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      一種pecvd沉積系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號(hào):10161289閱讀:528來(lái)源:國(guó)知局
      一種pecvd沉積系統(tǒng)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及PECVD領(lǐng)域,尤其涉及一種PECVD沉積系統(tǒng)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]硅基異質(zhì)結(jié)電池是一種利用晶體硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太陽(yáng)能電池。在硅基異質(zhì)結(jié)電池,正反兩面的疊層結(jié)構(gòu)可以是對(duì)稱結(jié)構(gòu)。鈍化層除摻雜層外,是完全對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。沉積的順序可以是i/n,也可以先沉積i/p層。PECVD系統(tǒng)是模塊化系統(tǒng),將硅片制絨及清洗處理之后,硅片通過上料機(jī)構(gòu)放置到載板上,進(jìn)入預(yù)熱腔室,然后完成i,η (或Ρ)層沉積,之后通過具有冷卻功能的冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)入下料機(jī)構(gòu)。硅片在下料機(jī)構(gòu)通過彈夾機(jī)構(gòu)進(jìn)行翻轉(zhuǎn)后轉(zhuǎn)移到下一 PECVD系統(tǒng)進(jìn)行另一面鈍化層的沉積。
      [0003]其中,硅片進(jìn)入PECVD系統(tǒng)反應(yīng)時(shí)是通過放在載板上來(lái)實(shí)現(xiàn),因此載板有些部分會(huì)有硅的沉積,而載板從大氣進(jìn)入腔室,加熱到冷卻的這種循環(huán)很容易使在載板上的沉積硅剝落到各個(gè)腔室內(nèi),造成沉積鈍化膜質(zhì)量的下降。
      [0004]實(shí)際應(yīng)用中,因?yàn)楣璩练e的薄膜很薄,一般在5-50nm之間,因此,PECVD系統(tǒng)的各個(gè)腔室一般在200-500次沉積之后進(jìn)行一次清洗,但是這樣的清洗頻率對(duì)于載板的清洗往往太低效。因此載板和各個(gè)腔室如果進(jìn)行同步清洗,會(huì)嚴(yán)重影響整個(gè)系統(tǒng)的正常運(yùn)行。
      [0005]因此,需要開發(fā)一種更有效的清洗載板的沉積系統(tǒng),克服現(xiàn)有加工設(shè)備上存在的不足。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,提供一種PECVD沉積系統(tǒng),其改善了沉積質(zhì)量,也提高了設(shè)備稼動(dòng)率和生產(chǎn)良率。
      [0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
      [0008]一種PECVD沉積系統(tǒng),其特征在于,包括:多個(gè)處理腔室及載板傳送裝置;所述多個(gè)處理腔室至少包括上料機(jī)構(gòu)及下料機(jī)構(gòu);所述載板傳送裝置可循環(huán)的將載板從上料機(jī)構(gòu)傳送進(jìn)入其他的處理腔室,在多個(gè)處理腔室中傳送,并從下料機(jī)構(gòu)傳送出處理腔室;所述載板傳送裝置上設(shè)有載板分送機(jī)構(gòu),載板進(jìn)入載板分送機(jī)構(gòu)后由其分送到載板清洗室內(nèi)進(jìn)行清洗或者留在載板傳送裝置上;載板清洗室將清洗好后的載板傳送到載板傳送裝置。
      [0009]優(yōu)選的,所述處理腔室包括預(yù)熱腔室:用于對(duì)PECVD基板進(jìn)行預(yù)熱處理;沉積腔室:用于對(duì)預(yù)熱好的PECVD基板進(jìn)行膜層的沉積;冷卻腔室:用于對(duì)沉積好的PECVD基板進(jìn)行冷卻。
      [0010]優(yōu)選的,所述PECVD基板為硅片。
      [0011]優(yōu)選的,所述載板分送機(jī)構(gòu)還設(shè)有載板入料口,載板通過載板入料口傳輸?shù)捷d板傳送裝置上。
      [0012]優(yōu)選的,所述載板傳送裝置為載板傳送軌道。
      [0013]本實(shí)用新型采用以上技術(shù)方案,通過設(shè)計(jì)載板分送機(jī)構(gòu),可以通過載板分送機(jī)構(gòu)將沉積硅的載板輸入到清洗室內(nèi)進(jìn)行單獨(dú)清洗,同時(shí)載板分送機(jī)構(gòu)也同時(shí)將清洗好的載板輸送到上料機(jī)構(gòu),保證了整個(gè)沉積系統(tǒng)的正常運(yùn)行時(shí)間,使得沉積的鈍化膜質(zhì)量不受載板上的硅剝落影響,提高了設(shè)備稼動(dòng)率、生產(chǎn)效率和沉積質(zhì)量。
      【附圖說(shuō)明】
      [0014]圖1為本實(shí)用新型PECVD沉積系統(tǒng)實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0015]圖2為本實(shí)用新型PECVD沉積系統(tǒng)實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0016]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
      [0017]實(shí)施例1:
      [0018]如圖1所示,本實(shí)用新型公開了一種PECVD沉積系統(tǒng),其包括:多個(gè)處理腔室1及載板傳送裝置2 ;所述多個(gè)處理腔室1包括上料機(jī)構(gòu)11、預(yù)熱腔室12:用于對(duì)基板進(jìn)行預(yù)熱處理;沉積腔室13:用于對(duì)預(yù)熱好的基板進(jìn)行膜層的沉積、冷卻腔室14:用于對(duì)沉積好的基板進(jìn)行冷卻、下料機(jī)構(gòu)15,所述載板傳送裝置2為可循環(huán)的傳送裝置,處理腔室1中上料機(jī)構(gòu)11的進(jìn)口與下料機(jī)構(gòu)15的出口通過載板傳送裝置2相連接,載板由上料機(jī)構(gòu)11的進(jìn)口進(jìn)入處理腔室,由上料機(jī)構(gòu)11傳送至預(yù)熱腔室對(duì)基板進(jìn)行預(yù)熱處理;由預(yù)熱腔室12傳送至沉積腔室13對(duì)預(yù)熱好的基板進(jìn)行膜層的沉積;由沉積腔室13傳送至冷卻腔室14對(duì)沉積好膜層的基板進(jìn)行冷卻;最后由冷卻腔室14傳送至下料機(jī)構(gòu)15將沉積好的基板送出。所述載板傳送裝置2上設(shè)有載板分送機(jī)構(gòu)21,載板3進(jìn)入載板分送機(jī)構(gòu)21,然后其中一部分載板31由載板分送機(jī)構(gòu)21分送到載板清洗室4內(nèi)進(jìn)行清洗,一部分載板32由載板分送機(jī)構(gòu)21分送到載板傳送裝置2上,載板傳送裝置2將載板32輸送到上料機(jī)構(gòu)內(nèi)11,以維持正常的整個(gè)沉積系統(tǒng)的正常運(yùn)行,同時(shí),所述載板分送機(jī)構(gòu)21還設(shè)有載板入料口 22,清洗好的載板33通過載板入料口 22傳輸?shù)捷d板傳送裝置2上,滿足沉積系統(tǒng)對(duì)載板的需求。其中,所述載板傳送裝置2為載板傳送軌道,所述PECVD基板為硅片。
      [0019]實(shí)施例2:
      [0020]如圖2所示,與實(shí)施例一不同的是,本實(shí)施例中,載板分送機(jī)構(gòu)21設(shè)在上料機(jī)構(gòu)11偵k并且設(shè)有多個(gè)沉積腔室13。
      [0021 ] 本實(shí)用新型沉積系統(tǒng)中各個(gè)腔室的清洗頻率和載板清洗室的清洗頻率可以設(shè)定不一致,載板可通過載板分送機(jī)構(gòu)由預(yù)先可設(shè)定清洗頻率輸出載板在腔室外進(jìn)行清洗,提高系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間。同時(shí)沉積的鈍化膜質(zhì)量不受載板的硅剝落影響,提高了設(shè)備稼動(dòng)率、生產(chǎn)效率和沉積質(zhì)量。
      [0022]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種PECVD沉積系統(tǒng),其特征在于,包括:多個(gè)處理腔室及載板傳送裝置;所述多個(gè)處理腔室至少包括上料機(jī)構(gòu)及下料機(jī)構(gòu);所述載板傳送裝置可循環(huán)的將載板從上料機(jī)構(gòu)傳送進(jìn)入其他的處理腔室,在多個(gè)處理腔室中傳送,并從下料機(jī)構(gòu)傳送出處理腔室;所述載板傳送裝置上設(shè)有載板分送機(jī)構(gòu),載板進(jìn)入載板分送機(jī)構(gòu)后由其分送到載板清洗室內(nèi)進(jìn)行清洗或者留在載板傳送裝置上;載板清洗室將清洗好后的載板傳送到載板傳送裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PECVD沉積系統(tǒng),其特征在于,所述處理腔室包括預(yù)熱腔室:用于對(duì)PECVD基板進(jìn)行預(yù)熱處理;沉積腔室:用于對(duì)預(yù)熱好的PECVD基板進(jìn)行膜層的沉積;冷卻腔室:用于對(duì)沉積好的PECVD基板進(jìn)行冷卻。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的PECVD沉積系統(tǒng),其特征在于,所述PECVD基板為硅片。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PECVD沉積系統(tǒng),其特征在于,所述載板分送機(jī)構(gòu)還設(shè)有載板入料口,載板通過載板入料口傳輸?shù)捷d板傳送裝置上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PECVD沉積系統(tǒng),其特征在于,所述載板傳送裝置為載板傳送軌道。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種PECVD沉積系統(tǒng),其包括:多個(gè)處理腔室及載板傳送裝置;所述多個(gè)處理腔室至少包括上料機(jī)構(gòu)及下料機(jī)構(gòu);所述載板傳送裝置可循環(huán)的將載板從上料機(jī)構(gòu)傳送進(jìn)入其他的處理腔室,在多個(gè)處理腔室中傳送,并從下料機(jī)構(gòu)傳送出處理腔室;所述載板傳送裝置上設(shè)有載板分送機(jī)構(gòu),載板進(jìn)入載板分送機(jī)構(gòu)后由其分送到載板清洗室內(nèi)進(jìn)行清洗或者留在載板傳送裝置上;載板清洗室將清洗好后的載板傳送到載板傳送裝置。通過載板分送機(jī)構(gòu)將沉積硅的載板輸入到清洗室內(nèi)進(jìn)行單獨(dú)清洗使得沉積的鈍化膜質(zhì)量不受硅剝落影響,提高了生產(chǎn)效率和沉積質(zhì)量。
      【IPC分類】C23C16/44
      【公開號(hào)】CN205077136
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520686126
      【發(fā)明人】楊與勝, 王樹林, 倪鵬玉, 李鵬飛, 陳劍雨
      【申請(qǐng)人】鈞石(中國(guó))能源有限公司
      【公開日】2016年3月9日
      【申請(qǐng)日】2015年9月7日
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