玻璃板的制造方法、及玻璃板的研磨裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種玻璃板的制造方法、及玻璃板的研磨裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 玻璃板在制造工序中，會被切斷成所需的尺寸。例如，液晶顯示器、等離子顯示器 等平板顯示器用玻璃基板、觸控用玻璃基板、及保護用玻璃基板等的制造工序包含如下工 序，即，在稱為母玻璃的大型玻璃板上形成劃線而進行切斷。玻璃板的切斷面上通常會形成 細微裂痕或非常鋒利的邊緣。為了除去形成于該切斷面的邊緣，而進行切斷面的倒角。例 如，W截面成為R形狀的方式，對切斷面進行倒角。經(jīng)倒角后的切斷面進一步通過使用研磨 輪的研磨加工而被精加工成鏡面狀。
[0003] 在專利文獻1 (國際公開第2012/067587號公報）中，公開了一種在玻璃板的端面 研磨加工中使用磁性流體的技術(shù)。使用磁性流體的研磨加工中，是在一對磁鐵之間保持含 研磨粒的磁性流體，使玻璃板的端面接觸磁性流體，于此狀態(tài)下，使玻璃板的端面與磁性流 體相對移動，由此對玻璃板的端面進行研磨。利用磁性流體的研磨加工中，是使磁性流體追 隨被加工物的形狀而進行研磨加工，因此，對被加工物的損傷相對較少。因此，在玻璃板的 端面的研磨加工中使用保持磁性流體的研磨輪的情況下，與使用含金剛石研磨粒的研磨輪 的研磨加工相比，能獲得更平滑的端面。
[0004] [【背景技術(shù)】文獻] 陽00引[專利文獻]
[0006] [專利文獻1]國際公開第2012/067587號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] [發(fā)明所要解決的問題]
[0008] 但是，在保持磁性流體的現(xiàn)有研磨輪中，一對磁鐵周圍的空間內(nèi)存在的磁通的密 度較低，磁性流體的保持力不充分。因此，現(xiàn)有的研磨輪有如下問題：玻璃板的端面研磨效 率較低，為了獲得所需品質(zhì)的端面，要花費非常長的時間。因此，要求提高研磨輪的一對磁 鐵周圍的空間內(nèi)存在的磁通的密度，增加磁性流體的保持力，W提高玻璃板的研磨效率。
[0009] 本發(fā)明的目的在于提供一種可提高玻璃板的端面研磨效率的玻璃板的制造方法、 及玻璃板的研磨裝置。
[0010] [解決問題的技術(shù)手段]
[0011] 本發(fā)明的玻璃板的制造方法中，使被第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件所形 成的磁場保持的磁性體研磨粒，與第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件一起繞旋轉(zhuǎn)軸旋 轉(zhuǎn)，于此狀態(tài)下使玻璃板的端部接觸磁性體研磨粒，從而對端部進行研磨。該玻璃板的制造 方法中，利用磁通集中構(gòu)件，使從第1磁場形成構(gòu)件朝向第2磁場形成構(gòu)件的磁通集中，從 而增加磁通的密度。磁通集中構(gòu)件是安裝于第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件上的磁 性體。該玻璃板的制造方法是使玻璃板的端部，接觸被利用磁通集中構(gòu)件而磁通密度得到 增加的空間保持的磁性體研磨粒。
[0012] 該玻璃板的制造方法是如下方法，即，使玻璃板的端面接觸繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的磁性 體研磨粒而進行研磨。磁性體研磨粒是被第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件所形成的 磁場保持。磁通集中構(gòu)件設(shè)為，在保持磁性體研磨粒的空間的至少一部分空間內(nèi)使磁通集 中，從而增加磁通的密度。在利用磁通集中構(gòu)件而磁通密度得到增加的空間內(nèi)，第1磁場形 成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件的磁性體研磨粒的保持力比其他空間內(nèi)的保持力大。磁性體研 磨粒的保持力越高，那么在玻璃板的端面已接觸磁性體研磨粒的情況下，磁性體研磨粒便 越難W移動。由此，因旋轉(zhuǎn)的磁性體研磨粒而施加于玻璃板端面的研磨壓力變高，玻璃板的 端面研磨能力也變高。因此，該玻璃板的制造方法可提高玻璃板的端面研磨效率。
[0013] 此外，該玻璃板的制造方法優(yōu)選為，在第1磁場形成構(gòu)件與第2磁場形成構(gòu)件之間 的空間、W及第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件的、旋轉(zhuǎn)軸的徑向外側(cè)的空間的至少一 個空間內(nèi)，磁通的密度因磁通集中構(gòu)件而得到增加。
[0014] 該玻璃板的制造方法中，W磁力線通過磁通集中構(gòu)件之中的方式設(shè)置磁通集中構(gòu) 件，該磁力線從第1磁場形成構(gòu)件朝向第2磁場形成構(gòu)件，且通過磁性體研磨粒所保持的空 間。由此，在與玻璃板端面接觸的磁性體研磨粒所保持的空間內(nèi)，磁通的密度增加。因此， 該玻璃板的制造方法可提高玻璃板的端面研磨效率。
[0015] 此外，該玻璃板的制造方法優(yōu)選為，第2磁場形成構(gòu)件相對于第1磁場形成構(gòu)件所 處一側(cè)的相反側(cè)的空間、W及第1磁場形成構(gòu)件相對于第2磁場形成構(gòu)件所處一側(cè)的相反 側(cè)的空間的至少一個空間內(nèi)，磁通的密度因磁通集中構(gòu)件而得到增加。
[0016] 該玻璃板的制造方法中，W磁力線通過磁通集中構(gòu)件之中的方式設(shè)置磁通集中構(gòu) 件，該磁力線從第1磁場形成構(gòu)件朝向第2磁場形成構(gòu)件，且通過磁性體研磨粒所保持的空 間。由此，在與玻璃板端面接觸的磁性體研磨粒所保持的空間內(nèi)，磁通的密度增加。因此， 該玻璃板的制造方法可提高玻璃板的端面研磨效率。
[0017] 本發(fā)明的玻璃板的研磨裝置具備旋轉(zhuǎn)軸、第1磁場形成構(gòu)件、第2磁場形成構(gòu)件、 磁性體研磨粒、及磁通集中構(gòu)件。第1磁場形成構(gòu)件連結(jié)于旋轉(zhuǎn)軸，且繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。第2 磁場形成構(gòu)件連結(jié)于旋轉(zhuǎn)軸，且繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。磁性體研磨粒是被第1磁場形成構(gòu)件及第 2磁場形成構(gòu)件所形成的磁場保持。磁通集中構(gòu)件是安裝于第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場 形成構(gòu)件上的磁性體。磁通集中構(gòu)件使從第1磁場形成構(gòu)件朝向第2磁場形成構(gòu)件的磁通 集中，從而增加磁通的密度。被利用磁通集中構(gòu)件而磁通密度得到增加的空間保持的磁性 體研磨粒，與第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件一起繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，于此狀態(tài)下與玻璃 板的端部接觸，而對端部進行研磨。
[0018] 此外，該玻璃板的研磨裝置優(yōu)選為，磁通集中構(gòu)件在第1磁場形成構(gòu)件與第2磁場 形成構(gòu)件之間的空間、W及第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件的、旋轉(zhuǎn)軸的徑向外側(cè)的 空間的至少一個空間內(nèi)，使磁通的密度增加。
[0019] 此外，該玻璃板的研磨裝置優(yōu)選為，磁通集中構(gòu)件至少安裝于第1磁場形成構(gòu)件 及第2磁場形成構(gòu)件的、旋轉(zhuǎn)軸的徑向外側(cè)，且具有磁通集中槽。磁通集中槽是如下槽，即， 在磁通集中構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)軸的徑向外側(cè)的表面，與旋轉(zhuǎn)軸的中屯、軸成直角。
[0020] 該玻璃板的研磨裝置中，玻璃板的端面與被形成于磁通集中構(gòu)件的磁通集中槽的 內(nèi)側(cè)空間保持的磁性體研磨粒接觸，而進行研磨。磁通集中構(gòu)件W使磁通集中槽的內(nèi)側(cè)空 間的磁通密度增加的方式設(shè)置。
[0021] 此外，該玻璃板的研磨裝置優(yōu)選為，磁通集中構(gòu)件進一步在旋轉(zhuǎn)軸的中屯、軸方向 安裝于第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件的每一個。
[0022] 該玻璃板的研磨裝置中，W磁力線通過磁通集中構(gòu)件之中的方式設(shè)置磁通集中構(gòu) 件，該磁力線從第1磁場形成構(gòu)件朝向第2磁場形成構(gòu)件，且通過磁通集中槽。由此，磁通集 中槽中的磁通的密度增加。因此，該玻璃板的制造裝置可提高玻璃板的端面研磨效率。另 夕F，磁通集中構(gòu)件也可W設(shè)置于第1磁場形成構(gòu)件與第2磁場形成構(gòu)件之間。
[0023] 此外，該玻璃板的研磨裝置優(yōu)選為，第1磁場形成構(gòu)件在旋轉(zhuǎn)軸的中屯、軸方向上 與第2磁場形成構(gòu)件鄰接。
[0024] 此外，該玻璃板的研磨裝置優(yōu)選為，第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件具有尺 寸相同的圓筒形狀。此外，第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件的中屯、軸優(yōu)選位于旋轉(zhuǎn) 軸的中屯、軸上。此外，磁通集中槽的位于旋轉(zhuǎn)軸的徑向最內(nèi)側(cè)的點、與旋轉(zhuǎn)軸的中屯、軸之間 的距離，優(yōu)選等于第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件的外徑。
[0025] 該玻璃板的研磨裝置中，沿著旋轉(zhuǎn)軸的中屯、軸觀察的情況下，磁通集中槽的最深 的點位于與第1磁場形成構(gòu)件及第2磁場形成構(gòu)件的外周面相同的位置上。
[00%] 此外，該玻璃板的研磨裝置優(yōu)選為，磁通集中構(gòu)件使磁通集中槽的內(nèi)側(cè)空間的磁 通的密度增加。
[0027][發(fā)明的效果]
[0028] 本發(fā)明的玻璃板的制造方法、及玻璃板的研磨裝置可提高玻璃板的端面研磨效 率。
【附圖說明】
[0029] 圖1是本實施方式的玻璃板的制造方法的流程圖。
[0030] 圖2是從圖1的烙解工序進行至切斷工序為止的裝置的示意圖。
[0031] 圖3是研磨裝置的概略圖。
[0032] 圖4是研磨輪的外觀圖。
[0033] 圖5是研磨輪的剖視圖。
[0034] 圖6是研磨輪的剖視圖的一部分。
[0035] 圖7是表示研磨輪所形成的磁場的圖。
[0036] 圖8是作為第1比較例的研磨輪的剖視圖。
[0037] 圖9是表示作為第1比較例的研磨輪所形成的磁場的圖。
[0038] 圖10是作為第2比較例的研磨輪的剖視圖。
[0039] 圖11是表示作為第2比較例的研磨輪所形成的磁場的圖。 W40] 圖12是變化例A的研磨輪的剖視圖。
[0041] 圖13是表示變化例A的研磨輪所形成的磁場的圖。
[0042] 圖14是變化例B的研磨輪的剖視圖。
[0043] 圖15是變化例B的研磨輪的剖視圖的一部分。 W44] 圖16是表示變化例B的研磨輪所形成的磁場的圖。 W45] 圖17是變化例C的研磨輪的剖視圖。
[0046] 圖18是變化例C的研磨輪的剖視圖的一部分。
[0047] 圖19是表示變化例C的研磨輪所形成的磁場的圖。 W48] 圖20是變化例D的研磨輪的剖視圖。 W例圖21是變化例E的研磨輪的剖視圖的一部分。
[0050] 圖22是變化例F的研磨輪的剖視圖的一部分。
[0051] 圖23是變化例G的研磨輪的剖視圖的一部分。
【具體實施方式】
[0052] 一邊參照附圖，一邊對作為本發(fā)明的實施方式的玻璃板的制造方法進行說明。本 實施方式的玻璃板的制造方法包含如下方法，即，對使用溢流下拉法制造的玻璃板的端面 進行研磨。
[0053] (1)玻璃板的制造方法的概要
[0054] 首先，對玻璃板的制造方法的概要進行說明。利用該制造方法制造的玻璃板被用 作液晶顯示器、等離子顯示器及有機化顯示器等平板顯示器（FPD)用玻璃基板、觸控用玻 璃基板、太陽能電池面板用玻璃基板、及保護用玻璃基板等。玻璃板具有如0. 2mm~0. 8mm 的厚度，且具有縱680mm~2200mm及橫880mm~2500mm的尺寸。玻璃板具有例如W下組 成（a)~α)。 陽05引（a)Si〇2:50質(zhì)量％~70質(zhì)量％、
[0056] (b)A!2〇3:l〇 質(zhì)量％~25 質(zhì)量％、
[0057]k)B2〇3:5 質(zhì)量％~18 質(zhì)量％、 陽05引（d)MgO:0質(zhì)量％~10質(zhì)量％、
[0059] (e)CaO:0 質(zhì)量％~20 質(zhì)量％、
[0060] (f)SrO:0 質(zhì)量％~20 質(zhì)量％、
[0061] (g)BaO:0 質(zhì)量％~10 質(zhì)量％、
[0062] 化化0:5質(zhì)量％~20質(zhì)量％巧是從1旨、〔曰、5'及8曰中選擇的至少1種）、 陽〇6引 a)R'2〇:〇質(zhì)量％~2. 0質(zhì)量％很是從Li、化及K中選擇的至少1種）、 柳64]U)從Sn〇2、化2〇3及CeO2選擇的至少1種金屬氧化物。 陽0化]接著，對使用溢流下拉法的玻璃板的制造工序進行說明。圖1是表示玻璃板的制 造工序的流程圖的一例。玻璃板的制造工序主要包含烙解工序（步驟S10)、澄清工序（步 驟S20)、攬拌工序（步驟S30)、成形工序（步驟S40)、緩冷工序（步驟S50)、切斷工序（步 驟S60)、研削工序（步驟S70)、及研磨工序（步驟S80)。圖2是從烙解工序S10進行至切 斷工序S60為止的玻璃板制造裝置100的示意圖。玻璃板制造裝置100包括烙解裝置101、 澄清裝置102、攬拌裝置103、成形裝置104、及切斷裝置105。
[0066] 在烙解工序S10中，通過烙解裝置101，利用燃燒器等加熱器件將玻璃原料烙解， 產(chǎn)生1500°C~1600°C的高溫的烙融玻璃90。玻璃原料是W可實