起光學(xué)作用的帶有透明覆蓋層的層系統(tǒng)及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種起光學(xué)作用的帶有透明覆蓋層的層系統(tǒng)及其制造方法，其中層系統(tǒng)布置在基底S上且包括至少帶有功能層的功能層排列以及布置在其上的帶有至少一個(gè)由介電的含有硅和氧的材料構(gòu)成的覆蓋層DS、DS'、DS''的覆蓋層排列。為了在不帶有在光學(xué)的功能性和機(jī)械與化學(xué)穩(wěn)定性上的損失的情況下改進(jìn)層系統(tǒng)的耐濕度，覆蓋層DS、DS'、DS''含有硅、鈦、氧、碳以及可選地含有氫作為主要的組成部分。
【專利說(shuō)明】起光學(xué)作用的帶有透明覆蓋層的層系統(tǒng)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種起光學(xué)作用的帶有覆蓋層的層系統(tǒng)，該覆蓋層是高度透明的且由含有硅和氧的介電材料構(gòu)成。本發(fā)明同樣涉及一種用于該層系統(tǒng)制造的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于各種各樣的應(yīng)用而言已知不同功能的層系統(tǒng)，其作為起光學(xué)作用的層系統(tǒng)可以以不同的方式且大多數(shù)取決于波長(zhǎng)地影響(也就是說(shuō)反射、吸收或穿透)入射光。因此，這些層系統(tǒng)按照應(yīng)用領(lǐng)域可以是透明的、半透明的或不透明的。示例地列舉太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)或高反射的系統(tǒng)，例如在用于太陽(yáng)能應(yīng)用的可見(jiàn)光譜范圍和近紅外范圍中或在用于表面處理的可見(jiàn)光范圍中。
[0003]此類層系統(tǒng)大多具有多個(gè)單層組成的系統(tǒng)，這些單層彼此相關(guān)地調(diào)節(jié)適用于應(yīng)用情況。由基底向上觀察，此類起光學(xué)作用的層系統(tǒng)含有至少一個(gè)此外還用于系統(tǒng)相對(duì)基底的連接以及層系統(tǒng)的保護(hù)的功能層排列、帶有至少一個(gè)與應(yīng)用任務(wù)相符的功能層的功能層排列和包括至少一個(gè)機(jī)械且/或化學(xué)穩(wěn)定的保護(hù)層的覆蓋層排列。
[0004]在一般情況中，功能“層排列”、功能“層排列”或覆蓋“層排列”的概念包括多于一個(gè)的層，然而同樣包括如下，即，層排列僅由獨(dú)自實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能的單層構(gòu)成。各個(gè)層相對(duì)功能層排列、功能層排列、覆蓋層排列或另外的層排列的配置不是在任何情況下都是明確地施行的，這是因?yàn)槊總€(gè)層不僅對(duì)相鄰的層而且對(duì)整個(gè)系統(tǒng)具有影響。通常層配置按照其功能實(shí)現(xiàn)。 [0005]覆蓋層排列的一個(gè)或多個(gè)層向上封閉層系統(tǒng)，并且覆蓋層排列以及功能層排列可以在功能上涉及整個(gè)系統(tǒng)。覆蓋層排列包括至少一個(gè)機(jī)械和/或化學(xué)穩(wěn)定的保護(hù)層。該保護(hù)層根據(jù)光入射的位置還可以自行或通過(guò)補(bǔ)充性的層影響層系統(tǒng)的光學(xué)性能，例如在利用干涉效應(yīng)的情況下的抗反射，從而必要時(shí)還可以與抗反射的功能層相聯(lián)系地提高層系統(tǒng)的效率。透明的覆蓋層排列通常由介電的、高度透明的金屬或半導(dǎo)體氧化物或氮化物的一個(gè)或多個(gè)層構(gòu)成，而在多于一個(gè)層的情況下帶有交替的折射率(高折射的和低折射的)。后者作為高-低覆蓋層排列或交替層系統(tǒng)是已知的。在透明材料的情況下通常這些折射率在
1.8至2.7的范圍中、大多數(shù)甚至在1.9 (優(yōu)選2.0)至2.6的范圍中的材料被稱作高折射的。朝向較低的折射率緊鄰于高折射，直至大約1.46的值的材料被稱作低折射的。這樣的高度透明的介電的材料被視為無(wú)吸收的材料，這使得其勝任所描述的光學(xué)功能。
[0006]不同層系統(tǒng)的沉積經(jīng)常借助于物理的氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)例如濺射實(shí)現(xiàn)，在濺射中應(yīng)被沉積的材料以固體形式存在且在等離子作用下通過(guò)所謂的濺射效應(yīng)在呈蒸汽狀的狀態(tài)中沉積在基底上。層的組成和特性可借助于靶材料、方法形式和過(guò)程參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
[0007]對(duì)于不同的層和層系統(tǒng)而言，沉積借助于帶有或不帶有等離子支持的化學(xué)的氣相沉積(Chemical Vapor Depositon, CVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)實(shí)現(xiàn)，在其中，固體組分由于化學(xué)反應(yīng)被從氣相中沉積到基底的表面上。相比PVD方法與之相聯(lián)系的較少的熱的基底負(fù)荷和較高的沉積率是有利的。然而也形成硬度較小的層。在其中使用磁控濺射源作為等離子源的磁控PECVD使得沉積率的進(jìn)一步提高成為可能，并且此外使得在可擴(kuò)展性的情況下，在大的基底(鑒于在其中發(fā)生該過(guò)程的壓力區(qū)域)上與濺射過(guò)程的改進(jìn)的組合性成為可能。
[0008]尤其地，太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)和高反射的系統(tǒng)在其常規(guī)的使用中通常暴露于外部環(huán)境，其導(dǎo)致水蒸氣在經(jīng)涂覆的面上的冷凝。在濕度作用下，這些層系統(tǒng)顯現(xiàn)老化現(xiàn)象，其根據(jù)層系統(tǒng)以反射率減小或者吸收率降低和以熱發(fā)射率提高或以部分或完全的層脫落或在層系統(tǒng)中的缺陷例如孔洞的形成表現(xiàn)出來(lái)。因此，此類層系統(tǒng)必須相對(duì)濕度作用具有高穩(wěn)定性。
[0009]帶有疏水、也就是斥水特性的覆蓋層例如在EP2279392A1 (反射層系統(tǒng))和DE102004060982B3 (太陽(yáng)能吸收器)中進(jìn)行了描述。其中，含有氧化硅的覆蓋層(其包括碳和氫成分)借助于PECVD制成，然而其沒(méi)有顯現(xiàn)期望的穩(wěn)定的光學(xué)特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明因此基于如下任務(wù)，即，說(shuō)明起光學(xué)作用的層系統(tǒng)和用于該層系統(tǒng)的覆蓋層，其相對(duì)于已知的層具有改善的耐濕度而不損失光學(xué)功能性和機(jī)械與化學(xué)穩(wěn)定性。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，該覆蓋層排列具有除了硅、氧、碳和可選的氫之外同樣包括鈦成分作為主要組成部分的覆蓋層。
[0012]此處，這樣的材料組成應(yīng)被理解為帶有基本已知的組成部分的層，即，基本的和確定電-光特征的組成部分是明確已知的。這包括如下，即，可以含有方法引起的污染物或方法引起的摻雜物，這些摻雜物對(duì)于在沉積期間的過(guò)程控制或?qū)τ陔姌O或者靶制造而言是有用的。此類污染物或方法上的混合大多處在小于1%的范圍中，然而也可以為百分之幾。
[0013]如下證實(shí)是有效的，即，鈦成分在層系統(tǒng)的至少相等的效率的情況下引起在光學(xué)特性的穩(wěn)定性上的改進(jìn)。該保護(hù)特性通過(guò)在覆蓋層排列中的層獲得，該層可以加入到覆蓋層排列的不同的位置中，優(yōu)選地為最上部的、使層系統(tǒng)相對(duì)周圍環(huán)境封閉的覆蓋層。
[0014]對(duì)于不同的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)而言可獲得改進(jìn)保護(hù)的優(yōu)點(diǎn)，其中，該優(yōu)點(diǎn)尤其對(duì)于暴露于高空氣濕度的層系統(tǒng)起作用，例如在用于各種各樣的應(yīng)用(例如產(chǎn)品的表面涂布)的鏡系統(tǒng)的情形中，或在太陽(yáng)能吸收器的情形中。這些層系統(tǒng)可以具有由至少一個(gè)功能層排列和其上布置的覆蓋層排列構(gòu)成的已知的基本構(gòu)造，覆蓋層排列帶有根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層，其中，可以依賴于覆蓋層排列的各個(gè)層的功能性，有利地匹配覆蓋層排列的其他層。因此對(duì)于鏡或吸收器的層系統(tǒng)而言，作為功能層可使用由CrOx或CrNx或CrOxNy (0<x<=2,0<y<l)或TiOx或TiNx或TiOxNy (0<x<=2,0<y<=l)構(gòu)成的金屬反射層或者吸收層，如已知的那樣作為部分或完整的層或帶有梯度的組成。此外，作為功能層還可以使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)已知的金屬陶瓷復(fù)合層(金屬陶瓷Cermet層)。
[0015]對(duì)于不同的應(yīng)用而言，經(jīng)由上面所列舉組成的保護(hù)性覆蓋層的組成部分的成分可實(shí)現(xiàn)對(duì)層系統(tǒng)的光學(xué)功能性的調(diào)節(jié)。因此，硅成分以及鈦成分可以是不同的并且例如氧成分是可變的，其通過(guò)化學(xué)計(jì)量參數(shù)y來(lái)描述。根據(jù)不同的設(shè)計(jì)方案，氧成分對(duì)于在覆蓋層組成為SixTihOyCzHa的情況下的鏡層系統(tǒng)而言處在l〈y ≤2、而對(duì)于覆蓋層組成為SixTihOyCzHa的的太陽(yáng)能吸收器而言處在0.5<y ≤2，并且對(duì)于兩個(gè)層系統(tǒng)而言，其余成分處在 0〈χ〈1，0 ≤ z ≤ 2 以及 0〈=a〈=2Xz。
[0016]借助于根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層，不僅獲得期望的機(jī)械與化學(xué)穩(wěn)定性，而且還影響整個(gè)層系統(tǒng)的光學(xué)特性。因此，覆蓋層由于其高度透明的特性和其可調(diào)整的折射率(作為單層以及作為所提及的帶有交替折射率的交替層系統(tǒng))，還適合用于減少反射的措施。因此借助于硅相對(duì)鈦的成分，折射率可根據(jù)應(yīng)用和層被調(diào)整為高折射或低折射。此外通過(guò)氧成分以及CzHa摻雜物可以影響層的吸收或者透明度，其中，在明顯小于2的Y值的情形中吸收作用明顯增加且在y~2的范圍中層是透明的。氫成分a確定是否存在透明的呈聚合物狀的摻雜物例如[_CH2_]n鏈或作為摻雜物的吸收性的碳。呈聚合物狀的摻雜物通常降低層的硬度且導(dǎo)致疏水。
[0017]相應(yīng)地例如對(duì)于鏡系統(tǒng)而言，根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層可實(shí)施成低折射的層，其折射率對(duì)于此處考慮的層系統(tǒng)而言實(shí)施為小于1.6 (在550nm波長(zhǎng)的情況下)。這樣的低折射的透明層以帶有化學(xué)計(jì)量參數(shù)0.5〈xn ( I, Kyn ( 2,0<=an<=2X zn的SixnTihnOynCznHan的組成制成。在此，參數(shù)xn、yn、zn和an是化學(xué)計(jì)量參數(shù)x、y、z和a的對(duì)于低折射的層而言被調(diào)整的變型方案。
[0018]這樣低折射的層為了產(chǎn)生減少反射的、利用相消干涉的覆蓋層排列而與布置在低折射的層之上的高折射的透明層組合，其中，高折射的透明層的折射率為大于1.9的值(在550nm的波長(zhǎng)的情況下)。對(duì)于這樣的高折射的層而言，化學(xué)計(jì)量參數(shù)處在0〈xh〈0.5、Kyh <2且OS zh <2且0〈=ah〈=2Xzh的范圍中，其中，xh、yh、zh和ah表示高折射的層的參數(shù)而SixhTihhOyhCzhHah表示其組成。
[0019]為了制造起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其各個(gè)層根據(jù)層系統(tǒng)的形式和構(gòu)造依次地例如在連續(xù)涂層設(shè)施中、備選 地還在批量或群組設(shè)施中借助于合適的PVD或CVD涂層方法沉積在基底上。根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層通過(guò)借助于PECVD的沉積實(shí)現(xiàn)。
[0020]在優(yōu)選的設(shè)計(jì)方案中，根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層的沉積在使用含有鈦的電極的情形下實(shí)現(xiàn)。這允許了使用已知的且被證明的具有所描述的高沉積率的PECVD方法且經(jīng)由該電極的消融完全或至少部分提供用于等離子產(chǎn)生的鈦成分。補(bǔ)充地或備選地，硅成分同樣可借助于含有硅的等離子電極供應(yīng)給該過(guò)程。硅和/或鈦的供應(yīng)于還可以借助于前體氣體至少補(bǔ)充于等離子電極地實(shí)現(xiàn)。選擇材料導(dǎo)管的哪種形式和組合決定性地取決于待制造的覆蓋層的組成和另外的被用于層系統(tǒng)的沉積的方法并且同樣取決于基底，這確定了可能的熱負(fù)荷和(大多數(shù)關(guān)于其尺寸)有效且均勻的沉積。組成的碳和氫以已知的方式經(jīng)由合適的前體供應(yīng)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]下面借助實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。在附圖中:
[0022]圖1示出了帶有根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層的鏡層系統(tǒng)；
[0023]圖2示出了一種用于根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層的沉積的裝置；并且
[0024]圖3示出了一種用于根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層的沉積的裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0025]根據(jù)圖1的鏡系統(tǒng)用于制造產(chǎn)品的高反射表面(通常被稱作基底S)，其例如被用于改進(jìn)產(chǎn)品表面的反射特性。
[0026]緊鄰在基底S上布置有硬質(zhì)材料層和/或平整層GS。硬質(zhì)材料層和/或平整層GS可以有利地為氧化物層，其例如通過(guò)陽(yáng)極處理構(gòu)成。此外有利地，硬質(zhì)材料層和/或平整層GS可以是漆層。
[0027]在硬質(zhì)材料層和/或平整層GS上布置有增附層HS。該增附層有利地由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或這些物質(zhì)的混合物構(gòu)成。有利地，增附層HS含有出自鉻、鑰、鋅、鈦、錫、鋁、硅的組中的一種或多種組成部分。硬質(zhì)材料層和/或平整層GS和增附層HS構(gòu)成功能層排列。硬質(zhì)材料層和平整層是可選的并且可以把兩者均取消或僅取消其中一個(gè)。
[0028]在功能層排列上跟隨有功能層排列。其包括第一功能性反射層RS。該功能性反射層可以是完全反射的或部分反射的并且由金屬或含有由銅、鎳、鋁、鈦、鑰、錫構(gòu)成的組中的一種或多種組成部分的金屬合金構(gòu)成。在第一功能性反射層上面可布置有第二功能性反射層(未示出)。第二功能性反射層可由金屬或金屬合金(例如銀或銀合金)構(gòu)成。
[0029]在功能層排列上跟隨有覆蓋層排列，其在該實(shí)施例中包括兩個(gè)覆蓋層。第一個(gè)透明的介電的覆蓋層DS’由低折射的SixnIVxnOynCznHan構(gòu)成。在第一個(gè)透明的介電的覆蓋層DS’上布置有第二個(gè)透明的介電的覆蓋層DS’’。其是高折射的且可例如由氧化鈦構(gòu)成。
[0030]備選地，根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層DS’還可布置最上部的封閉層系統(tǒng)的且組成為SixhTihhOyhCzhHah的層?；蛘邇蓚€(gè)覆蓋層由SixTihOyCzHa構(gòu)成，下方的覆蓋層構(gòu)造成低折射的而上方的覆蓋層構(gòu)造成高折射的。高折射的覆蓋層的化學(xué)計(jì)量參數(shù)可示例地但非限制性地設(shè)定為值x=0.1, y=l.95且z=0.4而低折射的覆蓋層設(shè)定為值x=0.9, y=l.95且z=0.1。
[0031]圖2示出了在使用根據(jù)本發(fā)明的覆蓋層DS的情況下的太陽(yáng)能吸收器的層系統(tǒng)，覆蓋層DS此處充當(dāng)抗反射層和保護(hù)層。
[0032]吸收器層系統(tǒng)的目的是選擇性地吸收入射的包括基本在可見(jiàn)光和近紅外(0.3 μ m-2.5 μ m)范圍中的波長(zhǎng)的太陽(yáng)輻射，以最大地吸收熱量并且為了導(dǎo)出而將熱量排出到與吸收器熱連接的傳遞器件處，并且同時(shí)盡可能少地發(fā)射作為自身輻射在>2.5 μ m波長(zhǎng)范圍中的紅外輻射。由于吸收率和發(fā)射率的等價(jià)性并且對(duì)于非透明的材料而言適用的結(jié)論，即，對(duì)于吸收率和反射率的總和而言始終得出為值1，層系統(tǒng)應(yīng)在很大程度上吸收且盡可能少地反射太陽(yáng)輻射，并且在紅外輻射(>2.5 μ m)的范圍中顯示了對(duì)此相反的吸收和反射行為。
[0033]已知的太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)中的一些作為吸收器使用含有氧化鉻的材料，其中，該吸收器同樣可由多個(gè)子層構(gòu)成，這些子層除了鉻的氧化物之外同樣可具有鉻的氮化物和/或碳化物。為了提高可獲得的吸收并且還把獲得的吸收維持盡可能長(zhǎng)的時(shí)期，開(kāi)發(fā)了越來(lái)越復(fù)雜的系統(tǒng)。
[0034]為了制造太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)，在例如由鋁帶構(gòu)成的基底S上，可選地在支撐且平整基底S并且改進(jìn)其他層的附著的、例如由Al2O3構(gòu)成的中間層ZS上，首先沉積反射紅外輻射的層IR。作為IR反射層IR例如已知貴金屬層，此外還有銅、鉻、鋁或鑰。它們由于其高的IR反射在波長(zhǎng)范圍中具有小的發(fā)射率，由此熱量的放射被減少并且進(jìn)而支持熱量到傳遞器件中的導(dǎo)出。例如當(dāng)基底本身是IR反 射的(未示出)例如由銅構(gòu)成時(shí)，IR反射層IR也是可選的。
[0035]在IR反射層IR或IR反射基底之上跟隨有吸收層A，其在該實(shí)施例中由化學(xué)計(jì)量的CrN構(gòu)成的子層A’和由例如x=l.8且y=0.1的CrOxNy構(gòu)成的子層A’ ’構(gòu)成。
[0036]在吸收層A上沉積有一個(gè)、可選地多個(gè)抗反射且保護(hù)性的、組成為SixTihOyCzHa覆蓋層DS，其中有利地、然而非限制性地χ=(λ 9，y=l.6，z=0.4且a=0.8。
[0037]在圖3中示出了一種被用于借助于PECVD沉積覆蓋層且布置在真空腔(未示出)內(nèi)的裝置。
[0038]為了處理，基底S借助于在基底S之下具有彼此相繼的輥?zhàn)?0的輸送裝置在輸送方向31上通過(guò)該裝置被輸送且在此被處理?；譙處在地電位上且關(guān)于配對(duì)電極33充當(dāng)基底電極32。
[0039]另外，該裝置包括為了產(chǎn)生在基底S上的磁控放電的呈環(huán)狀的第一等離子區(qū)35所用的磁系統(tǒng)34。為了該目的，磁系統(tǒng)34包括中間的北極N，其被南極S環(huán)狀地包圍。經(jīng)由這些極構(gòu)造成自身封閉的磁通道，其磁場(chǎng)線36通過(guò)虛線示出。[0040]在基底S上在所述第一磁系統(tǒng)34的區(qū)域中布置有呈槽形的朝向基底S敞開(kāi)的陽(yáng)極箱37。陽(yáng)極箱37包括布置在其內(nèi)部中的與陽(yáng)極箱37電氣相連接的配對(duì)電極33，該配對(duì)電極環(huán)繞地且以若干角度偏差地平行于陽(yáng)極箱37的側(cè)壁延伸。配對(duì)電極33不間斷地包圍通過(guò)在基底S上的第一等離子區(qū)35構(gòu)成的處理區(qū)域。陽(yáng)極箱37與電源39連接，并且因而配對(duì)電極33與電源39相連接，兩者處在正的高壓電勢(shì)上，從而使得配對(duì)電極33充當(dāng)陽(yáng)極，而在該實(shí)施例中充當(dāng)基底電極32的基底S充當(dāng)?shù)入x子放電的陰極。
[0041]陽(yáng)極箱37的外側(cè)被同樣呈槽形的屏蔽箱40包裹。屏蔽箱40相對(duì)陽(yáng)極箱37的距離總是小于在工作氣體的優(yōu)勢(shì)的過(guò)程壓力的情況下出現(xiàn)的暗場(chǎng)長(zhǎng)度。屏蔽箱40以若干厘米的距離布置在基底S之上且通過(guò)隔板41朝向基底封閉。
[0042]在隔板41上在其朝向上述等離子區(qū)35指向的邊緣處布置有氣體入口 42，其用于反供應(yīng)應(yīng)氣體例如氧氣且具有大量在基底寬度上分布的呈噴嘴狀的出口。這些出口指向基底S的方向，從而使得反應(yīng)氣體(通過(guò)箭頭示出)流動(dòng)至基底S且通過(guò)等離子區(qū)35。
[0043]在陽(yáng)極箱37的內(nèi)部中構(gòu)造有用于過(guò)程的工作氣體(例如氬)的軸向布置的另外的氣體入口 42，其出口在擋板43之上通入。擋板43處在配對(duì)電極33上方靠近陽(yáng)極箱37的壁處且基本平行于基底S，從而使得流入的工作氣體(通過(guò)箭頭示出)側(cè)向在配對(duì)電極33的方向上分布且被提供給該過(guò)程。
[0044]在隔板41與基底S之間的縫隙中布置有吸取裝置44，其包括多個(gè)呈薄片狀構(gòu)造成的大致上平行于隔板41且平行于基底S延伸的導(dǎo)板。
[0045]屏蔽箱40、隔板41、吸取裝置44的薄片和擋板43處在地電位上。備選地，這些構(gòu)件也可浮動(dòng)地構(gòu)造。
[0046]附圖標(biāo)記列表
[0047]S基底
[0048]GS 硬質(zhì)材料層和/或平整層
[0049]HS增附層
[0050]RS反射層
[0051]DS、DS’、DS’’ 覆蓋層
[0052]ZS中間層
[0053]IRIR 反射層[0054]AS吸收層
[0055]AS’、AS’’ 吸收層的子層
[0056]30輥?zhàn)?br> [0057]31輸送方向
[0058]32基底電極
[0059]33配對(duì)電極
[0060]34磁系統(tǒng)
[0061]35等離子區(qū)
[0062]36磁場(chǎng)線
[0063]37陽(yáng)極箱
[0064]39電源
[0065]40屏蔽箱
[0066]41隔板 [0067]42氣體入口
[0068]43擋板
[0069]44吸取裝置
【權(quán)利要求】
1.起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)布置在基底(S)上并且包括至少帶有功能層的功能層排列以及布置在所述功能層排列上的覆蓋層排列，該覆蓋層排列帶有至少一個(gè)由含有硅和氧的介電材料構(gòu)成的覆蓋層(DS、DS’、DS’’)，其特征在于，所述覆蓋層(DS、DS’、DS’’)含有硅、鈦、氧、碳以及可選地含有氫作為主要的組成部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述層系統(tǒng)是太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)，所述太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)在所述功能層排列中包括吸收層(AS)并且所述太陽(yáng)能吸收器層系統(tǒng)的組成為SixTihOyCzHa的覆蓋層(DS、DS’、DS’ ’)具有0〈x〈l，0.5<y ( 2，O < z < 2且0〈=a〈=2Xz的化學(xué)計(jì)量參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述吸收層(AS)具有組成為CrOx或CrNx或CrOxNy或者組成為TiOx或TiNx或TiOxNy的至少一個(gè)子層(AS’、AS’ ’)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述層系統(tǒng)是鏡層系統(tǒng)，所述鏡層系統(tǒng)在所述功能層排列中包括金屬反射層(RS)并且所述鏡層系統(tǒng)的組成為SixTihOyCzHa 的覆蓋層(DS、DS’、DS’ ’)具有 0〈x〈l，l〈y ≤ 2，0 ≤ z ≤ 2 且 0〈=a〈=2Xz 的化學(xué)計(jì)量參數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述覆蓋層排列包括至少一個(gè)低折射的透明層，所述低折射的透明層在550nm波長(zhǎng)的情況下具有小于1.6的折射率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述低折射的透明層是帶有0.5<xn<l, Kyn≤2且O≤zn≤2的化學(xué)計(jì)量參數(shù)的SixnTihnOynCznHan組成的覆蓋層(DS、DS，、DS，’)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述覆蓋層排列在所述低折射的層之上包括高折射的透明層，所述高折射的透明層在550nm波長(zhǎng)情況下具有大于1.9的折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)，其特征在于，所述高折射的透明層是帶有0〈xh〈0.5，Kyh≤2且O≤zh≤2的化學(xué)計(jì)量參數(shù)的SixhTihhOyhCzhHah的組成的覆蓋層(DS、DS，、DS’ ’)。
9.用于制造根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的起光學(xué)作用的層系統(tǒng)的方法，其中，所述層系統(tǒng)的層相繼地在基底(S)上通過(guò)PVD和/或CVD制成并且組成為SixTihOyCzHa的覆蓋層(DS、DS’、DS’ ’)通過(guò) PECVD 制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造起光學(xué)作用的層系統(tǒng)的方法，其特征在于，為了所述覆蓋層(DS、DS’、DS’’)的等離子產(chǎn)生，使用至少一個(gè)含有鈦的電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的用于制造起光學(xué)作用的層系統(tǒng)的方法，其特征在于，至少一個(gè)含鈦的前體被供應(yīng)給用于制造所述覆蓋層(DS、DS’、DS’ ’)的PECVD過(guò)程。
【文檔編號(hào)】C23C16/30GK103882405SQ201310713524
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月20日
【發(fā)明者】卡斯滕·多伊斯, 貝恩特·泰歇特, 約爾格·奈德哈特 申請(qǐng)人:馮·阿德納有限公司