本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種開口掩膜板、掩膜板及基板。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting，簡(jiǎn)稱OLED)顯示技術(shù)，由于具有自發(fā)光、反應(yīng)速度快、視角廣、成本低、制造工藝簡(jiǎn)單、分辨率高以及亮度高等優(yōu)點(diǎn)，而使得OLED顯示器件受到越來越廣泛的應(yīng)用。

OLED顯示器件的結(jié)構(gòu)包括陽極、發(fā)光層和陰極。其中，發(fā)光層一般通過蒸鍍的方法形成，而用于真空蒸鍍的精細(xì)金屬掩膜板(Fine Metal Mask，簡(jiǎn)稱FMM)是蒸鍍過程中一項(xiàng)非常重要和關(guān)鍵的部件，該部件的質(zhì)量和精度直接影響著蒸鍍形成的發(fā)光層的質(zhì)量，最終影響著OLED顯示器件的良率和質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種開口掩膜板、掩膜板及基板，該掩膜板既可以確保形成膜層的精確度，又可以確保在清洗掩膜板時(shí)，防止清洗藥液和水殘留在掩膜板上。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種開口掩膜板，所述開口掩膜板上設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽的底部設(shè)置有構(gòu)圖區(qū)域限定口，所述第一凹槽的底部還設(shè)置有通孔。

優(yōu)選的，所述開口掩膜板的邊緣區(qū)域還設(shè)置有第二凹槽，所述第二凹槽與所述第一凹槽位于所述開口掩膜板的同一側(cè)，所述第二凹槽的底部設(shè)置有通孔。

優(yōu)選的，所述開口掩膜板包括多個(gè)第一凹槽，每個(gè)所述第一凹槽的底部設(shè)置有一個(gè)所述構(gòu)圖區(qū)域限定口。

優(yōu)選的，所述第一凹槽的形狀為圓形或矩形。

優(yōu)選的，所述第一凹槽的底部和所述第二凹槽的底部設(shè)置有多個(gè)所述通孔。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述通孔為圓形，且所述通孔的直徑為600～800μm。

第二方面，提供一種掩膜板，包括：框架，固定設(shè)置在所述框架上、且相互貼合的開口掩膜板和精細(xì)掩膜板，所述開口掩膜板為上述開口掩膜板；第一凹槽的槽口朝向所述精細(xì)掩膜板，所述框架不遮擋所述開口掩膜板上的通孔。

優(yōu)選的，所述精細(xì)掩膜板包括多個(gè)掩膜條，每個(gè)所述掩膜條對(duì)應(yīng)一列所述第一凹槽；每個(gè)所述掩膜條覆蓋所述第一凹槽；或者，每個(gè)所述掩膜條覆蓋所述構(gòu)圖區(qū)域限定口，且不完全覆蓋所述第一凹槽。

第三方面，提供一種開口掩膜板，所述開口掩膜板上設(shè)置有構(gòu)圖區(qū)域限定口，所述開口掩膜板的邊緣區(qū)域設(shè)置有第二凹槽，所述第二凹槽的底部設(shè)置有通孔。

第四方面，提供一種掩膜板，包括：框架，固定設(shè)置在所述框架上、且相互貼合的開口掩膜板和精細(xì)掩膜板，所述開口掩膜板為上述的開口掩膜板；第二凹槽的槽口朝向所述精細(xì)掩膜板，所述框架不遮擋所述開口掩膜板上的通孔。

優(yōu)選的，所述精細(xì)掩膜板包括多個(gè)掩膜條，所述多個(gè)掩膜條不完全覆蓋所述第二凹槽。

第五方面，提供一種掩膜板，包括：框架，固定設(shè)置在所述框架上、且相互貼合的開口掩膜板和精細(xì)掩膜板，所述開口掩膜板上設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽的底部設(shè)置有構(gòu)圖區(qū)域限定口；所述第一凹槽的槽口朝向所述精細(xì)掩膜板；所述精細(xì)掩膜板包括多個(gè)掩膜條，每個(gè)所述掩膜條對(duì)應(yīng)一列所述第一凹槽，每個(gè)掩膜條覆蓋所述第一凹槽底部的構(gòu)圖區(qū)域限定口，且不完全覆蓋所述第一凹槽。

第六方面，提供一種基板，包括襯底基板和設(shè)置在所述襯底基板上的膜層，所述膜層通過上述的掩膜板形成。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種開口掩膜板、掩膜板及基板，當(dāng)開口掩膜板和精細(xì)掩膜板配合用于形成圖案時(shí)，由于開口掩膜板上的構(gòu)圖區(qū)域限定口的形狀即是要形成圖案區(qū)域的形狀，因而精細(xì)掩膜板上的構(gòu)圖區(qū)域可以設(shè)置成在精細(xì)掩膜板焊接時(shí)不影響精細(xì)掩膜板平坦度的任意形狀，且精細(xì)掩膜板上的圖案覆蓋開口掩膜板的構(gòu)圖區(qū)域限定口，這樣便可以確保利用開口掩膜板和精細(xì)掩膜板配合形成的圖案的精確度。在此基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型實(shí)施例在開口掩膜板的第一凹槽的底部設(shè)置通孔，因而在清洗開口掩膜板和精細(xì)掩膜板配合形成的雙層掩膜板時(shí)，藥液和水可以從通孔中流出，從而避免了藥液和水殘留在第一凹槽內(nèi)，從而確保了形成的圖案的質(zhì)量。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供一種掩膜板的清洗工藝流程示意圖；

圖2(a)為本實(shí)用新型提供的一種開口掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2(b)為本實(shí)用新型提供的一種開口掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖2(c)為圖2(a)的AA`向剖視示意圖；

圖3為本實(shí)用新型提供的一種開口掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖4為本實(shí)用新型提供的一種掩膜板包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖5為本實(shí)用新型提供的一種掩膜板包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖6(a)為本實(shí)用新型提供的一種掩膜板包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖6(b)為本實(shí)用新型提供的一種掩膜板包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖7為本實(shí)用新型提供的一種掩膜板包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖8為本實(shí)用新型提供的一種掩膜板包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖六；

圖9為本實(shí)用新型提供的一種掩膜板包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖七。

附圖標(biāo)記：

01-開口掩膜板；02-精細(xì)掩膜板；03-框架；10-第一凹槽；101-構(gòu)圖區(qū)域限定口；102-通孔；20-第二凹槽。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

現(xiàn)有技術(shù)中，在利用精細(xì)掩膜板進(jìn)行蒸鍍時(shí)，必須將精細(xì)掩膜板焊接在框架上才能放在蒸鍍腔室里面使用。然而，若精細(xì)掩膜板上的構(gòu)圖區(qū)域?yàn)閳A形，在將精細(xì)掩膜板焊接在框架上時(shí)，由于圓形的構(gòu)圖區(qū)域會(huì)受力不均，因而常會(huì)導(dǎo)致精細(xì)掩膜板的構(gòu)圖區(qū)域發(fā)生褶皺，從而影響了精細(xì)掩膜板的平坦度?？紤]到上述問題，因而本實(shí)用新型通過將開口掩膜板和精細(xì)掩膜板配合使用，開口掩膜板上設(shè)置有構(gòu)圖區(qū)域限定口，精細(xì)掩膜板上的圖案與開口掩膜板上的構(gòu)圖區(qū)域限定口對(duì)應(yīng)，這樣精細(xì)掩膜板上的構(gòu)圖區(qū)域可以設(shè)置成任意的形狀，只要不影響精細(xì)掩膜板焊接時(shí)構(gòu)圖區(qū)域的平坦度即可，因而開口掩膜板和精細(xì)掩膜板配合使用，可以確保精細(xì)掩膜板的平坦度，從而可以確保形成的膜層精確度。

在此基礎(chǔ)上，當(dāng)掩膜板包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板時(shí)，一方面，考慮到在使用時(shí)，由于重力的原因，開口掩膜板可能會(huì)向下彎曲，從而導(dǎo)致開口掩膜板上的構(gòu)圖區(qū)域限定口彎曲；另一方面，考慮到在利用掩膜板進(jìn)行蒸鍍時(shí)，構(gòu)圖區(qū)域限定口周圍受到的力可能會(huì)使得構(gòu)圖區(qū)域限定口的形狀發(fā)生變化?；谏鲜鰞蓚€(gè)方面的考慮，本實(shí)用新型實(shí)施例在開口掩膜板上設(shè)置第一凹槽，在第一凹槽的底部設(shè)置構(gòu)圖區(qū)域限定口，這樣一來，第一凹槽不僅可以減小開口掩膜板的重力，而且第一凹槽還可以形成應(yīng)力緩沖區(qū)，防止在蒸鍍時(shí)開口掩膜板上的構(gòu)圖區(qū)域限定口變形。

同理，為了減小開口掩膜板的重力，以及防止將開口掩膜板或精細(xì)掩膜板焊接在框架上時(shí)，開口掩膜板邊緣區(qū)域受力不均，而影響開口掩膜板構(gòu)圖區(qū)域限定口的形狀，因而還可以在開口掩膜板的邊緣區(qū)域設(shè)置第二凹槽，這樣不僅可以減小開口掩膜板的重力，而且還可以形成應(yīng)力緩沖區(qū)，防止將開口掩膜板或精細(xì)掩膜板焊接在框架上時(shí)，開口掩膜板邊緣區(qū)域受力不均。

現(xiàn)有技術(shù)中，掩膜板在蒸鍍循環(huán)使用的過程中會(huì)不斷有蒸鍍材料沉積在掩膜板上，影響掩膜板的使用，因而在每次使用掩膜板進(jìn)行蒸鍍之前都必須對(duì)掩膜板進(jìn)行清洗，清洗后的掩膜板需要干燥處理。通常掩膜板的清洗工藝流程如圖1所示，先利用藥液對(duì)掩膜板進(jìn)行清洗，所選藥液例如可以是N-甲基吡咯烷酮，再進(jìn)行漂洗，例如可以利用去離子水進(jìn)行漂洗，之后，再利用電解液進(jìn)行清洗，電解液例如可以是KOH(氫氧化鉀)，再進(jìn)行漂洗，最后再利用易揮發(fā)液體進(jìn)行清洗，易揮發(fā)液體在揮發(fā)時(shí)可以攜帶掩膜板上的液體并使其蒸發(fā)掉，易揮發(fā)液體例如可以是異丙醇或乙醇等，在完成上述清洗過程后，便可以將掩膜板上的蒸鍍材料清洗掉。

此處，需要說明的是，對(duì)于本實(shí)用新型實(shí)施例提供的包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板的雙層掩膜板，在進(jìn)行蒸鍍之前也必須對(duì)雙層掩膜板進(jìn)行清洗。然而，由于本實(shí)用新型實(shí)施例提供的包括開口掩膜板和精細(xì)掩膜板的雙層掩膜板中開口掩膜板上還設(shè)置有第一凹槽和/或第二凹槽，而精細(xì)掩膜板又貼合在開口掩膜板上，這樣精細(xì)掩膜板便會(huì)擋住第一凹槽和/或第二凹槽的槽口，因而在清洗該掩膜板時(shí)，藥液和水便會(huì)殘留在開口掩膜板中。若藥液和水殘留在雙層掩膜板中，在利用該雙層掩膜板進(jìn)行蒸鍍時(shí)，藥液若揮發(fā)混入有機(jī)材料中，會(huì)大大縮短OLED顯示器件的性能；若水殘留在開口掩膜板中，水以及水中混入的氧氣會(huì)較大地影響OLED顯示器件的壽命，氧氣的滲入使得有機(jī)功能層發(fā)光量子效率明顯下降，氧氣對(duì)有機(jī)發(fā)光層的氧化會(huì)產(chǎn)生羥基化合物，也會(huì)顯著降低有機(jī)功能發(fā)光層的發(fā)光量子效率；而水汽會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電層與有機(jī)化合物水解，使OLED顯示器件的穩(wěn)定性大大降低，這些都會(huì)影響OLED顯示器件的壽命，因此雙層掩膜板必須干燥，避免藥液和水殘留在雙層掩膜板中，影響OLED顯示器件的性能。

基于上述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種開口掩膜板01，如圖2(a)、圖2(b)和圖2(c)所示，開口掩膜板01上設(shè)置有第一凹槽10，第一凹槽10的底部設(shè)置有構(gòu)圖區(qū)域限定口101，第一凹槽10的底部還設(shè)置有通孔102。

需要說明的是，第一，對(duì)于開口掩膜板01上第一凹槽10的形狀、尺寸和數(shù)量不進(jìn)行限定，可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。示例的，第一凹槽10的形狀可以是如圖2(a)所示為矩形，也可以是如圖2(b)所示為圓形。

第二，對(duì)于第一凹槽10的底部設(shè)置的構(gòu)圖區(qū)域限定口101的尺寸和形狀不進(jìn)行限定，具體可以根據(jù)需要形成的圖案區(qū)域的尺寸和形狀進(jìn)行相應(yīng)設(shè)置。示例的，當(dāng)利用開口掩膜板01與精細(xì)掩膜板配合形成手表中的發(fā)光層時(shí)，此時(shí)，構(gòu)圖區(qū)域限定口101的形狀可以為圓形，直徑為40mm。

第三，對(duì)于第一凹槽10的底部設(shè)置的通孔102的尺寸和數(shù)量不進(jìn)行限定，可以根據(jù)第一凹槽10的尺寸和構(gòu)圖區(qū)域限定口101的尺寸進(jìn)行相應(yīng)設(shè)置，且通孔102的尺寸至少應(yīng)保證藥液和水可以流出。此處，優(yōu)選通孔102均勻設(shè)置在第一凹槽10內(nèi)。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，通孔102不可能設(shè)置在構(gòu)圖區(qū)域限定口101內(nèi)。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種開口掩膜板01，當(dāng)開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板配合用于形成圖案時(shí)，由于開口掩膜板01上的構(gòu)圖區(qū)域限定口的形狀即是要形成圖案區(qū)域的形狀，因而精細(xì)掩膜板上的構(gòu)圖區(qū)域可以設(shè)置成在精細(xì)掩膜板焊接時(shí)不影響精細(xì)掩膜板平坦度的任意形狀，且精細(xì)掩膜板上的圖案覆蓋開口掩膜板01的構(gòu)圖區(qū)域限定口101，這樣便可以確保利用開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板配合形成的圖案的精確度。在此基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型實(shí)施例在開口掩膜板01的第一凹槽10的底部設(shè)置通孔102，因而在清洗開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板配合形成的雙層掩膜板時(shí)，藥液和水可以從通孔中流出，從而避免了藥液和水殘留在第一凹槽10內(nèi)，從而確保了形成的圖案的質(zhì)量。當(dāng)該開口掩膜板01與精細(xì)掩膜板配合用于形成OLED顯示器件中的發(fā)光層時(shí)，可以提升OLED顯示器件的良品率。

為了進(jìn)一步減輕開口掩膜板01的重力以及防止將開口掩膜板01和/或精細(xì)掩膜板焊接在框架上時(shí)，開口掩膜板01邊緣區(qū)域受力不均，因而優(yōu)選的，如圖3所示，開口掩膜板01的邊緣區(qū)域還設(shè)置有第二凹槽20，第二凹槽20與第一凹槽10位于開口掩膜板01的同一側(cè)，第二凹槽20的底部設(shè)置有通孔102。

其中，可以在開口掩膜板01的一個(gè)邊緣設(shè)置第二凹槽20，也可以在開口掩膜板01的二個(gè)或三個(gè)或四個(gè)邊緣均設(shè)置第二凹槽20。需要說明的是，當(dāng)精細(xì)掩膜板包括多個(gè)掩膜條時(shí)，由于掩膜條焊接在框架的一組對(duì)邊上，為了避免掩膜條焊接在框架上時(shí)，開口掩膜板01邊緣區(qū)域受力不均，因而優(yōu)選的，如圖3所示，可以僅在開口掩膜板01的一對(duì)相互平行的邊緣設(shè)置第二凹槽20，且該對(duì)邊緣與掩膜條焊接在框架上的邊平行。

此外，對(duì)于第二凹槽20的底部設(shè)置的通孔102的數(shù)量和通孔102的尺寸不進(jìn)行限定，可以根據(jù)需要進(jìn)行相應(yīng)設(shè)置，對(duì)于通孔102的尺寸至少應(yīng)保證藥液和水可以從通孔102中流出。

本實(shí)用新型實(shí)施例，在開口掩膜板01的邊緣區(qū)域設(shè)置第二凹槽20，不僅可以減輕開口掩膜板01的重力，而且還可以形成應(yīng)力緩沖區(qū)，防止將開口掩膜板01和/或精細(xì)掩膜板焊接在框架上時(shí)，開口掩膜板01邊緣區(qū)域受力不均。在此基礎(chǔ)上，在第二凹槽20的底部還設(shè)置有通孔102，因而可以避免在清洗開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板配合形成的雙層掩膜板上，藥液和水殘留在第二凹槽20內(nèi)，進(jìn)而避免了藥液和水對(duì)形成的圖案質(zhì)量的影響。

優(yōu)選的，如圖2(a)、圖2(b)以及圖3-圖9所示，開口掩膜板01包括多個(gè)第一凹槽10，每個(gè)第一凹槽10的底部設(shè)置有一個(gè)構(gòu)圖區(qū)域限定口101。

本實(shí)用新型實(shí)施例，由于開口掩膜板01包括多個(gè)第一凹槽10，且每個(gè)第一凹槽10的底部均設(shè)置有一個(gè)構(gòu)圖區(qū)域限定口101，因而利用該開口掩膜板01可以同時(shí)在多個(gè)區(qū)域形成圖案。

為了便于在開口掩膜板01上形成第一凹槽10，因而優(yōu)選的，第一凹槽10的形狀可以如圖2(a)、圖3-圖5、圖6(a)以及圖7-圖9所示為矩形，也可以是如圖2(b)以及圖6(b)所示為圓形。

進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖2(a)、圖2(b)和圖3-圖7所示，第一凹槽10的底部和第二凹槽20的底部設(shè)置有多個(gè)通孔102。

本實(shí)用新型實(shí)施例，由于第一凹槽10的底部和第二凹槽20的底部有多個(gè)通孔102，因而在清洗開口掩膜板01與精細(xì)掩膜板配合形成的雙層掩膜板時(shí)，殘留在第一凹槽10和第二凹槽20中藥液和水可以快速流出。

優(yōu)選的，通孔102為圓形，且通孔102的直徑為600～800μm。

本實(shí)用新型實(shí)施例，當(dāng)通孔102的直徑太小時(shí)，殘留在第一凹槽10和/或第二凹槽20內(nèi)的藥液和水可能流不出去；當(dāng)通孔102的直徑太大時(shí)，可能會(huì)影響開口掩膜板01上構(gòu)圖區(qū)域限定口101的平坦度，因而優(yōu)選通孔102的直徑為600～800μm。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種掩膜板，如圖4-圖7所示，包括：框架03，固定設(shè)置在框架03上、且相互貼合的開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板02，開口掩膜板01為上述開口掩膜板01；第一凹槽10的槽口朝向精細(xì)掩膜板02，框架03不遮擋開口掩膜板01上的通孔102。

其中，對(duì)于精細(xì)掩膜板02不進(jìn)行限定，精細(xì)掩膜板02可以是一整張，也可以由多個(gè)掩膜條組成(本實(shí)用新型實(shí)施例附圖中均以精細(xì)掩膜板02包括多個(gè)掩膜條為例進(jìn)行示意，附圖4-圖6中僅示意出一個(gè)掩膜條)。

需要說明的是，由于精細(xì)掩膜板02的構(gòu)圖區(qū)域形成有圖案，因而精細(xì)掩膜板02的構(gòu)圖區(qū)域應(yīng)覆蓋開口掩膜板01的構(gòu)圖區(qū)域。此外，對(duì)于精細(xì)掩膜板02上構(gòu)圖區(qū)域的形狀，應(yīng)防止將精細(xì)掩膜板02固定在框架03上時(shí)，精細(xì)掩膜板02上的構(gòu)圖區(qū)域受力不均，而導(dǎo)致構(gòu)圖區(qū)域的圖案發(fā)生褶皺。優(yōu)選的，精細(xì)掩膜板02上的構(gòu)圖區(qū)域?yàn)榫匦巍?/p>

此處，在形成雙層掩膜板時(shí)，可以先將開口掩膜板01固定在框架03上，再將精細(xì)掩膜板02固定在框架03上。此外，對(duì)于開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板02如何固定在框架03不進(jìn)行限定，例如可以將開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板02焊接在框架03上。

本實(shí)用新型提供一種掩膜板，由于掩膜板包括固定設(shè)置在框架03上、且相互貼合的開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板02，由于開口掩膜板01上的構(gòu)圖區(qū)域限定口的形狀即是要形成圖案區(qū)域的形狀，因而精細(xì)掩膜板上的構(gòu)圖區(qū)域可以設(shè)置成在精細(xì)掩膜板焊接時(shí)不影響精細(xì)掩膜板平坦度的任意形狀，進(jìn)而利用該掩膜板可以確保形成的圖案的精確度。在此基礎(chǔ)上，開口掩膜板01的第一凹槽10的底部設(shè)置有通孔102，因而可以避免在清洗掩膜板時(shí)，藥液和水殘留在第一凹槽10內(nèi)，從而避免了影響形成的圖案的質(zhì)量。當(dāng)該開口掩膜板01與精細(xì)掩膜板配合用于形成OLED顯示器件中的發(fā)光層時(shí)，可以提升OLED顯示器件的良品率。

優(yōu)選的，如圖4-圖7所示，精細(xì)掩膜板02包括多個(gè)掩膜條，每個(gè)掩膜條對(duì)應(yīng)一列第一凹槽10(附圖4-圖6中僅示意出一條掩膜條)；如圖4和圖5所示，每個(gè)掩膜條覆蓋第一凹槽10；或者，如圖6(a)、圖6(b)以及圖7所示，每個(gè)掩膜條覆蓋構(gòu)圖區(qū)域限定口101，且不完全覆蓋第一凹槽10。

本實(shí)用新型實(shí)施例，當(dāng)掩膜條覆蓋第一凹槽10時(shí)，可以防止在利用掩膜板蒸鍍時(shí)，蒸鍍材料較多地殘留在第一凹槽10中；當(dāng)掩膜板覆蓋構(gòu)圖區(qū)域限定口101，且不完全覆蓋第一凹槽10時(shí)，在清洗掩膜板時(shí)，藥液和水還可以從第一凹槽10未被掩膜條覆蓋的部分流出，從而進(jìn)一步地避免了藥液和水殘留在第一凹槽10中。

進(jìn)一步地，當(dāng)開口掩膜板還包括第二凹槽20時(shí)，如圖7所示，多個(gè)掩膜條可以不完全覆蓋第二凹槽20，這樣在清洗掩膜板時(shí)，藥液和水還可以從第二凹槽20未被掩膜條覆蓋的部分流出。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種開口掩膜板01，如圖3所示，開口掩膜板01上設(shè)置有構(gòu)圖區(qū)域限定口101，開口掩膜板01的邊緣區(qū)域設(shè)置有第二凹槽20，第二凹槽20的底部設(shè)置有通孔102。

其中，可以在開口掩膜板01的一個(gè)或多個(gè)邊緣設(shè)置第二凹槽20。需要說明的是，當(dāng)精細(xì)掩膜板02包括多個(gè)掩膜條時(shí)，由于掩膜條焊接在框架的一組對(duì)邊上，為了避免掩膜條焊接在框架上時(shí)，開口掩膜板01邊緣區(qū)域受力不均，因而優(yōu)選的，如圖3所示，可以僅在開口掩膜板01的一對(duì)相互平行的邊緣設(shè)置第二凹槽20，且該對(duì)邊緣與掩膜條焊接在框架上的邊平行。

此外，對(duì)于第二凹槽20的底部設(shè)置的通孔102的數(shù)量和通孔102的尺寸不進(jìn)行限定，可以根據(jù)需要進(jìn)行相應(yīng)設(shè)置。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種開口掩膜板01，由于開口掩膜板01的邊緣區(qū)域設(shè)置有第二凹槽20，因而不僅可以減輕開口掩膜板01的重力，而且還可以防止將開口掩膜板01或精細(xì)掩膜板02焊接在框架上時(shí)，開口掩膜板01邊緣區(qū)域受力不均，而影響開口掩膜板01構(gòu)圖區(qū)域限定口101的形狀。在此基礎(chǔ)上，在第二凹槽20的底部還設(shè)置有通孔102，因而在清洗開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板02配合形成的雙層掩膜板上，藥液和水可以從通孔102中流出，從而避免了藥液和水殘留在第二凹槽20內(nèi)，進(jìn)而避免了藥液和水對(duì)形成圖案質(zhì)量的影響。

優(yōu)選的，如圖7所示，精細(xì)掩膜板02包括多個(gè)掩膜條，多個(gè)掩膜條不完全覆蓋第二凹槽20。

本實(shí)用新型實(shí)施例，由于掩膜條不完全覆蓋第二凹槽20，因而在清洗開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板02配合形成的雙層掩膜板時(shí)，第二凹槽20中殘留的藥液和水還可以從第二凹槽20未被掩膜條覆蓋的部分流出，從而進(jìn)一步避免了藥液和水殘留在第二凹槽20內(nèi)。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種掩膜板，如圖8和圖9所示，包括：框架03，固定設(shè)置在框架03上、且相互貼合的開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板02，開口掩膜板01上設(shè)置有第一凹槽10，第一凹槽10的底部設(shè)置有構(gòu)圖區(qū)域限定口101；第一凹槽10的槽口朝向精細(xì)掩膜板02；精細(xì)掩膜板02包括多個(gè)掩膜條，每個(gè)掩膜條對(duì)應(yīng)一列第一凹槽10，每個(gè)掩膜條覆蓋第一凹槽10底部的構(gòu)圖區(qū)域限定口101，且不完全覆蓋第一凹槽10。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種掩膜板，由于掩膜板包括固定設(shè)置在框架03上、且相互貼合的開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板02，由于開口掩膜板01上設(shè)置有第一凹槽10，因而不僅可以減輕開口掩膜板01的重力，而且第一凹槽10還可以形成應(yīng)力緩沖區(qū)，防止在蒸鍍時(shí)開口掩膜板01上的構(gòu)圖區(qū)域限定口101變形。在此基礎(chǔ)上，由于精細(xì)掩膜板02包括多個(gè)掩膜條，且掩膜條不完全覆蓋第一凹槽10，因而在清洗掩膜板時(shí)，藥液和水可以從第一凹槽10未被掩膜條覆蓋的部分流出，從而防止了藥液和水殘留在第一凹槽10內(nèi)，而影響形成圖案的質(zhì)量。

優(yōu)選的，如圖9所示，開口掩膜板01的邊緣區(qū)域設(shè)置有第二凹槽20，多個(gè)掩膜條不完全覆蓋第二凹槽20。

本實(shí)用新型實(shí)施例中，由于精細(xì)掩膜板02包括多個(gè)掩膜條。且多個(gè)掩膜條不完全覆蓋第二凹槽20，因而在清洗掩膜板時(shí)，藥液和水可以從第二凹槽20未被掩膜條覆蓋的部分流出，從而防止了藥液和水殘留在第二凹槽20內(nèi)，而影響形成圖案的質(zhì)量。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種基板，包括襯底基板和設(shè)置在襯底基板上的膜層，所述膜層通過上述的掩膜板形成。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種基板，由于該基板是通過上述的掩膜板形成的，而上述的掩膜板包括固定在框架03上，且相互貼合的開口掩膜板01和精細(xì)掩膜板02，且開口掩膜板01上形成有第一凹槽10和/或第二凹槽20，因而形成的第一凹槽10和/或第二凹槽20不僅可以減輕開口掩膜板01的重力，還可以起到應(yīng)力緩沖的作用，因而通過該掩膜板形成的膜層的精確度更高。在此基礎(chǔ)上，當(dāng)開口掩膜板01上的第一凹槽10和/或第二凹槽20上還形成有通孔102，或者，當(dāng)精細(xì)掩膜板02包括多個(gè)掩膜條，每個(gè)掩膜條不完全覆蓋第一凹槽10和/或第二凹槽20時(shí)，因而在清洗掩膜板時(shí)，還可以避免藥液和水殘留在第一凹槽10和/或第二凹槽20內(nèi)，從而可以使得形成的膜層的質(zhì)量更高。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。