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      調節(jié)光學元件邊緣區(qū)域壓強分布的拋光組件的制作方法

      文檔序號:12555148閱讀:532來源:國知局
      調節(jié)光學元件邊緣區(qū)域壓強分布的拋光組件的制作方法與工藝

      本發(fā)明涉及光學加工技術領域,涉及計算機控制光學表面成形技術領域,尤其是一種調節(jié)光學元件邊緣區(qū)域壓強分布的拋光組件。



      背景技術:

      計算機控制表面成形技術(Computer Controlled Optical Surfacing,CCOS)是上個世紀七十年代發(fā)展起來的一種確定性拋光技術,目前已成為非球面光學元件加工的主流技術。在計算機的控制下,一個直徑遠小于工件表面尺寸的拋光盤(俗稱小磨頭)按照計算的運動軌跡和行進速度在工件表面進行掃描加工。這種技術具有許多傳統(tǒng)拋光技術所不具備的優(yōu)點,如確定性好、拋光效率高和能加工大口徑復雜表面等;然而,它也存在一些問題或不足之處,如邊緣效應問題和中頻誤差問題。

      邊緣效應問題對CCOS的面形精度和加工效率有較大影響,也是該領域的重要研究問題。邊緣效應產(chǎn)生的主要原因是:1)拋光盤無法完全移出工件表面;2)拋光盤部分懸空使工件表面邊緣區(qū)域的壓強分布發(fā)生變化。傳統(tǒng)解決途徑是通過墊塊來拓展工件邊緣,以確保拋光盤可以完全移出工件表面,從而抑制邊緣效應。該方法對墊塊的形狀和材料特性都有較高要求,因而很難實際應用到CCOS中。針對CCOS或小工具拋光的情況,有學者提出了邊緣區(qū)域去除函數(shù)的參數(shù)化模型,也有學者提出了基于有限元分析的邊緣區(qū)域壓強分布模型,這些模型都在一定范圍內(nèi)能夠較準確地預測邊緣區(qū)域的材料去除量分布。由Preston方程可知,壓強和相對速度是影響材料去除率的主要因素,雖然有研究表明光學元件邊緣區(qū)域的材料去除存在非線性,但是邊緣區(qū)域的壓強分布與材料去除率的非線性關系是確定的,可通過多次實驗獲得。因而,在工件表面邊緣區(qū)域進行小工具拋光過程中,通過調節(jié)壓強分布可改變邊緣區(qū)域材料去除量分布,進而可抑制邊緣效應。

      然而,傳統(tǒng)拋光工具無法對邊緣區(qū)域的壓強分布進行有效調節(jié),因此不能通過調節(jié)壓強分布來抑制邊緣效應。



      技術實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種調節(jié)光學元件邊緣區(qū)域壓強分布的拋光組件,在光學元件邊緣區(qū)域拋光過程中,通過該拋光組件對光學元件邊緣區(qū)域壓強分布進行調節(jié),從而改變邊緣區(qū)域材料去除量分布、達到抑制邊緣效應的效果;另外,借助關節(jié)式輔助施壓機構可有效減小振動幅度,從而提高拋光過程的可確定性。

      本發(fā)明的技術解決方案如下:

      一種調節(jié)光學元件邊緣區(qū)域壓強分布的拋光組件,包括:行星雙轉子氣壓傳動裝置、關節(jié)式輔助施壓機構和拋光盤,其特點在于所述的拋光盤的背面刻有同心圓溝槽,所述的關節(jié)式輔助施壓機構由固定基座、活動關節(jié)和測力計組成,所述的固定基座固定在所述的行星雙轉子氣壓傳動裝置的側壁上,所述的活動關節(jié)的一端與所述的固定基座相連,所述的活動關節(jié)的末端的夾具固定所述的測力計,所述的測力計的探針通過所述的活動關節(jié)定位在所述的拋光盤背面的任一同心圓溝槽內(nèi),從自內(nèi)向外的溝槽數(shù)直接讀出測力計探針與拋光盤的中心的距離,所述的測力計對拋光盤實時施加壓力并顯示所施加壓力的大小。

      所述的活動關節(jié)是手動調節(jié)的關節(jié)機械結構,或計算機控制的關節(jié)式機械臂。

      雙轉子氣壓傳動裝置的作用是:帶動拋光盤進行行星式轉動,當公轉軸與自轉軸同心或重合時,拋光盤只有自轉;對拋光盤施加恒定壓力,使拋光盤與待加工光學表面緊密貼合,一般表面材料去除率與所施加壓力成正比。

      測力計通過活動關節(jié)末端的夾具來固定,它主要用于對拋光盤上表面某個位置施加恒定壓力,同時,測力計實時輸出或顯示所施加壓力的大小。通過所述的同心圓溝槽對測力計探針進行限制定位和測量,從溝槽數(shù)可以直接讀出測力計探針與拋光盤中心或邊緣的距離,同時,在拋光盤進行行星式雙轉子旋轉拋光時,溝槽可限制測力計探針的相對位置。

      本發(fā)明主要有如下有益效果:

      (1)在光學元件邊緣區(qū)域拋光過程中,通過關節(jié)式施壓機構可對邊緣區(qū)域壓強分布進行調節(jié),從而改變邊緣區(qū)域材料去除量分布,可達到抑制邊緣效應的效果;

      (2)拋光盤旋轉過程中由于底部摩擦受力不均勻容易產(chǎn)生機械振動,借助關節(jié)式施壓機構施壓可有效減小振動幅度,因而可提高拋光過程的可確定性。

      附圖說明

      圖1為本發(fā)明調節(jié)光學元件邊緣區(qū)域壓強分布的拋光組件的裝配圖;

      圖2為行星雙轉子氣壓傳動裝置的示意圖;

      圖3為關節(jié)式輔助施壓機構的示意圖;

      圖4為背面刻有同心圓溝槽的拋光盤的示意圖;

      圖5為測力計施壓工作示意圖;

      圖6為有限元分析結果,其中,圖6(a)表示測力計未施壓的情況;圖6(b)、圖6(c)、圖6(d)分別表示測力計在工件邊緣附近、內(nèi)側、外側施壓的情況。

      具體實施方式

      為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白,以下結合具體實施例,并參照附圖,對本發(fā)明進一步詳細說明。

      圖1為本發(fā)明拋光組件裝配示意圖。所述拋光組件主要包括:行星雙轉子氣壓傳動裝置1、關節(jié)式輔助施壓機構2、背面刻有同心圓溝槽的拋光盤3。

      圖2為一個行星雙轉子氣壓傳動裝置的外觀示意圖。此裝置的作用是:1)帶動拋光盤進行行星式轉動,當公轉軸與自轉軸同心或重合時,拋光盤只有自轉;2)對拋光盤施加恒定壓力,使拋光盤與待加工光學表面緊密貼合,一般表面材料去除率與所施加壓力成正比。此裝置屬于常用機械部件。

      圖3為關節(jié)式輔助施壓機構。它的主要作用是在拋光盤背面施加一定的壓力,改變拋光盤與光學表面接觸區(qū)域的壓強分布,從而調節(jié)光學元件邊緣區(qū)域的材料去除量、抑制邊緣效應。關節(jié)式輔助施壓機構由固定基座21、活動關節(jié)22、測力計23三個部分組成。固定基座21的作用是將整個關節(jié)式輔助施壓機構2通過磁力固定到行星雙轉子氣壓傳動裝置1的側壁上,具體布局如圖1所示;活動關節(jié)22的作用是調節(jié)和固定測力計23的位置,保證測力計能在拋光盤3背面任意位置進行施壓;測力計23兼具施壓和測力兩個功能,通過表盤可實時讀取壓力大小。此機構也是常用機械部件。

      圖4為背面刻有同心圓溝槽的拋光盤的示意圖。此拋光盤的特征在于,其背面有如圖4所示的同心圓溝槽31。通過該同心圓溝槽可對測力計探針進行限制定位和測量,從溝槽數(shù)可以直接讀出測力計探針與拋光盤中心或邊緣的距離,同時,在拋光盤進行行星式雙轉子旋轉拋光時,溝槽可限制測力計探針的相對位置。需要注意的是,在邊緣區(qū)域進行拋光時,本發(fā)明優(yōu)選的采用自轉模式,也就是行星雙轉子的公轉軸與自轉軸重合;如果二者不重合,那么還需要拋光過程中測力計需要跟隨公轉運動。注意,考慮到溝槽比較密,很難清楚顯示出來,在其它附圖中省略了同心圓溝槽,實際上所有附圖中拋光盤背面都有同心圓溝槽。

      圖5為測力計施壓的示意圖。測力計施壓位置會直接影響拋光盤與工件表面接觸區(qū)域的壓強分布。

      圖6為有限元分析結果。圖6(a)表示測力計未施壓的情況,圖6(a)、圖6(b)和圖6(c)分別表示測力計在三種不同位置施壓的情況。可以看到,當測力計未施壓時(見圖6(a)),工件表面最邊緣區(qū)域壓強沒有靠工件內(nèi)側區(qū)域壓強大,在實際拋光過程中會造成邊緣突起,即常見的“翹邊”現(xiàn)象;當測力計在工件邊緣附近施壓時(見圖6(b)),工件表面最邊緣區(qū)域壓強與靠工件內(nèi)側區(qū)域壓強很接近,同時,測力計施壓附近區(qū)域的壓強較大;當測力計在工件內(nèi)側施壓時(見圖6(c)),工件內(nèi)側測力計施壓位置附近出現(xiàn)了一塊壓強較大區(qū)域,而整體壓強分布比較均勻;當測力計在工件外側施壓時(見圖6(d)),工件邊緣區(qū)域壓強過大,在實際拋光過程中會造成邊緣往下塌陷,即常見的“塌邊”現(xiàn)象。針對不同的情況,采用不同的施壓條件可以防止邊緣面形惡化。比如,如果工件表面初始面形就有翹邊,那么采用如圖6(d)所示施壓方式可以抑制翹邊;如果工件表面初始面形存在塌邊現(xiàn)象,那么采用圖6(c)所示施壓方式可以防止拋光過程中繼續(xù)塌邊。

      至此,已經(jīng)結合附圖對本發(fā)明進行了詳細描述。依據(jù)以上描述,本領域技術人員應當對本發(fā)明所述拋光組件有了清楚的認識。

      以上所述的具體實施例,對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明,所應理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

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