本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積用設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種硅外延反應(yīng)腔用梯形基座。

背景技術(shù)：

桶式反應(yīng)腔（如圖1所示）中硅片貼附在梯形基座表面，硅片中心位置與邊緣位置距鐘罩距離不同，中心位置遠(yuǎn)，邊緣位置近，造成硅片左右位置接觸氣流面積大，形成邊緣生長速率比中心快，所以在相同工藝條件下，邊緣厚度比中心厚度厚。厚度作為外延層質(zhì)量重要控制參數(shù)，直接影響到電特性、VDMOS導(dǎo)通電阻、肖特基二極管正向壓降等關(guān)鍵參數(shù)一致性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種硅外延反應(yīng)腔用梯形基座附屬掛件，通過使用具有所述基座的反應(yīng)腔，能夠改變反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)造成的硅片外延層左右位置厚度偏大趨勢，改善片內(nèi)厚度形貌、提高片內(nèi)厚度一致性。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：一種硅外延反應(yīng)腔用梯形基座，包括梯形基座本體，所述梯形基座本體為筒狀多面體結(jié)構(gòu)，所述基座本體的每個(gè)側(cè)面上從上到下設(shè)有硅片放置槽，其特征在于：所述基座本體相鄰兩個(gè)側(cè)面的連接面上設(shè)有檔條。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述檔條設(shè)有兩根，沿所述連接面的上、下方向設(shè)置。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：每個(gè)連接面上的兩根檔條之間設(shè)有空隙。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述檔條的橫截面為長方形。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述硅片放置槽設(shè)有兩個(gè)。

進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述兩個(gè)硅片放置槽靠近所述基座本體的下側(cè)設(shè)置。

采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：通過在所述基座本體相鄰兩個(gè)側(cè)面的連接面上設(shè)置檔條，阻擋部分氣流，使得能夠改變反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)造成的硅片外延層左右位置厚度偏大趨勢，改善片內(nèi)厚度形貌、提高片內(nèi)厚度一致性。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中所述桶式反應(yīng)腔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例所述基座的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

其中：1、梯形基座本體2、硅片放置槽3、檔條。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種硅外延反應(yīng)腔用梯形基座，包括梯形基座本體1，所述梯形基座本體1為筒狀多面體結(jié)構(gòu)，所述基座本體的每個(gè)側(cè)面上從上到下設(shè)有硅片放置槽2，需要說明的是，以上技術(shù)方案是現(xiàn)有技術(shù)，在此不做贅述。

本發(fā)明不用于現(xiàn)有技術(shù)之處在于：所述基座本體相鄰兩個(gè)側(cè)面的連接面上設(shè)有檔條3。優(yōu)選的，如圖2所示，所述檔條3設(shè)有兩根，沿所述連接面的上、下方向設(shè)置。進(jìn)一步的，每個(gè)連接面上的兩根檔條3之間設(shè)有空隙，用于使部分氣流通過。需要說明的是，所述檔條的個(gè)數(shù)還可以是三根或三根以上，同樣的檔條之間設(shè)置空隙，用于使部分氣流通過。

優(yōu)選的，所述檔條3的橫截面可以為正方形，當(dāng)然還可以為其它形狀（本發(fā)明在于掛條寬度不同影響厚度均勻性趨勢不同，本發(fā)明通過實(shí)驗(yàn)確定最佳掛條寬度）。而所述硅片放置槽2靠近所述基座本體的下側(cè)設(shè)置，且優(yōu)選設(shè)有兩個(gè)，當(dāng)然還可以為其它個(gè)數(shù)。

通過在所述基座本體相鄰兩個(gè)側(cè)面的連接面上設(shè)置檔條，阻擋部分氣流，使得能夠改變反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)造成的硅片外延層左右位置厚度偏大趨勢，改善片內(nèi)厚度形貌、提高片內(nèi)厚度一致性。