一種滾珠表面鍍膜的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及滾珠鍍膜領(lǐng)域，具體涉及一種滾珠表面鍍膜的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]軸承向高精度、長壽命方向發(fā)展，對滾珠和溝道的耐磨性提出了更高的要求，尤其是無油軸承和低轉(zhuǎn)速油潤滑軸承對耐磨的需求更為明顯，這就需要制備具有高硬度的軸承軌道和滾珠。
[0003]在滾珠表面鍍膜時(shí)，因陰影效應(yīng)，滾珠表面膜層的均勻性一直是工程難題，目前國內(nèi)已提出了一些鍍膜方法，如將滾珠放置在一個(gè)托盤中，在鍍膜過程中，托盤的兩端做高低相對運(yùn)動，滾珠通過重力作用，在托盤中滾動，從而實(shí)現(xiàn)均勻鍍膜。然而，該方法在實(shí)施過程中，因靶源處蒸發(fā)或?yàn)R射的大顆粒會沉積到托盤中，滾珠在滾動過程中，其表面可能粘附較大的顆粒物，導(dǎo)致其不能夠均勻鍍膜，影響成膜質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種滾珠表面鍍膜的裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)對滾珠表面膜層的均勻沉積。
[0005]一種滾珠表面鍍膜的裝置，其特征在于，包括:旋轉(zhuǎn)軸、靶源、離子源、傳動裝置和工裝架；
[0006]所述工裝架由固定板、固定桿、旋轉(zhuǎn)軸和多個(gè)旋轉(zhuǎn)組件組成；其中，旋轉(zhuǎn)組件由上轉(zhuǎn)盤和下轉(zhuǎn)盤組成，上轉(zhuǎn)盤和下轉(zhuǎn)盤相對表面上均加工有一圈環(huán)形凹槽；上轉(zhuǎn)盤一側(cè)裝有限位塊，且該限位塊具有限位孔；
[0007]其連接關(guān)系在于:下轉(zhuǎn)盤與旋轉(zhuǎn)軸固定連接；上轉(zhuǎn)盤通過中心孔與旋轉(zhuǎn)軸套接且位于下轉(zhuǎn)盤上方；將工裝架中的固定板安裝在真空室頂壁，且固定桿與固定板垂直連接；上轉(zhuǎn)盤通過限位塊中的限位孔與固定桿套接；將待制備的滾珠裝備在上轉(zhuǎn)盤和下轉(zhuǎn)盤之間的環(huán)形凹槽上；
[0008]所述傳動裝置安裝在真空室外壁任意位置，且其輸出端垂直于水平面并與工裝架中的旋轉(zhuǎn)軸固定連接；
[0009]所述靶源和離子源位于工裝架四周任意位置。
[0010]優(yōu)選地，所述環(huán)形凹槽表面具有與滾珠的表面弧度相契合的弧形凹面。
[0011]有益效果:
[0012]1、本發(fā)明采用將上轉(zhuǎn)盤通過限位孔與固定架固定，而下轉(zhuǎn)盤與旋轉(zhuǎn)軸相連的方式，即下轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動，上轉(zhuǎn)盤固定不動，使得滾珠的各表面與旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)中心的距離不一樣，進(jìn)而導(dǎo)致滾珠的自轉(zhuǎn)，使得直線傳播的膜料均勻沉積在滾珠表面，使得滾珠表面的膜層更加均勻。
[0013]2、本發(fā)明所采用的上下轉(zhuǎn)盤為具有環(huán)形凹槽的轉(zhuǎn)盤，不僅可以起到限位作用，而且還由于上下轉(zhuǎn)盤與滾珠的接觸面范圍的減少降低了滾珠與大顆粒物粘附的概率。
[0014]3、本發(fā)明所采用的環(huán)形凹槽是具有與滾珠表面相契合的弧形凹面，不僅起到了限位的作用，而且還能夠使?jié)L珠在自轉(zhuǎn)時(shí)減小摩擦力，利于轉(zhuǎn)動。
[0015]4、上轉(zhuǎn)盤通過限位孔與固定桿套接，而非采用固定連接的方式，上轉(zhuǎn)盤通過自身重力的作用，沿固定桿下滑，將滾珠壓緊在上轉(zhuǎn)盤和下裝盤之間，這樣一來，不僅方便取、放滾珠，而且使得結(jié)構(gòu)簡單。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明的滾珠裝架結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為本發(fā)明裝配結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]其中，1-下轉(zhuǎn)盤，2-滾珠，3-上轉(zhuǎn)盤，4-旋轉(zhuǎn)軸，5-固定板，6-固定桿，7_革巴源，8-離子源，9-傳動裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖并舉實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0020]本發(fā)明提供了一種滾珠表面鍍膜的裝置，其中，所述裝置處于真空室中。
[0021]參見圖1，本發(fā)明一較佳實(shí)施例的滾珠表面鍍膜的裝置包括旋轉(zhuǎn)軸4、工裝架11、靶源7、離子源8和傳動裝置9 ;
[0022]所述工裝架由固定板5、固定桿6、旋轉(zhuǎn)軸4和多個(gè)旋轉(zhuǎn)組件組成；其中，每個(gè)旋轉(zhuǎn)組件由上轉(zhuǎn)盤3和下轉(zhuǎn)盤I組成，上轉(zhuǎn)盤3和下轉(zhuǎn)盤I相對表面上均加工有一圈環(huán)形凹槽；采用環(huán)形凹槽的結(jié)構(gòu)，不僅可以起到限位作用，而且還由于上下轉(zhuǎn)盤與滾珠的接觸面范圍的減少降低了滾珠與大顆粒物粘附的概率。
[0023]上轉(zhuǎn)盤3 —側(cè)裝有限位塊，且該限位塊具有限位孔；
[0024]其連接關(guān)系在于:下轉(zhuǎn)盤I與旋轉(zhuǎn)軸4通過氬弧焊的方式焊接在一起，以保證在旋轉(zhuǎn)軸的帶動下，下轉(zhuǎn)盤I旋轉(zhuǎn)。上轉(zhuǎn)盤3通過中心孔與旋轉(zhuǎn)軸4套接且位于下轉(zhuǎn)盤I上方。將工裝架中的固定板5安裝在真空室頂壁，且固定桿6與固定板5垂直連接；上轉(zhuǎn)盤3通過限位塊中的限位孔與固定桿6套接；在使用時(shí)，將上轉(zhuǎn)盤3移動，將待制備的滾珠2裝備在上轉(zhuǎn)盤3和下轉(zhuǎn)盤I的凹槽上，上轉(zhuǎn)盤3在重力的作用下，沿固定桿6下滑，將滾珠壓緊在上轉(zhuǎn)盤3和下裝盤I之間；這樣一來，不僅方便取、放滾珠，而且使得結(jié)構(gòu)簡單。
[0025]一般地，相鄰兩旋轉(zhuǎn)裝置間的距離為5厘米。
[0026]所述傳動裝置9安裝在真空室外壁任意位置，且其輸出端垂直于水平面并與工裝架中的旋轉(zhuǎn)軸4固定連接。
[0027]其中，環(huán)形凹槽表面是具有與滾珠2的表面弧度相契合的弧形凹面，不僅起到了限位的作用，而且還能夠使?jié)L珠在自轉(zhuǎn)時(shí)減小摩擦力，利于轉(zhuǎn)動。當(dāng)旋轉(zhuǎn)軸4轉(zhuǎn)動時(shí)，帶動下轉(zhuǎn)盤I轉(zhuǎn)動，此時(shí)，滾珠2的各表面到旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)中心距離不同，導(dǎo)致滾珠2各表面受力不均，繼而滾珠自身旋轉(zhuǎn)，進(jìn)一步的避免了滾動鍍膜不均的現(xiàn)象，使得滾珠表面的膜層更加均勻。
[0028]在滾珠2能夠均勻被靶源7和離子源8噴射的范圍內(nèi)，將靶源7和離子源8安裝在工裝架四周任意位置。
[0029]綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種滾珠表面鍍膜的裝置，其特征在于，包括:旋轉(zhuǎn)軸(4)、靶源(7)、離子源(8)、傳動裝置(9)和工裝架； 所述工裝架由固定板(5)、固定桿￠)、旋轉(zhuǎn)軸(4)和多個(gè)旋轉(zhuǎn)組件組成；其中，旋轉(zhuǎn)組件由上轉(zhuǎn)盤(3)和下轉(zhuǎn)盤(I)組成，上轉(zhuǎn)盤(3)和下轉(zhuǎn)盤(I)相對表面上均加工有一圈環(huán)形凹槽；上轉(zhuǎn)盤⑶一側(cè)裝有限位塊，且該限位塊具有限位孔； 其連接關(guān)系在于:下轉(zhuǎn)盤(I)與旋轉(zhuǎn)軸(4)固定連接；上轉(zhuǎn)盤(3)通過中心孔與旋轉(zhuǎn)軸(4)套接且位于下轉(zhuǎn)盤(I)上方；將工裝架中的固定板(5)安裝在真空室頂壁，且固定桿(6)與固定板(5)垂直連接；上轉(zhuǎn)盤(3)通過限位塊中的限位孔與固定桿(6)套接；將待制備的滾珠(2)裝備在上轉(zhuǎn)盤(3)和下轉(zhuǎn)盤(I)之間的環(huán)形凹槽上； 所述傳動裝置(9)安裝在真空室外壁任意位置，且其輸出端垂直于水平面并與工裝架中的旋轉(zhuǎn)軸(4)固定連接； 所述靶源(7)和離子源(8)位于工裝架四周任意位置。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述環(huán)形凹槽表面具有與滾珠(2)的表面弧度相契合的弧形凹面。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種滾珠表面鍍膜的裝置。本發(fā)明采用將上轉(zhuǎn)盤通過限位孔與固定架固定，而下轉(zhuǎn)盤與旋轉(zhuǎn)軸相連的方式，即下轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動，上轉(zhuǎn)盤固定不動，使得滾珠的各表面與旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)中心的距離不一樣，進(jìn)而導(dǎo)致滾珠的自轉(zhuǎn)，使得直線傳播的膜料均勻沉積在滾珠表面，使得滾珠表面的膜層更加均勻。
【IPC分類】C23C14-50
【公開號】CN104561920
【申請?zhí)枴緾N201410834542
【發(fā)明人】趙棟才, 肖更竭, 馬占吉, 武生虎, 任妮
【申請人】蘭州空間技術(shù)物理研究所
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月26日