本發(fā)明涉及一種單晶的制備方法。
背景技術(shù):1880年,物理學(xué)家J.Curie和P.Curie在研究α石英晶體過程中,發(fā)現(xiàn)其具有壓電效應(yīng),從此人們開始了對壓電材料的研究。1920年,法國科學(xué)家Valasek發(fā)現(xiàn)某些壓電材料具有鐵電性。從此人們開始了對鐵電材料的研究。壓電鐵電材料在工業(yè)、民用以及軍事上應(yīng)用極為廣泛,包括濾波器、諧振器、傳感器、換能器等數(shù)十種器件。目前應(yīng)用最為廣泛的是以鋯鈦酸鉛為代表的鉛基壓電材料,但是由于其中鉛元素含量極高,在應(yīng)用過程中會(huì)對人類和環(huán)境造成很大的傷害。近年來,國際上正在積極通過法律、法規(guī)對含鉛的電子產(chǎn)品等進(jìn)行禁止,因此壓電材料的無鉛化是以后壓電領(lǐng)域的主要發(fā)展趨勢。近幾十年來,國內(nèi)外研究者對無鉛壓電材料進(jìn)行了大量的研究,其中關(guān)于鈮酸鉀鈉(KNN)基無鉛壓電材料的研究取得了重大的突破。研究者們發(fā)現(xiàn)在K/Na的摩爾比在1/1附近,由于體系存在一個(gè)準(zhǔn)同型相界,在此區(qū)域會(huì)表現(xiàn)優(yōu)異的壓電性能:d33=80pC/N。一般來講,單晶的要優(yōu)于同組分陶瓷的性能,并且可以通過疇工程技術(shù)可以進(jìn)一步的提高其壓電性能。目前,人們已經(jīng)可以生長出鈮酸鉀鈉單晶,但是生長出的單晶存在尺寸較小,內(nèi)應(yīng)力較大(容易開裂)以及缺陷較多等一系列的原因,需要一種可以生長出高質(zhì)量、高性能單晶的方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有方法制備的鈮酸鉀鈉單晶尺寸較小、內(nèi)應(yīng)力大的技術(shù)問題,提供了一種K0.5Na0.5NbO3單晶的制備方法。K0.5Na0.5NbO3單晶的制備方法按照以下步驟進(jìn)行:一、稱取K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合,使用球磨機(jī)研磨混合均勻,得混合粉末,混合粉末中K原子與Na原子總的物質(zhì)的量與Nb的物質(zhì)的量比為1.1~1.3﹕1,K原子與Na原子總的物質(zhì)的量比為2.3~4.0﹕1,將混合粉末放入坩堝內(nèi);二、將坩堝置于加熱爐,在室溫的條件下升溫至900~1000℃,并保持900~1000℃6h~10h,得到鈮酸鉀鈉多晶體;三、將盛放鈮酸鉀鈉多晶的坩堝放入生長爐中,在室溫條件下升溫至1240℃~1275℃,并在1240℃~1275℃保持6~10h,再降溫至1180℃;四、采用頂部籽晶助熔劑法,在籽晶桿轉(zhuǎn)速為10~25r/min的條件下旋轉(zhuǎn)到單晶放肩至8mm~12mm,然后在提拉速度為2~2.5mm/h的條件下將單晶提拉至12mm~25mm,再將單晶提出,而后降至室溫,即得K0.5Na0.5NbO3單晶。本發(fā)明首次采用頂部籽晶助溶劑法的方法實(shí)現(xiàn)了大尺寸的鈮酸鉀鈉(K0.5Na0.5NbO3)單晶的制備,生長出的單晶尺寸可為11mm×11mm×15mm。本發(fā)明首次采用頂部籽晶助溶劑法的方法實(shí)現(xiàn)了缺陷少,漏電流小、壓電常數(shù)大的鈮酸鉀鈉(K0.5Na0.5NbO3)單晶的制備。本發(fā)明所得到的鈮酸鉀鈉(K0.5Na0.5NbO3)單晶,在室溫時(shí)呈正交相,呈鐵電性。本發(fā)明所得到的鈮酸鉀鈉(K0.5Na0.5NbO3)單晶的居里溫度是400~422℃,本發(fā)明所得到的鈮酸鉀鈉(K0.5Na0.5NbO3)單晶的壓電常數(shù)d33可達(dá)175~190pC/N。附圖說明圖1為本發(fā)明單晶生長爐的溫場結(jié)構(gòu)圖,1為鉑金后繼加熱器、2為氧化鋯、3為剛玉、4為鉑坩堝、5為鋯沙;圖2為實(shí)驗(yàn)一制備的K0.5Na0.5NbO3單晶照片;圖3為實(shí)驗(yàn)一制備的K0.5Na0.5NbO3單晶的漏電流示意圖;圖4為實(shí)驗(yàn)一制備的K0.5Na0.5NbO3單晶的粉末X射線衍射測量結(jié)果示意圖;圖5為實(shí)驗(yàn)一制備的K0.5Na0.5NbO3單晶的電滯回線示意圖;圖6為實(shí)驗(yàn)一制備的K0.5Na0.5NbO3單晶的介電常數(shù)隨溫度變化示意圖;圖7是實(shí)驗(yàn)二制備的K0.5Na0.5NbO3單晶照片。具體實(shí)施方式本發(fā)明技術(shù)方案不局限于以下所列舉具體實(shí)施方式,還包括各具體實(shí)施方式間的任意組合。具體實(shí)施方式一:本實(shí)施方式K0.5Na0.5NbO3單晶的制備方法按照以下步驟進(jìn)行:一、稱取K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合,使用變頻行星式球磨機(jī)研磨混合均勻,得混合粉末,混合粉末中K原子與Na原子總的物質(zhì)的量與Nb的物質(zhì)的量比為1.1~1.3﹕1,K原子與Na原子總的物質(zhì)的量比為2.3~4.0﹕1,將混合粉末放入坩堝內(nèi);二、將坩堝置于加熱爐,在室溫的條件下升溫至900~1000℃,并保持900~1000℃6h~10h,得到鈮酸鉀鈉多晶體;三、將盛放鈮酸鉀鈉多晶的坩堝放入生長爐中,在室溫條件下升溫至1240℃~1275℃,并在1240℃~1275℃保持6~10h,再降溫至1180℃;四、采用頂部籽晶助熔劑法,在籽晶桿轉(zhuǎn)速為10~25r/min的條件下旋轉(zhuǎn)到單晶放肩至8mm~12mm,然后在提拉速度為2~2.5mm/h的條件下將單晶提拉至12mm~25mm,再將單晶提出,而后降至室溫,即得K0.5Na0.5NbO3單晶。本實(shí)施方式步驟一中所用的球磨機(jī)型號(hào)為:XQM-2L。具體實(shí)施方式二:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一不同的是步驟一中混合粉末中K原子與Na原子總的物質(zhì)的量與Nb的物質(zhì)的量比為11﹕10,K原子與Na原子總的物質(zhì)的量比為3﹕1。其它與具體實(shí)施方式一相同。具體實(shí)施方式三:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一或二之一不同的是步驟二中的升溫速度為100℃/h~200℃/h。其它與具體實(shí)施方式一或二之一相同。具體實(shí)施方式四:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至三之一不同的是步驟二中的反應(yīng)時(shí)間溫度為900℃,時(shí)間為6h。其它與具體實(shí)施方式一至三之一相同。具體實(shí)施方式五:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至四之一不同的是步驟三中在室溫條件下升溫至1250℃,并保持1250℃7h,再降溫至1180℃。其它與具體實(shí)施方式一至四之一相同。具體實(shí)施方式六:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至五之一不同的是步驟三中升溫至1240℃~1275℃的升溫速度為80℃/h~150℃/h。其它與具體實(shí)施方式一至五之一相同。具體實(shí)施方式七:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至六之一不同的是步驟三中降溫至1180℃的降溫過程為20℃/h~35℃/h。其它與具體實(shí)施方式一至六之一相同。具體實(shí)施方式八:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至七之一不同的是步驟四中在籽晶桿轉(zhuǎn)速為15r/min的條件下旋轉(zhuǎn)到單晶放肩至10mm,然后在提拉速度為2mm/h的條件下將單晶提拉至15mm,再將單晶提出,而后降至室溫。其它與具體實(shí)施方式一至七之一相同。具體實(shí)施方式九:本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式一至八之一不同的是步驟四中的降溫過程為:首先以40℃/h的速度降溫至1100℃,再以50℃/h的速度降溫至800℃,然后再以30℃/h的速度降溫至600℃,再以20℃/h的速度降溫至室溫。其它與具體實(shí)施方式一至八之一相同。采用下述實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證本發(fā)明效果:實(shí)驗(yàn)一:K0.5Na0.5NbO3單晶的制備方法按照以下步驟進(jìn)行:一、稱取K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合,使用球磨機(jī)研磨混合均勻,得混合粉末,混合粉末中K原子與Na原子總的物質(zhì)的量與Nb的物質(zhì)的量比為11﹕10,K原子與Na原子總的物質(zhì)的量比為3﹕1,將混合粉末放入坩堝內(nèi);二、將坩堝置于加熱爐,在室溫的條件下升溫至900℃,并保持900℃6h,得到鈮酸鉀鈉多晶體;三、將盛放鈮酸鉀鈉多晶的坩堝放入生長爐中,在室溫條件下升溫至1250℃,并保持1250℃7h,再降溫至1180℃;四、采用頂部籽晶助熔劑法,在籽晶桿轉(zhuǎn)速為15r/min的條件下旋轉(zhuǎn)到單晶放肩至10mm,然后在提拉速度為0.2mm/h的條件下將單晶提拉至15mm,再將單晶提出,而后降至室溫,即得K0.5Na0.5NbO3單晶。本實(shí)驗(yàn)制備的K0.5Na0.5NbO3單晶,生長出的單晶尺寸為:11mm×11mm×15mm,如圖2所示。本實(shí)驗(yàn)制備的K0.5Na0.5NbO3單晶漏電流如圖3所示,從圖3中看出K0.5Na0.5NbO3單晶缺陷少,漏電流小。本實(shí)驗(yàn)所得到的鈮酸鉀鈉(K0.5Na0.5NbO3)單晶,在室溫時(shí)呈正交相,呈鐵電性,如圖4及圖5所示。本實(shí)驗(yàn)所得到的鈮酸鉀鈉(K0.5Na0.5NbO3)單晶的居里溫度是422℃,如圖6所示。本實(shí)驗(yàn)所得到的鈮酸鉀鈉(K0.5Na0.5NbO3)單晶的壓電常數(shù)d33為190pC/N。實(shí)驗(yàn)二:本實(shí)驗(yàn)的K0.5Na0.5NbO3單晶的制備方法按照以下步驟進(jìn)行:一、稱取K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合,使用變頻行星式球磨機(jī)研磨混合均勻,得混合粉末,混合粉末中K原子與Na原子總的物質(zhì)的量與Nb的物質(zhì)的量比為1.1﹕1,K原子與Na原子總的物質(zhì)的量比為3﹕1,將混合粉末放入坩堝內(nèi);二、將坩堝置于加熱爐,在室溫的條件下以150℃/h的速率升溫至950℃,并在950℃條件下保持10h,得到鈮酸鉀鈉多晶體;三、將盛放鈮酸鉀鈉多晶的坩堝放入生長爐中,在室溫條件下以100℃/h的速度升溫至1255℃,并在1255℃條件下保持10h,再以30℃/h的速度降溫至1180℃;四、采用頂部籽晶助熔劑法,在籽晶桿轉(zhuǎn)速為20r/min的條件下旋轉(zhuǎn)到單晶放肩至10mm,然后在提拉速度為2.5mm/h的條件下將單晶提拉至18mm,再將單晶提出,而后降至室溫,即得K0.5Na0.5NbO3單晶。本實(shí)驗(yàn)得到的K0.5Na0.5NbO3單晶的照片如圖7所示。本實(shí)驗(yàn)得到的K0.5Na0.5NbO3單晶的缺陷少,漏電流為0.0000003微安,漏電流小,居里溫度為420℃,壓電常數(shù)d33為185pC/N。