用于非晶硅沉積的爐管底座的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露了一種用于非晶硅沉積的爐管底座，所述底座包括從下依次往上疊加設(shè)置的密封蓋、磁流體、基座支架以及基座，所述磁流體連接密封蓋與基座支架，基座支架與基座連接，還包括支架蓋板和固定塊，所述支架蓋板位于所述基座和基座支架之間，遮蓋住所述基座支架的上表面和側(cè)面，所述固定塊位于基座內(nèi)，覆蓋基座底部的開口，所述支架蓋板和固定塊均為碳化硅材質(zhì)。本發(fā)明提供的用于非晶硅沉積的爐管底座，可以改善非晶硅沉積工藝中薄膜剝落狀的顆粒缺陷的產(chǎn)生，提高產(chǎn)品良率。
【專利說明】用于非晶硅沉積的爐管底座

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及化學(xué)氣相淀積設(shè)備，尤其是涉及一種用于非晶硅沉積的爐管底座。

【背景技術(shù)】
[0002]微機(jī)電系統(tǒng)3781:61118，簡稱1213)技術(shù)是一個全新的【技術(shù)領(lǐng)域】和產(chǎn)業(yè)，主要包括微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器和相應(yīng)的處理電路等幾部分。
[0003]與傳統(tǒng)集成電路的制造相比，腿13工藝中由于需要淀積的膜厚往往要厚很多，可以達(dá)到傳統(tǒng)集成電路制造工藝的幾十倍，導(dǎo)致更容易出現(xiàn)￠6611118(薄膜剝落狀的顆粒圖1為采用低壓化學(xué)氣相淀積(…⑶!))淀積工藝的爐管設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。爐管設(shè)備通常包括反應(yīng)腔室、反應(yīng)氣體源130、真空泵140。其中反應(yīng)腔室包括反應(yīng)腔體100、晶舟110和底座120，所述底座包括從下依次往上疊加設(shè)置的密封蓋124、磁流體126、基座支架123、基座121以及基座121內(nèi)的金屬蓋板122 ；參照圖2，所述晶舟110和基座121上有螺孔，通過兩個固定螺栓連接，所述基座支架123和基座121與基座內(nèi)的金屬蓋板122上有螺孔，通過三個固定螺栓連接。
[0004]通常，爐管設(shè)備的？6611118如作⑶主要來自反應(yīng)腔體上的薄膜剝落下來，這是由于在的爐管在生產(chǎn)過程反應(yīng)中，薄膜會逐漸沉積在反應(yīng)腔體的內(nèi)壁上。隨著薄膜厚度的逐漸增加，這些沉積的薄膜在應(yīng)力的影響下，會從反應(yīng)腔體內(nèi)壁上剝落下來，從而造成產(chǎn)品的缺陷。
[0005]但是發(fā)明人在非晶硅工藝的沉積過程中發(fā)現(xiàn)即使排除反應(yīng)腔體內(nèi)壁上剝落下來的顆粒影響，還會在產(chǎn)品上發(fā)現(xiàn)影響產(chǎn)品的質(zhì)量和良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種用于非晶硅沉積的爐管底座，用以改善非晶硅沉積過程中產(chǎn)生剝落顆粒引起產(chǎn)品缺陷的問題。
[0007]發(fā)明人經(jīng)過反復(fù)排查，發(fā)現(xiàn)多晶硅沉積過程中即使排除了反應(yīng)腔體內(nèi)壁的影響，依然會有大量最終發(fā)現(xiàn)污染源來自現(xiàn)有的爐管底座的基座支架和金屬蓋板部分，發(fā)明人通過試驗分析發(fā)現(xiàn)，沉積過程中會在底座的基座支架和金屬蓋板上形成沉積物，由于現(xiàn)有的基座支架和金屬蓋板都是金屬材質(zhì)，與非晶硅的熱膨脹系數(shù)差別很大，因此沉積在基座支架和金屬蓋板上的非晶硅沉積非常容易剝落，在反應(yīng)腔內(nèi)的氣流作用下?lián)P起造成產(chǎn)品上產(chǎn)生缺陷。
[0008]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種用于非晶硅沉積的爐管底座，所述底座包括從下依次往上疊加設(shè)置的密封蓋、磁流體、基座支架以及基座，所述爐管底座還包括支架蓋板和固定塊，所述支架蓋板位于所述基座和基座支架之間，遮蓋住所述基座支架的上表面和側(cè)面，所述固定塊位于基座內(nèi)，覆蓋基座底部的開口，所述支架蓋板和固定塊均為碳化硅材質(zhì)。
[0009]可選的，所述支架蓋板與所述基座一體成型。
[0010]可選的，所述固定塊與所述基座一體成型。
[0011]可選的，所述支架蓋板的直徑為20(3111?30(3111。
[0012]可選的，所述支架蓋板的高度為2.00111?5.5(3111。
[0013]可選的，所述固定塊的直徑為10(3111?25(3111。
[0014]可選的，所述固定塊的厚度為2(3111?5(3111。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在基座和基座支架之間設(shè)置了覆蓋支架基座的碳化硅材質(zhì)的支架蓋板，并且去除了現(xiàn)有的金屬蓋板，采用碳化硅材質(zhì)的固定塊。這樣，在生產(chǎn)過程中不會在金屬材質(zhì)的基座支架上形成薄膜，而碳化硅材質(zhì)的固定塊和支架蓋板由于熱膨脹系數(shù)與非晶硅接近，能夠很好的吸附薄膜，避免在產(chǎn)品上產(chǎn)生薄膜剝落狀的顆粒缺陷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有積淀積工藝的爐管設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為現(xiàn)有積淀積工藝的爐管設(shè)備晶舟與底座的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明實施例一的用于非晶硅沉積的爐管底座的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4為本發(fā)明實施例二的用于非晶硅沉積的爐管底座的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0020]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種用于非晶硅沉積的爐管底座，所述底座包括從下依次往上疊加設(shè)置的密封蓋、磁流體、基座支架以及基座，還包括支架蓋板和固定塊，所述支架蓋板位于所述基座和基座支架之間，遮蓋住所述基座支架的上表面和側(cè)面，所述固定塊位于基座內(nèi)，覆蓋基座底部的開口，所述支架蓋板和固定塊均為碳化硅材質(zhì)。這樣在基座和基座支架之間設(shè)置了覆蓋支架基座的碳化硅材質(zhì)的支架蓋板，并且去除了現(xiàn)有的金屬蓋板，采用碳化硅材質(zhì)的固定塊。這樣，在生產(chǎn)過程中不會在金屬材質(zhì)的基座支架上形成薄膜，而碳化硅材質(zhì)的固定塊和支架蓋板由于熱膨脹系數(shù)與非晶硅接近，能夠很好的吸附薄膜，避免在產(chǎn)品上產(chǎn)生薄膜剝落狀的顆粒缺陷。
[0021]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的用于非晶硅沉積的爐管底座作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0022]實施例一
[0023]參考圖3，本實例的用于非晶硅沉積的爐管底座，包括密封蓋124、磁流體126、基座121、基座支架123，所述磁流體126連接密封蓋124與基座支架123，基座支架123與基座121連接，還包括支架蓋板226和固定塊222，所述支架蓋板226位于所述基座121和基座支架123之間，遮蓋住所述基座支架123的上表面和側(cè)面，所述固定塊222位于基座121內(nèi)，覆蓋基座121底部的開口，所述支架蓋板226和固定222塊均為碳化硅材質(zhì)。
[0024]由于碳化硅材質(zhì)與非晶硅的熱膨脹系數(shù)接近，在基座和基座支架之間設(shè)置非晶硅材質(zhì)的支架蓋板，并覆蓋基座支架的上表面和側(cè)面，這樣在生產(chǎn)過程中，非晶硅沉積在支架蓋板上，粘附的較牢，不易產(chǎn)生剝落狀缺陷。同樣的，本實例中將現(xiàn)有的金屬蓋板取消，同時設(shè)置了碳化硅材質(zhì)的固定塊，覆蓋基座底部的開口。沉積在固定塊上的非晶硅不易剝落在產(chǎn)品上產(chǎn)生缺陷。
[0025]本實施中公開的支架蓋板和固定塊的尺寸為適用于8寸的爐管設(shè)備的尺寸，可以理解的是，在更大尺寸的工藝或設(shè)備(例如12寸或者18寸的工藝或設(shè)備)中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明的核心思想對相應(yīng)的尺寸做出對應(yīng)的調(diào)整。具體的，本實施例中，所述支架蓋板的直徑為20(3111?30(3111，以遮蔽所述支架蓋板的上表面；所述支架蓋板的高度為
2.0(3111?5.50111,以完全遮蔽所述支架蓋板的側(cè)面。所述固定塊的直徑為10(3111?25(3111、厚度為2(^?5挪。此外，本實施例中支架蓋板和固定塊上開有螺孔，所述螺孔與現(xiàn)有的用于固定基座和基座支架的螺孔125位置對應(yīng)，所述支架蓋板、基座支架、基座和固定塊用螺栓連接固定。這樣無需對現(xiàn)有設(shè)備的部件進(jìn)行改造，方便簡單，成本較低。
[0026]實施例二
[0027]在本實施例中，參考圖4，所述用于非晶硅沉積的爐管底座的支架蓋板326與基座121是一體成型的，也就是說，基座121在制造成型時就包括了其下方的支架蓋板326，支架蓋板326遮蓋住所述基座支架123的上表面和側(cè)面?？蛇x的，所述固定塊322也可是與所述基座一體成型的。所述支架蓋板326和固定塊322上開有螺孔，所述螺孔與現(xiàn)有的用于連接基座支架的螺孔125位置對應(yīng)，所述支架蓋板、基座支架、基座和固定塊用螺栓連接固定。由于所述支架蓋板和固定塊與基座一體成型，進(jìn)一步避免在部件之間連接的縫隙處沉積薄膜被爐管反應(yīng)腔內(nèi)的氣流揚(yáng)起在產(chǎn)品上形成缺陷。
[0028]綜上所述，本發(fā)明提供了一種用于非晶硅沉積的爐管底座，所述底座包括密封蓋、磁流體、基座、基座支架，還包括支架蓋板和固定塊，所述支架蓋板位于所述基座和基座支架之間，遮蓋住所述基座支架的上表面和側(cè)面，所述固定塊位于基座內(nèi)，覆蓋基座底部的開口，所述支架蓋板和固定塊均為碳化硅材質(zhì)。這樣在基座和基座支架之間設(shè)置了覆蓋支架基座的碳化硅材質(zhì)的支架蓋板，并且去除了現(xiàn)有的金屬蓋板，采用碳化硅材質(zhì)的固定塊。這樣，在生產(chǎn)過程中不會在金屬材質(zhì)的基座支架上形成薄膜，而碳化娃材質(zhì)的固定塊和支架蓋板由于熱膨脹系數(shù)與非晶硅接近，能夠很好的吸附薄膜，避免在產(chǎn)品上產(chǎn)生薄膜剝落狀的顆粒缺陷。
[0029]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于非晶硅沉積的爐管底座，所述底座包括從下依次往上疊加設(shè)置的密封蓋、磁流體、基座支架以及基座，所述磁流體連接密封蓋與基座支架，所述基座支架與基座連接，其特征在于，還包括支架蓋板和固定塊，所述支架蓋板位于所述基座和基座支架之間，遮蓋住所述基座支架的上表面和側(cè)面，所述固定塊位于基座內(nèi)，覆蓋基座底部的開口，所述支架蓋板和固定塊均為碳化娃材質(zhì)。
2.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述支架蓋板和固定塊通過固定螺絲與基座固定。
3.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述支架蓋板與所述基座一體成型。
4.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述固定塊與所述基座一體成型。
5.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述支架蓋板的直徑為 20。111 ?30。111。
6.如權(quán)利要求5所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述支架蓋板的厚度為 2.00111 ?5.501110
7.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述固定塊的直徑為 100111 ?25(3111。
8.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅沉積的爐管底座，其特征在于，所述固定塊的厚度為 20111 ?5(3111。
【文檔編號】C23C16/24GK104419908SQ201310407964
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月9日
【發(fā)明者】沈建飛, 陳騰宏 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司