>[0032]圖7為用于說明在圖4的化學(xué)機(jī)械拋光裝置中，在傳感器進(jìn)入晶片的底面的狀態(tài)下，追蹤晶片移動(dòng)的路徑的方法的圖。
[0033]圖8為示出本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式的傳感器位置檢測部的結(jié)構(gòu)的圖。
[0034]圖9為依次示出利用本實(shí)用新型的一實(shí)施例的化學(xué)機(jī)械拋光裝置來測定晶片拋光層的厚度的方法的順序圖。
[0035]附圖標(biāo)記的說明
[0036]110:拋光平板111:拋光墊
[0037]150:傳感器160:傳感器位置檢測部
[0038]170:控制部Al:第一位置
[0039]A2:第二位置
【具體實(shí)施方式】
[0040]以下，參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的化學(xué)機(jī)械拋光裝置100進(jìn)行詳述。只是，在對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說明的過程中，為了使本實(shí)用新型的要旨更加明確，將省略對(duì)公知的功能或結(jié)構(gòu)的具體說明。
[0041]本實(shí)用新型的一實(shí)施例的化學(xué)機(jī)械拋光裝置100包括:拋光平板100，被拋光墊111覆蓋，所述拋光墊111以進(jìn)行拋光的方式與晶片W的拋光面相接觸；承載頭120，以使晶片W位于底面的狀態(tài)進(jìn)行加壓，并使晶片W進(jìn)行自轉(zhuǎn)；漿料供給部40，為了晶片W的化學(xué)拋光而向拋光墊111的表面供給漿料；調(diào)節(jié)器30，以使向拋光墊111供給的漿料向晶片W的拋光層順暢地流入的方式由調(diào)節(jié)盤對(duì)拋光墊111進(jìn)行加壓，并執(zhí)行微切割來對(duì)拋光墊111的表面進(jìn)行改性；傳感器150，用于從第一接收信號(hào)測定晶片W的拋光層的厚度，所述傳感器固定在拋光平板110，并與拋光墊111 一同旋轉(zhuǎn)，并在經(jīng)過晶片W的下側(cè)的過程中接收所述第一接收信號(hào)；傳感器位置檢測部160，用于檢測與拋光平板110 —同旋轉(zhuǎn)的傳感器150的旋轉(zhuǎn)位置；以及控制部170，接收從傳感器位置檢測部160實(shí)時(shí)檢測的傳感器150的旋轉(zhuǎn)位置和從傳感器150接收的接收信號(hào)，來計(jì)算出晶片W的拋光層的厚度分布。
[0042]所述拋光平板10以上表面被拋光墊11覆蓋的狀態(tài)借助驅(qū)動(dòng)馬達(dá)Ml等來進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。
[0043]所述承載頭120從外部接收旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)力，來使位于下側(cè)的晶片W進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，并且通過調(diào)節(jié)設(shè)置在所述承載頭120的內(nèi)部的壓力腔室的壓力，來向拋光墊111加壓晶片W，從而實(shí)現(xiàn)晶片W的機(jī)械拋光工序。
[0044]此時(shí)，在很多情況下，拋光墊111在化學(xué)機(jī)械拋光工序中無法在整個(gè)表面維持均勻的高度，而是根據(jù)晶片的半徑長度來呈現(xiàn)出不同的高度，因此，有可能因拋光墊111的表面高度偏差而無法精致地控制晶片W的拋光層的厚度。因此，承載頭120可以在化學(xué)機(jī)械拋光工序中借助驅(qū)動(dòng)單元M2來向拋光平板110的具有半徑方向成分的方向(并不局限于從拋光墊111的中心O向半徑方向，而是包括相對(duì)于半徑方向傾斜的方向)進(jìn)行往復(fù)移動(dòng)，從而使晶片W的拋光層在從拋光墊111的中心O隔著不同距離的位置中相接觸，并使晶片拋光層的拋光厚度因拋光墊111的高度偏差而減少依賴，從而可以更加精致地調(diào)節(jié)晶片拋光層的厚度。
[0045]所述傳感器150固定在拋光平板110，來與拋光平板110 —同進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并在經(jīng)過晶片W的下側(cè)時(shí)，接收具有晶片拋光層的厚度數(shù)據(jù)的第一接收信號(hào)，從而向控制部170傳輸?shù)谝唤邮招盘?hào)。
[0046]其中，傳感器150可以形成為光傳感器，也可以形成為渦電流傳感器，所述光傳感器照射具有一個(gè)以上的波長的光，并接收在晶片拋光層反射的反射光作為第一接收信號(hào)，所述渦電流傳感器具有傳感器線圈，來向晶片拋光層施加渦電流信號(hào)，并接收根據(jù)晶片拋光層的厚度變化來發(fā)生變化的電抗值和電阻值中的任意一個(gè)以上作為第一接收信號(hào)。
[0047]在由光傳感器形成傳感器150的情況下，雖然具有晶片拋光層可以適用于非導(dǎo)電性膜和導(dǎo)電性膜的優(yōu)點(diǎn)，但需在晶片拋光層和傳感器150之間維持開放的狀態(tài)。在由渦電流傳感器形成傳感器150的情況下，具有晶片拋光層雖然只能適用于導(dǎo)電性膜，但是即使在晶片拋光層和傳感器150之間介入有作為絕緣體的拋光墊或玻璃等時(shí)，也可以測定拋光層的厚度的優(yōu)點(diǎn)。
[0048]考慮到基于承載頭120的往復(fù)移動(dòng)120d的行程，優(yōu)選地，傳感器150在從拋光墊111的中心O隔著不同距離配置多個(gè)150’。
[0049]所述傳感器位置檢測部160精致地檢測與拋光墊111 一同旋轉(zhuǎn)的傳感器150的位置。為此，可以記住拋光墊111上的傳感器150的初始位置，利用編碼器測定用于使拋光平板110旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)Ml的旋轉(zhuǎn)角之后，通過映射拋光平板110的旋轉(zhuǎn)角和傳感器150的位置來能夠準(zhǔn)確地檢測傳感器150的旋轉(zhuǎn)位置。
[0050]根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式，如圖8所示，由于只要傳感器150在經(jīng)過晶片W的邊緣下側(cè)邊界的位置Al、A2中準(zhǔn)確掌握傳感器150的位置就足夠，因此，在僅由拋光墊111的半徑成分形成晶片W的往復(fù)移動(dòng)120d路徑的情況下，在以從拋光墊的中心經(jīng)過傳感器150的方式延伸的假想線81的半徑末端部標(biāo)有標(biāo)志115，并可由傳感器位置檢測部160構(gòu)成第一檢測部165i及第二檢測部165ο，所述第一檢測部165i及第二檢測部165ο在以與晶片W的邊緣相接觸的方式延伸的第一假想線82i及第二假想線82ο的半徑末端部中檢測標(biāo)志115經(jīng)過。
[0051]因此，若與拋光墊111 一同旋轉(zhuǎn)的傳感器150 —邊旋轉(zhuǎn)，一邊由第一檢測部165i檢測出標(biāo)志115，則可以檢測出傳感器150處于一邊經(jīng)過晶片邊緣，一邊開始向晶片W的下側(cè)進(jìn)入的第一位置Al，若由第二檢測部165ο檢測出標(biāo)志115，則可以檢測出傳感器150處于一邊經(jīng)過晶片邊緣，一邊開始向晶片W的外側(cè)脫離的第二位置A2。
[0052]像這樣，傳感器位置檢測部160通過多種方法來檢測與拋光墊111 一同進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的傳感器150的位置。
[0053]所述控制部170從傳感器位置檢測部160接收傳感器160的位置信息，并從傳感器150接收包含傳感器160經(jīng)過晶片拋光層的下側(cè)的過程中接收到的晶片拋光層的厚度信息的第一接收信號(hào)。
[0054]此時(shí)，在傳感器150為光傳感器的情況下，在傳感器150并未位于晶片的下側(cè)的位置Ao中，傳感器150無法接收從傳感器150照射的光反射后的反射光所形成的第一接收信號(hào)。并且，在傳感器150為渦電流傳感器的情況下，在傳感器150并未位于晶片的下側(cè)的位置Ao中，也無法接收第一接收信號(hào)。
[0055]然后，以傳感器150旋轉(zhuǎn)一圈為基準(zhǔn)，若與拋光墊111 一同旋轉(zhuǎn)50r的傳感器150處于向晶片的下側(cè)進(jìn)入的瞬間的第一位置Al，則傳感器150開始從晶片拋光層接收第一接收信號(hào)，而隨著傳感器150從拋光墊111的中心O隔著指定的距離R來旋轉(zhuǎn)，傳感器150的旋轉(zhuǎn)路徑P已被指定，因此，可通過傳感器位置檢測部160來在拋光墊111的平面上準(zhǔn)確地特定傳感器150開始接收第一接收信號(hào)的第一位置Al。
[0056]此時(shí)，如圖5所示，傳感器150開始接收第一接收信號(hào)的第一位置Al會(huì)根據(jù)晶片W向具有半徑方向成分的方向Lw進(jìn)行往復(fù)移動(dòng)120d而每次都會(huì)不同，S卩，晶片W越接近拋光墊111的中心0，第一位置Al (All、A12、A13)和拋光墊111的中心O所形成的角度Tl、T2、T3越增加，而可以與晶片W的往復(fù)移動(dòng)軸Lw的方向無關(guān)地掌握第一位置Al位于拋光墊111上的哪個(gè)位置。由此，可以檢測晶片W的邊緣位于通過傳感器150來開始接收第一接收信號(hào)的第一位置Al。
[0057]理論上，如圖6所示，在傳感器150處于第一位置Al的狀態(tài)下，使晶片W的邊緣位于第一位置Al的條件具有2種Wo、Wx，但晶片W的直徑為略小于拋光墊111的半徑的狀態(tài)，屬于由Wx顯示的晶片Wx的另一邊緣位置脫離拋光墊111的中心O的狀態(tài)，是實(shí)際上無法體現(xiàn)的位置，因此，在傳感器150為第一位置Al的狀態(tài)下的晶片W的位置可以被確定為由Wo顯示的斜線圓形態(tài)。
[0058]從傳感器150開始接收第一接收信號(hào)的第一位置Al至傳感器150經(jīng)過晶片W的下側(cè)的期間的區(qū)域As中，傳感器150正常接收包含晶片拋光層的厚度信息的第一接收信號(hào)，因此，控制部170接收從傳感器150接收到的第一接收信號(hào)。
[0059]而且，以傳感器150旋轉(zhuǎn)一圈為基準(zhǔn)，作為從傳感器150最后接收到第一接收信號(hào)的時(shí)點(diǎn)中的傳感器位置的第二位置A2也可以由傳感器位置檢測部160在拋光墊111的平面上檢測為準(zhǔn)確的位置。這也可以與晶片W的往復(fù)移動(dòng)方向Lw無關(guān)地進(jìn)行檢測。
[0060]此時(shí)，