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      一種采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法

      文檔序號:10565739閱讀:849來源:國知局
      一種采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供了一種采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,該方法采用原子層沉積法,以二茂鐵作為鐵源,氧氣作為氧源,在金屬襯底上沉積四氧化三鐵,通過原子層沉積系統(tǒng)將二茂鐵與氧氣交替通入原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔內(nèi),實現(xiàn)四氧化三鐵在不同金屬襯底上的沉積,進(jìn)而構(gòu)建出氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)。本方法制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)具有成本低,薄膜成分和厚度精確可控,三維均勻保形好等優(yōu)點(diǎn),可作為磁電耦合調(diào)控的關(guān)鍵器件。
      【專利說明】
      一種采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本發(fā)明屬于電子薄膜材料與器件領(lǐng)域,涉及一種采用原子層沉積法(ALD)制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,電子產(chǎn)品的尺寸越來越小,而傳統(tǒng)器件的存儲密度和運(yùn)行速度越來越接近其物理極限,這是因為傳統(tǒng)的電子器件以電子的電荷作為信息載體,不考慮電子自旋。自旋電子學(xué)是研究電子的自旋極化輸運(yùn)特性而開發(fā)的電子器件為主要內(nèi)容的一門學(xué)科,作為一門新興學(xué)科,其發(fā)展還面臨著諸多挑戰(zhàn)。四氧化三鐵(Fe3O4)是一種重要的3d過渡金屬化合物,其電子的自旋極化率很高,是自旋電子學(xué)方面有可能實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的材料之一。常見的四氧化三鐵薄膜的生長方法包括有:脈沖激光沉積法(pulsedlaser deposit1n,PLD),激光分子束外延法(laser molecular beam epitaxy,LMBE),磁控派射(magnetron sputtering,包括射頻磁控派射,直流磁控派射和勵磁磁控派射)和高能離子束蒸發(fā)(High-energy 1n beam evaporat1n)等。這些方法均為高能量制備工藝,制備過程通常會將鐵完全氧化成為三價的Fe2O3,然后在通過后續(xù)的氫氣氣氛的退火得到Fe304。由于這些方法或者在沉積過程或者在退火過程中會在高溫下進(jìn)行,使得對于在柔性聚合物基底制備Fe3O4薄膜不可能實現(xiàn)。另外隨著對性能要求的不斷提升,需要在三維結(jié)構(gòu)(如縱深比很大的溝槽,3D鰭式結(jié)構(gòu)等)表面制備厚度為幾納米的薄膜,而上述幾種方法由于沉積原理的限制導(dǎo)致其無法在復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)表面制得厚度及組分高度可控的薄膜,從而阻礙了實際應(yīng)用的實現(xiàn)。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的在于提供一種采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,該方法通過對原子層沉積過程的精確控制,能夠在不同金屬襯底上沉積化學(xué)配比與膜厚度精確可控的磁性薄膜,可以用于在具有復(fù)雜三維納米結(jié)構(gòu)的金屬襯底上制備三維均勻保形的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)。
      [0004]為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
      [0005]—種采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,包括以下步驟:
      [0006]I)金屬襯底預(yù)處理:將金屬襯底在具有氧化性的洗液中浸泡處理,然后用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈桑瑐溆茫?br>[0007]2)以二茂鐵作為鐵源,氧氣作為氧源,將二茂鐵裝入原子層沉積系統(tǒng)固態(tài)源鋼瓶中并加熱到150?165°C,將氧氣通過管路連接到原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔中備用;
      [0008]3)將步驟I)備好的金屬襯底放入原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔中,將反應(yīng)腔的溫度升至400?500°C后保溫,使金屬襯底均勻受熱;
      [0009]4)設(shè)置沉積參數(shù):設(shè)置二茂鐵源的載氣高流量為150?250SCCm,脈沖時間為2?4s,清洗時間為25?40s,二茂鐵的載氣低流量為50?lOOsccm,低流量載氣持續(xù)時間為20?30s;設(shè)置氧氣源的流量為200?300sccm,脈沖時間為6?12s,清洗時間為10?20s;設(shè)置管路的流量為250?350sccm,保證原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔中的壓強(qiáng)維持在1500?2500Pa;
      [0010] 5)按照步驟4)設(shè)置的參數(shù)在金屬襯底上進(jìn)行循環(huán)沉積,得到氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié),并通過控制循環(huán)沉積的次數(shù)調(diào)控氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的厚度;其中一次循環(huán)沉積為先進(jìn)行一個二茂鐵源源脈沖,二茂鐵源脈沖結(jié)束后清洗管路,然后進(jìn)行一個氧氣脈沖,氧氣源脈沖結(jié)束后清洗管路。
      [0011 ]所述的金屬襯底包括Cu襯底、Ni襯底和Al襯底。
      [0012]所述步驟I)中具有氧化性的洗液為體積比為1:1?5:1的濃硫酸與雙氧水的混合溶液,金屬襯底的處理時間為I?1分鐘。
      [0013]沉積過程中以氮?dú)庾鳛槎F的載氣,并且在開始沉積前先對裝有二茂鐵的原子層沉積系統(tǒng)固態(tài)源鋼瓶進(jìn)行預(yù)抽氣處理,以排除其中的空氣。
      [0014]所述步驟3)中的保溫時間為I.5?2.5h。
      [0015]循環(huán)沉積過程中用氮?dú)馇逑垂苈贰?br>[0016]循環(huán)沉積的次數(shù)為200?1000次。
      [0017]ffjlj得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)包括Fe304/Cu異質(zhì)結(jié)、Fe304/Ni異質(zhì)結(jié)和Fe304/Al異質(zhì)結(jié),且Fe3O4具有鐵磁性。
      [0018]相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的有益效果為:
      [0019]本發(fā)明提供的采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,該方法采用原子層沉積法,以二茂鐵作為鐵源,氧氣作為氧源,在金屬襯底上沉積四氧化三鐵,通過原子層沉積系統(tǒng)將二茂鐵與氧氣交替通入原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔內(nèi),實現(xiàn)四氧化三鐵(Fe3O4)在不同金屬襯底上的沉積,進(jìn)而構(gòu)建出氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)。原子層沉積法作為一種新型的薄膜制備手段,其沉積原理是反應(yīng)源物質(zhì)在基底表面通過吸附化學(xué)反應(yīng)形成膜,反應(yīng)特點(diǎn)是整個過程包括兩個互補(bǔ)的和自限制性的半反應(yīng)過程構(gòu)成,是一種低能量的生長過程,這有利于實現(xiàn)在較低溫度下制備四氧化三鐵,從而實現(xiàn)在一些特殊襯底上的制備需要。由原子層沉積的原理可以知道,利用該方法可以在原子尺度上實現(xiàn)對制備薄膜厚度與組成的精確控制,在襯底上制備高質(zhì)量的薄膜材料。因此原子層沉積是制備自旋電子學(xué)中的氧化物/金屬異質(zhì)結(jié)的一種理想方法。本發(fā)明通過對原子層沉積過程的精心設(shè)計和精確控制,實現(xiàn)了在不同金屬襯底上沉積化學(xué)配比與膜厚度精確可控的磁性薄膜,從而得到氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的目的。本發(fā)明制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)可作為磁電耦合調(diào)控的關(guān)鍵器件。本發(fā)明中的原料采用廉價易得、無毒,無污染的二茂鐵與氧氣作為前軀體源,整個反應(yīng)過程在原子層沉積系統(tǒng)中一次性完成,制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)質(zhì)量高度可控,且對環(huán)境無污染,是一種安全高效的制備方法。該方法可以用于在具有復(fù)雜三維納米結(jié)構(gòu)的金屬襯底上制備出100%三維均勻保形的磁性異質(zhì)結(jié),是制備三維磁性異質(zhì)結(jié)的關(guān)鍵技術(shù)和全新方法,為實現(xiàn)大面積,低成本三維氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的制備和磁電耦合調(diào)控提供了一種可選的新方法。本方法制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)具有成本低,薄膜成分和厚度精確可控,三維均勻保形好等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)通過拉曼光譜儀、場發(fā)射掃描電鏡、透射電子顯微鏡、震動樣品磁強(qiáng)計、電子順磁共振波譜儀等先進(jìn)測試儀器進(jìn)行測試和分析,測試結(jié)果表明制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)具有如下性質(zhì):I)通過原子層沉積在不同金屬襯底上制得的薄膜為純相的四氧化三鐵Fe3O4,而非Fe203(32)制得的Fe3O4薄膜表面光滑,晶粒大小均勻,具有很好的三維保形性且厚度精確可控。3)制得的Fe3O4薄膜為鐵磁性。4)制得的Fe3O4可實現(xiàn)磁電耦合調(diào)控。
      [°02°]進(jìn)一步的,本發(fā)明制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)為Fe304/Cu異質(zhì)結(jié),F(xiàn)e304/Ni異質(zhì)結(jié)或Fe304/Al異質(zhì)結(jié);其中Fe3O4為四氧化三鐵,是鐵磁性氧化物,通過原子層沉積原位生長金屬襯底上;Cu、N1、Al為金屬襯底。
      [0021]進(jìn)一步的,本發(fā)明在沉積過程以高純氮?dú)庾鳛檩d氣,并使用高純氮?dú)馇逑垂苈?,而且在開始沉積前對二茂鐵源鋼瓶進(jìn)行預(yù)抽氣處理,以排除管路和二茂鐵源中殘余的空氣,并且保證二茂鐵源有充足的飽和蒸氣壓來保證脈沖的穩(wěn)定,同時保證二茂鐵不會在加熱過程中被氧化分解。
      【附圖說明】
      [0022]圖1是本發(fā)明實施例1、2、3制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的拉曼圖譜;
      [0023]圖2是本發(fā)明實施例1制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的場發(fā)射掃描電鏡照片。
      [0024]圖3是本發(fā)明實施例2制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的場發(fā)射掃描電鏡照片。
      [0025]圖4是本發(fā)明實施例2制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的電子順磁共振波譜圖。
      [0026]圖5是本發(fā)明實施例3制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的電子順磁共振波譜圖。
      【具體實施方式】
      [0027]下面結(jié)合本發(fā)明較優(yōu)的實施例和附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
      [0028]實施例1
      [0029]I)、襯底預(yù)處理:將實驗所需的Cu襯底在體積比為濃H2SO4: H2O2 = 1:1的洗液中處理3分鐘,然后將襯底從洗液中取出,用大量去離子水沖洗并用高純氮?dú)獯蹈蓚溆茫?br>[0030]2)、以二茂鐵作為鐵源,氧氣作為氧源,沉積四氧化三鐵薄膜。將二茂鐵裝入原子層沉積系統(tǒng)專用固態(tài)源鋼瓶并加熱到150°C,將氧氣通過專用管路連接到原子沉積系統(tǒng)反應(yīng)腔備用。在開始沉積前對二茂鐵源鋼瓶進(jìn)行預(yù)抽氣處理,以排除裝源過程中混入的空氣,并且保證二茂鐵源脈沖的穩(wěn)定和不會在加熱過程中被氧化分解;
      [0031]3)、將步驟I)預(yù)處理好的金屬襯底通過真空機(jī)械手臂加載系統(tǒng)送入反應(yīng)腔體,將腔體溫度設(shè)置為400°C,當(dāng)腔體溫度達(dá)到設(shè)定溫度值后,保溫1.5h使襯底充分均勻受熱;
      [0032]4)、設(shè)定沉積參數(shù):將二茂鐵源的載氣高流量設(shè)置為150SCCm,脈沖時間設(shè)置為2s,清洗時間設(shè)置為25s,二茂鐵的載氣低流量設(shè)置為50sCCm,低流量持續(xù)時間設(shè)置為20s,二茂鐵的載氣為高純氮?dú)?將氧氣源的流量設(shè)置為200sCCm,脈沖時間設(shè)置為6s,清洗時間設(shè)置為1s;管路流量設(shè)定為250sCCm保證腔體反應(yīng)壓強(qiáng)維持在1700Pa左右。
      [0033]5)、在完成步驟3)與步驟4)的設(shè)定之后,開始進(jìn)行沉積。第一次脈沖為二茂鐵源脈沖,脈沖結(jié)束后系統(tǒng)自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈?,第二次脈沖為氧氣脈沖,脈沖結(jié)束后系統(tǒng)自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈罚藭r完成一個ALD循環(huán)沉積過程。如此反復(fù)循環(huán)沉積300次,在Cu襯底上沉積出預(yù)設(shè)厚度的均勻Fe3O4薄膜,即得到Fe3OVCu異質(zhì)結(jié)。
      [0034]實施例2
      [0035]I)、襯底準(zhǔn)備:將實驗所需的Ni襯底在體積比為濃H2SO4:H2O2 = 3:1的洗液中處理5分鐘,然后將襯底從洗液中取出,用大量去離子水沖洗并用氮?dú)獯蹈蓚溆茫?br>[0036]2)、以二茂鐵作為鐵源,氧氣作為氧源,沉積四氧化三鐵薄膜。將二茂鐵裝入原子層沉積系統(tǒng)專用固態(tài)源鋼瓶并加熱到160°C,將氧氣通過專用管路連接到原子沉積系統(tǒng)反應(yīng)腔備用。在開始沉積前對二茂鐵源鋼瓶進(jìn)行預(yù)抽氣處理,以排除裝源過程中混入的空氣,并且保證二茂鐵源脈沖的穩(wěn)定和不會在加熱過程中被氧化分解;
      [0037]3)、將步驟I)預(yù)處理好的襯底通過機(jī)械手臂送入反應(yīng)腔體,將腔體的加熱溫度設(shè)置為450°C,當(dāng)腔體溫度達(dá)到設(shè)定溫度值后,保溫2h使襯底充分均勻受熱;
      [0038]4)、設(shè)定沉積參數(shù):將二茂鐵源的載氣高流量設(shè)置為200SCCm,脈沖時間設(shè)置為3s,清洗時間設(shè)置為30s,二茂鐵的載氣低流量設(shè)置為70Sccm,低流量持續(xù)時間設(shè)置為25s,二茂鐵的載氣為高純氮?dú)?將氧氣源的流量設(shè)置為250sCCm,脈沖時間設(shè)置為8s,清洗時間設(shè)置為12s;管路流量設(shè)定為300sCCm保證腔體反應(yīng)壓強(qiáng)維持在1800Pa;
      [0039]5)、在完成步驟3)與步驟4)的設(shè)定之后,開始進(jìn)行沉積。第一次脈沖為二茂鐵源脈沖,脈沖結(jié)束后按程序設(shè)定自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈罚诙蚊}沖為氧氣源脈沖,脈沖結(jié)束后按程序設(shè)定自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈?,此時完成一個循環(huán)沉積過程。如此反復(fù)循環(huán)沉積600次,在Ni襯底上沉積出預(yù)設(shè)厚度的均勻Fe3O4薄膜,即得到Fe3OVNi異質(zhì)結(jié)。
      [0040]實施例3
      [0041 ] I)、襯底準(zhǔn)備:將實驗所需的Al襯底在體積比為濃H2SO4:H2O2 = 5:1的洗液中處理10分鐘,然后襯底從洗液中取出,用大量去離子水沖洗并用氮?dú)獯蹈蓚溆茫?br>[0042]2)、以二茂鐵作為鐵源,氧氣作為氧源,沉積四氧化三鐵。將二茂鐵裝入原子層沉積系統(tǒng)專用固態(tài)源鋼瓶并加熱到165°C,將氧氣通過專用管路連接到原子沉積系統(tǒng)反應(yīng)腔備用。在開始沉積前對二茂鐵源鋼瓶進(jìn)行預(yù)抽氣處理,以排除裝源過程中混入的空氣,并且保證二茂鐵源脈沖穩(wěn)定和不會在加熱過程中被氧化分解;
      [0043]3)、將步驟I)預(yù)處理好的襯底通過機(jī)械手臂送入反應(yīng)腔體,將腔體的加熱溫度設(shè)置為500°C,當(dāng)腔體溫度達(dá)到設(shè)定溫度值后,保溫2.5h使襯底充分均勻受熱;
      [0044]4)、設(shè)定沉積參數(shù):將二茂鐵源的載氣高流量設(shè)置為250sCCm,脈沖時間設(shè)置為4s,清洗時間設(shè)置為40s,二茂鐵的載氣低流量設(shè)置為lOOsccm,低流量持續(xù)時間設(shè)置為30s,二茂鐵的載氣為高純氮?dú)?將氧氣源的流量設(shè)置為300sCCm,脈沖時間設(shè)置為10s,清洗時間設(shè)置為14s;管路流量設(shè)定為350sCCm保證腔體反應(yīng)壓強(qiáng)維持在1900Pa;
      [0045]5)、在完成步驟3)與步驟4)的設(shè)定之后,開始進(jìn)行沉積。第一次脈沖為二茂鐵源脈沖,脈沖結(jié)束后按程序設(shè)定自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈?,第二次脈沖為氧氣源脈沖,脈沖結(jié)束后按程序設(shè)定自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈?,此時完成一個循環(huán)沉積過程。如此反復(fù)循環(huán)沉積700次,在Al襯底上沉積出預(yù)設(shè)厚度的均勻Fe3O4薄膜,即得到Fe3OVAl異質(zhì)結(jié)。
      [0046]實施例4
      [0047]I)、襯底預(yù)處理:將實驗所需的Cu襯底在體積比為濃H2SO4:H2O2 = 2:1的洗液中處理7分鐘,然后將襯底從洗液中取出,用大量去離子水沖洗并用高純氮?dú)獯蹈蓚溆茫?br>[0048]2)、以二茂鐵作為鐵源,氧氣作為氧源,沉積四氧化三鐵薄膜。將二茂鐵裝入原子層沉積系統(tǒng)專用固態(tài)源鋼瓶并加熱到155°C,將氧氣通過專用管路連接到原子沉積系統(tǒng)反應(yīng)腔備用。在開始沉積前對二茂鐵源鋼瓶進(jìn)行預(yù)抽氣處理,以排除裝源過程中混入的空氣,并且保證二茂鐵源脈沖的穩(wěn)定和不會在加熱過程中被氧化分解;
      [0049]3)、將步驟I)預(yù)處理好的金屬襯底通過真空機(jī)械手臂加載系統(tǒng)送入反應(yīng)腔體,將腔體溫度設(shè)置為420°C,當(dāng)腔體溫度達(dá)到設(shè)定溫度值后,保溫1.Sh使襯底充分均勻受熱;
      [0050]4)、設(shè)定沉積參數(shù):將二茂鐵源的載氣高流量設(shè)置為ISOsccm,脈沖時間設(shè)置為
      2.5s,清洗時間設(shè)置為35s,二茂鐵的載氣低流量設(shè)置為60SCCm,低流量持續(xù)時間設(shè)置為22s,二茂鐵的載氣為高純氮?dú)?將氧氣源的流量設(shè)置為220SCCm,脈沖時間設(shè)置為9s,清洗時間設(shè)置為17s;管路流量設(shè)定為280SCCm保證腔體反應(yīng)壓強(qiáng)維持在1500Pa左右。
      [0051]5)、在完成步驟3)與步驟4)的設(shè)定之后,開始進(jìn)行沉積。第一次脈沖為二茂鐵源脈沖,脈沖結(jié)束后系統(tǒng)自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈罚诙蚊}沖為氧氣脈沖,脈沖結(jié)束后系統(tǒng)自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈?,此時完成一個ALD循環(huán)沉積過程。如此反復(fù)循環(huán)沉積200次,在Cu襯底上沉積出預(yù)設(shè)厚度的均勻Fe3O4薄膜,即得到Fe3OVCu異質(zhì)結(jié)。
      [0052]實施例5
      [0053]I)、襯底準(zhǔn)備:將實驗所需的Ni襯底在體積比為濃H2SO4:H2O2 = 4:1的洗液中處理I分鐘,然后將襯底從洗液中取出,用大量去離子水沖洗并用氮?dú)獯蹈蓚溆茫?br>[0054]2)、以二茂鐵作為鐵源,氧氣作為氧源,沉積四氧化三鐵薄膜。將二茂鐵裝入原子層沉積系統(tǒng)專用固態(tài)源鋼瓶并加熱到158°C,將氧氣通過專用管路連接到原子沉積系統(tǒng)反應(yīng)腔備用。在開始沉積前對二茂鐵源鋼瓶進(jìn)行預(yù)抽氣處理,以排除裝源過程中混入的空氣,并且保證二茂鐵源脈沖的穩(wěn)定和不會在加熱過程中被氧化分解;
      [0055]3)、將步驟I)預(yù)處理好的襯底通過機(jī)械手臂送入反應(yīng)腔體,將腔體的加熱溫度設(shè)置為480°C,當(dāng)腔體溫度達(dá)到設(shè)定溫度值后,保溫2.2h使襯底充分均勻受熱;
      [0056]4)、設(shè)定沉積參數(shù):將二茂鐵源的載氣高流量設(shè)置為220sCCm,脈沖時間設(shè)置為
      3.5s,清洗時間設(shè)置為28s,二茂鐵的載氣低流量設(shè)置為SOsccm,低流量持續(xù)時間設(shè)置為28s,二茂鐵的載氣為高純氮?dú)?將氧氣源的流量設(shè)置為280SCCm,脈沖時間設(shè)置為12s,清洗時間設(shè)置為20s;管路流量設(shè)定為320sCCm保證腔體反應(yīng)壓強(qiáng)維持在2500Pa;
      [0057]5)、在完成步驟3)與步驟4)的設(shè)定之后,開始進(jìn)行沉積。第一次脈沖為二茂鐵源脈沖,脈沖結(jié)束后按程序設(shè)定自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈?,第二次脈沖為氧氣源脈沖,脈沖結(jié)束后按程序設(shè)定自動使用高純氮?dú)馇逑垂苈?,此時完成一個循環(huán)沉積過程。如此反復(fù)循環(huán)沉積1000次,在Ni襯底上沉積出預(yù)設(shè)厚度的均勻Fe3O4薄膜,即得到Fe3OVNi異質(zhì)結(jié)。
      [0058]圖1是本發(fā)明實施例1、2、3制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的拉曼圖譜,從圖1中可以看出,本發(fā)明利用原子層沉積法在&!41,附襯底上制得的薄膜的相組成為?的04。
      [0059]圖2是本發(fā)明實施例1制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的場發(fā)射掃描電鏡照片,從圖2中可以看出,本發(fā)明利用原子層沉積法在Cu襯底上制得的Fe3O4表面平整,致密度高,保型性好。
      [0060]圖3是本發(fā)明實施例2制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的場發(fā)射掃描電鏡照片,從圖3中可以看出,本發(fā)明利用原子層沉積法在Ni襯底上制得的Fe3O4表面平整,致密度高,保型性好。
      [0061]圖4是本發(fā)明實施例2制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的電子順磁共振波譜圖,從圖4中可以看出,本發(fā)明利用原子層沉積法在Cu襯底上制得的Fe3O4為鐵磁性,其面內(nèi)共振場和面外共振場分別為2150e和4430e。
      [0062]圖5是本發(fā)明實施例3制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的電子順磁共振波譜圖,從圖5中可以看出,本發(fā)明利用原子層沉積法在Al襯底上制得的Fe3O4為鐵磁性,其面內(nèi)共振場和面外共振場分別為2150e和4640e。
      【主權(quán)項】
      1.一種采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,其特征在于,包括以下步驟: 1)金屬襯底預(yù)處理:將金屬襯底在具有氧化性的洗液中浸泡處理,然后用去離子水沖洗干凈并用氮?dú)獯蹈?,備用?2)以二茂鐵作為鐵源,氧氣作為氧源,將二茂鐵裝入原子層沉積系統(tǒng)固態(tài)源鋼瓶中并加熱到150?165°C,將氧氣通過管路連接到原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔中備用; 3)將步驟I)備好的金屬襯底放入原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔中,將反應(yīng)腔的溫度升至400?500°C后保溫,使金屬襯底均勻受熱; 4)設(shè)置沉積參數(shù):設(shè)置二茂鐵源的載氣高流量為150?250SCCm,脈沖時間為2?4s,清洗時間為25?40s,二茂鐵的載氣低流量為50?lOOsccm,低流量載氣持續(xù)時間為20?30s;設(shè)置氧氣源的流量為200?300SCCm,脈沖時間為6?12s,清洗時間為10?20s;設(shè)置管路的流量為250?350sccm,保證原子層沉積系統(tǒng)的反應(yīng)腔中的壓強(qiáng)維持在1500?2500Pa; 5)按照步驟4)設(shè)置的參數(shù)在金屬襯底上進(jìn)行循環(huán)沉積,得到氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié),并通過控制循環(huán)沉積的次數(shù)調(diào)控氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的厚度;其中一次循環(huán)沉積為先進(jìn)行一個二茂鐵源源脈沖,二茂鐵源脈沖結(jié)束后清洗管路,然后進(jìn)行一個氧氣脈沖,氧氣源脈沖結(jié)束后清洗管路。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,其特征在于:所述的金屬襯底包括Cu襯底、Ni襯底和Al襯底。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,其特征在于:所述步驟I)中具有氧化性的洗液為體積比為1:1?5:1的濃硫酸與雙氧水的混合溶液,金屬襯底的處理時間為I?1分鐘。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,其特征在于:沉積過程中以氮?dú)庾鳛槎F的載氣,并且在開始沉積前先對裝有二茂鐵的原子層沉積系統(tǒng)固態(tài)源鋼瓶進(jìn)行預(yù)抽氣處理,以排除其中的空氣。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,其特征在于:所述步驟3)中的保溫時間為1.5?2.5h。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,其特征在于:循環(huán)沉積過程中用氮?dú)馇逑垂苈贰?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,其特征在于:循環(huán)沉積的次數(shù)為200?1000次。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用原子層沉積法制備氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)的方法,其特征在于:制得的氧化物/金屬磁性異質(zhì)結(jié)包括Fe304/Cu異質(zhì)結(jié)、Fe304/Ni異質(zhì)結(jié)和Fe304/Al異質(zhì)結(jié),且Fe3C>4具有鐵磁性。
      【文檔編號】C23C16/02GK105925956SQ201610352527
      【公開日】2016年9月7日
      【申請日】2016年5月24日
      【發(fā)明人】劉明, 張樂, 任巍, 張易軍
      【申請人】西安交通大學(xué)
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