本發(fā)明涉及成膜技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜板及蒸鍍?cè)O(shè)備。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，簡(jiǎn)稱“oled”)，具有全固態(tài)結(jié)構(gòu)、高亮度、全視角、響應(yīng)速度快、工作溫度范圍寬、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等一系列優(yōu)點(diǎn)。尤其在柔性顯示領(lǐng)域，其可以被卷曲、折疊，因此在便攜產(chǎn)品或穿戴產(chǎn)品領(lǐng)域有著極為寬廣的前景。

oled器件的制作方法有真空蒸鍍(vacuumevaporation)、激光熱轉(zhuǎn)印(laserinducedthermalimaging,liti)、噴墨打印(inkjetprint)等，目前真空蒸鍍技術(shù)比較成熟，是各大廠商使用的主流技術(shù)。

oled器件的蒸鍍分為有機(jī)材料蒸鍍和金屬材料蒸鍍，金屬材料一般使用mg、ag、al等。金屬蒸鍍的掩膜版包括圖形區(qū)域和位于圖形區(qū)域的周邊區(qū)域，金屬材料以掩膜板為阻擋，通過(guò)圖形區(qū)域的鏤空?qǐng)D形蒸鍍到oled器件上。蒸鍍工序完成后，會(huì)將掩膜版搬送回至掩膜版存儲(chǔ)腔室。

在蒸鍍過(guò)程中，掩膜版上也會(huì)沉積金屬材料，當(dāng)掩膜板上的金屬膜膜厚達(dá)到一定厚度時(shí)，就會(huì)發(fā)生剝離，導(dǎo)致產(chǎn)生大量顆粒，污染真空蒸鍍?cè)O(shè)備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種掩膜板及蒸鍍?cè)O(shè)備，用以解決在蒸鍍過(guò)程中掩膜板上沉積的薄膜膜厚達(dá)到一定厚度時(shí)，會(huì)發(fā)生剝離，污染蒸鍍?cè)O(shè)備的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種掩膜板，包括板體，所述板體包括圖形區(qū)域和位于所述圖形區(qū)域外圍的周邊區(qū)域，所述圖形區(qū)域設(shè)置有鏤空?qǐng)D形，其特征在于，所述掩膜板還包括膜厚測(cè)試片，所述膜厚測(cè)試片對(duì)應(yīng)所述板體的除所述鏤空?qǐng)D形之外的區(qū)域設(shè)置。

如上所述的掩膜板，其中，所述膜厚測(cè)試片設(shè)置在所述周邊區(qū)域。

如上所述的掩膜板，其中，所述掩膜板包括至少兩個(gè)膜厚測(cè)試片，所述至少兩個(gè)膜厚測(cè)試片均勻分布在所述圖形區(qū)域的周邊。

本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括用于放置如上所述的掩膜板的存儲(chǔ)腔，其中，還包括：

膜厚檢測(cè)單元，用于測(cè)量所述掩膜板的膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的膜厚。

如上所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括：

報(bào)警單元；

控制單元，與所述膜厚檢測(cè)單元和報(bào)警單元連接，當(dāng)?shù)谝槐∧さ哪ず襁_(dá)到預(yù)設(shè)厚度時(shí)，所述控制單元控制所述報(bào)警單元發(fā)出警報(bào)。

如上所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述存儲(chǔ)腔內(nèi)設(shè)置有承載部，所述掩膜板固定放置在所述承載部上；

所述膜厚檢測(cè)單元固定在所述承載部上，并與所述掩膜板的膜厚測(cè)試片的位置對(duì)應(yīng)。

如上所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的材料為金屬，所述膜厚測(cè)試片的材料為絕緣材料；

所述膜厚檢測(cè)單元包括：

固定在所述承載部上的第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；

固定在所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的輸出端的方塊電阻測(cè)試儀，所述方塊電阻測(cè)試儀包括計(jì)算單元、本體和設(shè)置在所述本體上的至少一個(gè)探針，所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)所述探針插入所述第一薄膜中；所述計(jì)算單元與所述探針連接，當(dāng)所述探針插入所述第一薄膜中時(shí)，所述計(jì)算單元計(jì)算所述第一薄膜的方塊電阻；

壓力傳感器，用于獲取所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)施加在所述方塊電阻測(cè)試儀上的壓力；

所述控制單元與所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和壓力傳感器連接，用于控制所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述探針插入所述第一薄膜中，直至施加在所述方塊電阻測(cè)試儀上的壓力為預(yù)設(shè)壓力；所述控制單元還與所述計(jì)算單元連接，用于根據(jù)所述第一薄膜的方塊電阻確定所述第一薄膜的厚度。

如上所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的材料為金屬，所述膜厚測(cè)試片的材料為絕緣材料；

所述膜厚檢測(cè)單元包括：

固定在所述承載部上的電磁鐵；

固定在所述承載部上的杠桿結(jié)構(gòu)，所述杠桿結(jié)構(gòu)包括杠桿，所述杠桿的一端固定有具有預(yù)設(shè)重量的砝碼，另一端固定有方塊電阻測(cè)試儀，所述方塊電阻測(cè)試儀包括計(jì)算單元、本體和設(shè)置在所述本體上的至少一個(gè)探針，所述計(jì)算單元與所述探針連接，當(dāng)所述探針插入所述第一薄膜中時(shí)，所述計(jì)算單元計(jì)算所述第一薄膜的方塊電阻；

所述控制單元與所述電磁鐵連接，用于控制所述電磁鐵吸合所述砝碼，當(dāng)所述電磁鐵不吸合所述砝碼時(shí)，在所述砝碼的重力作用下，所述杠桿的所述另一端抬起，使得所述探針插入所述第一薄膜中；所述控制單元還與所述計(jì)算單元連接，用于根據(jù)所述第一薄膜的方塊電阻確定所述第一薄膜的厚度。

如上所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述承載部上具有多個(gè)支撐塊，所述掩膜板固定放置在所述多個(gè)支撐塊上；

所述膜厚檢測(cè)單元和支撐塊位于所述承載部的同一側(cè)。

如上所述的蒸鍍?cè)O(shè)備，其中，所述支撐塊上設(shè)置有感應(yīng)單元，用于檢測(cè)所述支撐塊上是否放置有掩膜板；

所述支撐塊上還設(shè)置有固定部；

所述控制單元與所述感應(yīng)單元和固定部連接，當(dāng)所述支撐塊上放置有掩膜板時(shí)，所述控制單元控制所述固定部固定所述掩膜板。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

上述技術(shù)方案中，通過(guò)在掩膜板的除鏤空?qǐng)D形之外的區(qū)域設(shè)置膜厚測(cè)試片，在蒸鍍制程中，膜厚測(cè)試片上會(huì)沉積蒸鍍材料，通過(guò)檢測(cè)所述膜厚測(cè)試片上薄膜的膜厚，可以獲取掩膜板上薄膜的膜厚，從而當(dāng)薄膜的膜厚達(dá)到一定的厚度時(shí)，能夠及時(shí)更換掩膜板，避免出現(xiàn)薄膜剝離污染設(shè)備的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1表示本發(fā)明實(shí)施例中掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2表示本發(fā)明實(shí)施例中蒸鍍?cè)O(shè)備的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中膜厚檢測(cè)單元的工作原理示意圖一；

圖4表示本發(fā)明實(shí)施例中膜厚檢測(cè)單元的工作原理示意圖二；

圖5表示圖4中膜厚檢測(cè)單元檢測(cè)薄膜膜厚的過(guò)程示意圖；

圖6表示本發(fā)明實(shí)施例中金屬薄膜的膜厚與其方塊電阻的對(duì)應(yīng)關(guān)系示意圖。

具體實(shí)施方式

在蒸鍍成膜工藝中使用的掩膜板，其包括圖形區(qū)域和位于所述圖形區(qū)域外圍的周邊區(qū)域，所述圖形區(qū)域設(shè)置有鏤空?qǐng)D形。以所述掩膜板為阻擋進(jìn)行蒸鍍制程，蒸鍍材料能夠通過(guò)所述鏤空?qǐng)D形沉積在基板上。在蒸鍍制程中，掩膜板的除鏤空?qǐng)D形之外的區(qū)域會(huì)沉積蒸鍍材料。

本發(fā)明在掩膜板的除鏤空?qǐng)D形之外的區(qū)域設(shè)置膜厚測(cè)試片，在蒸鍍制程中，膜厚測(cè)試片上會(huì)沉積蒸鍍材料，通過(guò)檢測(cè)所述膜厚測(cè)試片上薄膜的膜厚，可以獲取掩膜板上薄膜的膜厚，從而當(dāng)薄膜的膜厚達(dá)到一定的厚度時(shí)，能夠及時(shí)更換掩膜板，避免出現(xiàn)薄膜剝離污染蒸鍍?cè)O(shè)備的問(wèn)題。

其中，膜厚測(cè)試片上薄膜的膜厚與掩膜板上薄膜的膜厚相同。

下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。

實(shí)施例一

如圖1所示，本實(shí)施例中提供一種掩膜板1，用于蒸鍍?cè)O(shè)備。掩膜板1包括板體10，板體10包括圖形區(qū)域和位于所述圖形區(qū)域外圍的周邊區(qū)域，所述圖形區(qū)域設(shè)置有鏤空?qǐng)D形101。掩膜板1還包括膜厚測(cè)試片2，膜厚測(cè)試片2對(duì)應(yīng)板體10的除鏤空?qǐng)D形101之外的區(qū)域設(shè)置。

上述掩膜板的非鏤空區(qū)域設(shè)置有膜厚測(cè)試片，通過(guò)檢測(cè)所述膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的膜厚，來(lái)獲取掩膜板上的薄膜膜厚，從而當(dāng)掩膜板上的薄膜膜厚達(dá)到月射的厚度時(shí)，能夠及時(shí)更換掩膜板，避免出現(xiàn)薄膜剝離污染蒸鍍?cè)O(shè)備的問(wèn)題。

其中，膜厚測(cè)試片2的尺寸和形狀不作具體限定，可以規(guī)則或不規(guī)則形狀，只要不遮擋鏤空?qǐng)D形101，影響蒸鍍工藝即可。

在實(shí)際使用過(guò)程中，掩膜板1通常固定在一框架100上，以方便掩膜板1的固定。

為了提高檢測(cè)結(jié)果的可靠性，需要保證膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜的膜厚均一性良好，為此，設(shè)置膜厚測(cè)試片2的具有第一薄膜的表面平整。至于膜厚測(cè)試片2的材料，根據(jù)其上的第一薄膜的材料，以及第一薄膜的膜厚檢測(cè)方法來(lái)確定。以膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜材料為金屬為例，可以通過(guò)方塊電阻來(lái)確定第一薄膜的膜厚，為了不影響膜厚的檢測(cè)，膜厚測(cè)試片2的材料選擇絕緣材料。

膜厚測(cè)試片2具體可以通過(guò)配合的螺紋螺母固定在掩膜板1上。當(dāng)然，也可以通過(guò)其它方式固定在掩膜板1上。

以通過(guò)蒸鍍工藝制作顯示器件為例，掩膜板1的圖形區(qū)域具體可以與顯示區(qū)域的位置對(duì)應(yīng)，鏤空?qǐng)D形101與顯示區(qū)域的薄膜圖形的圖形一致。當(dāng)然，當(dāng)顯示區(qū)域的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域都包括薄膜圖形時(shí)，鏤空?qǐng)D形101與顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的位置對(duì)應(yīng)，鏤空?qǐng)D形101與顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的薄膜圖形的圖形一致。其中，顯示器件上的薄膜圖形由蒸鍍材料透過(guò)掩膜板1的鏤空?qǐng)D形101所在的區(qū)域沉積在基板上制得。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的掩膜板并不局限于適用于蒸鍍?cè)O(shè)備，還適用于其他需要使用掩膜板的成膜設(shè)備，以防止出現(xiàn)掩膜板上的薄膜膜厚達(dá)到一定厚度時(shí)，發(fā)生剝離，污染設(shè)備的問(wèn)題。

本實(shí)施例中，具體可以將膜厚測(cè)試片2設(shè)置在掩膜板1的周邊區(qū)域，由于周邊區(qū)域的面積較大，便于膜厚測(cè)試片2的設(shè)置以及后續(xù)的膜厚檢測(cè)。

為了提高檢測(cè)精度，設(shè)置掩膜板1包括至少兩個(gè)膜厚測(cè)試片2，所述至少兩個(gè)膜厚測(cè)試片2均勻分布在所述圖形區(qū)域的周邊，通過(guò)檢測(cè)不同位置的膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜的膜厚，取其平均值，有利于提高檢測(cè)精度。例如：所述掩膜板1為矩形板時(shí)，可以在掩膜板1的板體10的四個(gè)側(cè)邊分別設(shè)置一膜厚測(cè)試片2。

以應(yīng)用于蒸鍍?cè)O(shè)備為例，上述掩膜板的使用過(guò)程為：

將放置在存儲(chǔ)腔內(nèi)的掩膜板送至蒸鍍真空腔內(nèi)；

將所述掩膜板與蒸鍍真空腔內(nèi)的基板進(jìn)行對(duì)位；

以所述掩膜板為阻擋，蒸鍍材料透過(guò)所述掩膜板上的鏤空?qǐng)D形所在的區(qū)域沉積在所述基板上，形成第二薄膜圖形，所述第二薄膜圖形與所述鏤空?qǐng)D形的圖形一致。同時(shí)，所述蒸鍍材料也沉積在所述掩膜板1的除鏤空?qǐng)D形之外的區(qū)域，形成第一薄膜圖形；

檢測(cè)膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的膜厚，當(dāng)所述第一薄膜的膜厚達(dá)到預(yù)設(shè)厚度時(shí)，將一張新的掩膜板放置到所述存儲(chǔ)腔內(nèi)，更換掉上述掩膜板，當(dāng)所述第一薄膜的膜厚未達(dá)到預(yù)設(shè)厚度時(shí)，將上述掩膜板送回至存儲(chǔ)腔內(nèi)。

其中，所述蒸鍍材料可以為有機(jī)材料，也可以為金屬材料，在此不作限定，根據(jù)具體的需求來(lái)選擇。

實(shí)施例二

參見(jiàn)圖2所示，本實(shí)施例中提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括用于放置實(shí)施例一中的掩膜板1的存儲(chǔ)腔，還包括：

膜厚檢測(cè)單元，用于測(cè)量掩膜板1的膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜的膜厚。

上述蒸鍍?cè)O(shè)備包括膜厚檢測(cè)單元，用于檢測(cè)掩膜板的膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的膜厚，以獲取掩膜板上的薄膜膜厚，從而當(dāng)掩膜板上的薄膜膜厚達(dá)到一定的厚度時(shí)，能夠及時(shí)更換存儲(chǔ)腔內(nèi)的掩膜板，避免出現(xiàn)薄膜剝離污染蒸鍍?cè)O(shè)備的問(wèn)題。

其中，掩膜板1的具體結(jié)構(gòu)以及使用過(guò)程已在實(shí)施例一中描述，在此不再詳述。

結(jié)合圖3和圖4所示，本實(shí)施例中，設(shè)置所述蒸鍍?cè)O(shè)備還包括：

報(bào)警單元；

控制單元，與所述膜厚檢測(cè)單元和報(bào)警單元連接，當(dāng)?shù)谝槐∧さ暮穸冗_(dá)到預(yù)設(shè)厚度時(shí)，所述控制單元控制所述報(bào)警單元發(fā)出警報(bào)。

上述技術(shù)方案通過(guò)設(shè)置報(bào)警單元，并在掩膜板上的薄膜膜厚達(dá)到預(yù)設(shè)厚度時(shí)，控制所述報(bào)警單元發(fā)出警報(bào)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)報(bào)警，便于及時(shí)更換掩膜板，適用于真空生產(chǎn)線。

所述報(bào)警單元可以通過(guò)聲音、指示燈、可視化圖形界面等方式來(lái)發(fā)出警報(bào)，在此不作限定。所述控制單元包括處理器、驅(qū)動(dòng)電路等。

本實(shí)施例中，將膜厚檢測(cè)單元設(shè)置在存儲(chǔ)腔內(nèi)，有利于實(shí)時(shí)檢測(cè)掩膜板1上的薄膜厚度，便于及時(shí)更換。

具體的，可以在所述存儲(chǔ)腔內(nèi)設(shè)置有承載部，所述掩膜板固定放置在所述承載部上。所述膜厚檢測(cè)單元也固定在所述承載部上，并與所述掩膜板的膜厚測(cè)試片的位置對(duì)應(yīng)，便于實(shí)現(xiàn)對(duì)所述膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的膜厚檢測(cè)。當(dāng)所述掩膜板包括多個(gè)膜厚測(cè)試片時(shí)，設(shè)置多個(gè)膜厚檢測(cè)單元，且膜厚檢測(cè)單元與膜厚測(cè)試片的位置一一對(duì)應(yīng)，所述膜厚檢測(cè)單元用于檢測(cè)位置對(duì)應(yīng)的膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的膜厚。

進(jìn)一步地，所述控制單元與所述多個(gè)膜厚檢測(cè)單元連接，用于獲取每一膜厚檢測(cè)單元檢測(cè)的薄膜厚度，并取平均值，當(dāng)所述平均值大于預(yù)設(shè)的厚度時(shí)，控制所述警報(bào)單元發(fā)出警報(bào)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)報(bào)警，便于及時(shí)更換掩膜板，適用于真空生產(chǎn)線，并提高了檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。

參見(jiàn)圖2所示，具體可以在所述承載部上設(shè)置多個(gè)支撐塊11，掩膜板1固定放置在多個(gè)支撐塊11上。所述膜厚檢測(cè)單元和支撐塊11位于所述承載部的同一側(cè)。

可選的，多個(gè)膜厚測(cè)試片2均勻分布在掩膜板1的圖形區(qū)域的周邊，以方便膜厚測(cè)試片的設(shè)置以及薄膜膜厚的檢測(cè)，并提高檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確度。

本發(fā)明的膜厚檢測(cè)單元可以根據(jù)膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的材料，來(lái)選擇具體的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)第一薄膜膜厚的檢測(cè)。

在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，參見(jiàn)圖3所示，膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜102的材料為金屬，所述膜厚檢測(cè)單元的具體結(jié)構(gòu)為：

所述膜厚檢測(cè)單元包括：

固定在所述承載部上的第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述承載部設(shè)置在用于放置掩膜板的存儲(chǔ)腔內(nèi)；

固定在所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的輸出端的方塊電阻測(cè)試儀，所述方塊電阻測(cè)試儀包括計(jì)算單元、本體20和設(shè)置在本體20上的至少一個(gè)探針21，所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)探針21插入第一薄膜102中；所述計(jì)算單元與探針21連接，當(dāng)探針21插入第一薄膜102中時(shí)，所述計(jì)算單元計(jì)算第一薄膜102的方塊電阻；

壓力傳感器(圖中未示出)，用于獲取所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)施加在所述方塊電阻測(cè)試儀上的壓力，所述壓力傳感器可以采用電阻應(yīng)變片壓力傳感器、壓阻式壓力傳感器、電感式壓力傳感器等；

所述控制單元與所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和壓力傳感器連接，用于控制所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)探針21插入第一薄膜102中，直至施加在所述方塊電阻測(cè)試儀上的壓力為預(yù)設(shè)壓力；所述控制單元還與所述計(jì)算單元連接，用于根據(jù)所述第一薄膜的方塊電阻確定第一薄膜102的厚度。

上述膜厚檢測(cè)單元通過(guò)檢測(cè)第一薄膜的方塊電阻值rs，計(jì)算得出第一薄膜的膜厚d。其中，rs和d滿足以下公式：rs＝a*d^b(如圖所示)，a、b為與第一薄膜的材料相關(guān)的常數(shù)。當(dāng)所述第一薄膜的材料為ag時(shí)，方塊電阻值rs與第一薄膜的膜厚d的對(duì)應(yīng)關(guān)系為圖6中示意的曲線。

為了提高檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性，設(shè)置所述掩膜板包括多個(gè)膜厚測(cè)試片2，并設(shè)置多個(gè)膜厚檢測(cè)單元。膜厚檢測(cè)單元與膜厚測(cè)試片2的位置一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，用于獲取位置對(duì)應(yīng)的膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜102的膜厚。

當(dāng)所述蒸鍍?cè)O(shè)備包括報(bào)警單元和控制單元時(shí)，所述控制單元與所述多個(gè)膜厚檢測(cè)單元連接，用于獲取每一膜厚檢測(cè)單元檢測(cè)的薄膜厚度，并取平均值，當(dāng)所述平均值大于預(yù)設(shè)的厚度時(shí)，控制所述警報(bào)單元發(fā)出警報(bào)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)報(bào)警，便于及時(shí)更換掩膜板，適用于真空生產(chǎn)線。

上述具體實(shí)施方式中，優(yōu)選設(shè)置膜厚測(cè)試片2的具有第一薄膜102的表面平整，使得第一薄膜102的膜厚均勻，提高檢測(cè)結(jié)果的可靠性。

其中，膜厚測(cè)試片2的材料為絕緣材料，以不影響對(duì)第一薄膜102的方塊電阻的檢測(cè)。所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)固定在承載部的方式有很多種，在此不再一一列舉。所述壓力傳感器可以設(shè)置在所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的輸出端和本體20之間，以獲取所述第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)施加在本體20上的壓力。

在另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，結(jié)合圖4和圖5所示，膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜102的材料為金屬，所述膜厚檢測(cè)單元的具體結(jié)構(gòu)為：

所述膜厚檢測(cè)單元包括：

固定在所述承載部上的電磁鐵3，所述承載部設(shè)置在用于放置掩膜板的存儲(chǔ)腔內(nèi)；

固定在所述承載部上的杠桿結(jié)構(gòu)，所述杠桿結(jié)構(gòu)包括杠桿30，杠桿30的一端固定有具有預(yù)設(shè)重量的砝碼31，另一端固定有方塊電阻測(cè)試儀，所述方塊電阻測(cè)試儀包括計(jì)算單元、本體20和設(shè)置在本體20上的至少一個(gè)探針21，所述計(jì)算單元與探針21連接，當(dāng)探針21插入第一薄膜102中時(shí)，所述計(jì)算單元計(jì)算第一薄膜102的方塊電阻；

所述控制單元與電磁鐵3連接，用于控制電磁鐵3吸合砝碼31，當(dāng)電磁鐵3不吸合砝碼31時(shí)，在砝碼31的重力作用下，杠桿30的固定有方塊電阻測(cè)試儀的所述另一端抬起，使得探針21插入第一薄膜102中，如圖5所示；所述控制單元還與所述計(jì)算單元連接，用于根據(jù)第一薄膜102的方塊電阻確定第一薄膜102的厚度。

為了提高檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性，設(shè)置所述掩膜板包括多個(gè)膜厚測(cè)試片2，并設(shè)置多個(gè)膜厚檢測(cè)單元。膜厚檢測(cè)單元與膜厚測(cè)試片2的位置一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，用于獲取位置對(duì)應(yīng)的膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜102的膜厚。

當(dāng)所述蒸鍍?cè)O(shè)備包括報(bào)警單元和控制單元時(shí)，所述控制單元與所述多個(gè)膜厚檢測(cè)單元連接，用于獲取每一膜厚檢測(cè)單元檢測(cè)的薄膜厚度，并取平均值，當(dāng)所述平均值大于預(yù)設(shè)的厚度時(shí)，控制所述警報(bào)單元發(fā)出警報(bào)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)報(bào)警，便于及時(shí)更換掩膜板，適用于真空生產(chǎn)線。

其中，電磁鐵3可以但并不局限于通過(guò)支架結(jié)構(gòu)固定在所述承載部上。所述杠桿結(jié)構(gòu)固定所述承載部上的方式有很多種，在此不再一一列舉，只需保證在重力方向上，電磁鐵3位于砝碼31的上方即可。

該具體實(shí)施方式與上一具體實(shí)施方式都是利用檢測(cè)方塊電阻，計(jì)算得出第一薄膜的膜厚，但是，膜厚檢測(cè)單元的具體結(jié)構(gòu)不同，都能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)方塊電阻的檢測(cè)。

需要說(shuō)明的是，上述兩個(gè)具體實(shí)施方式以第一薄膜的材料為金屬為例，具體介紹了如何利用膜厚檢測(cè)單元檢測(cè)膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的膜厚。但是，利用檢測(cè)方塊電阻計(jì)算得出第一薄膜的膜厚的原理，膜厚檢測(cè)單元的具體結(jié)構(gòu)并不局限于上述兩種具體結(jié)構(gòu)，在此不再一一詳述。

顯然，所述膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的材料不同，對(duì)應(yīng)的膜厚檢測(cè)單元的具體實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)也會(huì)有所區(qū)別。例如：當(dāng)所述膜厚測(cè)試片上的第一薄膜的材料為有機(jī)材料時(shí)，就不能通過(guò)檢測(cè)方塊電阻值的方式來(lái)檢測(cè)第一薄膜的膜厚。具體的，可以設(shè)置所述膜厚測(cè)試片的材料為金屬，膜厚檢測(cè)單元可以利用激光或超聲波來(lái)檢測(cè)第一薄膜的膜厚，具體的結(jié)構(gòu)在此不再詳述。

本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖2所示，具體可以在所述承載部上設(shè)置多個(gè)支撐塊11，掩膜板1固定放置在多個(gè)支撐塊11上。所述膜厚檢測(cè)單元和支撐塊11位于所述承載部的同一側(cè)，并與膜厚測(cè)試片2的位置一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。所述膜厚檢測(cè)單元用于檢測(cè)位置對(duì)應(yīng)的膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜的膜厚。當(dāng)掩膜板1包括多個(gè)膜厚測(cè)試片2時(shí)，將多個(gè)膜厚測(cè)試片2上的第一薄膜膜厚的平均值與預(yù)設(shè)的厚度進(jìn)行比較，來(lái)確定是否更換掩膜板1，以提高檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。

當(dāng)掩膜板1固定在一框架100上時(shí)，具體將框架100固定放置在多個(gè)支撐塊11上。

進(jìn)一步地，可以在支撐塊11上設(shè)置感應(yīng)單元，用于檢測(cè)支撐塊11上是否放置有掩膜板1。支撐塊11上還設(shè)置有固定部。所述控制單元與所述感應(yīng)單元和固定部連接，當(dāng)支撐塊11上放置有掩膜板1時(shí)，所述控制單元控制所述固定部固定掩膜板1。上述技術(shù)方案中，掩膜板固定放置在存儲(chǔ)腔內(nèi)，膜厚測(cè)試片的位置固定，有利于膜厚檢測(cè)單元檢測(cè)其上的第一薄膜的膜厚。

其中，對(duì)掩膜板進(jìn)行固定的具體實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)可以為：

以掩膜板1為矩形板為例，設(shè)置所述承載部上具有四個(gè)支撐塊11，所述四個(gè)支撐塊一一對(duì)應(yīng)所述掩膜板1的四個(gè)角設(shè)置。每一支撐塊11上設(shè)置有兩個(gè)固定部，所述固定部包括第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和固定體。對(duì)于每一支撐塊11，其中一個(gè)固定部靠近掩膜板1的一個(gè)側(cè)面設(shè)置，另一個(gè)固定部靠近掩膜板1的相鄰的另一側(cè)面設(shè)置；當(dāng)支撐塊11上放置有掩膜板1后，所述控制單元控制所述第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述固定體頂住掩膜板1的對(duì)應(yīng)的側(cè)面，四個(gè)角的固定部相互配合實(shí)現(xiàn)對(duì)掩膜板1的固定。

需要說(shuō)明的是，上述結(jié)構(gòu)只是對(duì)掩膜板進(jìn)行固定的一種具體實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)固定，適用于真空生產(chǎn)線。當(dāng)然，能夠?qū)ρ谀ぐ暹M(jìn)行固定的實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)并不局限于上述一種方式，例如：還可以利用機(jī)械手、壓片進(jìn)行固定，其都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。