本發(fā)明涉及一種化合物氟硼酸鉀kb4o6f和氟硼酸鉀kb4o6f非線性光學(xué)晶體及制備方法和用途。
背景技術(shù):
深紫外波段激光(<200nm)具有波長短、光子能量高等優(yōu)點,因而在高分辨率成像、光譜應(yīng)用、微細(xì)加工等諸多領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。利用深紫外非線性光學(xué)晶體進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)換是獲得深紫外激光的重要手段。當(dāng)前,從可見到紫外區(qū)的實用晶體有ktp、lbo和bbo,但深紫外波段,目前唯一實用化的晶體是kbe2bo3f2(kbbf)晶體,采用棱鏡耦合技術(shù)已實現(xiàn)了nd:yag激光器的1064nm波長的直接六倍頻輸出。中國也因此成為當(dāng)今世界上唯一掌握深紫外全固態(tài)激光技術(shù)的國家。由于kbbf晶體具有層狀生長習(xí)性,使生長大尺寸晶體困難,一定程度上限制了其應(yīng)用。因此制備合成綜合性能優(yōu)異的新型深紫外非線性光學(xué)晶體材料具有重要意義和實用價值。
本發(fā)明在此前的研究中,發(fā)明了化合物氟硼酸銨nh4b4o6f和氟硼酸銨nh4b4o6f非線性光學(xué)晶體,專利申請?zhí)?01611128283.3,本發(fā)明與nh4b4o6f的主要區(qū)別在于,氟硼酸銨nh4b4o6f晶體結(jié)構(gòu)中銨根離子與硼-氧陰離子框架以氫鍵連接,而本發(fā)明氟硼酸鉀kb4o6f中k離子與硼-氧陰離子框架以k-o離子鍵連接,結(jié)構(gòu)的成鍵作用力不同,導(dǎo)致兩者結(jié)構(gòu)和生長習(xí)性完全不同,氟硼酸鉀kb4o6f既可以在密閉體系生長也可以在開放體系穩(wěn)定生長,生長工藝關(guān)鍵參數(shù)和晶體性能均與氟硼酸銨nh4b4o6f不同。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明目的在于,提供一種化合物氟硼酸鉀,該化合物的化學(xué)式為kb4o6f,分子量為197.34,采用固相反應(yīng)法或真空封裝法制備。
本發(fā)明的另一個目的在于,提供氟硼酸鉀kb4o6f非線性光學(xué)晶體,該晶體的化學(xué)式為kb4o6f,分子量為197.34。其晶體結(jié)構(gòu)屬于正交晶系,空間群為pna21,晶胞參數(shù)為
本發(fā)明再一個目的在于,提供氟硼酸鉀kb4o6f非線性光學(xué)晶體的制備方法,采用熔體法,高溫熔液法,真空封裝法,水熱法或室溫溶液法生長晶體。
本發(fā)明又一個目的在于,提供氟硼酸鉀kb4o6f非線性光學(xué)晶體的用途。
本發(fā)明所述的一種化合物氟硼酸鉀,該化合物的化學(xué)式為kb4o6f,分子量為197.34。
所述化合物氟硼酸鉀的制備方法,采用固相合成法或真空封裝法制備,具體操作按下列步驟進(jìn)行:
所述固相合成法制備化合物氟硼酸鉀:
將含k化合物、含b化合物和含f化合物按摩爾比k∶b∶f=1∶4∶1混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至550-700℃,恒溫24-120小時,即得到化合物kb4o6f,所述含k化合物為kf、koh、k2co3、kno3、khco3或kbf4;含f為化合物kf或kbf4;含b化合物為h3bo3、b2o3、kbf4;
所述真空封裝法制備化合物氟硼酸鉀:
將含k化合物、含b化合物和含f化合物按摩爾比k∶b∶f=1∶4∶1混合均勻,裝入石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,以溫度5-10℃/h的速率升溫至550-700℃,恒溫24-120小時,即得到化合物kb4o6f,所述含k化合物為kf、koh、k2co3、kno3、khco3或kbf4;含f為化合物kf或kbf4;含b化合物為h3bo3、b2o3、kbf4。
一種氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體,該晶體的化學(xué)式為kb4o6f,分子量為197.34,屬于正交晶系,空間群為pna21,晶胞參數(shù)為
所述氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體的制備方法,采用熔體法,高溫熔液法,真空封裝法,水熱法或室溫溶液法生長晶體;
所述熔體法生長氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體的具體操作按下列步驟進(jìn)行:
a、將含k化合物、含b化合物和含f化合物按摩爾比k∶b∶f=1∶4∶1混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至550-700℃,恒溫24-120小時,即得到化合物kb4o6f多晶粉末,所述含k化合物為kf、koh、k2co3、kno3、khco3或kbf4;含f為化合物kf或kbf4;含b化合物為h3bo3、b2o3、kbf4;
b、將步驟a制備的合物kb4o6f多晶粉末裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中,升溫至560-800℃,恒溫10-120小時,得到混合熔體;
c、將步驟b得到的混合熔體以溫度0.1-2℃/h的速率溫度緩慢降至400℃,再以溫度5-10℃/h的速率快速降溫至30℃,得到kb4o6f籽晶;
d、采用提拉法在化合物熔體中生長晶體:將步驟c得到的籽晶固定于籽晶桿上,從步驟b制得的混合熔體的上方下籽晶,通過晶體生長控制儀施加2-30rpm的晶轉(zhuǎn),以1-10mm/天的速度提拉籽晶,以溫度0.1-10℃/h的速率降溫,待晶體生長停止后,即得到kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
或用泡生法在化合物熔體中生長晶體:將步驟c得到的籽晶固定于籽晶桿上,從步驟b制得的混合熔體的上方下籽晶,以溫度0.1-10℃/h的速率降溫,使晶體生長5-15小時,緩慢提升晶體但不脫離液面繼續(xù)生長,如此重復(fù),待晶體生長停止后,即得到kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
或用坩堝下降法在化合物熔體中生長晶體:將步驟c制備的籽晶放在坩堝底部,再將步驟a制備的化合物kb4o6f多晶粉末放入坩堝中,然后將鉑金坩堝密封,將生長爐溫度升至560-800℃,恒溫10-120小時,調(diào)整坩堝位置使籽晶微熔,然后以1-10mm/天的速度降低坩堝,同時,保持生長溫度不變,或以最快速度3℃/h的降溫速率降至400℃,待生長結(jié)束后,再以溫度5-10℃/h的速率快速降至室溫,即得到kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
所述高溫熔液法生長氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體的具體操作按下列步驟進(jìn)行:
a、將含k化合物、含b化合物和含f化合物按摩爾比k∶b∶f=1∶4∶1混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至550-700℃,恒溫24-120小時,即得到化合物kb4o6f多晶粉末,所述含k化合物為kf、koh、k2co3、kno3、khco3或kbf4;含f為化合物kf或kbf4;含b化合物為h3bo3、b2o3、kbf4;
b、將步驟a得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助熔劑按摩爾比1∶0.1-6混合均勻,裝入鉑金坩堝中,升溫至560-800℃,恒溫5-120小時,得到混合熔液,所述助溶劑為kf,h3bo3,b2o3,pbo或pbf2;
c、制備籽晶:將步驟b得到的混合熔液置于單晶爐中,以溫度0.1-2℃/h的速率緩慢降至400℃,再以溫度5-10℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
d、生長晶體:將步驟c得到的籽晶固定于籽晶桿上,從步驟b制得的混合熔液的上方下籽晶,通過晶體生長控制儀施加2-20rpm的晶轉(zhuǎn),以溫度0.1-3℃/h的速率降溫,待晶體生長停止后,即得到kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
所述真空封裝法生長氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體的具體操作按下列步驟進(jìn)行:
a、將含k化合物、含b化合物和含f化合物按摩爾比k∶b∶f=1∶4∶1混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至550-700℃,恒溫24-120小時,即得到化合物kb4o6f多晶粉末,所述含k化合物為kf、koh、k2co3、kno3、khco3或kbf4;含f為化合物kf或kbf4;含b化合物為h3bo3、b2o3、kbf4;
b、將步驟a得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助熔劑按摩爾比0-1∶0.1-6混合均勻,裝入石英管中,高溫密封后置于馬弗爐中,升溫至560-800℃,恒溫5-120小時,然后以溫度0.1-3℃/h的速率降溫至400℃,再以溫度5-10℃/h的速率快速降溫至室溫,即得到kb4o6f非線性光學(xué)晶體,所述助溶劑為kf,h3bo3,b2o3,pbo或pbf2;
所述水熱法生長氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體的具體操作按下列步驟進(jìn)行:
a、將含k化合物、含b化合物和含f化合物按摩爾比k∶b∶f=1∶4∶1混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至550-700℃,恒溫24-120小時,即得到化合物kb4o6f多晶粉末,所述含k化合物為kf、koh、k2co3、kno3、khco3或kbf4;含f為化合物kf或kbf4;含b化合物為h3bo3、b2o3、kbf4;
b、將步驟a得到的化合物kb4o6f多晶粉末置入去離子水中溶解,將不完全溶解的混合物在溫度60℃超聲波處理,使其充分混合溶解,加入koh和hf調(diào)節(jié)ph值為8-11;
c、將步驟b得到的混合溶液轉(zhuǎn)入到干凈、無污染的體積為100ml的高壓反應(yīng)釜的內(nèi)襯中,并將反應(yīng)釜旋緊密封;
d、將高壓反應(yīng)釜放置在恒溫箱內(nèi),升溫至150-350℃,恒溫4-8天,再以溫度5-30℃/天的降溫速率降至室溫,即得到kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
所述室溫溶液法生長氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體的具體操作按下列步驟進(jìn)行:
a、將含k化合物、含b化合物和含f化合物按摩爾比k∶b∶f=1∶4∶1混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至550-700℃,恒溫24-120小時,即得到化合物kb4o6f多晶粉末,所述含k化合物為kf、koh、k2co3、kno3、khco3或kbf4;含f為化合物kf或kbf4;含b化合物為h3bo3、b2o3、kbf4;
b、將步驟a得到的化合物kb4o6f多晶粉末放入洗干凈的玻璃容器中,加入20-100ml去離子水,然后超聲波處理使充分混合溶解,用koh和hf調(diào)節(jié)溶液ph值為8-11,用濾紙過濾得到溶液;
c、將步驟b得到的混合溶液置于干凈的玻璃容器中,用稱量紙封口,放在無晃動、無污染、無空氣對流的靜態(tài)環(huán)境中,將封口扎若干個小孔用以調(diào)節(jié)水溶液中水的蒸發(fā)速率,在室溫下靜置5-20天;
d、待步驟c中的混合溶液在容器底部長出晶體顆粒,直至晶體顆粒大小不再明顯變化,得到籽晶;
e、選擇步驟d中質(zhì)量較好的籽晶,將其懸掛于步驟b制得的混合溶液中,在室溫下靜置生長10-30天,即得到kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
所述氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體在制備nd:yag激光器所輸出的1064nm的基頻光進(jìn)行2倍頻、3倍頻、4倍頻、5倍頻或6倍頻的諧波光輸出的用途。
所述氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體在制備產(chǎn)生低于200nm的深紫外倍頻光輸出中的用途。
所述化合物氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體在制備倍頻發(fā)生器、上或下頻率轉(zhuǎn)換器或光參量振蕩器中的用途。
本發(fā)明所述氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體的制備方法,在制備過程中所用的容器為鉑金坩堝,銥坩堝,陶瓷坩堝,石英管,錐形瓶,燒杯,內(nèi)襯為聚四氟乙烯內(nèi)襯或裝有鉑金套管的不銹鋼內(nèi)襯的水熱釜。當(dāng)容器為石英管時,密封之前需要抽真空,避免反應(yīng)過程中原料揮發(fā)使石英管炸裂。當(dāng)容器為錐形瓶或燒杯,須先用酸將容器清洗干凈,再用去離子水潤洗,晾干。
本發(fā)明所述氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體在制備過程中所用的電阻爐為馬弗爐或干燥箱。
采用本發(fā)明所述的氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體的制備方法,通過該方法獲得尺寸為厘米級的kb4o6f非線性光學(xué)晶體,使用大尺寸坩堝或容器,并延長晶體的生長周期,則可獲得相應(yīng)大尺寸的非線性光學(xué)晶體kb4o6f,在該kb4o6f非線性光學(xué)晶體的生長中晶體易長大透明無包裹,具有生長速度快,成本低,容易獲得大尺寸晶體等優(yōu)點。
采用本發(fā)明所述的氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體的制備方法,獲得的大尺寸kb4o6f非線性光學(xué)晶體,根據(jù)晶體的結(jié)晶學(xué)數(shù)據(jù),將晶體毛胚定向,按所需角度、厚度和截面尺寸切割晶體,將晶體的通光面拋光,即可作為非線性光學(xué)器件使用,該kb4o6f非線性光學(xué)晶體具有透光波段達(dá)深紫外區(qū),晶體易于生長,物化性能穩(wěn)定,不易潮解,易于加工和保存等優(yōu)點。
附圖說明
圖1為本發(fā)明化合物kb4o6f的粉末xrd譜圖;
圖2為本發(fā)明kb4o6f晶體的結(jié)構(gòu)圖;
圖3為本發(fā)明kb4o6f晶體制作的非線性光學(xué)器件的工作原理圖,其中1為激光器,2為發(fā)出光束,3為kb4o6f晶體,4為出射光束,5為濾波片。
具體實施方式
以下結(jié)合實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步描述。需要說明的是,下述實施例不能作為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制,任何在本發(fā)明基礎(chǔ)上做出的改進(jìn)都不違背本發(fā)明精神。本發(fā)明所用原料或設(shè)備,如無特殊說明,均是商業(yè)上可以購買得到的。
實施例1
制備化合物:
按反應(yīng)式:kf+2b2o3→kb4o6f,采用固相合成法合成化合物kb4o6f:
將kf,b2o3按摩爾比1:2混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至700℃,恒溫24小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例2
制備化合物:
按反應(yīng)式:kf+4h3bo3→kb4o6f+6h2o,采用固相反應(yīng)法合成化合物kb4o6f:
將kf,h3bo3按摩爾比1:4混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至550℃,恒溫120小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例3
制備化合物:
按反應(yīng)式:12koh+4kbf4→kb4o6f+15kf+6h2o,采用固相反應(yīng)法合成化合物kb4o6f:
將koh,kbf4按摩爾比3:1混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至600℃,恒溫36小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例4
制備化合物:
按反應(yīng)式:12khco3+4kbf4→kb4o6f+15kf+6h2o+12co2,采用固相反應(yīng)法合成化合物kb4o6f:
將khco3,kbf4按摩爾比3:1混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至580℃,恒溫48小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例5
制備化合物:
按反應(yīng)式:12kno3+4kbf4→kb4o6f+15kf+6n2o5,采用固相反應(yīng)法合成化合物kb4o6f:
將kno3,kbf4按摩爾比3:1混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至560℃,恒溫96小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例6
制備化合物:
按反應(yīng)式:6k2co3+4kbf4→kb4o6f+15kf+6co2,采用固相反應(yīng)法合成化合物kb4o6f:
將k2co3,kbf4按摩爾比3:2混合均勻,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中升溫至600℃,恒溫120小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例7
制備化合物:
按反應(yīng)式:kf+2b2o3→kb4o6f,采用真空封裝法合成化合物kb4o6f:
將kf,b2o3按摩爾比1:2混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,以20℃/h的速率升溫至550℃,恒溫24小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例8
制備化合物:
按反應(yīng)式:kf+4h3bo3→kb4o6f+6h2o,采用真空封裝法合成化合物kb4o6f:
將kf,h3bo3按摩爾比1:4混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,以10℃/h的速率升溫至600℃,恒溫120小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例9
制備化合物:
按反應(yīng)式:12koh+4kbf4→kb4o6f+15kf+6h2o,采用真空封裝法合成化合物kb4o6f:
將koh,kbf4按摩爾比3:1混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,以5℃/h的速率升溫至700℃,恒溫36小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例10
制備化合物:
按反應(yīng)式:12kno3+4kbf4→kb4o6f+15kf+6n2o5,采用真空封裝法合成化合物kb4o6f:
將kno3,kbf4按摩爾比3:1混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,以5℃/h的速率升溫至580℃,恒溫72小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例11
制備化合物:
按反應(yīng)式:6k2co3+4kbf4→kb4o6f+15kf+6co2,采用真空封裝法合成化合物kb4o6f:
將k2co3和kbf4按摩爾比3:2混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,以10℃/h的速率升溫至660℃,恒溫72小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例12
制備化合物:
按反應(yīng)式:12khco3+4kbf4→kb4o6f+15kf+6h2o+12co2,采用真空封裝法合成化合物kb4o6f:
將khco3,kbf4按摩爾比3:1混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,以6℃/h的速率升溫至660℃,恒溫96小時,即得到化合物kb4o6f。
實施例13
熔體法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例1將制備的合物kb4o6f多晶粉末裝入鉑金坩堝,裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中,升溫至800℃,恒溫10小時,得到混合熔體;
將得到的混合熔體以溫度2℃/h的速率溫度緩慢降至400℃,再以溫度10℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
采用提拉法在化合物熔體中生長晶體:將得到的籽晶固定于籽晶桿上,從裝有制得的混合熔體的上方下籽晶,通過晶體生長控制儀施加2rpm的晶轉(zhuǎn),以1mm/天的速度提拉籽晶,以溫度0.1℃/h的速率降溫,待晶體生長停止后,即得到尺寸為15mm×13mm×10mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例14
熔體法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例2制備的合物kb4o6f多晶粉末裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中,升溫至700℃,恒溫96小時,得到混合熔體;
將得到的混合熔體以溫度0.1℃/h的速率溫度緩慢降至400℃,再以溫度5℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
采用提拉法在化合物熔體中生長晶體:將得到的籽晶固定于籽晶桿上,從裝有制得的混合熔體的上方下籽晶,通過晶體生長控制儀施加30rpm的晶轉(zhuǎn),以10mm/天的速度提拉籽晶,以溫度0.10℃/h的速率降溫,待晶體生長停止后,即得到尺寸為10mm×9mm×8mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例15
熔體法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例3制備的合物kb4o6f多晶粉末裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中,升溫至560℃,恒溫30小時,得到混合熔體;
將得到的混合熔體以溫度1℃/h的速率溫度緩慢降至400℃,再以溫度6℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
采用泡生法在化合物熔體中生長晶體:將得到的籽晶固定于籽晶桿上,從裝有制得的混合熔體的上方下籽晶,以溫度0.1℃/h的速率降溫,使晶體生長5小時,緩慢提升晶體但不脫離液面繼續(xù)生長,如此重復(fù)三次,即得到尺寸為16mm×15mm×12mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例16
熔體法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例4制備的合物kb4o6f多晶粉末裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中,升溫至680℃,恒溫30小時,得到混合熔體;
將得到的混合熔體以溫度1.5℃/h的速率溫度緩慢降至400℃,再以溫度8℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
采用泡生法在化合物熔體中生長晶體:將得到的籽晶固定于籽晶桿上,從裝有制得的混合熔體的上方下籽晶,以溫度10℃/h的速率降溫,使晶體生長15小時,緩慢提升晶體但不脫離液面繼續(xù)生長,如此重復(fù)三次,即得到尺寸為12mm×12mm×10mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
實施例17
熔體法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例1制備的合物kb4o6f多晶粉末裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中,升溫至770℃,恒溫100小時,得到混合熔體;
將得到的混合熔體以溫度2℃/h的速率溫度緩慢降至400℃,再以溫度5℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
采用坩堝下降法在化合物熔體中生長晶體:將得到的籽晶放在坩堝底部,再將實施例1制備的化合物kb4o6f多晶粉末放入坩堝中,然后將鉑金坩堝密封,將生長爐溫度升至800℃,恒溫10小時,調(diào)整坩堝位置使籽晶微熔,然后以10mm/天的速度降低坩堝,以溫度3℃/h的降溫速率降至400℃,待生長結(jié)束后,再以溫度10℃/h的速率快速降至室溫,即得到尺寸為10mm×9mm×8mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
實施例18
熔體法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例2制備的合物kb4o6f多晶粉末裝入鉑金坩堝,置于馬弗爐中,升溫至700℃,恒溫90小時,得到混合熔體;
將得到的混合熔體以溫度1℃/h的速率溫度緩慢降至400℃,再以溫度5℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
采用坩堝下降法在化合物熔體中生長晶體:將得到的籽晶放在坩堝底部,再將實施例2制備的化合物kb4o6f多晶粉末放入坩堝中,然后將鉑金坩堝密封,將生長爐溫度升至560℃,恒溫120小時,調(diào)整坩堝位置使籽晶微熔,同時,保持生長溫度不變,待生長結(jié)束后,再以溫度5℃/h的速率快速降至室溫,即得到尺寸為10mm×9mm×8mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
實施例19
高溫熔液法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例5制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助熔劑kf按摩爾比1∶6混合均勻,裝入鉑金坩堝中,升溫至800℃,恒溫5小時,得到混合熔液;
制備籽晶:將得到的混合熔液置于單晶爐中,以溫度2℃/h的速率緩慢降至400℃,再以溫度10℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
生長晶體:將得到的籽晶固定于籽晶桿上,從裝有制得的混合熔液的上方下籽晶,通過晶體生長控制儀施加20rpm的晶轉(zhuǎn),以溫度3℃/h的速率降溫,待晶體生長停止后,即得到尺寸為16mm×10mm×6mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
實施例20
高溫熔液法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例8制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助熔劑b2o3按摩爾比1∶0.1混合均勻,裝入鉑金坩堝中,升溫至700℃,恒溫100小時,得到混合熔液;
制備籽晶:將得到的混合熔液置于單晶爐中,以溫度1℃/h的速率緩慢降至400℃,再以溫度6℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
生長晶體:將得到的籽晶固定于籽晶桿上,從裝有制得的混合熔液的上方下籽晶,通過晶體生長控制儀施加10rpm的晶轉(zhuǎn),以溫度1℃/h的速率降溫,待晶體生長停止后,即得到尺寸為13mm×13mm×11mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
實施例21
高溫熔液法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例10制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助熔劑h3bo3按摩爾比1∶1混合均勻,裝入鉑金坩堝中,升溫至590℃,恒溫120小時,得到混合熔液;
制備籽晶:將得到的混合熔液置于單晶爐中,以溫度0.1℃/h的速率緩慢降至400℃,再以溫度5℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
生長晶體:將得到的籽晶固定于籽晶桿上,從裝有制得的混合熔液的上方下籽晶,通過晶體生長控制儀施加10rpm的晶轉(zhuǎn),以0.1℃/h的速率降溫,待晶體生長停止后,即得到尺寸為12mm×10mm×6mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
實施例22
高溫熔液法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例11制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助熔劑pbo按摩爾比1∶1混合均勻,裝入鉑金坩堝中,升溫至560℃,恒溫72小時,得到混合熔液;
制備籽晶:將得到的混合熔液置于單晶爐中,以溫度2℃/h的速率緩慢降至400℃,再以溫度10℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
生長晶體:將得到的籽晶固定于籽晶桿上,從裝有制得的混合熔液的上方下籽晶,通過晶體生長控制儀施加2rpm的晶轉(zhuǎn),以溫度0.1℃/h的速率降溫,待晶體生長停止后,即得到尺寸為10mm×9mm×6mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
實施例23
高溫熔液法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例11制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助熔劑pbf2按摩爾比1∶2混合均勻,裝入鉑金坩堝中,升溫至560℃,恒溫72小時,得到混合熔液;
制備籽晶:將得到的混合熔液置于單晶爐中,以溫度1℃/h的速率緩慢降至400℃,再以溫度8℃/h的速率快速降溫至室溫,得到kb4o6f籽晶;
生長晶體:將得到的籽晶固定于籽晶桿上,從裝有制得的混合熔液的上方下籽晶,通過晶體生長控制儀施加10rpm的晶轉(zhuǎn),以溫度0.5℃/h的速率降溫,待晶體生長停止后,即得到尺寸為12mm×9mm×7mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體;
實施例24
真空封裝法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例12制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,升溫至700℃,恒溫5小時,然后以溫度0.1℃/h的速率降溫至400℃,再以溫度5℃/h的速率快速降溫至室溫,即得到尺寸為4mm×4mm×2mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例25
真空封裝法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例1制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助溶劑kf按照摩爾比1:0.1混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,升溫至780℃,恒溫10小時,然后以溫度1℃/h的速率降溫至400℃,再以溫度10℃/h的速率快速降溫至室溫,即得到尺寸為3mm×2mm×2mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例26
真空封裝法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例2制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助溶劑b2o3按照摩爾比1:1混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,升溫至800℃,恒溫120小時,然后以溫度3℃/h的速率降溫至400℃,再以溫度10℃/h的速率快速降溫至室溫,即得到尺寸為5mm×3mm×2mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例27
真空封裝法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例5制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助溶劑h3bo3按照摩爾比1:3混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,升溫至750℃,恒溫100小時,然后以溫度2℃/h的速率降溫至400℃,再以溫度10℃/h的速率快速降溫至室溫,即得到尺寸為7mm×4mm×4mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例28
真空封裝法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
按照實施例5制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助溶劑pbo按照摩爾比1:6混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,升溫至560℃,恒溫120小時,然后以溫度0.1℃/h的速率降溫至400℃,再以溫度5℃/h的速率快速降溫至室溫,即得到尺寸為8mm×7mm×5mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例29
真空封裝法生長kb4o6f非線性光學(xué)晶體:
將按照實施例5制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末與助溶劑pbf2按照摩爾比1:4混合均勻,裝入φ40mm的石英管中,將石英管抽真空,真空度達(dá)到1×10-3pa,高溫密封后置于馬弗爐中,升溫至580℃,恒溫100小時,然后以0.2℃/h的速率降溫至400℃,再以6℃/h的速率快速降溫至室溫,即得到尺寸為6mm×5mm×4mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例30
水熱法生長氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體:
按照實施例10制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末置入去離子水中溶解,將不完全溶解的混合物在溫度60℃超聲波處理,使其充分混合溶解;用koh和hf調(diào)節(jié)ph值為8;
將得到的混合溶液轉(zhuǎn)入到干凈、無污染的體積為100ml的高壓反應(yīng)釜的內(nèi)襯中,并將反應(yīng)釜旋緊密封;
將高壓反應(yīng)釜放置在恒溫箱內(nèi),升溫至150℃,恒溫8天,再以溫度5℃/天的降溫速率降至室溫;即得到尺寸為4mm×3mm×2mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例31
水熱法生長氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體:
按照實施例11制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末置入去離子水中溶解,將不完全溶解的混合物在溫度60℃超聲波處理,使其充分混合溶解;用koh和hf調(diào)節(jié)ph值為11;
將得到的混合溶液轉(zhuǎn)入到干凈、無污染的體積為100ml的高壓反應(yīng)釜的內(nèi)襯中,并將反應(yīng)釜旋緊密封;
將高壓反應(yīng)釜放置在恒溫箱內(nèi),升溫至350℃,恒溫4天,再以溫度30℃/天的降溫速率降至室溫;即得到尺寸為3mm×3mm×2mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例32
室溫溶液法生長氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體
按照步驟4制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末放入洗干凈的玻璃容器中,加入50ml去離子水,然后超聲波處理使充分混合溶解,用koh和hf調(diào)節(jié)溶液ph值為8,用濾紙過濾得到溶液;
將得到的溶液置于干凈的三角瓶中,用稱量紙封口,放在無晃動、無污染、無空氣對流的靜態(tài)環(huán)境中,將封口扎若干個小孔用以調(diào)節(jié)水溶液中水的蒸發(fā)速率,在室溫下靜置7天;
待溶液在容器底部長出晶體顆粒,生長5天,得到籽晶;
選擇質(zhì)量較好的籽晶,將其懸掛于制得的混合溶液中,在室溫下靜置生長30天即可得到尺寸為6mm×4mm×4mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例33
室溫溶液法生長氟硼酸鉀非線性光學(xué)晶體
按照步驟6制備得到的化合物kb4o6f多晶粉末放入洗干凈的玻璃容器中,加入100ml去離子水,然后超聲波處理使充分混合溶解,用koh和hf調(diào)節(jié)溶液ph值為11,用濾紙過濾得到溶液;
將得到的溶液置于干凈的三角瓶中,用稱量紙封口,放在無晃動、無污染、無空氣對流的靜態(tài)環(huán)境中,將封口扎若干個小孔用以調(diào)節(jié)水溶液中水的蒸發(fā)速率,在室溫下靜置8天;
待溶液在容器底部長出晶體顆粒,直至晶體顆粒大小不再明顯變化,得到籽晶;
選擇質(zhì)量較好的籽晶,將其懸掛于制得的混合溶液中,在室溫下靜置生長10天即可得到尺寸為5mm×3mm×2mm的kb4o6f非線性光學(xué)晶體。
實施例34
將實施例1-33所得的任意kb4o6f晶體按相匹配方向加工,按附圖3所示安置在3的位置上,在室溫下,用調(diào)q-nd:yag激光器作光源,入射波長為1064nm,由調(diào)q-nd:yag激光器1發(fā)出波長為1064nm的紅外光束2射入kb4o6f單晶3,產(chǎn)生波長為532nm的綠色倍頻光,輸出強(qiáng)度約為同等條件kdp的1.8倍。
實施例35
將實施例1-33所得的任意kb4o6f晶體按相匹配方向加工,按附圖3所示安置在3的位置上,在室溫下,用調(diào)qnd:yag激光器作光源,入射波長為532nm,由調(diào)q的nd:yag激光器1發(fā)出波長為532nm的紅外光束2射入kb4o6f單晶3,產(chǎn)生波長為266nm的倍頻光,輸出強(qiáng)度約為0.3倍bbo。
實施例36
將實施例1-33所得的任意kb4o6f晶體按相匹配方向加工,按附圖3所示安置在3的位置上,在室溫下,用調(diào)q-nd:yag激光器作光源,入射波長為355nm,由調(diào)q-nd:yag激光器1發(fā)出波長為355nm的紅外光束2射入kb4o6f單晶3,可觀察到波長為177.3nm的深紫外倍頻光輸出。