本發(fā)明涉及屏蔽片的加工方法，尤其涉及一種非晶或納米晶屏蔽片的磁場熱處理方法。

背景技術：

非晶及納米晶材料作為一種新型軟磁材料，憑借其優(yōu)異的軟磁性能在電力電子、光伏逆變、風能發(fā)電等領域到了廣泛的應用，在電力變壓器，逆變變壓器，互感器，差模及共模電感中都能見到這種材料的身影。但是非晶及納米晶作為屏蔽材料的應用，一直都沒有得到足夠的重視，隨著無線充電，近場通信的興起，非晶及納米晶屏蔽片近年來開始涉及。現(xiàn)有技術中，非晶及納米晶屏蔽片的熱處理方式為普通加熱處理，用這種加工方式得到的屏蔽片，由于磁性能不強，因而難以在屏蔽材料應用領域推廣，此外這種屏蔽片的性能單一，難以滿足多種工作狀況。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術問題在于，針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種可改善非晶或納米晶屏蔽片的磁性能，使得屏蔽片在不同的方向的軟磁性能更加優(yōu)良，進而滿足多種工作狀態(tài)的磁場熱處理方法。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案。

一種非晶或納米晶屏蔽片的磁場熱處理方法，該方法基于磁場熱處理爐實現(xiàn)，所述磁場熱處理爐包括有高溫加熱室及用于向高溫加熱室內(nèi)加載磁場的供磁裝置，所述方法包括如下步驟：步驟s1，準備非晶或納米晶材質的帶材工件；步驟s2，將所述帶材工件放置于高溫加熱室內(nèi)；步驟s3，令高溫加熱室達到加熱溫度，并利用供磁裝置向高溫加熱室內(nèi)的帶材工件施加磁場；步驟s4，在步驟s3中的溫度和磁場條件下保持預設時間后，完成磁場熱處理。

優(yōu)選地，所述高溫加熱室內(nèi)經(jīng)過抽真空處理或者通入保護性氣體，所述供磁裝置為電磁線圈或強磁體，所述帶材工件在高溫加熱室內(nèi)的熱處理溫度為350℃～600℃，磁場強度為300gs～1500gs，熱處理時間為1小時～6小時。

優(yōu)選地，所述帶材工件由多層單片帶材堆疊成長方體形狀，所述單片帶材的厚度為14μm～50μm，寬度為5mm～230mm，所述帶材工件堆疊后的長度為50mm～1000mm，寬度為5mm～230mm，厚度為1mm～50mm。

優(yōu)選地，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件的寬度方向相同。

優(yōu)選地，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件的厚度方向相同。

優(yōu)選地，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件的長度方向相同。

優(yōu)選地，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件的擺放方向呈預設夾角，所述夾角為鈍角或銳角。

優(yōu)選地，所述帶材工件由單片帶材卷繞而成柱狀。

優(yōu)選地，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件的軸向相同。

優(yōu)選地，所述帶材工件的軸心穿設有導體，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件的周向相同。

本發(fā)明公開的非晶或納米晶屏蔽片的磁場熱處理方法中，采用基于磁場熱處理爐的磁場熱處理的方式，使得非晶納米晶屏蔽片的磁疇方向，按外加磁場的方向發(fā)生偏轉，進而提高屏蔽片的特性。屏蔽片在實際使用的過程中，由于外加磁場的方向和屏蔽片的放置方向可以處于不同的相對位置，因而能夠實現(xiàn)多種外加磁場的方式，進而滿足多種工作狀況。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施例中帶材工件方向與磁場方向的示意圖。

圖2為本發(fā)明第二實施例中帶材工件方向與磁場方向的示意圖。

圖3為本發(fā)明第三實施例中帶材工件方向與磁場方向的示意圖。

圖4為本發(fā)明第四實施例中帶材工件方向與磁場方向的示意圖。

圖5為本發(fā)明第五實施例中帶材工件方向與磁場方向的示意圖。

圖6為本發(fā)明第六實施例中帶材工件方向與磁場方向的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作更加詳細的描述。

本發(fā)明公開了一種非晶或納米晶屏蔽片的磁場熱處理方法，如圖1所示，該方法基于磁場熱處理爐1實現(xiàn)，所述磁場熱處理爐1包括有高溫加熱室2及用于向高溫加熱室2內(nèi)加載磁場的供磁裝置，所述方法包括如下步驟：

步驟s1，準備非晶或納米晶材質的帶材工件3；

步驟s2，將所述帶材工件3放置于高溫加熱室2內(nèi)；

步驟s3，令高溫加熱室2達到加熱溫度，并利用供磁裝置向高溫加熱室2內(nèi)的帶材工件3施加磁場；

步驟s4，在步驟s3中的溫度和磁場條件下保持預設時間后，完成磁場熱處理。

上述方法中，采用基于磁場熱處理爐的磁場熱處理的方式，使得非晶納米晶屏蔽片的磁疇方向，按外加磁場的方向發(fā)生偏轉，進而提高屏蔽片的特性。屏蔽片在實際使用的過程中，由于外加磁場的方向和屏蔽片的放置方向可以處于不同的相對位置，因而能夠實現(xiàn)多種外加磁場的方式，進而滿足多種工作狀況。

作為一種優(yōu)選方式，所述高溫加熱室2內(nèi)經(jīng)過抽真空處理或者通入保護性氣體，所述供磁裝置為電磁線圈或強磁體，所述帶材工件3在高溫加熱室2內(nèi)的熱處理溫度為350℃～600℃，磁場強度為300gs～1500gs，熱處理時間為1小時～6小時。

為了更好地說明上述方法，本發(fā)明針對不同的處理方式，分別提出如下實施例：

實施例一

請參照圖1，本實施例中，所述帶材工件3由多層單片帶材堆疊成長方體形狀。所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件3的寬度方向相同。

其中，所述單片帶材的厚度為14μm～50μm，寬度為5mm～230mm，所述帶材工件3堆疊后的長度為50mm～1000mm，寬度為5mm～230mm，厚度為1mm～50mm。

所述帶材工件3在高溫加熱室2內(nèi)的熱處理溫度為350℃～600℃，磁場強度為300gs～1500gs，熱處理時間為1小時～6小時。

實施例二

請參照圖2，本實施例中，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件3的厚度方向相同。

其中，所述單片帶材的厚度為14μm～50μm，寬度為5mm～230mm，所述帶材工件3堆疊后的長度為50mm～1000mm，寬度為5mm～230mm，厚度為1mm～50mm。

所述帶材工件3在高溫加熱室2內(nèi)的熱處理溫度為350℃～600℃，磁場強度為300gs～1500gs，熱處理時間為1小時～6小時。

實施例三

請參照圖3，本實施例中，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件3的長度方向相同。

其中，所述單片帶材的厚度為14μm～50μm，寬度為5mm～230mm，所述帶材工件3堆疊后的長度為50mm～1000mm，寬度為5mm～230mm，厚度為1mm～50mm。

所述帶材工件3在高溫加熱室2內(nèi)的熱處理溫度為350℃～600℃，磁場強度為300gs～1500gs，熱處理時間為1小時～6小時。

實施例四

請參照圖4，本實施例中，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件3的擺放方向呈預設夾角，所述夾角為鈍角或銳角。

其中，所述單片帶材的厚度為14μm～50μm，寬度為5mm～230mm，所述帶材工件3堆疊后的長度為50mm～1000mm，寬度為5mm～230mm，厚度為1mm～50mm。

所述帶材工件3在高溫加熱室2內(nèi)的熱處理溫度為350℃～600℃，磁場強度為300gs～1500gs，熱處理時間為1小時～6小時。

上述實施例一至實施例四是針對長方體帶材工件3的多種處理方式，通過選用相應的磁場處理方式，以滿足不同的應用需求。

實施例五

請參照圖5，本實施例中，所述帶材工件3由單片帶材卷繞而成柱狀。其外徑為80mm～400mm，內(nèi)徑為50mm～200mm，高度為5mm～230mm。所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件3的軸向相同。

其中，所述帶材工件3在高溫加熱室2內(nèi)的熱處理溫度為350℃～600℃，磁場強度為300gs～1500gs，熱處理時間為1小時～6小時。

實施例六

請參照圖6，本實施例中，所述帶材工件3的軸心穿設有導體4，所述供磁裝置的磁場方向與帶材工件3的周向相同。其中，所述導體4可以是銅管或者鋁管，通過施加一定的電流而產(chǎn)生一個環(huán)形磁場。熱處理過程中，所述帶材工件3在高溫加熱室2內(nèi)的熱處理溫度為350℃～600℃，磁場強度為300gs～1500gs，熱處理時間為1小時～6小時。

本發(fā)明公開的非晶或納米晶屏蔽片的磁場熱處理方法，其在熱處理完成后，還需對帶材工件進行后段覆膜、模切等工序，進而得到屏蔽片產(chǎn)品，本發(fā)明相比現(xiàn)有技術而言，其采用磁場熱處理的方式改變非晶或非晶納米晶材料的磁軸方向，進而改善屏蔽片的磁性能，此外，通過改變堆疊帶材和卷繞帶材與外加磁場方向，實現(xiàn)了屏蔽片在不同的方向上獲得優(yōu)良的軟磁性能。

以上所述只是本發(fā)明較佳的實施例，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的技術范圍內(nèi)所做的修改、等同替換或者改進等，均應包含在本發(fā)明所保護的范圍內(nèi)。