專利名稱：一種低熔點金屬的氣化鍍膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種低熔點金屬的氣化電鍍方法，屬于電鍍技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
低熔點金屬作為鍍層金屬時，要求其鍍層穩(wěn)定、均勻。根據(jù)這種要求，現(xiàn)有技術(shù)的電鍍方法主要是熱鍍和真空鍍，熱鍍方法在工作時，鍍層金屬是熔融狀態(tài)，而待鍍金屬不可能達到與鍍層金屬相同的溫度，如向鋼帶上鍍錫，就不可能使鋼帶達到熔融錫的溫度，所以，在鋼帶通過輸送輥進入承載熔融的鍍層金屬的反應(yīng)池時，就會有熔融金屬遇冷的噴炸現(xiàn)象，而鋼帶又是以一定的速度慢慢進入反應(yīng)池的，所以電鍍完成后，鍍層不均勻，表面不平整，后續(xù)工藝冗長，而 且非常浪費電鍍材料。另外一種方法是真空鍍，真空鍍主要用于鍍膜，如鍺、鈦等貴金屬材料才會使用，低熔點金屬采用真空鍍成本較高，使用率較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種低熔點金屬的氣化鍍膜方法，解決目前低熔點金屬電鍍時鍍層不平整、不均勻和成本較高的問題。本發(fā)明是通過以下的技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種低熔點金屬的氣化鍍膜方法，其特征在于是通過以下的步驟實現(xiàn)的:(I)將鍍層的低熔點金屬放入金屬熔化池中進行熔化，設(shè)置金屬熔化池溫度為250 850°C，至鍍層低熔點金屬沸騰后氣化；(2)將待鍍金屬通入與所述金屬熔化池連通的加熱爐，所述鍍層金屬氣體進入加熱爐自主附著在待鍍金屬表面上；(3)電鍍完成后具有鍍層的金屬通入冷卻裝置進行冷卻。所述步驟(I)中的低熔點金屬包括錫、鋁。所述步驟(I)中在金屬熔化池和冷卻裝置中加入惰性氣體或者還原性氣體。 所述還惰性氣體或者還原性氣體為氫氣或者氦氣。本發(fā)明的有益效果為:1.本電鍍方法不涉及熔融金屬，不會產(chǎn)生金屬遇冷噴炸的現(xiàn)象，從而不會引起鍍層不均勻的問題。2.本電鍍方法可以根據(jù)待鍍金屬在加熱爐中運行的速度調(diào)整鍍層的厚度。3.本電鍍方法節(jié)約成本，適合大規(guī)模推廣。
具體實施例方式以下結(jié)合實施例，對本發(fā)明做進一步說明。實施例1在鋼帶表面進行鍍錫。(I)將IOOg錫放入金屬熔化池中進行熔化，設(shè)置金屬熔化池溫度為800°C，錫沸騰后被氣化，整個氣化過程中在氬氣的條件下保護。(2)將待鍍金屬鋼帶通入與所述金屬熔化池連通的加熱爐，鋼帶選擇8mm厚度的鋼帶，在加熱爐中設(shè)置輸送輥進行鋼帶的輸送，輸送速度為20m/min，鍍層金屬錫氣體進入加熱爐自主附著在待鍍鋼帶表面上；(3)電鍍完成后具有鍍層的金屬通入冷卻裝置進行冷卻,鍍層錫的厚度為1.5_。在金屬熔化池中加入惰性氣體與還原性氣體。所述還原性氣體為氫氣或者氦氣。實施例2在鋼帶表面進行鍍錫。(I)將IOOg錫放入金屬熔化池中進行熔化，設(shè)置金屬熔化池溫度為850°C，錫沸騰后被氣化，整個氣化過程中在氬氣的條件下保護。(2)將待鍍金屬鋼帶通 入與所述金屬熔化池連通的加熱爐，鋼帶選擇IOmm厚度的鋼帶，在加熱爐中設(shè)置輸送輥進行鋼帶的輸送，輸送速度為25m/min，鍍層金屬錫氣體進入加熱爐自主附著在待鍍鋼帶表面上；(3)電鍍完成后具有鍍層的金屬通入冷卻裝置進行冷卻,鍍層錫的厚度為1.8_。在金屬熔化池中加入惰性氣體與還原性氣體。所述還原性氣體為氫氣或者氦氣。實施例3在鋼帶表面進行鍍錫。(I)將IOOg錫放入金屬熔化池中進行熔化，設(shè)置金屬熔化池溫度為700°C，錫沸騰后被氣化，整個氣化過程中在氬氣的條件下保護。(2)將待鍍金屬鋼帶通入與所述金屬熔化池連通的加熱爐，鋼帶選擇12mm厚度的鋼帶，在加熱爐中設(shè)置輸送輥進行鋼帶的輸送，輸送速度為17m/min，鍍層金屬錫氣體進入加熱爐自主附著在待鍍鋼帶表面上；(3)電鍍完成后具有鍍層的金屬通入冷卻裝置進行冷卻,鍍層錫的厚度為1.9_。在金屬熔化池中加入惰性氣體與還原性氣體。所述還原性氣體為氫氣或者氦氣。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種低熔點金屬的氣化鍍膜方法，其特征在于是通過以下的步驟實現(xiàn)的: (1)將鍍層的低熔點金屬放入金屬熔化池中進行熔化，設(shè)置金屬熔化池溫度為250 850°C，至鍍層低熔點金屬沸騰后氣化； (2)將待鍍金屬通入與所述金屬熔化池連通的加熱爐，所述鍍層金屬氣體進入加熱爐自主附著在待鍍金屬表面上； (3)電鍍完成后具有鍍層的金屬通入冷卻裝置進行冷卻。
2.如權(quán)利要求1所述的一種低熔點金屬的氣化電鍍方法，其特征在于所述步驟(I)中的低熔點金屬包括錫、鋁。
3.如權(quán)利要求1所述的一種低熔點金屬的氣化鍍膜方法，其特征在于所述步驟(I)中在金屬熔化池和冷卻裝置中加入惰性氣體或者還原性氣體。
4.如權(quán)利要求1所述的一種低熔點金屬的氣化鍍膜方法，其特征在于所述還惰性氣體或者還原性氣體為氫氣 或者氦氣。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低熔點金屬的氣化鍍膜方法，是通過以下的步驟實現(xiàn)的(1)將鍍層的低熔點金屬放入金屬熔化池中進行熔化，設(shè)置金屬熔化池溫度為250～850℃，至鍍層低熔點金屬沸騰后氣化；(2)將待鍍金屬通入與所述金屬熔化池連通的加熱爐，所述鍍層金屬氣體進入充滿保護性氣體的加熱爐自主附著在待鍍金屬表面上；(3)鍍膜完成后具有鍍層的金屬通入充滿保護性氣體冷卻裝置進行冷卻。本發(fā)明是結(jié)合了熱鍍與真空鍍的優(yōu)點，鍍層完整，鍍層厚度可調(diào)整，鍍層均勻，相對于電鍍工藝大量節(jié)約資源而且環(huán)保。
文檔編號C23C14/14GK103205715SQ20131011248
公開日2013年7月17日 申請日期2013年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月1日
發(fā)明者謝振華 申請人:謝振華