一種太陽(yáng)能多晶硅片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于光伏技術(shù)工程領(lǐng)域，具體涉及一種太陽(yáng)能多晶硅片。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶硅太陽(yáng)電池單體可以有效吸收太陽(yáng)能，并將其轉(zhuǎn)化成電能的半導(dǎo)體部件。用半導(dǎo)體硅、砸等材料將太陽(yáng)的光能變成電能的器件。具有可靠性高，壽命長(zhǎng)，轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)，可做人造衛(wèi)星、航標(biāo)燈、晶體管收音機(jī)等的電源。單晶硅太陽(yáng)能電池在硅系列太陽(yáng)能電池中，單晶硅大陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率最高(16%?20% )，技術(shù)也最為成熟。現(xiàn)在單晶硅的電地工藝己近成熟，在電池制作中，一般都采用表面織構(gòu)化、發(fā)射區(qū)鈍化、分區(qū)摻雜等技術(shù)，開(kāi)發(fā)的電池主要有平面單晶硅電池和刻槽埋柵電極單晶硅電池。
[0003]多晶硅太陽(yáng)能電池兼具單晶硅電池的高轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)壽命以及非晶硅薄膜電池的材料制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)化等優(yōu)點(diǎn)的新一代電池，其轉(zhuǎn)換效率一般為12%左右，稍低于單晶硅太陽(yáng)電池，沒(méi)有明顯效率衰退問(wèn)題，并且有可能在廉價(jià)襯底材料上制備，其成本遠(yuǎn)低于單晶硅電池，而效率高于非晶硅薄膜電池。
[0004]單晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復(fù)雜，電耗很大，在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一。加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀，切片制作太陽(yáng)能電池也是圓片，組成太陽(yáng)能組件平面利用率低。因此，80年代以來(lái)，歐美一些國(guó)家投入了多晶硅太陽(yáng)能電池的研制。
[0005 ]現(xiàn)有的多晶硅太陽(yáng)能電池存在轉(zhuǎn)換效率不高，易碎等缺點(diǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]實(shí)用新型目的:本實(shí)用新型針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題做出改進(jìn)，即本實(shí)用新型公開(kāi)了一種太陽(yáng)能多晶硅片。
[0007]技術(shù)方案:一種太陽(yáng)能多晶硅片，包括太陽(yáng)能多晶硅片本體和順丁橡膠層，
[0008]所述太陽(yáng)能多晶硅片本體的一外表面為腐蝕制絨成的絨面，所述絨面包括多個(gè)腐蝕坑體，所述多個(gè)腐蝕坑體的寬度為I.35?1.4μπι，所述多個(gè)腐蝕坑體的長(zhǎng)度為4.6?4.8μm，所述多個(gè)腐蝕坑體的深度為2.7?2.9μπι，與該外表面相對(duì)的另一外表面涂布有氮化硅層，所述順丁橡膠層包裹于所述太陽(yáng)能多晶硅片本體的四側(cè)壁。
[0009]進(jìn)一步地，所述太陽(yáng)能多晶硅片本體的厚度為165?175μπι。
[0010]進(jìn)一步地，所述氮化娃層的厚度為70?90μηι。
[0011]有益效果:本實(shí)用新型公開(kāi)的一種太陽(yáng)能多晶硅片具有以下有益效果:
[0012]1、太陽(yáng)能多晶硅片本體的兩個(gè)相對(duì)的外表面分別設(shè)有絨面和氮化硅層，提高了轉(zhuǎn)化效率；
[0013]2、在太陽(yáng)能多晶硅片本體的四周包裹了順丁橡膠層，降低了太陽(yáng)能多晶硅片在運(yùn)輸?shù)瘸绦蛑衅茡p率。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為太陽(yáng)能多晶硅片本體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型公開(kāi)的一種太陽(yáng)能多晶硅片的立體示意圖；
[0016]其中:
[0017]10-太陽(yáng)能多晶硅片本體101-絨面
[0018]20-氮化硅層30-順丁橡膠層
【具體實(shí)施方式】
:
[0019]下面對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)說(shuō)明。
[0020]具體實(shí)施例1
[0021]—種太陽(yáng)能多晶硅片，包括太陽(yáng)能多晶硅片本體10和順丁橡膠層30，
[0022]太陽(yáng)能多晶硅片本體10的一外表面為腐蝕制絨成的絨面101，絨面101包括多個(gè)腐蝕坑體，多個(gè)腐蝕坑體的寬度為I.35μπι，多個(gè)腐蝕坑體的長(zhǎng)度為4.6μπι，多個(gè)腐蝕坑體的深度為2.7μπι，與該外表面相對(duì)的另一外表面涂布有氮化硅層20，順丁橡膠層30包裹于太陽(yáng)能多晶硅片本體10的四側(cè)壁。
[0023]進(jìn)一步地，太陽(yáng)能多晶硅片本體10的厚度為165μπι。
[0024]進(jìn)一步地，氮化硅層20的厚度為70μπι。
[0025]具體實(shí)施例2
[0026]一種太陽(yáng)能多晶硅片，包括太陽(yáng)能多晶硅片本體10和順丁橡膠層30，
[0027]太陽(yáng)能多晶硅片本體10的一外表面為腐蝕制絨成的絨面101，絨面101包括多個(gè)腐蝕坑體，多個(gè)腐蝕坑體的寬度為I.4μπι，多個(gè)腐蝕坑體的長(zhǎng)度為4.8μπι，多個(gè)腐蝕坑體的深度為2.9μπι，與該外表面相對(duì)的另一外表面涂布有氮化硅層20，順丁橡膠層30包裹于太陽(yáng)能多晶硅片本體10的四側(cè)壁。
[0028]進(jìn)一步地，太陽(yáng)能多晶硅片本體10的厚度為175μπι。
[0029]進(jìn)一步地，氮化硅層20的厚度為90μπι。
[0030]具體實(shí)施例3
[0031]一種太陽(yáng)能多晶硅片，包括太陽(yáng)能多晶硅片本體10和順丁橡膠層30，
[0032]太陽(yáng)能多晶硅片本體10的一外表面為腐蝕制絨成的絨面101，絨面101包括多個(gè)腐蝕坑體，多個(gè)腐蝕坑體的寬度為I.37μπι，多個(gè)腐蝕坑體的長(zhǎng)度為4.7μπι，多個(gè)腐蝕坑體的深度為2.8μπι，與該外表面相對(duì)的另一外表面涂布有氮化硅層20，順丁橡膠層30包裹于太陽(yáng)能多晶硅片本體10的四側(cè)壁。
[0033]進(jìn)一步地，太陽(yáng)能多晶硅片本體10的厚度為170μπι。
[0034]進(jìn)一步地，氮化硅層20的厚度為80μπι。
[0035]上面對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式做了詳細(xì)說(shuō)明。但是本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式，在所屬技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本實(shí)用新型宗旨的前提下做出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種太陽(yáng)能多晶硅片，其特征在于，包括太陽(yáng)能多晶硅片本體和順丁橡膠層， 所述太陽(yáng)能多晶硅片本體的一外表面為腐蝕制絨成的絨面，所述絨面包括多個(gè)腐蝕坑體，所述多個(gè)腐蝕坑體的寬度為1.35?1.4μ??，所述多個(gè)腐蝕坑體的長(zhǎng)度為4.6?4.8μ??，所述多個(gè)腐蝕坑體的深度為2.7?2.9μπι，與該外表面相對(duì)的另一外表面涂布有氮化硅層，所述順丁橡膠層包裹于所述太陽(yáng)能多晶硅片本體的四側(cè)壁。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能多晶硅片，其特征在于，所述太陽(yáng)能多晶硅片本體的厚度為165?175μπι。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能多晶硅片，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為70?90μπιο
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能多晶硅片，其包括太陽(yáng)能多晶硅片本體和順丁橡膠層，太陽(yáng)能多晶硅片本體的一外表面為腐蝕制絨成的絨面，絨面包括多個(gè)腐蝕坑體，多個(gè)腐蝕坑體的寬度為1.35～1.4μm，多個(gè)腐蝕坑體的長(zhǎng)度為4.6～4.8μm，多個(gè)腐蝕坑體的深度為2.7～2.9μm，與該外表面相對(duì)的另一外表面涂布有氮化硅層，順丁橡膠層包裹于太陽(yáng)能多晶硅片本體的四側(cè)壁。本實(shí)用新型公開(kāi)的一種太陽(yáng)能多晶硅片具有以下有益效果：1、太陽(yáng)能多晶硅片本體的兩個(gè)相對(duì)的外表面分別設(shè)有絨面和氮化硅層，提高了轉(zhuǎn)化效率；2、在太陽(yáng)能多晶硅片本體的四周包裹了順丁橡膠層，降低了太陽(yáng)能多晶硅片在運(yùn)輸?shù)瘸绦蛑衅茡p率。
【IPC分類】H01L31/0216, H01L31/0236
【公開(kāi)號(hào)】CN205376543
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201620035878
【發(fā)明人】廖文豐
【申請(qǐng)人】浙江泰豐太陽(yáng)能科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年7月6日
【申請(qǐng)日】2016年1月14日