掩膜塊、掩膜版及掩膜版的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明所提供了一種掩膜塊，掩膜版及掩膜版的制造方法。所述掩膜塊包括：至少一個(gè)功能部；包圍所述功能部的支撐部；以及至少一個(gè)開(kāi)口，設(shè)置于所述功能部；由于功能部具有較小的厚度，并且是通過(guò)一次刻蝕步驟即可形成mask開(kāi)口，因而可以降低真空蒸鍍遮蔽效應(yīng)的影響，有利于提高產(chǎn)品的開(kāi)口率和解析度，同時(shí)本發(fā)明工藝容易達(dá)成，且容易獲得較高的刻蝕精度。
【專利說(shuō)明】
掩膜塊、掩膜版及掩膜版的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及信息顯示與光電技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜塊、掩膜版及掩膜版的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前隨著光電行業(yè)的技術(shù)發(fā)展，真空蒸鍍技術(shù)由于其具有獨(dú)特的成膜性能優(yōu)勢(shì)，因而成為了薄膜沉積，尤其是有機(jī)薄膜沉積的主流技術(shù)方案。
[0003]隨著技術(shù)和產(chǎn)品性能的不斷提升，真空蒸鍍技術(shù)的發(fā)展也不斷地面臨挑戰(zhàn)。其中，對(duì)于真空蒸鍍的掩膜版(mask)的要求也越來(lái)越高，隨著技術(shù)的發(fā)展，掩膜版朝著高精度，高質(zhì)量的精細(xì)金屬掩膜版(Fine Metal Mask，F(xiàn)MM)方向發(fā)展。掩膜版的制作精度，開(kāi)口大小及形狀直接制約了產(chǎn)品的解析度和產(chǎn)品質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種掩膜塊、一種掩膜版及掩膜版的制造方法。
[0005]本發(fā)明提供了一種掩膜塊，包括:至少一個(gè)功能部;包圍所述功能部的支撐部；以及至少一個(gè)開(kāi)口，設(shè)置于所述功能部;其特征在于，所述開(kāi)口為所述功能部通過(guò)一次刻蝕形成。
[0006]本發(fā)明還提供了一種掩膜版，包含框架，和至少一個(gè)上述的掩膜塊，所述框架用于固定所述掩膜塊。
[0007]本發(fā)明還包括一種掩膜版的制造方法，包括:提供掩膜基材，以及框架;對(duì)所述掩膜基材進(jìn)行第一次刻蝕，形成至少一個(gè)功能部，和包圍所述功能部的支撐部;對(duì)所述功能部進(jìn)行第二次刻蝕，在所述功能部形成至少一個(gè)所述開(kāi)口，形成所述掩膜塊;將至少一個(gè)所述掩膜塊固定于所述框架。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有如下突出的優(yōu)點(diǎn)之一:
[0009]1、本發(fā)明所提供的掩膜版，其功能部具有較小的厚度，并且是通過(guò)一次刻蝕步驟即可形成mask開(kāi)口，因而可以降低真空蒸鍍遮蔽效應(yīng)的影響，使得mask開(kāi)口可以做的更小，有利于提尚廣品的開(kāi)口率和解析度。
[0010]2、本發(fā)明所提供的掩膜版，功能部的厚度小于支撐部的厚度，不僅可達(dá)到降低真空蒸鍍遮蔽效應(yīng)的影響，而且可以增強(qiáng)掩膜版的整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，提高掩膜版的質(zhì)量。
[0011]3、本發(fā)明所提供的掩膜版的制作方法，先進(jìn)行對(duì)功能部相應(yīng)位置的第一次刻蝕，再對(duì)該位置進(jìn)行二次刻蝕形成mask開(kāi)口，第一次刻蝕所需成本較低，并且精度要求不高，工藝容易達(dá)成;此外二次刻蝕所需的刻蝕時(shí)間短，并且容易獲得較高的刻蝕精度。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種掩膜版的示意圖；
[0013]圖2是圖1中沿切線AA’斷開(kāi)所得的截面圖；
[0014]圖3是圖2中其中一個(gè)開(kāi)口放大后的示意圖；
[0015]圖4是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所提供的掩膜塊的示意圖；
[0016]圖5是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例所提供的掩膜塊的示意圖；
[0017]圖6是圖4中沿切線BB’斷開(kāi)所得的截面圖；
[0018]圖7是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所提供的掩膜版的示意圖；
[0019]圖8是本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種掩膜版的制造方法的流程圖；
【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0021]需要說(shuō)明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類(lèi)似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。
[0022]所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)意識(shí)到，沒(méi)有特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者采用其它的方法、組元、材料等，也可以實(shí)踐本發(fā)明的技術(shù)方案。在某些情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或者操作以避免模糊本發(fā)明。
[0023]本發(fā)明的附圖僅用于示意相對(duì)位置關(guān)系，附圖中元件的大小并不代表實(shí)際大小的比例關(guān)系。
[0024]在詳細(xì)闡述本發(fā)明實(shí)施例之前，首先將結(jié)合圖1，圖2和圖3，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中常用的一種掩膜版加以介紹，以便于理解本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0025]請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種掩膜版的示意圖。掩膜版10包含功能區(qū)12，和包圍功能區(qū)的支撐區(qū)11。圖2是圖1中沿切線AA’斷開(kāi)所得的截面圖。結(jié)合圖1和圖2，功能區(qū)12中包含有多個(gè)mask開(kāi)口 3，mask開(kāi)口 3用于使得在真空蒸鍍過(guò)程中，受熱蒸發(fā)的蒸鍍材料穿過(guò)mask開(kāi)口 3蒸鍍到對(duì)面的基板，實(shí)現(xiàn)真空蒸鍍。圖2中，Mask開(kāi)口 3為經(jīng)過(guò)兩步刻蝕，依次形成子開(kāi)口 I和子開(kāi)口 2，從而完成對(duì)mask的制作。
[0026]現(xiàn)有技術(shù)的這種mask結(jié)構(gòu)及制作方式，具有較大的真空蒸鍍遮蔽效應(yīng)，限制了mask開(kāi)口的加工尺寸，不利于提高產(chǎn)品的開(kāi)口率和解析度。
[0027]下面結(jié)合圖3，對(duì)上述原因加以闡述。圖3是圖2中mask開(kāi)口放大后的示意圖，其中P點(diǎn)為開(kāi)口 I底部的一個(gè)端點(diǎn)，R點(diǎn)為開(kāi)口2底部的一個(gè)端點(diǎn)，Q點(diǎn)為位于開(kāi)口 I和開(kāi)口2交界處的端點(diǎn)，直線LI為經(jīng)過(guò)Q點(diǎn)且平行于掩膜版10的延伸平面的參考線，直線L2經(jīng)過(guò)Q、R兩點(diǎn)，直線L3經(jīng)過(guò)P點(diǎn)，同時(shí)沿著掩膜版的法線方向延伸，直線L4經(jīng)過(guò)Q點(diǎn)同時(shí)沿著掩膜版的法線方向延伸，因此L3平行于L4，且L3和L4均垂直于LI，此外，L2具有與LI的夾角a，L3和L4之間的距離為m，支撐區(qū)即掩膜版的厚度為η。
[0028]掩膜版的遮蔽效應(yīng)主要由厚度η，夾角α，以及距離m決定?？梢钥闯鋈鐖D3中所示的開(kāi)口形狀，當(dāng)受熱的蒸鍍材料自下方穿過(guò)開(kāi)口區(qū)時(shí)，所得到的蒸鍍薄膜的形狀和面積隨著掩膜版的厚度n，夾角α，以及距離m的變化而改變，即掩膜版的遮蔽效應(yīng)隨著掩膜版的厚度η，夾角α，以及距離m的變化而改變。容易得到，厚度η越小時(shí)，掩膜版的遮蔽效應(yīng)就越小;夾角α越小時(shí)，掩膜版的遮蔽效應(yīng)越小;距離m越小時(shí)，掩膜版的遮蔽效應(yīng)也會(huì)越小。
[0029]有鑒于此，為了提出一種降低真空蒸鍍遮蔽效應(yīng)的掩膜塊及掩膜版，本發(fā)明提供如下實(shí)施例。
[0030]請(qǐng)參考圖4和圖5，圖4和圖5所示為本發(fā)明所提供的掩膜塊的兩種實(shí)現(xiàn)形式。掩膜塊20包括至少一個(gè)功能部22，和包圍功能部22的支撐部21，還包括位于功能部22的至少一個(gè)開(kāi)口 4，開(kāi)口 4為功能部22通過(guò)一次刻蝕形成。
[0031]本實(shí)施例的支撐部21厚度位于30-1000微米之間，支撐部21與掩膜基材厚度相等，即掩膜基材的未經(jīng)刻蝕的部分即構(gòu)成支撐部21，支撐部21起到支撐功能部的作用，能夠有效避免功能部由于太薄而發(fā)生形變，影響mask質(zhì)量。
[0032]本實(shí)施例中，掩膜塊20的材料包含熱膨脹系數(shù)較低的因瓦合金。此處，掩膜塊20的材料可以是只包括因瓦合金，還可以是包含因瓦合金，以及除該合金以外的其他熱膨脹系數(shù)較低的材料。在本發(fā)明的其他實(shí)現(xiàn)方式中，掩膜塊的組成材料還可以是其他種類(lèi)的熱膨脹系數(shù)較低的材料及其組合，本發(fā)明在此不作限定。
[0033]本發(fā)明的實(shí)施例中，功能部22的形狀可以是圓形，方形，橢圓形，或八角形等各種可能的形狀，功能部22的面積為小于或等于20吋，功能部22的厚度為3-15微米。在本發(fā)明所提供實(shí)施例的一些可實(shí)現(xiàn)方式中，掩膜塊20可以具有沿第一方向延伸的第一側(cè)邊，和沿第二方向延伸的第二側(cè)邊，所述第一側(cè)邊的長(zhǎng)度大于所述第二側(cè)邊的長(zhǎng)度，所述第一方向垂直于所述第二方向。
[0034]接下來(lái)，將結(jié)合圖6對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的掩膜塊20的相關(guān)特征作進(jìn)一步說(shuō)明，圖6是圖4中沿切線BB’斷開(kāi)所得的截面圖。
[0035]可以看出，與現(xiàn)有技術(shù)明顯的不同在于，本發(fā)明的技術(shù)方案功能部22的厚度與支撐部21的厚度是不相同的，功能部22的厚度小于支撐部21的厚度，而現(xiàn)有技術(shù)是在對(duì)掩膜基材的功能部所對(duì)應(yīng)區(qū)域直接進(jìn)行打孔，其功能部與周邊的支撐部的厚度是相同的，且厚度相對(duì)較厚。需要指出的是，采用本發(fā)明的技術(shù)方案，由于支撐部的厚度為30-1000微米，而功能部的厚度僅僅只有3-15微米，功能部22的厚度遠(yuǎn)小于支撐部21的厚度，由于功能部22的厚度較薄，因而出于實(shí)際應(yīng)用中防止掩膜塊發(fā)生形變的考慮，功能部22的面積以小于或等于20吋的為優(yōu)選方案。但是以上對(duì)于功能部22的面積以小于或等于20吋的實(shí)施方式不應(yīng)該被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限定，其他任何可能的面積實(shí)現(xiàn)方式也都應(yīng)該視為在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0036]接下來(lái)請(qǐng)參考圖7，圖7是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所提供的掩膜版的示意圖。本發(fā)明實(shí)施例所提供的掩膜版100包含框架33，以及至少一個(gè)掩膜塊30，框架33用以固定掩膜塊30。該掩膜塊可以是上述實(shí)施例中所提供的掩膜塊，即圖4或圖5所示的掩膜塊，也可以是在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)的其他任何可實(shí)現(xiàn)方式。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例所提供的掩膜版100，其中掩膜塊30具有沿第一方向延伸的第一側(cè)邊，和沿第二方向延伸的第二側(cè)邊，所述第一側(cè)邊的長(zhǎng)度大于所述第二側(cè)邊的長(zhǎng)度，所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第二側(cè)邊的至少部分接觸所述框架33，掩膜塊30第二側(cè)邊的至少部分固定于框架33，這樣使得掩膜塊30固定于框架33。
[0038]如圖7所示，掩膜版100包含有多個(gè)所述掩膜塊30，掩膜塊30設(shè)置為沿所述第二方向依次排列。這樣，一個(gè)掩膜版100由多個(gè)沿第二方向依次排列的掩膜塊30固定于框架33上構(gòu)成。這種由多個(gè)掩膜塊進(jìn)行組合得到的掩膜版相對(duì)于僅包含一個(gè)單張的掩膜塊的掩膜版而言，掩膜塊30的固定效果更佳，掩膜版100中的掩膜塊30能夠固定的更為穩(wěn)定，不易產(chǎn)生變形，且成本更低，此外，生產(chǎn)過(guò)程中也可以根據(jù)實(shí)際需求適當(dāng)增添掩膜塊30的個(gè)數(shù)，使得生產(chǎn)使用更為靈活方便。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例所提供的上述掩膜塊，以及掩膜版由于功能部具有較小的厚度，并且是通過(guò)一次刻蝕步驟即可形成mask開(kāi)口，因而可以降低真空蒸鍍遮蔽效應(yīng)的影響，使得mask開(kāi)口可以做的更小，有利于提高產(chǎn)品的開(kāi)口率和解析度。同時(shí)，功能部的厚度小于支撐部的厚度，不僅可達(dá)到降低真空蒸鍍遮蔽效應(yīng)的影響，而且可以增強(qiáng)掩膜版的整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，提高掩膜版的質(zhì)量。此外，這種由多個(gè)掩膜塊進(jìn)行組合得到的掩膜版相對(duì)于僅包含一個(gè)單張的掩膜塊的掩膜版而言，掩膜塊的固定效果更佳，掩膜版中的掩膜塊30能夠固定的更為穩(wěn)定，不易產(chǎn)生變形，且成本更低，此外，生產(chǎn)過(guò)程中也可以根據(jù)實(shí)際需求適當(dāng)增添掩膜塊的個(gè)數(shù)，因而實(shí)際生產(chǎn)使用中也提供了很大的便利和靈活性。
[0040]基于上述提供的掩膜塊和掩膜版結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還提供了針對(duì)上述結(jié)構(gòu)掩膜版的制造方法。包括:
[0041 ]提供掩膜基材，以及框架；
[0042]對(duì)所述掩膜基材進(jìn)行第一次刻蝕，形成至少一個(gè)功能部，和包圍所述功能部的支撐部；
[0043]對(duì)所述功能部進(jìn)行第二次刻蝕，在所述功能部形成至少一個(gè)所述開(kāi)口，形成所述掩膜塊；
[0044]將至少一個(gè)所述掩膜塊固定于所述框架。
[0045]接下來(lái)，將結(jié)合本發(fā)明所提供的掩膜版對(duì)本發(fā)明所提供的掩膜版的制造方法進(jìn)行詳細(xì)闡述，圖8是本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種掩膜版的制造方法的流程圖。
[0046]包括如下步驟:
[0047]SI:提供掩膜基材，以及框架；
[0048]S2:只對(duì)所述掩膜基材對(duì)應(yīng)于所述功能部的相應(yīng)位置進(jìn)行刻蝕，形成至少一個(gè)功能部，所述掩膜基材未刻蝕的部分構(gòu)成包圍所述功能部的支撐部；
[0049]S3:對(duì)所述功能部進(jìn)行第二次刻蝕，在所述功能部形成至少一個(gè)所述開(kāi)口，形成所述掩膜塊；
[0050]S4:將多個(gè)所述掩膜塊的第二側(cè)邊的至少部分固定于所述框架，所述多個(gè)所述掩膜塊設(shè)置為沿所述第二方向依次排列。
[0051]需要說(shuō)明的是本發(fā)明上述實(shí)施例所采用的掩膜基材具有沿第一方向延伸的第一側(cè)邊，和沿第二方向延伸的第二側(cè)邊，所述第一側(cè)邊的長(zhǎng)度大于所述第二側(cè)邊的長(zhǎng)度，所述第一方向垂直于所述第二方向；相應(yīng)的通過(guò)上述制造方法所得到的掩膜塊具有沿第一方向延伸的第一側(cè)邊，和沿第二方向延伸的第二側(cè)邊，所述第一側(cè)邊的長(zhǎng)度大于所述第二側(cè)邊的長(zhǎng)度，所述第一方向垂直于所述第二方向。
[0052]在本發(fā)明所提供實(shí)施例的一種可選方式中，選用的掩膜基材的厚度為30-1000微米，相應(yīng)的通過(guò)上述制造方法得到的支撐部的厚度為30-1000微米。
[0053]對(duì)所述掩膜基材對(duì)應(yīng)于所述功能部的相應(yīng)位置進(jìn)行第一次刻蝕，得到的所述功能部的厚度為3-15微米，以便于后續(xù)由功能部通過(guò)一次刻蝕即可得到蒸鍍遮蔽效應(yīng)較小的過(guò)孔。對(duì)于刻蝕步驟，可選的方法為濕刻，或者干刻，或者為激光照射刻蝕。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例所提供的上述掩膜塊，掩膜版及掩膜版的制造方法，由于功能部具有較小的厚度，并且是通過(guò)一次刻蝕步驟即可形成mask開(kāi)口，因而可以降低真空蒸鍍遮蔽效應(yīng)的影響，使得mask開(kāi)口可以做的更小，有利于提高產(chǎn)品的開(kāi)口率和解析度。同時(shí)，功能部的厚度小于支撐部的厚度，不僅可達(dá)到降低真空蒸鍍遮蔽效應(yīng)的影響，而且可以增強(qiáng)掩膜版的整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，提高掩膜版的質(zhì)量。此外，這種由多個(gè)掩膜塊進(jìn)行組合得到的掩膜版相對(duì)于僅包含一個(gè)單張的掩膜塊的掩膜版而言，掩膜塊的固定效果更佳，掩膜版中的掩膜塊30能夠固定的更為穩(wěn)定，不易產(chǎn)生變形，且成本更低，此外，生產(chǎn)過(guò)程中也可以根據(jù)實(shí)際需求適當(dāng)增添掩膜塊的個(gè)數(shù)，因而實(shí)際生產(chǎn)使用中也提供了很大的便利和靈活性。再者，本發(fā)明所提供的先進(jìn)行對(duì)功能部相應(yīng)位置的第一次刻蝕，再對(duì)該位置進(jìn)行二次刻蝕形成mask開(kāi)口，第一次刻蝕所需成本較低，并且精度要求不高，工藝容易達(dá)成;此外二次刻蝕所需的刻蝕時(shí)間短，并且容易獲得較高的刻蝕精度。
[0055]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種掩膜塊，包括: 至少一個(gè)功能部； 包圍所述功能部的支撐部； 以及至少一個(gè)開(kāi)口，設(shè)置于所述功能部； 其特征在于，所述開(kāi)口為所述功能部通過(guò)一次刻蝕形成。2.如權(quán)利要求1所述的掩膜塊，其特征在于，所述功能部的厚度小于所述支撐部的厚度。3.如權(quán)利要求1所述的掩膜塊，其特征在于，所述功能部的厚度為3-15微米。4.如權(quán)利要求1所述的掩膜塊，其特征在于，所述功能部的形狀為圓形，方形，橢圓形，或八角形。5.如權(quán)利要求1所述的掩膜塊，其特征在于，所述功能部的面積小于或等于20吋。6.如權(quán)利要求1所述的掩膜塊，其特征在于，所述掩膜塊的材料包含因瓦合金。7.如權(quán)利要求1所述的掩膜塊，其特征在于，所述支撐部的厚度為30-1000微米。8.—種掩膜版，包含框架，和至少一個(gè)如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的掩膜塊，所述框架用于固定所述掩膜塊。9.如權(quán)利要求8所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜塊具有沿第一方向延伸的第一側(cè)邊，和沿第二方向延伸的第二側(cè)邊，所述第一側(cè)邊的長(zhǎng)度大于所述第二側(cè)邊的長(zhǎng)度，所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第二側(cè)邊的至少部分接觸所述框架。10.如權(quán)利要求9所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包含多個(gè)所述掩膜塊，所述掩膜塊設(shè)置為沿所述第二方向依次排列。11.一種掩膜版的制造方法，包括: 提供掩膜基材，以及框架； 對(duì)所述掩膜基材進(jìn)行第一次刻蝕，形成至少一個(gè)功能部，和包圍所述功能部的支撐部； 對(duì)所述功能部進(jìn)行第二次刻蝕，在所述功能部形成至少一個(gè)所述開(kāi)口，形成所述掩膜塊； 將至少一個(gè)所述掩膜塊固定于所述框架。12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于:所述對(duì)所述掩膜基材進(jìn)行第一次刻蝕，形成至少一個(gè)功能部，和包圍所述功能部的支撐部，包括: 只對(duì)所述掩膜基材對(duì)應(yīng)于所述功能部的相應(yīng)位置進(jìn)行刻蝕，形成至少一個(gè)功能部，所述掩膜基材未刻蝕的部分構(gòu)成包圍所述功能部的支撐部。13.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜塊具有沿第一方向延伸的第一側(cè)邊，和沿第二方向延伸的第二側(cè)邊，所述第一側(cè)邊的長(zhǎng)度大于所述第二側(cè)邊的長(zhǎng)度，所述第一方向垂直于所述第二方向； 所述將至少一個(gè)所述掩膜塊固定于所述框架，包括: 將多個(gè)所述掩膜塊的所述第二側(cè)邊的至少部分固定于所述框架，所述多個(gè)所述掩膜塊設(shè)置為沿所述第二方向依次排列。14.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述支撐部的厚度為30-1000微米。15.如權(quán)利要求11-14任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述功能部的厚度為3-15微米。16.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于:所述刻蝕步驟所采用的方法為濕刻，或者干刻，或者為激光照射刻蝕。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK105951040SQ201610288874
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年5月3日
【發(fā)明人】辛宇, 錢(qián)棟, 張繼帥, 李旺, 沈永財(cái)
【申請(qǐng)人】上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司, 天馬微電子股份有限公司