的散熱，保證上下花鍵盤的受熱均勻性，在最頂層花鍵盤放置一圓盤類工裝，圓盤工裝直徑要與花鍵盤的外花鍵相當(dāng)。
[0026]6、放置隨爐試樣:在最下一層靠近內(nèi)外花鍵處分別放置一塊制備好的試樣，在最上一層靠近內(nèi)外花鍵處也分別放置一塊制備好的試樣，要求四塊試樣放置的位置能從爐壁觀察口方便看到；
7、安裝密封橡膠圈:用橡膠錘錘擊密封橡膠圈，保證其與底盤貼合嚴(yán)實(shí)；罩上鐘罩，連接好各路冷卻水管，準(zhǔn)備抽真空升溫。
[0027]四、抽真空升溫
1、抽真空:開啟抽真空泵，對(duì)離子氮化爐抽真空，抽真空時(shí)間為30?40min，爐內(nèi)真空度達(dá)到1Pa左右時(shí)，關(guān)閉抽真空泵；
2、檢測(cè)爐體的密封性:如果爐內(nèi)氣壓回升率<0.1Pa/min，說(shuō)明爐體密封性能良好，若氣壓回升率多0.1Pa/min，需要對(duì)爐體密封性檢測(cè)，合格后方可重新開啟抽真空泵；
3、打弧:在爐內(nèi)氣壓低于45Pa時(shí)，開啟電阻I檔，電壓設(shè)定650V。氨氣通入流量為350ml/min，通過(guò)爐體觀察孔，根據(jù)爐內(nèi)起弧放電強(qiáng)烈程度，調(diào)整電流占空比。具體為:占空比先設(shè)為5?10%，查看爐內(nèi)起弧情況，若起弧輕微，繼續(xù)上調(diào)占空比達(dá)20%，此時(shí)爐內(nèi)起弧放電逐步加強(qiáng)，保持占空比，起弧放電輕微時(shí)，再逐步調(diào)整占空比到45?50%，并逐步提尚氨氣流量和爐內(nèi)氣壓；
調(diào)節(jié)占空比時(shí)，起弧的強(qiáng)烈程度主要靠操作者通過(guò)爐體上的觀察口觀察，目前國(guó)、內(nèi)外廠家做的爐子還沒有檢測(cè)起弧強(qiáng)度的儀表。輕微起弧:通過(guò)觀察口看到工件表面零星的閃爍打弧。強(qiáng)烈起弧:通過(guò)觀察口可看到工件表面大面積的閃爍打弧，嚴(yán)重時(shí)會(huì)對(duì)爐體造成損傷，降低爐體使用壽命，所以應(yīng)避免嚴(yán)重起弧現(xiàn)象。起弧源主要是工件表面不清潔，工件進(jìn)爐前必須清潔。
[0028]4、升溫:待爐內(nèi)幾乎不再起弧時(shí)，這時(shí)爐內(nèi)溫度為400°C左右，爐內(nèi)壓力為180Pa左右，氨氣流量為800ml/min時(shí)，關(guān)閉電阻I檔，開啟電阻2檔，進(jìn)行快速升溫，整個(gè)升溫時(shí)間為8?10小時(shí)。
[0029]五、保溫階段
控制柜上顯示熱電偶檢測(cè)溫度達(dá)到520°C時(shí)，保溫階段爐內(nèi)氣壓、氨氣流量、電壓都處于穩(wěn)定階段，本工藝專利設(shè)定保溫溫度520°C，氨氣流量800?900ml/min，爐內(nèi)氣壓250?300Pa，電壓700?750V，保溫階段時(shí)間為19h。
[0030]以上參數(shù)主要影響爐內(nèi)輝光層的厚度，最終影響氮化層的厚度，一般是通過(guò)爐體觀察口，觀察輝光層的厚度，輝光層稀薄就要增加氣壓。根據(jù)具體工件，輝光層厚度最好在2?5_，因而采用了以上參數(shù)的數(shù)值范圍。加熱溫度、保溫時(shí)間是影響氮化層深度的主要參數(shù)，在一定范圍內(nèi)隨氮化層隨加熱溫度的提高、保溫時(shí)間的延長(zhǎng)而加深。但是溫度過(guò)高會(huì)造成工件基體硬度下降，工件變形量增大等問(wèn)題。本專利采用的42CrMo材料經(jīng)過(guò)調(diào)質(zhì)熱處理后基體硬度在HB262-311，為保證基體硬度不下降，工件變形小，因此采用低于調(diào)質(zhì)回火溫度(560°0 40°〇，即520 °C離子氮化。
[0031]六、降溫階段
降低爐體內(nèi)的溫度至300°C，關(guān)閉電源，關(guān)閉抽真空泵，停止供氣，讓花鍵盤在氮?jiǎng)輾夥罩须S爐緩慢冷卻。
[0032]七、出爐
待爐內(nèi)溫度降至150°C以下，關(guān)閉冷卻水閥，出爐繼續(xù)冷卻。
[0033]八、檢測(cè)
1、隨爐試樣檢測(cè):表面硬度應(yīng)達(dá)到HVl:610?630，氮化層厚應(yīng)達(dá)到0.3mm，表面脆性級(jí)別應(yīng)達(dá)到I級(jí)，滲氮層氮化物級(jí)別應(yīng)達(dá)到I級(jí)；
2、花鍵盤檢測(cè):采用德國(guó)LHF302040型三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x，檢測(cè)結(jié)果為花鍵盤端面平面度氮化前后變化< 0.03mm,內(nèi)花鍵齒頂圓氮化前后變化< 0.04mm,內(nèi)花鍵模數(shù)值氮化前后變化< 0.05mm ;外花鍵齒頂圓氮化前后變化< 0.04mm，外花鍵模數(shù)值氮化前后< 0.03mm。
[0034]九、裝機(jī)驗(yàn)證
分別用輝光離子氮化后的花鍵盤及經(jīng)過(guò)中頻熱處理加工后的花鍵盤裝機(jī)使用驗(yàn)證，驗(yàn)證期為2年，工作時(shí)間1000小時(shí)，無(wú)質(zhì)量問(wèn)題，傳動(dòng)性能穩(wěn)定。
[0035]雖然以上描述了本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這些僅是舉例說(shuō)明，本發(fā)明的保護(hù)范圍是由所附權(quán)利要求書限定。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的前提下，可以對(duì)這些實(shí)施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述花鍵盤采用輝光離子氮化工藝，所述輝光離子氮化工藝包括清洗工序、裝爐工序、氮化工序和出爐工序，所述裝爐工序中加設(shè)輔助陽(yáng)極。
2.如權(quán)利要求1所述的一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述輔助陽(yáng)極加裝在花鍵盤內(nèi)孔和花鍵盤外圍。
3.如權(quán)利要求2所述的一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述花鍵盤外圍均布有三根輔助陽(yáng)極，輔助陽(yáng)極與花鍵盤之間的間距是50?60mm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述裝爐工序中花鍵盤采用三點(diǎn)支撐，三個(gè)支撐點(diǎn)的高度一致，花鍵盤采用疊放式裝爐，相鄰花鍵盤與陰極盤之間的距離為60mm。
5.如上述任一權(quán)利要求所述的一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述氮化工序包括抽真空升溫階段、保溫階段和降溫階段，所述保溫階段的保溫溫度是520°C，氨氣流量是800?900/min，爐內(nèi)氣壓是250?300Pa，電壓是700?750V，保溫階段時(shí)間是19h。
6.如權(quán)利要求5所述的一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述抽真空升溫階段主要包括以下步驟， 步驟一，抽真空，抽真空時(shí)間為30?40min ； 步驟二，檢測(cè)爐體的密封性，如果爐內(nèi)氣壓回升率< 0.1Pa/min，說(shuō)明爐體密封性能良好，若氣壓回升率彡0.1Pa/min，需要檢測(cè)爐體的密封性； 步驟三，打弧，在爐內(nèi)氣壓低于45Pa時(shí)，開啟電壓設(shè)定值為650V的電阻I檔，氨氣通入流量為350ml/min，通過(guò)爐體觀察孔，根據(jù)爐內(nèi)起弧放電強(qiáng)烈程度，調(diào)整電流占空比； 步驟四，升溫，待爐內(nèi)溫度為400 °C左右、爐內(nèi)壓力為180Pa左右、氨氣流量為800ml/min、爐內(nèi)不再起弧時(shí)，關(guān)閉電阻I檔，開啟電阻2檔，進(jìn)行快速升溫，整個(gè)升溫時(shí)間為8?1h0
7.如權(quán)利要求6所述的一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述電流占空比的調(diào)節(jié)方式是，首先將占空比設(shè)置為5?10%，查看爐內(nèi)起弧情況，若起弧輕微，繼續(xù)上調(diào)占空比達(dá)20%，此時(shí)爐內(nèi)起弧放電逐步加強(qiáng)，暫時(shí)保持占空比不變，當(dāng)起弧放電輕微時(shí)，占空比調(diào)整到45?50%，并逐步提高氨氣流量和爐內(nèi)氣壓。
8.如權(quán)利要求5所述的一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述清洗工序主要包括以下步驟， 步驟一，用毛刷清除花鍵盤上的殘留毛刺，用細(xì)砂紙擦去表面銹斑； 步驟二，用93#汽油對(duì)花鍵盤進(jìn)行第一遍清洗，用毛刷清洗花鍵盤表面和溝槽處的油污、鐵肩； 步驟三，用無(wú)污染新的93#汽油對(duì)花鍵盤進(jìn)行第二遍清洗，清洗干凈后在密室內(nèi)懸掛風(fēng)干。
9.如權(quán)利要求5所述的一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述裝爐工序主要包括以下步驟， 步驟一，清理陰極盤濺射物； 步驟二，屏蔽螺紋孔； 步驟三，花鍵盤采用三點(diǎn)支撐方式裝爐，在爐體內(nèi)加設(shè)輔助陽(yáng)極； 步驟四，在最頂層花鍵盤上放置圓盤形輔助罩； 步驟五，放置隨爐試樣，要求隨爐試樣放置的位置能從爐壁觀察口看到； 步驟六，安裝密封橡膠圈。
10.如權(quán)利要求9所述的一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，其特征在于:所述出爐工序后進(jìn)入檢測(cè)工序，檢測(cè)工序包括隨爐試樣檢測(cè)和花鍵盤檢測(cè)，隨爐試樣檢測(cè)的參數(shù)包括表面硬度達(dá)HVl: 610?630，氮化層厚達(dá)0.3mm，表面脆性級(jí)別達(dá)到I級(jí)，滲氮層氮化物級(jí)別達(dá)到I級(jí)； 花鍵盤檢測(cè)的參數(shù)包括花鍵盤端面平面度氮化前后變化< 0.03mm，內(nèi)花鍵齒頂圓氮化前后變化< 0.04mm，內(nèi)花鍵模數(shù)值氮化前后變化< 0.05mm，外花鍵齒頂圓氮化前后變化(0.04mm,外花鍵模數(shù)值氮化前后變化< 0.03mm。
【專利摘要】本發(fā)明屬于推土機(jī)零部件加工技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種推土機(jī)花鍵盤加工工藝，所述花鍵盤采用輝光離子氮化工藝，所述輝光離子氮化工藝包括清洗工序、裝爐工序、氮化工序和出爐工序，所述裝爐工序中加設(shè)輔助陽(yáng)極。本發(fā)明具有可將花鍵盤尺寸直接加工到位、工件表面光潔度高、工件變形小且無(wú)需后續(xù)加工修型、可直接裝機(jī)使用的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】C23C8-36
【公開號(hào)】CN104762589
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510153863
【發(fā)明人】張民, 馮顯磊, 王 忠, 王孟, 謝玲珍, 徐春雷
【申請(qǐng)人】山推工程機(jī)械股份有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請(qǐng)日】2015年4月2日