專利名稱：多晶硅還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于太陽能光伏能源材料的制備裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多晶硅還原爐。
背景技術(shù)：
能源和環(huán)境問題日益成為世界關(guān)注的焦點(diǎn)，為了實(shí)現(xiàn)能源和環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展，世界各國(guó)都將太陽能發(fā)電行業(yè)作為發(fā)展的重點(diǎn)。在積極政策的引導(dǎo)下，國(guó)際太陽能電池市場(chǎng)得到迅速擴(kuò)大，而作為太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原材料——多晶硅產(chǎn)業(yè)也隨之駛?cè)肟燔嚨?。目前我?guó)的多晶硅生產(chǎn)企業(yè)工藝技術(shù)落后，生產(chǎn)規(guī)模小，環(huán)境污染嚴(yán)重，消耗大，成本高。因此如何有效的降低成本，實(shí)行節(jié)能減排、擴(kuò)能增效是我國(guó)多晶硅生產(chǎn)企業(yè)面臨的重大技術(shù)難題，也只有通過技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)行節(jié)能減排才是我國(guó)多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的唯一出路。目前多晶硅生產(chǎn)所用到的主要設(shè)備是多晶硅還原爐，提高其單產(chǎn)量可以最有效地節(jié)能降耗，降 低成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種產(chǎn)能高、能耗低、安全可靠的多晶硅還原爐。本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案為一種多晶硅還原爐，包括爐體(I)和底盤(2)。爐體(I)與底盤(2)之間采用法蘭連接。底盤(2)上均勻設(shè)置有30對(duì)，即60個(gè)電極(3)。爐體(I)為帶有夾套的雙層結(jié)構(gòu)，爐體(I)的內(nèi)壁是銀合金涂層。爐體(I)上對(duì)稱分布有4個(gè)觀察窗(4)。電極(3)在底盤(2)上沿4個(gè)同心圓均勻分布，由內(nèi)向外每個(gè)圓上的電極(3)數(shù)量依次為6個(gè)，12個(gè)，18個(gè)和24個(gè)。本實(shí)用新型的積極效果如下底盤(2)上沿環(huán)狀均勻安裝有30對(duì)，即60個(gè)電極(3)，擴(kuò)大了還原爐的直徑，大大降低了還原電耗，提高了單爐產(chǎn)量。爐體(I)為帶有夾套的雙層結(jié)構(gòu)，爐體(I)的內(nèi)壁是光滑的銀合金涂層，利用銀合金良好的加工性和拋光后的鏡面效果，能夠大幅度降低能耗，節(jié)省生產(chǎn)成本。爐體(I)上對(duì)稱分布有4個(gè)觀察窗(4)，工作人員能夠通過觀察窗(4)將爐內(nèi)的物像盡收眼前，使工作人員在巡檢時(shí)能夠更準(zhǔn)確、清晰地了解還原爐內(nèi)物料的狀況，保證還原爐安全穩(wěn)定的運(yùn)行。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為底盤的示意圖；圖1、2中，1-爐體，2-底盤，3-電極，4-觀察窗。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明如圖1、2所示，一種多晶硅還原爐，包括爐體I和底盤2。爐體I與底盤2之間采用法蘭連接。底盤2上均勻安裝有30對(duì)，即60個(gè)電極3，電極3在底盤2上沿4個(gè)同心圓均勻分布，由內(nèi)向外每個(gè)圓上的電極3數(shù)量依次為6個(gè)，12個(gè)，18個(gè)和24個(gè)，擴(kuò)大了還原爐的直徑，大大降低了還原電耗，提高了單爐產(chǎn)量。爐體I為帶有夾套的雙層結(jié)構(gòu)，爐體I的內(nèi)壁是光滑的銀合金涂層，利用銀合金良好的加工性和拋光后的鏡面效果，能夠大幅度降低能耗，節(jié)省生產(chǎn)成本。爐體I上對(duì)稱分布有4個(gè)觀察窗4，工作人員能夠通過觀察窗4將爐內(nèi)的物像盡收眼前，使工作人員在巡檢時(shí)能夠更準(zhǔn)確、清晰地了解還原爐內(nèi)物料的狀況，保證還原爐安全穩(wěn)定的運(yùn)行。當(dāng)然，上述說明并非是對(duì)本實(shí)用新型的限制，本實(shí)用新型也并不僅限于上述舉例，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換，也應(yīng) 屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種多晶硅還原爐，包括爐體(I)和底盤(2)，其特征在于爐體(I)與底盤(2)之間采用法蘭連接；所述底盤(2)上沿均勻安裝有30對(duì)，即60個(gè)電極(3);所述爐體(I)為帶有夾套的雙層結(jié)構(gòu)，所述爐體(I)的內(nèi)壁是銀合金涂層；所述爐體(I)上對(duì)稱分布有4個(gè)觀察窗(4);電極(3)在底盤(2)上沿4個(gè)同心圓均勻分布，由內(nèi)向外每個(gè)圓上的電極(3)數(shù)量依次為6個(gè)，12個(gè)，18個(gè)和24個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多晶硅還原爐，包括爐體(1)和底盤(2)。爐體(1)與底盤(2)之間采用法蘭連接。底盤(2)上均勻安裝有30對(duì)，即60個(gè)電極(3)。爐體(1)為帶有夾套的雙層結(jié)構(gòu)，爐體(1)的內(nèi)壁是銀合金涂層。爐體(1)上對(duì)稱分布有4個(gè)觀察窗(4)。本實(shí)用新型的還原電耗小，單爐產(chǎn)量高，操作安全可靠，而且能使工作人員從外部清晰、準(zhǔn)確地了解爐內(nèi)的狀況。
文檔編號(hào)C01B33/021GK202849076SQ20122051481
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月9日
發(fā)明者趙純?cè)?申請(qǐng)人:內(nèi)蒙古鋒威硅業(yè)有限公司