表面與ITO玻璃基板壓合，折光層與玻璃基板之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成銦錫氧化物(ITO)透明導(dǎo)電層，得到陽(yáng)極層，將陽(yáng)極層于80°C真空干燥15分鐘；其中，折光層的材料為聚氨酯塑料膜(PU)，則陽(yáng)極層表示為:IT0/PU/IT0。
[0130](2)在透明導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜的1，1-二 [4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為:TAPC = MoO3，其中，三氧化鑰(MoO3)與1，1-二 [4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)的質(zhì)量比為0.25:1，第一空穴注入層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為8X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S;第一空穴傳輸層的材料為1，1-二 [4-[N，N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為8 X 1-5Pa,蒸發(fā)速度為IA/S。
[0131](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍形成第一發(fā)光層:第一發(fā)光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥(FIrM)與三氧化鑰(MoO3)共同摻雜的 3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(3?CzPPY)，表示為 3?CzPPY:FIrN4:Mo03，其中，雙(4，6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥(FIrM)與3，5-雙(3_(9H_咔唑-9-基)苯基)吡啶(3?CzPPY)的質(zhì)量比為0.12:1，三氧化鑰(MoO3)與3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶(3?CzPPY)的質(zhì)量比為0.07:1，第一發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為8 X 10?,蒸發(fā)速度為0.5A/S。
[0132](4)在第一發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為8X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s；電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化鑰(MoO3),厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為8X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.4A/S;第二空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜的1，1-二[4-[N，N’_ 二 (P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為:TAPC = MoO3，其中，三氧化鑰(MoO3)與1，1-二 [4-[N，N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)的質(zhì)量比為0.28:1，第二空穴注入層的厚度為13納米，真空蒸鍍的真空度為8 X 10?,蒸發(fā)速度為0.5人/S;第二空穴傳輸層的材料為1，1-二 [4-[N，N’-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為8 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S。
[0133](5)在第二空穴傳輸層上形成第二發(fā)光層，第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，紅光發(fā)光層形成于第二空穴傳輸層上，且紅光發(fā)光層與綠光發(fā)光層均由真空蒸鍍制備:紅光發(fā)光層的材料為二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III) (Ir (btp)2(acac))摻雜的 1，1- 二 [4_[N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為:TAPC:1r(btp)2(acac)，其中，二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III) (Ir (btp)2(acac))與 1，1- 二 [4-[N, N’ - 二 (p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)的質(zhì)量比為0.01:1，紅光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為8X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;綠光發(fā)光層的材料為(Ir (ppy)2(acac))摻雜的1，1-二
[4- [N, N’ - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為:TAPC:1r (ppy) 2 (acac)，其中，(Ir (ppy) 2 (acac))與 1，1- 二 [4_ [N, N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)的質(zhì)量比為0.07: 1，綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為8 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.5A/S；則第二發(fā)光層表示為:TAPC:1r (btp) 2 (acac) /TAPC:1r (ppy) 2 (acac)。
[0134](6)在綠光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，厚度為50納米，真空蒸鍍的真空度為8X 10_5Pa，
蒸發(fā)速度為lA/s；電子注入層的材料為氟化鋰(LiF)摻雜的3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，表示為:TAZ:LiF，其中，氟化鋰(LiF)與3_(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)的質(zhì)量比為0.3:1，電子注入層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為8X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s；陰極層的材料為鋁(Al)，厚度為100納米，真空蒸鍍的真空度為8X10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S。得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為 ITO/PU/ITO/TAPC: Mo03/TAPC/35DCzPPY: FIrN4: Mo03/TAZ/Mo03/TAPC: MoO3/TAPC/TAPC:1r (btp) 2 (acac) /TAPC:1r (ppy) 2 (acac) /TAZ/TAZ: LiF/Al 的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2下的流明效率及顯色指數(shù)見表
1
[0135]實(shí)施例6
[0136]本實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ITO/PU/ITO/NPB: W03/NPB/UGH2: Firpic: V205/TPBI/V205/NPB: W03/NPB/ADN:1 r (piq) 3/ADN:1r (mppy) 3/TPBI/TPB1:Li20/Al。
[0137]該實(shí)施例的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0138](I)將ITO玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，每次清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，然后用烘箱烘干，將烘干后的玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；在折光層的一表面上制作由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，每個(gè)凸起的寬度為18微米，高度為18微米，相鄰兩個(gè)凸起之間的距離為18微米；將折光層具有微圖案的表面與厚度為100納米的ITO玻璃基板壓合，折光層與玻璃基板之間形成多個(gè)空隙；然后在折光層的另一表面上沉積形成銦錫氧化物(ITO)透明導(dǎo)電層，得到陽(yáng)極層，將陽(yáng)極層于80°C真空干燥15分鐘；其中，折光層的材料為聚氨酯塑料膜(PU)，則陽(yáng)極層表示為:IT0/PU/IT0。
[0139](2)在透明導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層:第一空穴注入層的材料為三氧化鎢(WO3)摻雜的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，表示為:NPB:TO3，其中，三氧化鎢(WO3)與N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)質(zhì)量比為0.3:1，第一空穴注入層的厚度為12納米，真空蒸鍍的真空度為3 X 1-4Pa,蒸發(fā)速度為0.3A/S;第一空穴傳輸層的材料為N，N’ - 二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為3父10、&，蒸發(fā)速度為11/8。
[0140](3)在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍形成第一發(fā)光層:第一發(fā)光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與五氧化二釩(V2O5)共同摻雜的1,4—雙(三苯基硅)苯(呢!12)，表示為呢!12:卩1印化:￥205，其中，雙(4，6-二氟苯基批啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)與1,4—雙(三苯基硅)苯(UGH2)的質(zhì)量比為0.12:1，五氧化二釩(V2O5)與1，4一雙(三苯基硅)苯(UGH2)的質(zhì)量比為0.07:1，第一發(fā)光層的厚度為10納米，真空蒸鍍的真空度為3父10、&，蒸發(fā)速度為0.51/3。
[0141](4)在第一發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層:第一電子傳輸層的材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為lA/s；電荷產(chǎn)生層的材料為五氧化二釩(V2O5),厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為
0.5A/S；第二空穴注入層的材料為三氧化鎢(WO3)摻雜的N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)，表示為:NPB: WO3，其中，三氧化鎢(WO3)與N，N’-二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)的質(zhì)量比為0.3: 1，第二空穴注入層的厚度為12納米，真空蒸鍍的真空度為3父10、&，蒸發(fā)速度為0.5人/8;第二空穴傳輸層的材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，厚度為40納米，真空蒸鍍的真空度為3\10、8，蒸發(fā)速度為1人/8。
[0142](5)在第二空穴傳輸層上形成第二發(fā)光層,第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，紅光發(fā)光層形成于第二空穴傳輸層上，且紅光發(fā)光層與綠光發(fā)光層均由真空蒸鍍制備:紅光發(fā)光層的材料為三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)摻雜的9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)，表示為:ADN:1r(piq)3，其中，三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3)與9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)的質(zhì)量比為0.01: 1，紅光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S；綠光發(fā)光層的材料為三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy)3)摻雜的9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)，表示為:ADN:1r(mppy)3，其中，三[2_(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy)3)與9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)的質(zhì)量比為0.06:1，綠光發(fā)光層的厚度為20納米，真空蒸鍍的真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0.5人/8;則第二發(fā)光層表示為:ADN:1r(piq)3/ADN:1r(mppy)3。
[0143](6)在綠光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件:第二電子傳輸層的材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;
電子注入層的材料為氧化鋰(Li2O)摻雜的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為:TPB1:Li20，其中，氧化鋰(Li2O)與1,3, 5-H (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)質(zhì)量比為0.3:1，電子注入層的厚度為30納米，真空蒸鍍的真空度為3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為IA/S；陰極層的材料為鋁(Al)，厚度為100納米，真空蒸鍍的真空度為3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為2A/S。得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為IT0/PU/IT0/NPB:W03/NPB/UGH2: Firpic: V205/TPBI/V205/NPB: W03/NPB/ADN:1 r (piq) 3/ADN:1r (mppy) 3/TPBI/TPB1:Li20/Al的白光有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在1000cd/m2下的流明效率及顯色指數(shù)見表1。
[0144]表1表不的是實(shí)施例1~實(shí)施例6制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在1000cd/m2下的流明效率與顯色指數(shù)的數(shù)據(jù)。
[0145]表1
[0146]
I實(shí)施例1 I實(shí)施例2 I實(shí)施例3 I實(shí)施例4 I實(shí)施例5 I實(shí)施例6 流明效率(lm/W) 287& 27.5 25?3 24.3 23?2 2L1 顯色指數(shù)(CRI) 757174737273
[0147]從表1中可以得知,實(shí)施例1~實(shí)施例6制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在100cd/m2下的流明效率至少為21.llm/W，且實(shí)施例6制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2下的流明效率最大可達(dá)28.61m/W，而傳統(tǒng)的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2下的流明效率最大可達(dá)101m/W，即說明實(shí)施例1~實(shí)施例6制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件具有較小的工作電流；且實(shí)施例1~實(shí)施例6制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的顯色指數(shù)最低為71，且實(shí)施例1制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的最高可達(dá)75,而傳統(tǒng)的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的顯色指數(shù)最大僅有70，說明實(shí)施例1?實(shí)施例6制備的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的顯色指數(shù)具有較高的顯色指數(shù)。
[0148] 以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽(yáng)極層、第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，所述陽(yáng)極層包括依次層疊的玻璃基板、折光層及透明導(dǎo)電層，所述折光層與所述玻璃基板相對(duì)的表面上設(shè)有由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，使得所述折光層與所述玻璃基板之間形成多個(gè)空隙，所述第一空穴注入層層疊于所述透明導(dǎo)電層上；所述第一發(fā)光層的材料包括藍(lán)光主體材料及共同摻雜于所述藍(lán)光主體材料中的藍(lán)光客體材料與電荷產(chǎn)生材料，所述藍(lán)光客體材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.2:1，所述電荷產(chǎn)生材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.1:1 ;所述藍(lán)光主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、9-(4-叔丁苯基)-3,6-雙(三苯基硅)-9!1-咔唑、2，6-雙(3_(9H_咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶及1，4—雙(三苯基硅)苯中的一種；所述藍(lán)光客體材料選自雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2- (4’，6’-二氟-5’-氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4_三唑)合銥及雙(4，6- 二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的一種；所述電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種；所述第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于所述紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，所述紅光發(fā)光層層疊于所述第二空穴傳輸層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基板的材料為銦錫氧化物玻璃；所述折光層的材料為折射率為1.7~1.9的透明塑料膜；每個(gè)凸起的寬度為5微米~20微米，高度為5微米~20微米，且相鄰兩個(gè)凸起之間的距離為5微米~20微米；所述透 明導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物及銦鋅氧化物中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光發(fā)光層的材料包括紅光主體材料及摻雜于所述紅光主體材料中的紅光客體材料，所述紅光客體材料與所述紅光主體材料的質(zhì)量比為0.005~0.02:1 ;所述綠光發(fā)光層包括綠光主體材料及摻雜于所述綠光主體材料中的綠光客體材料，所述綠光客體材料與所述綠光主體材料的質(zhì)量比為0.02~0.1:1 ;所述紅光主體材料及所述綠光主體材料分別選自4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’ -(1，3-苯基)二-9H-咔唑、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、1，1-二 [4-[N，N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷及9，10-雙(1-萘基)蒽中的一種；所述紅光客體材料選自二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)及三(1-苯基-異喹啉)合銥中的一種；所述綠光客體材料選自三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥及三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III)中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一發(fā)光層的厚度為5納米~15納米；所述紅光發(fā)光層的厚度為10納米~30納米；所述綠光發(fā)光層的厚度為10納米~30納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴注入層的材料包括第一空穴傳輸材料及摻雜于所述第一空穴傳輸材料中的第一P型摻雜劑，且所述第一 P型摻雜劑與所述第一空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25~0.35:1 ;所述第二空穴注入層的材料包括第二空穴傳輸材料及摻雜于所述第二空穴傳輸材料中的第二 P型摻雜劑，且所述第二 P型摻雜劑與所述第二空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.25~0.35:1 ;所述第一空穴傳輸材料與所述第二空穴傳輸材料分別選自N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺及1，1-二 [4-[N，N’_ 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種；所述第一P型摻雜劑與所述第二P型摻雜劑分別選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種； 所述第一空穴傳輸層的材料與所述第二空穴傳輸層的材料分別選自N，N’-二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、.4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺及I, 1-二[4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種； 所述第一電子 傳輸層的材料與所述第二電子傳輸層的材料分別選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑及1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種； 所述電荷產(chǎn)生層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種； 所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于所述電子傳輸材料中的η型摻雜劑，所述η型摻雜劑與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為0.25~0.35:1 ;所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述η型摻雜劑為碳酸銫、氟化銫、疊氮化銫、碳酸鋰、氟化鋰及氧化鋰中的一種；及所述陰極層的材料為銀、鋁及金中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴注入層的厚度為10納米~15納米；所述第一空穴傳輸層的厚度為30納米~50納米；所述第一電子傳輸層的厚度為10納米~60納米；所述電荷產(chǎn)生層的厚度為5納米~30納米；所述第二空穴注入層的厚度為10納米~15納米；所述第二空穴傳輸層的厚度為30納米~50納米；所述第二電子傳輸層的厚度為10納米~60納米；所述電子注入層的厚度為20納米~.40納米；所述陰極層的厚度為50納米~200納米。
7.一種白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 在折光層的一表面上制作由多個(gè)間隔設(shè)置的凸起組成的微圖案，將所述折光層具有所述微圖案的表面與玻璃基板壓合，然后在所述折光層的另一表面上沉積形成透明導(dǎo)電層，得到陽(yáng)極層，其中，所述折光層與所述玻璃基板之間形成多個(gè)空隙； 在所述透明導(dǎo)電層上依次真空蒸鍍形成第一空穴注入層及第一空穴傳輸層； 在所述第一空穴傳輸層上真空蒸鍍形成第一發(fā)光層；其中，所述第一發(fā)光層的材料包括藍(lán)光主體材料及共同摻雜于所述藍(lán)光主體材料中的藍(lán)光客體材料與電荷產(chǎn)生材料，所述藍(lán)光客體材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.2:1，所述電荷產(chǎn)生材料與所述藍(lán)光主體材料的質(zhì)量比為0.05~0.1:1 ;所述藍(lán)光主體材料選自4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、.9，9’ - (1，3-苯基)二 -9H-咔唑、9- (4-叔丁苯基)-3，6-雙(三苯基硅)-9H-咔唑、2，6-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶、3，5-雙(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)吡啶及1,4—雙(三苯基硅)苯中的一種；所述藍(lán)光客體材料選自雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥、三(2-(4’，6’ - 二氟-5’ -氰基)苯基吡啶-N，C2’)合銥、雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-(3-(三氟甲基)-5-(吡啶-2-基)-1，2，4-三唑)合銥及雙(4，6-二氟苯基吡啶)(5-(吡啶-2-基)-四唑)合銥中的一種；所述電荷產(chǎn)生材料選自三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種； 在所述第一發(fā)光層上真空蒸鍍形成第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層及第二空穴傳輸層； 在所述第二空穴傳輸層上形成第二發(fā)光層，所述第二發(fā)光層包括紅光發(fā)光層及層疊于所述紅光發(fā)光層上的綠光發(fā)光層，所述紅光發(fā)光層形成于所述第二空穴傳輸層上，且所述紅光發(fā)光層與所述綠光發(fā)光層均由真空蒸鍍制備；及 在所述綠光發(fā)光層上依次真空蒸鍍形成第二電子傳輸層、電子注入層及陰極層，得到白光有機(jī)電致發(fā)光器件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，將所述折光層具有所述微圖案的表面與所述玻璃基板壓合之前還包括對(duì)所述玻璃基板依次進(jìn)行清洗及表面活化處理的步驟；所述清洗的步驟為:將玻璃基板依次采用洗潔精、去離子水、丙酮及乙醇超聲清洗，然后干燥。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述透明導(dǎo)電層上真空蒸鍍形成所述第一空穴注入層之前，還包括將所述陽(yáng)極層于60°C~80°C真空干燥15分鐘~30分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，真空蒸鍍形成所述第一空穴注入層的真空度為8X 10_5Pa~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s~I人/s; 真空蒸鍍形成所述第一空穴傳輸層的真空度為8X 10_5Pa~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.1 A/s ~2 A/s; 真空蒸鍍形成所述第一發(fā)光層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.1A/s~iA/s； 真空蒸鍍形成所述第一電子傳輸層的真空度為8X 10_5Pa~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.lA/s~2A/s; 真空蒸鍍形成所述電荷產(chǎn)生層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.1 A/s ~I A/s; 真空蒸鍍形成所述第二空穴注入層的真空度為8X 10_5Pa~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.1 A/s ~I A/s; 真空蒸鍍形成所述第二空穴傳輸層的真空度為8X 10_5Pa~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.lA/s~2A/s; 真空蒸鍍形成所述紅光發(fā)光層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.1 A/s~I A/s; 真空蒸鍍形成所述綠光發(fā)光層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.1 A/s-.-1 A/s; 真空蒸鍍形成所述第二電子傳輸層的真空度為8X 10_5Pa~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.lA/s~2A/s; 真空蒸鍍形成所述電子注入層的真空度為8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.lA/s~2A/s# 真空蒸鍍形成所 述陰極層的真空度為8X 10_5Pa~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為.0.1 A/s ~5 A/s。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK104078611SQ201310110214
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司