于此所述的實(shí)施方式大體關(guān)于一種用于在化學(xué)機(jī)械拋光工具中使用的部件，其中部件包含設(shè)置在部件的表面上的疏水層。

背景技術(shù)：

本公開(kāi)內(nèi)容大體關(guān)于基板的化學(xué)機(jī)械拋光，且更特定地關(guān)于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備的部件。

集成電路通常通過(guò)連續(xù)沉積導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層或絕緣層而形成在基板(比如硅晶片)上。在每個(gè)層被沉積之后，層被蝕刻以產(chǎn)生電路特征。當(dāng)一系列的層被依序地沉積和蝕刻時(shí)，基板的外表面或最上面的表面(亦即，基板的暴露表面)變得越來(lái)越是非平面的。此非平面的外表面為集成電路制造商帶來(lái)問(wèn)題。因此，存在周期地平坦化基板表面以提供平坦表面的需求。

化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)是平面化的一種可接受的方法。cmp通常包含安裝在承載或拋光頭上的基板。基板的暴露表面接著抵靠旋轉(zhuǎn)拋光墊而被放置。承載頭在基板上提供可控制的負(fù)載(亦即，壓力)，以將基板推抵于拋光墊。此外，承載頭可旋轉(zhuǎn)，以提供基板與拋光表面之間的額外運(yùn)動(dòng)。

拋光漿料(包含研磨料和至少一種化學(xué)反應(yīng)劑)可被供應(yīng)到拋光墊，以在墊與基板之間的介面處提供研磨化學(xué)溶液。

拋光漿料也可接觸并粘著至cmp工具的部件。隨著時(shí)間的推移，拋光漿料能摩擦部件的表面，從而逐出部件顆粒。這些顆粒的一些可落在拋光墊上，這可導(dǎo)致刮傷基板。刮痕可能導(dǎo)致基板缺陷，在拋光完成的器件時(shí)，此導(dǎo)致性能下降。此外，漿料顆?？砷_(kāi)始磨損漿料所接觸的cmp工具的部件。因此，這些部分的壽命縮短，且部件需要被更快地替換。

因此，存在對(duì)用于在cmp工具中使用的改進(jìn)的部件的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一個(gè)實(shí)施方式中，于此揭露用于cmp工具的部件。所述部件包含：主體，具有當(dāng)cmp工具拋光基板時(shí)將被暴露至拋光流體的表面；及疏水層，設(shè)置在主體的所述表面上。所述疏水層具有至少90°的流體接觸角。

在另一實(shí)施方式中，于此揭露用于cmp工具的部件。所述部件包含環(huán)形主體和疏水層。所述環(huán)形主體由下側(cè)和上側(cè)而界定。下側(cè)包含下邊緣、上邊緣、具有外徑的外表面、具有內(nèi)徑的內(nèi)表面和第一疏水層。上邊緣朝向上側(cè)延伸。內(nèi)徑小于外徑。外表面和內(nèi)表面繞中心軸而同軸。第一疏水層設(shè)置在下側(cè)的內(nèi)表面上。當(dāng)流體接觸下側(cè)的內(nèi)表面的一部分時(shí)，第一疏水層具有至少90°的接觸角。上側(cè)包含下邊緣、上邊緣和具有外徑的外表面、具有內(nèi)徑的內(nèi)表面和第二疏水層。下邊緣整合于下側(cè)的上邊緣。上側(cè)的上邊緣從上表面的內(nèi)邊緣以向上的方向徑向地向內(nèi)延伸。上側(cè)的外徑小于下側(cè)的外徑。上側(cè)的內(nèi)徑小于下側(cè)的內(nèi)徑。當(dāng)流體接觸上側(cè)的內(nèi)表面的一部分時(shí)，第二疏水層具有至少90°的接觸角。

在又一實(shí)施方式中，于此揭露cmp工具中的部件。所述部件包含盤(pán)形主體和沉積在盤(pán)形主體上的疏水層。盤(pán)形主體具有頂表面、底表面、外壁、內(nèi)壁和凸耳(ledge)。底表面實(shí)質(zhì)上平行于頂表面。外壁垂直于底表面。外壁包含外徑、第一端和第二端。外壁的第一端整合于底表面。第二端與第一端相對(duì)。內(nèi)壁垂直于頂表面。內(nèi)壁包含內(nèi)徑、第一端和第二端。內(nèi)徑小于外徑。內(nèi)壁的第二端整合于頂表面。凸耳由外壁和內(nèi)壁而界定。凸耳垂直于外壁和內(nèi)壁。凸耳具有第一端和第二端。凸耳的第一端整合至外壁的第二端。凸耳的第二端從凸耳的第一端徑向地向內(nèi)。凸耳的第二端一體地連接于另一壁的第一端。外壁的第二端從外壁的第一端朝向頂表面徑向地向內(nèi)。當(dāng)流體接觸盤(pán)形主體的一部分時(shí)，疏水層具有至少90°的接觸角。

附圖說(shuō)明

為使本公開(kāi)內(nèi)容的上述所載的特征可被詳細(xì)理解，可通過(guò)參照實(shí)施方式(一些實(shí)施方式顯示于附圖中)而獲得以上簡(jiǎn)要概述的本公開(kāi)內(nèi)容的更特定的描述。然而，應(yīng)注意附圖僅顯示本公開(kāi)內(nèi)容的典型實(shí)施方式，且因此不被視為限制本公開(kāi)內(nèi)容的范圍，因?yàn)楸竟_(kāi)內(nèi)容可采用其他均等有效物。

圖1顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的用于拋光基板的化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工具的俯視圖。

圖2a顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的不具有沉積于上的疏水層的cmp工具部件的一部分的側(cè)視圖。

圖2b顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的具有沉積于上的疏水層的cmp工具部件的一部分的側(cè)視圖。

圖2c顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的相較于圖2b中所示的沉積于cmp工具部件上的疏水層具有較厚的疏水層的cmp工具部件的一部分的側(cè)視圖。

圖3顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的具有沉積于上的疏水層的防濺蓋的側(cè)視圖。

圖4顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的具有沉積于上的疏水層的承載蓋的側(cè)視圖。

圖5顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的具有沉積于上的疏水層的拋光流體輸送臂的側(cè)視圖。

圖6顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的具有沉積于上的疏水層的拋光設(shè)備的一部分的一個(gè)實(shí)施方式的側(cè)視圖。

圖7顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的具有沉積于上的疏水層的cmp工具的墊調(diào)節(jié)臂的側(cè)視圖。

為幫助理解，已盡可能使用相同的元件符號(hào)來(lái)表示各圖共用的相同元件。可預(yù)期在一個(gè)實(shí)施方式中揭露的元件可被有利地使用于其它實(shí)施方式上而無(wú)需具體地載明。

具體實(shí)施方式

在本文中根據(jù)cmp工具的部件描述本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式。

圖1顯示用于拋光基板(未圖示)的傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工具100。cmp工具100可包含基座101?；?01包含托架102和多個(gè)站108。托架102置中地設(shè)置在基座101上。托架102可包含多個(gè)臂110，每個(gè)臂支撐拋光頭112。臂110從托架102延伸出且在每個(gè)站108上方。拋光頭112被大體支撐在站108的上方。拋光頭112包含凹陷(圖未示)，所述凹陷被配置為在拋光期間保持基板。站108可以是(例如)傳送站113或拋光站111。描繪在圖1中的兩個(gè)臂110以虛線(xiàn)顯示，使得第一站108的拋光站111和傳送站113可被顯示。托架102是可轉(zhuǎn)位的(indexable)，使得拋光頭112可被移動(dòng)于拋光站111和傳送站113之間。

調(diào)節(jié)裝置134可被設(shè)置在底座101上而鄰近于每個(gè)拋光站111。調(diào)節(jié)裝置134可被用以周期地調(diào)節(jié)拋光站111的拋光表面，以保持均勻的拋光結(jié)果。

每個(gè)拋光站111具有流體輸送臂109。流體輸送臂109輸送拋光流體至拋光站111的拋光表面，使得基板可被拋光。當(dāng)流體被輸送到拋光站111時(shí)，拋光流體可與cmp工具的部件相接觸。若漿料被用作拋光流體，則漿料顆粒粘著至cmp工具的不同部件。隨著時(shí)間的推移，拋光漿料可擦過(guò)部件的表面，從而逐出部件顆粒。這些顆粒的一些可能會(huì)落到拋光表面上，且潛在地成為被拋光的基板上的刮痕的來(lái)源。這些刮痕可能會(huì)導(dǎo)致不良的器件性能和高的缺陷。此外，漿料顆?？赡荛_(kāi)始磨損cmp工具的那些部件。因此，存在對(duì)限制流體與cmp工具的部件之間的接觸的需求，使得部件的磨損被延遲且壽命被延長(zhǎng)。

圖2a-2c比較具有和不具有施加到cmp工具部件的外部上的疏水層的cmp工具部件。

圖2a顯示外部表面上不具有疏水層的cmp工具部件的一部分。流體接觸cmp工具部件的表面的角被稱(chēng)為接觸角。接觸角由粘著(adhesive)表面和粘聚(cohesive)表面之間的組合(resultant)而確定。當(dāng)流體如圖2a中所示接觸不具有疏水層的cmp工具部件的部分的表面時(shí)，流體與cmp工具部件之間的接觸角206是約60°。具有高潤(rùn)濕度和小于90°的接觸角的表面被稱(chēng)為親水表面。表面的潤(rùn)濕的度量是與接觸角負(fù)相關(guān)的。流體與cmp工具部件之間的低接觸角顯示cmp工具具有高潤(rùn)濕度。高潤(rùn)濕度導(dǎo)致更多的漿料顆粒粘著在cmp工具部件的外部表面。與cmp工具部件的更多漿料接觸增加從cmp工具部件逐出一些表面顆粒的可能性。此些被逐出的部件顆粒將落到拋光站的拋光表面上并刮傷基板。

在圖2b-2c中所示的cmp工具部件具有設(shè)置在部件的外部表面的疏水層。疏水層可為以疏水劑的溶液、乳液或較不常見(jiàn)的蒸氣處理材料而得的漆膜或單分子層(吸附的約一個(gè)分子厚的定向?qū)?的形式，所述疏水劑為與水互作用微弱但將自身附著至表面的物質(zhì)。疏水層可使用在等離子體腔室中實(shí)施的等離子體處理而被沉積在cmp工具部件上。所述等離子體處理利用不昂貴且消耗最少氣體的低壓等離子體系統(tǒng)。在疏水沉積工藝中，單體被引入到腔室中并彼此發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以形成聚合物。這些聚合物接著沉積成疏水層至所處理的部件上。被引入到腔室中的單體可為(例如)六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane)、十七氟癸基三甲氧基硅烷(heptadecafluorodecyltrimethoxysilane)、聚(四氟乙烯)(poly(tetrafluoroethylene))、聚(丙烯)(poly(propylene))、十八烷基二甲基氯硅烷(octadecyldimethylchlorosilane)、十八烷基三氯硅烷(octadecyltrichlorosilane)、三(三甲基硅氧基)甲硅烷基乙基-二甲基氯硅烷(tris(trimethylsiloxy)silylethyl-dimethylchlorosilane)、辛基二甲基氯硅烷(octyldimethylchlorosilane)，或二甲基二氯硅烷(dimethyldichlorosilane)。

流體與表面之間的接觸角可使用不同的技術(shù)來(lái)測(cè)量。例如，一種技術(shù)包含將樣品(在此例為cmp工具的部件)放在平坦表面上。接著用移液管將固定體積的水或漿料溶液分散到部件上。當(dāng)液滴位于設(shè)置在部件的外部的疏水層上時(shí)，拍攝布置在層上的液滴的照片。液滴與表面之間的角可被測(cè)量，以確定接觸角。

疏水層的接觸角也可使用vcmaoptima分析器確定。vcmaoptima分析器利用精密相機(jī)和先進(jìn)的pc技術(shù)，以捕獲液滴的靜態(tài)或動(dòng)態(tài)影像，并確定作為接觸角測(cè)量的基礎(chǔ)的切線(xiàn)。手動(dòng)或自動(dòng)注射器可分配測(cè)試液體。計(jì)算機(jī)化的測(cè)量消除在測(cè)量接觸角時(shí)的人為誤差因素。動(dòng)態(tài)影像可被捕獲，以用于時(shí)間敏感分析。

回頭參照?qǐng)D2a，圖2a描繪不具有疏水層的傳統(tǒng)cmp工具部件200上的流體的液滴202。液滴的接觸角206是約60°。低的接觸角代表部件200的表面的高潤(rùn)濕度，此可隨著時(shí)間的推移而導(dǎo)致部件200磨損。因此，cmp工具部件200的壽命非所欲地短。

圖2b描繪具有設(shè)置在部件200的頂表面上的疏水層204的cmp工具部件200。疏水層204可通過(guò)等離子體處理或其它適當(dāng)?shù)姆椒ǘ皇┘拥讲考?00。設(shè)置在cmp工具部件200的疏水層204上的流體的液滴202具有接觸角212。疏水層204具有比不具有疏水層的傳統(tǒng)的cmp工具100的表面的接觸角高的接觸角212。形成在液滴202與部件200上的疏水層204之間的接觸角212是至少90°。較高的接觸角212(圖2b中所示)代表表面實(shí)質(zhì)較低的潤(rùn)濕。因此，液滴202容易地滑離部件200的表面，而非潤(rùn)濕cmp工具部件200。因此，部件200的磨損將實(shí)質(zhì)地較小，因此增加部件200的壽命。另外，若拋光流體是漿料，實(shí)質(zhì)上較小的潤(rùn)濕導(dǎo)致較少的漿料顆粒粘著到部件200。較少的漿料顆粒粘著到部件200降低漿料顆粒逐出cmp工具部件的表面顆粒且最終落到拋光站的可能性。

圖2c描繪具有比圖2b中所示的疏水層204更厚的疏水層208的cmp工具部件200。疏水層208的厚度可通過(guò)部件200被暴露于疏水層沉積工藝的時(shí)間而控制。cmp工具部件200被暴露于疏水層沉積工藝工藝越久，疏水層208越厚。疏水層的厚度可為從400nm至1600nm的范圍。當(dāng)疏水層208的厚度增加時(shí)，在疏水層與流體之間形成的接觸角增大。當(dāng)接觸角增大時(shí)，潤(rùn)濕度降低。因此，疏水層越厚，其上形成疏水層的表面的潤(rùn)濕度越低。較厚的疏水層208具有在液滴202與部件200之間的約140°的接觸角214。此導(dǎo)致低潤(rùn)濕度。因此，液滴202容易地滑離部件200的表面，而非潤(rùn)濕cmp工具部件200。因此，部件200的磨損將實(shí)質(zhì)地較小，因此增加部件200的壽命。另外，若拋光流體是漿料，實(shí)質(zhì)上較小的潤(rùn)濕導(dǎo)致較少的漿料顆粒粘著到部件200。較少的漿料顆粒粘著到部件200降低漿料顆粒落到拋光站的可能性。

圖3以cmp工具300的防濺蓋302的形式描繪cmp工具部件的一部分的截面圖。只有一拋光站304顯示于圖3中。工具300被配置成與圖1中所述的工具100實(shí)質(zhì)相同，除了工具300的一或多個(gè)部件具有疏水涂層。防濺蓋302包圍拋光站304。防濺蓋302用于阻擋拋光流體從拋光站304旋轉(zhuǎn)飛出且涂布cmp工具300的其他區(qū)域。防濺蓋302包含主體301和設(shè)置在主體301上的疏水層324。主體301具有上側(cè)306和下側(cè)308。下側(cè)308包含下邊緣310、上邊緣312、外表面314和內(nèi)表面316。上邊緣312相對(duì)于下邊緣310，并在向上和向內(nèi)方向上朝上側(cè)306延伸。外表面314具有外徑318。內(nèi)表面316具有內(nèi)徑320。內(nèi)徑320小于外徑318。外表面314和內(nèi)表面316繞中心軸而同軸。

上側(cè)306包含下邊緣340、上邊緣342、外表面344和內(nèi)表面346。上邊緣342從上側(cè)306的下邊緣340在向上方向上徑向地向內(nèi)延伸。上側(cè)306的下邊緣340整合于下側(cè)308的上邊緣312，以形成連續(xù)的防濺蓋302。外表面344具有外徑348。上側(cè)306的外徑348小于下側(cè)308的外徑318。內(nèi)表面346具有內(nèi)徑350。上側(cè)306的內(nèi)徑350小于下側(cè)308的內(nèi)徑320和上側(cè)306的外徑348兩者。

在防濺蓋302之下可為槽322。槽322收集通過(guò)防濺罩302的曲率而被向下導(dǎo)引的過(guò)量的流體或漿料。

接觸防濺蓋302的流體可包含從基板移除的材料、來(lái)自?huà)伖獗砻娴牟牧?、磨料顆?；蚧瘜W(xué)試劑(諸如氫氧化鈉)或去離子水。沉積在防濺蓋302的主體301上的疏水層324防止磨損和粘著的顆粒。在一個(gè)實(shí)施方式中，疏水層324可被放置于下側(cè)308的內(nèi)表面316和上側(cè)306的內(nèi)表面346上。疏水層324通過(guò)延遲磨損而延長(zhǎng)防濺蓋302的壽命。疏水層324的存在導(dǎo)致較少地潤(rùn)濕承載防濺蓋302。因此，拋光流體將容易地滑離防濺蓋302的表面，而非潤(rùn)濕防濺蓋。因此，防濺蓋302的磨損將實(shí)質(zhì)地較小，因此增加防濺蓋302的壽命。另外，若拋光流體是漿料，實(shí)質(zhì)上較小的潤(rùn)濕導(dǎo)致較少的漿料顆粒粘著到防濺蓋302。較少的漿料顆粒粘著到防濺蓋302降低漿料顆粒從防濺蓋的表面逐出顆粒且落到拋光站的可能性。

圖4以承載頭組件400的形式描繪cmp工具部件的一個(gè)實(shí)施方式的截面圖。承載頭組件400包含承載頭401、保持環(huán)426、承載蓋403和隔膜409。承載頭401包含主體411。主體411具有暴露的上表面402、底表面404、內(nèi)壁406和外壁408。上表面402實(shí)質(zhì)平行于底表面404。內(nèi)壁406還包含第一端436、第二端446和內(nèi)徑410。外壁408還包含第一端438、第二端448和外徑412。外徑412大于內(nèi)徑410。凸耳414在內(nèi)徑410與外徑412之間而形成于承載蓋403中。凸耳414實(shí)質(zhì)平行于上表面402和底表面404兩者。凸耳414可相對(duì)于外徑412成90°角。隔膜409被布置在承載頭401的底表面之下，并由保持環(huán)426而環(huán)繞。當(dāng)承載頭401拾取基板以移動(dòng)基板于各站(未圖示)之間時(shí)，隔膜409提供用于基板(未圖示)的安裝表面。

承載蓋403包含主體413和設(shè)置在主體413上的疏水層425。主體413被配置為配合在承載頭之上，使得暴露的上表面402、凸耳414、壁406、408被覆蓋。承載蓋403在拋光期間被暴露至拋光流體。被輸送到拋光站的拋光流體可接觸承載蓋403及/或承載頭401。拋光流體可為包含磨料顆?；蚧瘜W(xué)試劑(諸如氫氧化鈉)的漿料，或可為去離子水。疏水層425通過(guò)延遲磨損而延長(zhǎng)這些部件的壽命。疏水層425的存在導(dǎo)致實(shí)質(zhì)較少地潤(rùn)濕承載頭401和承載蓋403。因此，拋光流體將容易地滑離承載頭401和承載蓋403的表面，而非潤(rùn)濕承載頭401和承載蓋403。因此，承載頭401和承載蓋403的磨損將實(shí)質(zhì)地較小，因此增加承載頭401和承載蓋403的壽命。另外，若拋光流體是漿料，那么實(shí)質(zhì)上較小的潤(rùn)濕導(dǎo)致較少的漿料顆粒粘著到承載頭401和承載蓋403。較少的漿料顆粒粘著到承載頭401和承載蓋403降低漿料顆粒從部件的表面逐出顆粒且落到拋光站的可能性。

圖5以?huà)伖饬黧w輸送臂組件500的形式顯示cmp工具部件的側(cè)視圖。拋光流體輸送臂組件500包含流體輸送臂503、底座構(gòu)件502、噴嘴504和流體輸送軟管(未圖示)。流體輸送臂503包含主體501和設(shè)置在主體501上的疏水層508。主體501包含頂部細(xì)長(zhǎng)表面506、第一橫向側(cè)510、與第一橫向側(cè)510相對(duì)的第二橫向側(cè)512、底部514、第一端580和第二端582。第一端580被耦接到底座構(gòu)件502。細(xì)長(zhǎng)表面506從第一端580延伸到第二端582。第二端582延伸出并懸在拋光站(未圖示)上。噴嘴504位于主體501的底部514上。噴嘴504提供拋光流體至基板(未圖示)的表面。流體輸送軟管將拋光流體帶至噴嘴504，以分散至拋光表面上，基板在拋光表面上被拋光。

整個(gè)主體501可被覆蓋有疏水層508。替代地，第一橫向側(cè)510、相對(duì)的第二橫向側(cè)512、頂部細(xì)長(zhǎng)表面506、或底部514的至少一個(gè)可被覆蓋有疏水層508。當(dāng)拋光基板時(shí)，噴嘴504提供拋光流體至拋光站111的拋光表面，此時(shí)拋光流體可接觸流體輸送臂503。疏水層508的存在導(dǎo)致實(shí)質(zhì)較少地潤(rùn)濕流體輸送臂503。因此，拋光流體將容易地滑離流體輸送臂503的表面，而非潤(rùn)濕cmp工具的流體輸送臂503。因此，流體輸送臂503的磨損將實(shí)質(zhì)地較小，因此增加流體輸送臂503的壽命。另外，若拋光流體是漿料，則實(shí)質(zhì)上較小的潤(rùn)濕導(dǎo)致較少的漿料顆粒粘著到流體輸送臂503。較少的漿料顆粒粘著到流體輸送臂503降低漿料顆粒從部件的表面逐出顆粒且落到拋光站并刮傷基板的可能性。因此，有較高的器件品質(zhì)和產(chǎn)率。

圖6描繪用于拋光基板610的拋光設(shè)備組件600的一部分的一個(gè)實(shí)施方式。拋光設(shè)備組件600的一部分包含托架602、多個(gè)臂612、臂蓋621和拋光頭606。每個(gè)臂612具有主體613。主體613包含第一端614和第二端616。主體613的第一端614被耦接到托架602。主體613的第二端616從托架602延伸且在拋光站(未示出)之上。主體613的第二端616被耦接到拋光頭606。

拋光頭606包含主體607和設(shè)置在主體607上的疏水層604。凹陷608形成在主體607中。拋光頭606將基板610保持在面向拋光站的凹陷608中。拋光頭606可在處理期間將基板610壓抵于拋光材料(未圖示)。當(dāng)將基板610壓抵于拋光材料時(shí)，拋光頭606可為靜止的或可旋轉(zhuǎn)、隔離、依軌道地移動(dòng)、線(xiàn)性地移動(dòng)或以多個(gè)動(dòng)作的組合移動(dòng)。

臂蓋621可從第一端614到第二端616被放置在臂612的上方。臂蓋621可進(jìn)一步保護(hù)臂612免受流體的侵害。臂蓋621包含具有設(shè)置于其上的疏水層604的主體619。主體619具有第一端680和第二端682。主體619的寬度比臂612的寬度稍寬，且主體619的長(zhǎng)度比臂612的長(zhǎng)度稍長(zhǎng)，使得所述臂蓋621可被裝配在臂612的上方。在拋光頭606和臂蓋621上的疏水層604的存在導(dǎo)致實(shí)質(zhì)較少地潤(rùn)濕臂蓋621和拋光頭606。因此，拋光流體將容易地滑離拋光頭606和拋光頭606的臂蓋621和臂蓋621，而非潤(rùn)濕cmp工具的拋光頭606和臂蓋621。因此，拋光頭606和臂蓋621的磨損將實(shí)質(zhì)地較小，因此增加拋光頭606和臂蓋621的壽命。另外，若拋光流體是漿料，則實(shí)質(zhì)上較小的潤(rùn)濕導(dǎo)致較少的漿料顆粒粘著到拋光頭606和臂蓋621。較少的漿料顆粒粘著到拋光頭606和臂蓋621降低漿料顆粒從部件的表面逐出顆粒且落到拋光站上并刮傷基板的可能性。因此，疏水層導(dǎo)致較高的器件品質(zhì)和產(chǎn)率。

圖7是墊調(diào)節(jié)臂組件700的形式的cmp工具部件的側(cè)視圖。墊調(diào)節(jié)臂組件700包含具有底座702、墊調(diào)節(jié)臂704和調(diào)節(jié)器頭706的主體701。墊調(diào)節(jié)臂704具有與底座702耦接的第一端720及耦接到調(diào)節(jié)器頭706的第二端722。調(diào)節(jié)器頭706進(jìn)一步包含主體703。主體703具有設(shè)置在主體703上的疏水層714。主體703可被耦接到可旋轉(zhuǎn)和可垂直移動(dòng)的終端受動(dòng)器710，終端受動(dòng)器710固持調(diào)節(jié)盤(pán)712。調(diào)節(jié)盤(pán)712具有鑲嵌有金剛石磨料的底表面，金剛石磨料可摩擦抵住拋光墊的表面，以再紋理化(retexture)墊。調(diào)節(jié)盤(pán)712可通過(guò)磁體(未圖示)或機(jī)械緊固件(未圖示)而被固持在終端受動(dòng)器710中。萬(wàn)向機(jī)構(gòu)(未圖示)可被耦接在終端受動(dòng)器710與調(diào)節(jié)器頭706之間，萬(wàn)向機(jī)構(gòu)允許終端受動(dòng)器710相對(duì)于墊調(diào)節(jié)臂704以一角度而傾斜。

終端受動(dòng)器710的垂直運(yùn)動(dòng)和調(diào)節(jié)盤(pán)712的壓力的控制可通過(guò)在調(diào)節(jié)器頭706中的垂直致動(dòng)器(未圖示)而提供，所述垂直致動(dòng)器比如經(jīng)定位以施加向下的壓力到終端受動(dòng)器710的增壓室708。

在拋光工藝期間，墊調(diào)節(jié)臂組件700的部件容易與所使用的流體或漿料接觸。隨著時(shí)間的推移，與流體或漿料的連續(xù)接觸可能導(dǎo)致這些部件的磨損。疏水層714的存在導(dǎo)致實(shí)質(zhì)較少地潤(rùn)濕臂704和墊調(diào)節(jié)器頭706。因此，拋光流體將容易地滑離拋光墊調(diào)節(jié)臂704和調(diào)節(jié)器頭706的表面，而非潤(rùn)濕拋光墊調(diào)節(jié)臂704和調(diào)節(jié)器頭706。因此，拋光墊調(diào)節(jié)臂704和調(diào)節(jié)器頭706的磨損將實(shí)質(zhì)地較小，因此增加拋光墊調(diào)節(jié)臂704和調(diào)節(jié)器頭706的壽命。另外，若拋光流體是漿料，則實(shí)質(zhì)上較小的潤(rùn)濕導(dǎo)致較少的漿料顆粒粘著到拋光墊調(diào)節(jié)臂704和調(diào)節(jié)器頭706。較少的漿料顆粒粘著到拋光墊調(diào)節(jié)臂704和調(diào)節(jié)器頭706降低漿料顆粒從部件的表面逐出顆粒且落到拋光站上并刮傷基板的可能性。因此，有較高的器件品質(zhì)和產(chǎn)率。

通過(guò)在cmp工具的部件上沉積疏水層，部件的磨損被延遲且這些部件的壽命增加。

雖然前面部分是關(guān)于本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方式，但可設(shè)計(jì)本公開(kāi)內(nèi)容的其他和進(jìn)一步的實(shí)施方式而不背離本公開(kāi)內(nèi)容的基本范圍，且本公開(kāi)內(nèi)容的范圍由隨附的權(quán)利要求而確定。