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      太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的生產(chǎn)方法

      文檔序號(hào):3434986閱讀:286來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的生產(chǎn)方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)控制領(lǐng)域,尤其是太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的生產(chǎn) 方法。
      背景技術(shù)
      太陽(yáng)能級(jí)多晶硅是用于制造太陽(yáng)能光伏電池的基礎(chǔ)材料,太陽(yáng)能 光伏電池的效率在很大程度上取決于多晶硅的品質(zhì)。
      目前用傳統(tǒng)西門子法或改良西門子法生產(chǎn)的多晶硅主要用于IT 行業(yè),其品質(zhì)完全能滿足IT行業(yè)的要求。但是在生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶 硅的過(guò)程中,可大量利用尾氣回收得到的三氯氫硅作為原料?;厥盏?到的三氯氫硅經(jīng)過(guò)提純,再輸入還原爐由氫氣在高溫下將其還原成多 晶硅。這樣生產(chǎn)的多晶硅其質(zhì)量較差且不穩(wěn)定,其碳含量只能達(dá)到 1.5X1015at/cm3o

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題就是要克服上述多晶硅生產(chǎn)方法中存 在的缺陷。
      本發(fā)明是多晶硅生產(chǎn)過(guò)程的控制方法和控制裝置,即在提純回收 得到的三氯氫硅的工序中,增加控制點(diǎn)及控制裝置。
      在提純系統(tǒng)中增加控制裝置,這樣既可以方便測(cè)量又可以根據(jù)三 氯氫硅回收料的品質(zhì),及時(shí)調(diào)整提純的工藝流程及工藝參數(shù),使三氯 氫硅的純度始終到達(dá)8 9個(gè)以上,將本發(fā)明提純后的三氯氫硅輸入還原爐在高溫下由氫氣將其還原成多晶硅。這樣生產(chǎn)的多晶硅其含碳量
      小于9.86X 1015at/cm3、氧含量小于2.27 X 1016at/cm3,壽命大于 150pm,質(zhì)量比較穩(wěn)定。用于太陽(yáng)能光伏電池的制造,可使電池的效 率得到提高。


      圖1是多晶硅生產(chǎn)工藝流程圖。
      具體實(shí)施例方式
      通過(guò)下面給出的本發(fā)明的具體實(shí)施例可以進(jìn)一步清楚地了解本 發(fā)明,但它們不是對(duì)本發(fā)明的限定。
      將本發(fā)明設(shè)定的控制點(diǎn)和控制裝置安置在三氯氫硅的粗餾和精 餾的前后管道或料槽上,根據(jù)工藝要求定時(shí)操作以及及時(shí)調(diào)整提純工 藝參數(shù),可以確保經(jīng)提純得到的三氯氫硅其純度8~9個(gè)以上。
      生產(chǎn)多晶硅用的氫氣經(jīng)除水、除氧、除碳等裝置后,其露點(diǎn)為-100 °C,氧含量不大于100ppm。
      用提純過(guò)的氫氣、三氯氫硅按一定的比例輸入還原爐,晶體硅將 沉積到高溫的硅芯上,如此能得到的太陽(yáng)能級(jí)的長(zhǎng)壽命的多晶硅,其 含碳量小于9.86X1015at/cm3、氧含量小于2.27X 1016at/cm3,壽命大 于150pm,質(zhì)量比較穩(wěn)定。
      盡管對(duì)本發(fā)明已經(jīng)作了詳細(xì)的說(shuō)明并引證了一些具體實(shí)施例,但 對(duì)本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員來(lái)說(shuō),只要不離開本發(fā)明的精神和范圍可作各 種變化和修正是顯然的。
      權(quán)利要求
      1、一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)方法,其特征在于在提純回收得到的三氯氫硅的工序中,增加控制點(diǎn)及控制裝置。
      2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)方法,其特征在 于設(shè)定的控制點(diǎn)和控制裝置安置在三氯氫硅的粗餾和精餾的前后管 道或料槽上,根據(jù)工藝要求定時(shí)操作以及及時(shí)調(diào)整提純工藝參數(shù),可 以確保經(jīng)提純得到的三氯氫硅其純度8 9個(gè)以上。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能級(jí)多晶硅生產(chǎn)方法,是在提純回收得到的三氯氫硅的工序中,增加控制點(diǎn)及控制裝置。所述的控制點(diǎn)和控制裝置安置在三氯氫硅的粗餾和精餾的前后管道或料槽上,根據(jù)工藝要求定時(shí)操作以及及時(shí)調(diào)整提純工藝參數(shù),可以確保經(jīng)提純得到的三氯氫硅其純度8~9個(gè)以上。
      文檔編號(hào)C01B33/00GK101450802SQ200710171899
      公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月7日
      發(fā)明者樓繼良, 陸惠忠 申請(qǐng)人:上海棱光實(shí)業(yè)股份有限公司
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